JPH0685127A - 金属箔積層フィルム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【目的】絶縁性基板または絶縁性フィルムにおける保護
フィルムとレジストとの密着性を皆無にすることによ
り、レジスト乾燥工程中に生じる保護フィルムからのレ
ジスト剥離粉塵現象をなくす。 【構成】絶縁性基板または絶縁性フィルムＦは、導電性
の優れた銅箔層１０１、電気絶縁性および耐熱性に優れ
たポリイミド樹脂層、または接着剤層とポリイミド樹脂
層とよりなる基材層１０２、リ−ドフレ−ムに貼り合わ
せるための接着剤層１０３、およびこの接着剤層１０３
を保護する保護フィルム層１０４からなる積層フィルム
として構成されている。また、保護フィルム層１０４の
表面にレジストの密着性を皆無にするため、ウレタン樹
脂またはフッソ樹脂によるアンダーコート処理Ａが施さ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えばリ−ドフレ−ム
用部材等に用いられ、絶縁性基材層の表面に所定の金属
パタ−ンが形成される金属箔積層フィルムに関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】図２に示すように、従来半導体パッケ−
ジの組立用部材として用いられているリ−ドフレ−ム２
０１は、アウタ−リ−ド部２０２、インナ−リ−ド部２
０３、およびダイパッド部２０４から構成されているの
が一般的である。このようなリ−ドフレ−ム２０１にお
いては、例えばコバ−ル、４２合金、銅系合金等のよう
な、導電性が良くかつ強度の大きい金属材料を用いて、
フォトエッチング法あるいはスタンピング法等によっ
て、アウタ−リ−ド部２０２、インナ−リ−ド部２０３
およびダイパッド部２０４が一体形成されている。これ
らの方法によって製造されたリ−ドフレ−ム２０１は、
ダイパッド部２０４に半導体チップのパッドとインナ−
リ−ド２０３ａとを後述するようにワイヤによりボンデ
ィングすることにより用いられている。そのために、通
常はインナ−リ−ド部２０３のボンディング位置に、
金、銀等の貴金属のめっきを施して、ワイヤボンディン
グを確実に行うことができるようにしている。

【０００３】一方、近年半導体チップはそのＩ／０端子
が増大する傾向にあり、これに伴い、種々のサイズの半
導体チップが製造されている。特に電子機器において
は、小型、軽量化が強く要求されており、このような要
望に対応するために、半導体パッケ−ジのより一層の小
型化および同一サイズでの多ピン化が行われてきた。こ
のようなことから、半導体素子用リ−ドフレ−ムに対し
ては、加工サイズの微細化が求められている。

【０００４】ところで、従来のリ−ドフレ−ム２０１に
おいては、インナ−リ−ド部２０３の各インナ−リ−ド
２０３ａ、２０３ａ、・・・はダイパッド部２０４の方
へ大きく突出するようにして形成され、したがってフォ
トエッチング法およびスタンピング法によって、このリ
−ドフレ−ム２０１を製造する場合には、これらのイン
ナ−リ−ド２０３ａが互いに他のインナ−リ−ド２０３
ａと接触することのないようにして形成しなければなら
ない。しかしながら、加工サイズが微細化してくるとこ
のようにリードどうしが接触することなくリードフレー
ムを形成するのは極めて困難であり、このためインナ−
リ−ドを所定の寸法内に無制限に形成することができな
く、その加工に限界が生じていた。

【０００５】その上、前述の多ピン化の要求に応えるよ
うとすると、各インナ−リ−ド２０３ａの線も細くしな
ければならない。このため、リ−ドフレ−ム２０１の製
造が一層難しくなる。また、仮により多くのインナ−リ
−ド２０３ａが形成されたリ−ドフレ−ム２０１を製造
することができたとしても、リ−ドフレ−ム２０１を輸
送したり、取り扱っているうちにインナ−リ−ド２０３
ａが曲がって互いに接触してしまい、信頼性が損なわれ
る。そこで、この接触を防止するために従来は同図に示
すようにテ−ピング２０５を行って各インナ−リ−ド２
０３ａを固定し、その強度を上げるようにしているが、
しかしテ−ピング作業のために余計な労力が必要となっ
ている。

