JPH08222682A

JPH08222682A - リードフレームおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH08222682A
Application number: JP4791995A
Authority: JP
Inventors: Junichi Yamada; 淳一山田; Tomoe Kami; 智江上; Masaru Sasaki; 賢佐々木
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1995-02-14
Filing date: 1995-02-14
Publication date: 1996-08-30

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置の多端子化に対応でき、且つ、ア
センブリ工程や実装工程等の後工程にも対応できる高精
細なリードフレームを提供する。【構成】半導体素子をバンプを介してインナーリード
先端部に搭載し、インナーリードと一体となって延設し
たアウターリードにより半導体素子と外部回路とを電気
的に接続する、樹脂封止型半導体装置用リードフレーム
であって、インナーリード先端部は、板厚がリードフレ
ームの他の部分の板厚よりも薄く、断面形状が略方形で
あり、且つ、該インナーリード先端部の１面はリードフ
レームの他の部分の面に平行で、前記インナーリードの
他の３面は凹状に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，半導体素子をバンプを
介してインナーリード先端部に搭載するための樹脂封止
型半導体装置用リードフレームとその製造方法に関す
る。特に、フリップチップ法により半導体素子をインナ
ーリード先端部に搭載するためのリードフレームに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より用いられている樹脂封止型の半
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図６（ａ）に示されるような構造であり、半
導体装置６０は、半導体素子を４２％ニッケル−鉄合金
等からなるリードフレームに搭載した後に、樹脂６５に
より封止してパッケージとしたもので、半導体素子６１
の電極パッド６６に対応できる数のインナーリード６３
を必要とするものである。そして、半導体素子６１を搭
載するダイパッド部６２や周囲の回路との電気的接続を
行うためのアウターリード部６４、アウターリード部６
４に一体となったインナーリード部６３、該インナーリ
ード部６３の先端部と半導体素子６１の電極パッド６６
とを電気的に接続するためのワイヤ６７、半導体素子６
１を封止して外界からの応力、汚染から守る樹脂６５等
からなっている。このようなリードフレームを利用した
樹脂封止型の半導体装置（プラスチックリードフレーム
パッケージ）においても、電子機器の軽薄短小化の時流
と半導体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ電極端
子の増大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導体装
置、特にＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａｇ
ｅ）及びＴＱＦＰ（ＴｈｉｎＱｕａｄＦｌａｔＰ
ａｃｋａｇｅ）等では、リードの多ピン化が著しくなっ
てきた。上記の半導体装置に用いられるリードフレーム
は、微細なものはフオトリソグラフイー技術を用いたエ
ッチング加工方法により作製され、微細でないものはプ
レスによる加工方法による作製されるのが一般的であっ
たが、このような半導体装置の多ピン化に伴い、リード
フレームにおいても、インナーリード部先端の微細化が
進み、微細なものに対しては、プレスによる打ち抜き加
工によらず、リードフレーム部材の板厚が０．２５ｍｍ
程度のものを用い、エッチング加工で対応してきた。こ
のエッチング加工方法の工程について以下、図５に基づ
いて簡単に述べておく。先ず、銅合金もしくは４２％ニ
ッケル−鉄合金からなる厚さ０．２５ｍｍ程度の薄板
（リードフレーム素材５１）を十分洗浄（図５（ａ））
した後、重クロム酸カリウムを感光材とした水溶性カゼ
インレジスト等のフオトレジスト５２を該薄板の両表面
に均一に塗布する。（（図５（ｂ））次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介して高
圧水銀灯でレジスト部を露光した後、所定の現像液で該
感光性レジストを現像して（図５（ｃ））、レジストパ
ターン５３を形成し、硬膜処理、洗浄処理等を必要に応
じて行い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とするエッチ
ング液にて、スプレイにて該薄板（リードフレーム素材
５１）に吹き付け所定の寸法形状にエッチングし、貫通
させる。（図５（ｄ））次いで、レジスト膜を剥膜処理し（図５（ｅ））、洗浄
後、所望のリードフレームを得て、エッチング加工工程
を終了する。このように、エッチング加工等によって作
製されたリードフレームは、更に、所定のエリアに銀メ
ッキ等が施される。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経
て、インナーリード部を固定用の接着剤付きポリイミド
テープにてテーピング処理したり、必要に応じて所定の
量タブ吊りバーを曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセ
ットする処理を行う。しかし、エッチング加工方法にお
いては、エッチング液による腐蝕は被加工板の板厚方向
の他に板幅（面）方向にも進むため、その微細化加工に
も限度があるのが一般的で、図５に示すように、リード
フレーム素材の両面からエッチングするため、ラインア
ンドスペース形状の場合、ライン間隔の加工限度幅は、
板厚の５０〜１００％程度と言われている。又、リード
フレームの後工程等のアウターリードの強度を考えた場
合、一般的には、その板厚は約０．１２５ｍｍ以上必要
とされている。この為、図５に示すようなエッチング加
工方法の場合、リードフレームの板厚を０．１５ｍｍ〜
０．１２５ｍｍ程度まで薄くすることにより、ワイヤボ
ンデイングのための平坦幅が少なくとも７０〜８０μｍ
必要であることより、０．１６５ｍｍピッチ程度の微細
なインナーリード部先端のエッチングによる加工を達成
してきたが、これが限度とされていた。

【０００３】しかしながら、近年、樹脂封止型半導体装
置は、小パッケージでは、電極端子であるインナーリー
ドのピッチが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１
５〜０．１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてき
た事と、エッチング加工において、リード部材の板厚を
薄した場合には、アセンブリ工程や実装工程といった後
工程におけるアウターリードの強度確保が難しいという
点から、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング加
工を行う方法にも限界が出てきた。

【０００４】これに対応する方法として、アウターリー
ドの強度を確保したまま微細化を行う方法で、インナー
リード部分をハーフエッチングもしくはプレスにより薄
くしてエッチング加工を行う方法が提案されている。し
かし、プレスにより薄くしてエッチング加工をおこなう
場合には、後工程においての精度が不足する（例えば、
めっきエリアの平滑性）、ボンデイング、モールデイン
グ時のクランプに必要なインナーリードの平坦性、寸法
精度が確保されない、製版を２度行なわなければならな
い等製造工程が複雑になる、等問題点が多くある。そし
て、インナーリード部分をハーフエッチングにより薄く
してエッチング加工を行う方法の場合にも、製版を２度
行なわなければならず、製造工程が複雑になるという問
題があり、いずれも実用化には、未だ至っていないのが
現状である。

【０００５】一方、樹脂封止型半導体装置の多端子化に
対応すべく、上記のリードフレームを用いて半導体素子
の端子部とリードフレームのインナーリード先端部とを
ワイヤボンデイングする方法とは異なる、半導体素子を
バンプを介して外部回路と接続するための導体上に搭載
するフリップチップ法が提案されている。この方法は、
一般には図７に示すように、セラミック材料よりなる基
板７３上に配線（インナーリード）７２を配し、その配
線（インナーリード）７２の電極部（インナーリード先
端部）７２Ａ上に半導体素子７０をバンプ７１を介して
搭載するものである。しかしながら、この方法の場合、
電極部７２Ａが平坦であるため、半導体素子７０と電極
部７２Ａとを重ね合わせて接続する時にバンプ７１が電
極部７２Ａよりズレてしまい、電気的接続がうまくいか
ないという問題点があり、このフリップチップ法によ
り、リードフレームのインナーリード先端部に半導体素
子を搭載した、樹脂封止型半導体装置も考えられたが、
特に高精細なリードフレームを用いたものは実用に至っ
ていない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように、樹脂封止
型半導体装置の多端子化に対応でき、且つ、アセンブリ
工程や実装工程等の後工程にも対応できるリードフレー
ムが求められていた。本発明は、このような状況のも
と、半導体装置の多端子化に対応でき、且つ、後工程に
も対応できる高精細なリードフレームを提供しようとす
るものであり、、又、そのような高精細なリードフレー
ムの製造方法を提供しようとするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、半導体素子をバンプを介してインナーリード先端部
に搭載し、インナーリードと一体となって延設したアウ
ターリードにより半導体素子と外部回路とを電気的に接
続する、樹脂封止型半導体装置用リードフレームであっ
て、インナーリード先端部は、板厚がリードフレームの
他の部分の板厚よりも薄く、断面形状が略方形であり、
且つ、該インナーリード先端部の１面はリードフレーム
の他の部分の面に平行で、前記インナーリードの他の３
面は凹状に形成されていることを特徴とするものであ
る。また、本発明のリードフレームの製造方法は、半導
体素子をバンプを介してインナーリード先端部に搭載
し、インナーリードに一体となって延設したアウターリ
ードにより半導体素子と外部回路とを電気的に接続す
る、樹脂封止型半導体装置用リードフレームであって、
半導体素子をバンプを介して搭載するインナーリード先
端部は、板厚をリードフレームの他の部分の板厚よりも
薄く、断面形状が略方形であり、前記インナーリード先
端部の１面はリードフレームの他の部分の面に平行で、
前記インナーリードの他の３面は凹状に形成されている
ことを特徴とするリードフレームをエッチングプロセス
によって作製する方法であって、少なくとも順に、
（Ａ）リードフレーム素材の両面に感光性レジストを塗
布する工程、（Ｂ）前記リードフレーム素材に対し、一
方の面は、少なくとも半導体素子をバンプを介して搭載
するインナーリード先端部形成領域において平坦状に腐
蝕するためのパターンが形成されたパターン版にて、他
方の面は、インナーリード先端部形状を形成するための
パターンが形成されたパターン版にて、それぞれ、感光
性レジストを露光して、所定形状の開口部を持つレジス
トパターンを形成する工程、（Ｃ）少なくとも、インナ
ーリード先端部形状を形成するための、所定形状の開口
部をもつレジストパターンが形成された面側から腐蝕液
による第一のエッチング加工を行い、腐蝕されたインナ
ーリード先端部形成領域において、所定量だけエッチン
グ加工して止める工程、（Ｄ）インナーリード先端部形
状を形成するためのパターンが形成された面側の腐蝕さ
れた部分に、耐エッチング性のあるエッチング抵抗層を
埋め込む工程、（Ｅ）平坦状に腐蝕するためのパターン
が形成された面側から、腐蝕液による第二のエッチング
加工を行い貫通させて、インナーリード先端部を形成す
る工程、（Ｆ）上記エッチング抵抗層、レジスト膜を剥
離し、洗浄する工程、を含むことを特徴とするものであ
る。尚、上記において、平坦状に腐蝕するとは、リード
フレーム素材の一方の面から、腐食を行う際に、腐食に
よる形成面（腐蝕面）を略平坦状（ベタ状）としながら
腐食することであり、平坦状に腐蝕つづけることによ
り、既に形成されているインナーリード先端部形成のた
めのレジストパターンが形成されている面の腐蝕部の穴
部と貫通させて、インナーリード先端部を形成する。
又、上記において、凹状に形成されているとは、インナ
ーリード側にへこんだ凹状であることを意味する。