【０００６】一方、半導体パッケ−ジを製造する際に、
インナ−リ−ド部２０３とダイパッド部２０４上の半導
体チップの電極（パッド）とをワイヤによって連結する
ワイヤボンディングが行われる。しかし、前述のように
一定の範囲内に形成可能なインナ−リ−ド２０３の数に
は限界があるので、チップを多ピン化するには、インナ
−リ−ド形成部分を大きくする必要があるが、その範囲
を大きくすると、インナ−リ−ド部２０３とダイパッド
部２０４との距離が大きくなってしまう。このため、必
然的にワイヤの長さも長くなって、樹脂封止時にワイヤ
どうしが接触してしまう。したがって、この方法によっ
ても、依然としてチップの多ピン化に充分対応すること
ができない。

【０００７】このようなことから、チップの超多ピン化
に対応するために、加工サイズの微細化を簡単にできる
ようにするとともに、信頼性を向上することのできる半
導体素子用リ−ドフレ−ムの開発が必要となっている。

【０００８】そこで、図３に示すように、ダイパッド部
３０４上に配設された絶縁性基板または絶縁性フィルム
３０６と、この絶縁性基板または絶縁性フィルム３０６
上に配設され、半導体素子とインナ−リ−ド３０３との
間の配線を中断するための、相互に独立した電極である
多数の中間パッド３０７とを備えることにより、超多ピ
ン化を達成した半導体素子用リ−ドフレ−ム３０１を考
えられている。

【０００９】このリ−ドフレ−ム３０１においては、半
導体素子とインナ−リ−ド部３０３とを直接結線するこ
となく、例えば図４に示すようにダイパッド部４０４上
の絶縁性基板または絶縁性フィルム４０６上に配した中
間パッド４０７を介して半導体素子４１１とインナ−リ
−ド４０３ａとをワイヤ４０８ａ，４０８ｂでボンディ
ングできるようにしているので、インナ−リ−ド部４０
３とダイパッド部４０４との間のワイヤ長をそれほど長
く延長することがなく、インナ−リ−ド部４０３をダイ
パッド部４０４から離間させることが可能となる。した
がって、インナ−リ−ド部４０３の形成領域を拡張する
ことができ、インナ−リ−ド４０３ａの数を増やして、
容易に超多ピン化が可能となる。

【００１０】ところで、このようなリ−ドフィルムを製
造する場合、例えば図５に示すようにリ−ドフレ−ム５
０１本体のダイパッド部５０４に、中間パッド５０７が
設けられた絶縁性基板または絶縁性フィルム５０６を各
インナ−リ−ド５０３ａと中間パッド５０７との位置関
係が所定の関係となるように貼り合わせることにより、
リードフレーム５０１を製造している。その場合、ダイ
パッド部５０４と絶縁性基板または絶縁性フィルム５０
６との貼り合わせを行う方法として、図６に示すように
平坦性を有するダイパッド部６０４の上面に耐熱性の接
着剤、半田あるいは低融点金属等の接着層６０９を介し
て絶縁性基板または絶縁性フィルム６０６を重ね合わせ
た後、加圧・加熱治具６１０によって加熱圧着する方法
が考えられており、このリ−ドフレ−ムの製造方法は実
用に供されている。

【００１１】しかしながら、本リ−ドフレ−ムの特徴で
ある独立電極を形成した絶縁性基板または絶縁性フィル
ムを製造することは、極めて困難である。その理由は、
本リ−ドフィルムの特徴を活かすために微細な加工を行
わなければならないが、このため独立電極を形成した絶
縁性基板または絶縁性フィルムは、印刷法で製造するこ
とが難しく、したがってフォトエッチング法により製造
しなければならないからである。

【００１２】フォトエッチング法においては、極めて重
要な工程としてレジストコ−ティングがあるが、この工
程ではいかに均一かつ密着性の良好なレジスト層を形成
するかが重要となる。本リードフレームに用いられる絶
縁性基板または絶縁性フィルムのように自己支持性のな
い基材に対するレジストのコーティング法としては、水
系レジストの掛け流し法によるものがコストパフォーマ
ンスからみて一番良好である。

【００１３】他の方法として、有機溶剤のレジストをロ
ールコーター法によりコーティングする方法も考えられ
るが、この方法は基板の反り、操作条件が狭いこと、お
よびレジストが高いこと等の問題があり、採用すること
は難しい。また、レジストコーティングの次はレジスト
乾燥という工程があるが、この工程ではレジスト膜面に
ゴミおよび塵等が付着しないで乾燥させることが重要と
なる。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、水系レジス
トの掛け流し法によるコ−ティングの場合の問題点とし
ては、絶縁性基板または絶縁性フィルムの両面にレジス
トがコ−ティングされてしまうということである。この
ように絶縁性基板または絶縁性フィルム上にレジストが
コ−ティングされた場合、絶縁性基板または絶縁性フィ
ルムの裏面に接着剤およびその接着剤層を保護する保護
フィルム層（ＰＥＴフィルムを用いる場合が多い）が形
成されているので、ＰＥＴフィルムからなる保護フィル
ム層とレジストとの密着性が悪いため、レジスト乾燥工
程中に、レジストが保護フィルムから剥離してしまうこ
とがある。剥離したレジストの破片は絶縁性基板または
絶縁性フィルムに付着して、断線、ショ−ト等の不良を
引き起こすというレジスト剥離粉塵現象が起こるように
なる。

【００１５】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、その目的は、絶縁性基板または絶縁性フ
ィルムの裏面とレジストの密着性を皆無にすることによ
り、乾燥工程中に生じるレジスト剥離粉塵現象をなくす
ことのできる金属箔積層フィルムを提供することであ
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
めに、本発明は、ポリイミド樹脂等の電気絶縁性および
耐熱性の材料からなる基材層と、この基材層の一方の面
に貼り合わされ、銅等の電気伝導性に優れた金属からな
る金属箔層と、前記基材層の他方の面に貼り合わされた
高耐熱性の接着剤層と、この接着剤層の表面に貼り合わ
された保護フィルム層とから積層構造に形成されている
金属泊積層フィルムにおいて、前記保護フィルム層の表
面に、フォトエッチングにより金属箔層に所定のパタ−
ンを形成するためのレジストとの密着性を皆無にするた
めの処理が施されていることを特徴としている。その場
合、密着性を皆無にする処理としては、ウレタン樹脂ま
たはフッソ樹脂によるアンダーコ−ト処理がある。

【００１７】

【作用】このように構成された本発明の金属箔積層フィ
ルムにおいては、レジストと保護フィルムとの密着性が
皆無となるので、レジストコ−ティング工程の際、保護
フィルムには一切レジストが付着しなくなる。したがっ
て、レジスト乾燥工程中に、保護フィルムからレジスト
が剥離して粉塵となる現象が生じることはない。したが
って、粉塵による断線、ショ−ト等の不具合は発生しな
くなる。

【００１８】

【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図１は、本発明に係わる金属箔積層フィルムの一実
施例である絶縁性基板または絶縁性フィルムを示す断面
図、図１（Ｂ）は独立電極を形成した絶縁性基板または
絶縁性フィルムの作製方法の一例を示す図である。

【００１９】図１（Ａ）に示すように、絶縁性基板また
は絶縁性フィルムＦは、導電性の優れた銅箔層１０１、
電気絶縁性および耐熱性に優れたポリイミド樹脂層、ま
たは接着剤層とポリイミド樹脂層とよりなる基材層１０
２、リ−ドフレ−ムに貼り合わせるための接着剤層１０
３、およびこの接着剤層１０３を保護する保護フィルム
層１０４からなる積層フィルムとして構成されている。

【００２０】そして、この実施例においては保護フィル
ム層１０４の表面にレジストの密着性を皆無にするため
の処理Ａが施されている。この処理Ａとしては、ウレタ
ン樹脂、フッソ樹脂等によるアンダ−コ−ト処理があ
る。これらの樹脂によるアンダ−コ−ト処理は従来採用
されている公知の方法で行うことができるので、その説
明は省略する。

【００２１】次に、このような積層フィルムに構成され
た絶縁性基板または絶縁性フィルムＦの作製方法につい
て説明する。まず、基材層１０２の表面に銅箔層１０１
が接合されるとともに、基材層１０２の裏面に接着剤層
１０３およびその保護フィルム層１０４が接合された積
層フィルム構造の材料を用意する。その場合、その材料
は保護フィルム層１０４の表面にレジストとの密着性を
皆無にする処理Ａが施されているものを用意する。

【００２２】そして、図１（Ｂ）に示すようにこの積層
フィルム構造の材料を所定の寸法に裁断する。次に、裁
断したフィルムの脱脂処理を行った後、水系レジストの
掛け流し法によりレジストコ−ティングを行うととも
に、レジストの乾燥工程を行う。その場合、保護フィル
ム層１０４にもレジストがコ−ティングされるが、保護
フィルム層１０４にはレジストとの密着性を皆無にする
処理Ａが施されているので、保護フィルム１０４にはレ
ジストは一切付着しない。したがって、レジスト乾燥工
程中に、レジストが保護フィルム１０４から剥離して粉
塵になるようなことはない。