【０００８】本発明のリードフレームの製造方法は、半
導体装置の多端子化に対応したエッチングプロセスによ
る加工方法であり、第一のエッチング加工により、少な
くとも、インナーリード先端部形状を形成するための、
所定形状の開口部をもつレジストパターンが形成された
面側の腐蝕されたインナーリード先端部形成領域に、イ
ンナーリード先端部の（平面的な意味での）外形形状を
実質的に形成してしまうものである。したがって、第一
のエッチング加工において、所定量だけエッチング加工
して止めるとは、インナーリード先端部の外形形状を実
質的に形成できる量のエッチング加工でとめるという意
味である。そして、第一のエッチング加工により腐蝕形
成された、インナーリード先端部形状を形成するための
パターンが形成された面側の腐蝕された部分に、耐エッ
チング性のあるエッチング抵抗層を埋め込むことによ
り、第一のエッチング工程によって形成されているイン
ナーリード先端部形状を保ちながら、平坦状に腐蝕する
ためのパターンが形成された面側からのみ、腐蝕液によ
る第二のエッチング加工を行い、インナーリード間を分
離している。尚、第一のエッチング工程において、平坦
状に腐蝕するためのパターンが形成された面側からも腐
蝕を行い、即ちリードフレーム素材の両面から腐蝕を行
う、図４に示す方法の方が、インナーリード先端部形状
を形成するための、所定形状の開口部をもつレジストパ
ターンが形成された面側からのみ腐蝕を行う場合より
も、エッチング加工時間は短縮され、作業上メリットが
ある。

【０００９】

【作用】本発明のリードフレームは、上記のような構成
にすることにより、半導体素子をバンプを介してインナ
ーリード先端部に搭載する樹脂封止型半導体装置用リー
ドフレームにおいて、半導体装置作製の後工程にも対応
できる、高精細なリードフレームの提供を可能としてい
るものであり、結果として半導体装置の一層の多端子化
を可能としている。詳しくは、半導体素子をバンプを介
して搭載するインナーリード先端部のみをリードフレー
ム素材の板厚より薄くしてしていることにより、リード
フレーム全体の強度を、全体がリードフレーム素材の板
厚の場合とほぼおなじ強度に保ちながら、インナーリー
ド部の微細加工を可能としている。半導体素子をバンプ
を介して搭載するインナーリード先端部のバンプとの接
続面が凹状になっていることにより、バンプ接続時にお
ける位置ズレが発生してもバンプと前記接続面とが電気
的接続を行い易くしている。そして、バンプとの接続面
を凹状としてバンプとの接続面を挟む２面を凹状として
いることにより、変形しにくいものとしている。また、
本発明のリードフレームの製造方法は、このような構成
にすることにより、半導体素子をバンプを介して搭載す
るインナーリード先端部の素子搭載面を凹状として、該
素子搭載面を挟む両面を凹状に形成した、上記本発明の
リードフレームの製造を可能にするものである。そし
て、第一のエッチング加工後、インナーリード先端部形
状を形成するためのパターンが形成された面側の腐蝕さ
れた部分に耐エッチング性のあるエッチング抵抗層を埋
め込んだ後に、第二のエッチング加工を行うことによ
り、インナーリード先端部の加工は、素材自体の厚さよ
り薄い、薄肉部を外形加工することとなり、微細加工が
可能となる。そして、板厚を全体的に薄くせず、半導体
素子をバンプを介して搭載するインナーリード先端部形
成領域のみを薄くして加工する為、加工時には、板厚を
全体的に薄くした場合と比べリードフレーム素材全体を
強固なものとしている。

【００１０】

【実施例】本発明のリードフレームの実施例を図にそっ
て説明する。図１は本実施例リードフレームの平面図で
あり、図１（ｂ）はＡ１−Ａ２における断面図で、図２
（ａ）および図２（ｂ）は半導体素子を搭載した場合の
要部の断面図を示し、図２（ｃ）、図２（ｄ）はそれぞ
れＢ１−Ｂ２、Ｂ３−Ｂ４におけるは断面図である。図
中、１０はリードフレーム、１１はインナーリード、１
１Ａはインナーリード先端部、１２はアウターリード、
１３はダムバー、１４はフレーム部を示している。本実
施例のリードフレームは、図１（ａ）に示すように、半
導体素子をバンプを介して搭載するための薄肉のインナ
ーリード先端部１１Ａを有するインナーリード１１と、
該インナーリード１１と一体となって連結された外部回
路と接続するためのアウターリード１２、樹脂封止の際
の樹脂の流出を防ぐためのダムバー１３等を有するもの
で、４２％ニッケル−鉄合金を素材とした、一体もので
ある。インナーリード先端部１１Ａの厚さは４０μｍ、
インナーリード先端部１１Ａ以外の厚さは０．１５ｍｍ
で、強度的には後工程に充分耐えるものとなっている。
インナーリードピッチは０．１２μｍと、図６（ａ）に
示す半導体装置に用いられている従来のワイヤボンデイ
ングを用いた多ピン（小ピッチ）のリードフレームと比
べて、狭いピッチである。本実施例のリードフレームの
インナーリード先端部１１Ａは、断面が図２（ｃ）、図
２（ｄ）に示すように、半導体素子搭載面側と半導体素
子搭載面を挟む両側の面を凹状に形成している。半導体
素子搭載面側が凹状であることによりバンプ部がインナ
ーリード先端部１１Ａの面内に乗り易く、位置ズレが発
生してもバンプと先端面が接続し易い形状である。イン
ナーリード先端部１１Ａの３面を凹状にしていることに
より、機械的にも強いものとしている。

【００１１】本実施例のリードフレームを用いた樹脂封
止型の半導体装置の作製には、半導体素子の端子部との
接続にワイヤボンデイングを行わず、バンプによる接続
を行うものであるが、樹脂の封止、ダムバーの切除等の
処理は、基本的に通常のリードフレームを用いてワイヤ
ボンデイング接続を施した半導体装置と同じ処理で行う
ことができる。図６（ｂ）は、本実施例リードフレーム
を用いた樹脂封止型半導体装置の概略構成を示した断面
図である。