【００２３】次いで、銅箔１０１に対して露光、現像お
よびエッチングを行って所定のパタ−ンの独立電極を形
成し、その後レジストを剥離するとともに形成された独
立電極の検査を行う。次に、前処理、Ｎｉめっき、Ａｕ
めっきおよび洗浄のめっき処理を行い、最後に最終検査
を行うことにより、独立電極が形成された絶縁性基板ま
たは絶縁性フィルムＦが完成する。

【００２４】なお、本発明は、前述の実施例に限定され
ることなく、種々の設計変更が可能である。例えば、前
述の実施例では、金属泊として銅箔を用いるものとして
いるが、本発明は、導電性の高い他の金属を用いること
もできる。また、前述の実施例では基材層としてポリイ
ミド樹脂を用いるものとしているが、電気絶縁性および
耐熱性が優れていれば他の材料を用いてもよい。更に、
本発明は、リードフレームに用いられる絶縁性基板また
は絶縁性フィルム以外の表面に導電性の所定の金属パタ
ーンが形成されるフィルムにも適用することができる。

【００２５】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は独立電極が形成された絶縁性基板または絶縁性フィル
ムにおける接着剤層の保護フィルム層に、レジストとの
密着性を皆無にするための処理を施しているので、保護
フィルム層にレジストがコ−ティングされることはな
い。したがって、レジスト乾燥工程中に保護フィルム層
からレジストが剥離し粉塵をまき散らすことが確実に防
止できる。これにより、レジストの剥離粉塵による断
線、ショ−ト等の不具合を防止することができる。しか
も、レジストの剥離粉塵現象が生じないことにより、水
系レジストの掛け流し法によりレジストコ−ティングを
簡単に行うことができるようになるので、金属箔積層フ
ィルムの製造コストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る金属箔積層フィルムの一実施例で
ある絶縁性基板または絶縁性フィルムを示し、（Ａ）は
その断面図、（Ｂ）はその製造方法の一例を説明する図
である。

【図２】絶縁性基板または絶縁性フィルムが貼り付けら
れるリ−ドフレ−ムを示し、（Ａ）はその平面図、
（Ｂ）は（Ａ）におけるIIB−IIB線に沿う断面図であ
る。

【図３】多ピン化を可能にするための一例として考えら
れる絶縁性基板または絶縁性フィルムが貼り合わさたリ
−ドフレ−ムを示し、（Ａ）はその平面図、（Ｂ）は
（Ａ）におけるIIIB−IIIB線に沿う断面図である。

【図４】そのリ−ドフレ−ムに取り付けられた半導体素
子、インナ−リ−ドおよび中間パッドの連結状態を示す
図である。

【図５】リ−ドフレ−ムと絶縁性基板または絶縁性フィ
ルムとの組み合わせを説明し、（Ａ）はその平面図、
（Ｂ）は（Ａ）におけるVB−VB線に沿う断面図である。

【図６】リ−ドフレ−ムに絶縁性基板または絶縁性フィ
ルムを貼り合わす工程の説明図である。

【符号の説明】

１０１…銅箔、１０２…基材層（ポリイミド、接着剤層
およびポリイミド）、１０３…接着剤層、１０４…保護
フィルム、Ｆ…絶縁性基板または絶縁性フィルム、Ａ…
保護フィルムとレジストとの密着性を皆無にさせるため
の処理

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ポリイミド樹脂等の電気絶縁性および耐熱
   性の材料からなる基材層と、この基材層の一方の面に貼
   り合わされ、銅等の電気伝導性に優れた金属からなる金
   属箔層と、前記基材層の他方の面に貼り合わされた高耐
   熱性の接着剤層と、この接着剤層の表面に貼り合わされ
   た保護フィルム層とから積層構造に形成されている金属
   泊積層フィルムにおいて、 前記保護フィルム層の表面に、フォトエッチングにより
   金属箔層に所定のパタ−ンを形成するためのレジストと
   の密着性を皆無にするための処理が施されていることを
   特徴とする金属箔積層フィルム。
2. 【請求項２】前記密着性を皆無にするための処理は、ウ
   レタン樹脂またはフッソ樹脂によるアンダ−コ−ト処理
   であることを特徴とする金属泊積層フィルム。