【００１２】本発明のリードフレームの製造方法の実施
例を以下、図にそって説明する。図４は本発明の実施例
ードフレームの製造方法を示すための、半導体素子をバ
ンプを介して搭載するンナーリード先端部を含む要部に
おける各工程断面図であり、ここで作製されるリードフ
レームを示す平面図である図３（ａ）のＣ１−Ｃ２部の
断面部についての製造工程図である。図４中、４１はリ
ードフレーム素材、４２Ａ、４２Ｂはレジストパター
ン、４３は第一の開口部、４４は第二の開口部、４５は
第一の凹部、４６は第二の凹部、４７は平坦状面、４８
はエッチング抵抗層、４９はインナーリード先端部を示
す。先ず、４２％ニッケル−鉄合金からなり、厚みが
０．１５ｍｍのリードフレーム素材４１の両面に、重ク
ロム酸カリウムを感光剤とした水溶性カゼインレジスト
を塗布した後、所定のパターン版を用いて、所定形状の
第一の開口部４３、第二の開口部４４をもつレジストパ
ターン４２Ａ、４２Ｂを形成した。（図４（ａ））第一の開口部４３は、後のエッチング加工においてリー
ドフレーム素材４１をこの開口部からベタ状に腐蝕する
ためのもので、レジストの第二の開口部４４は、リード
フレームの半導体素子をバンプを介して搭載するインナ
ーリード先端部の形状を形成するためのものである。第
一の開口部４３は、少なくともリードフレーム４１のン
ナーリード先端部形成領域を含むが、後工程において、
テーピングの工程や、リードフレームを固定するクラン
プ工程で、ベタ状に腐蝕され部分的に薄くなった部分と
の段差が邪魔になる場合があるので、エッチングを行う
エリアはインナーリード先端の微細加工部分だけにせず
大きめにとる必要がある。次いで、液温５７°Ｃ、濃度
４８Ｂｅ^'の塩化第二鉄溶液を用いて、スプレー圧２．
５ｋｇ／ｃｍ²にて、レジストパターンが形成されたリ
ードフレーム素材４１の両面をエッチングし、ベタ状
（平坦状）に腐蝕された第一の凹部４５の深さｈがリー
ドフレーム部材の１／３に達した時点でエッチングを止
めた。（図４（ｂ））この段階で、図４（ｅ）に示すインナーリード先端部４
９部の（平面的な意味での）外形形状が実質的に作られ
ている。上記第１回目のエッチングにおいては、リード
フレーム素材４１の両面から同時にエッチングを行った
が、必ずしも両面から同時にエッチングする必要はな
い。少なくとも、インナーリード先端部形状を形成する
ための、所定形状の開口部をもつレジストパターン４２
Ｂが形成された面側から腐蝕液によるエッチング加工を
行い、腐蝕されたインナーリード先端部形成領域におい
て、所定量エッチング加工し止めることができれば良
い。本実施例のように、第１回目のエッチングにおいて
リードフレーム素材４１の両面から同時にエッチングす
る理由は、両面からエッチングすることにより、後述す
る第２回目のエッチング時間を短縮するためで、レジス
トパターン４２Ｂ側からのみの片面エッチングの場合と
比べ、第１回目エッチングと第２回目エッチングのトー
タル時間が短縮される。次いで、第二の開口部４４側の
腐蝕された第二の凹部４６にエッチング抵抗層４８とし
ての耐エッチング性のあるホットメルト型ワックス（ザ
・インクテエック社製の酸ワックス、型番ＭＲ−ＷＢ
６）を、ダイコータを用いて、塗布し、ベタ状（平坦
状）に腐蝕された第二の凹部４６に埋め込んだ。レジス
トパターン４２Ｂ上も該エッチング抵抗層４８に塗布さ
れた状態とした。（図４（ｃ））エッチング抵抗層４８を、レジストパターン４２Ｂ上全
面に塗布する必要はないが、第二の凹部４６を含む一部
にのみ塗布することは難し為に、図４（ｃ）に示すよう
に、第二の凹部４６とともに、第二の開口部４４側全面
にエッチング抵抗層４８を塗布した。本実施例で使用し
たエッチング抵抗層４８は、アルカリ溶解型のワックス
であるが、基本的にエッチング液に耐性があり、エッチ
ング時にある程度の柔軟性のあるものが、好ましく、特
に、上記ワックスに限定されず、ＵＶ硬化型のものでも
良い。このようにエッチング抵抗層４８をインナーリー
ド先端部の形状を形成するためのパターンが形成された
面側の腐蝕された第二の凹部４６に埋め込むことによ
り、後工程でのエッチング時に第二の凹部４６が腐蝕さ
れて大きくならないようにしているとともに、高精細な
エッチング加工に対しての機械的な強度補強をしてお
り、スプレー圧を高く（２．５ｋｇ／ｃｍ²）とするこ
とができ、これによりエッチングが深さ方向に進行し易
すくなる。この後、ベタ状（平坦状）に腐蝕された第一
の凹部４５形成面側からリードフレーム素材４１をエッ
チングし、貫通させ、インナーリード先端部４９を形成
した。（図４（ｄ））この際、インナーリード先端部のエッチング形成面４９
Ｓはインナーリード側にへこんだ凹状になる。また、先
の第１回目のエッチング加工にて作製された、エッチン
グ形成面４９Ｓを挟む２面もインナーリード側にへこん
だ凹状である。次いで、洗浄、エッチング抵抗層４８の
除去、レジスト膜（レジストパターン４２Ａ、４２Ｂ）
の除去を行い、インナーリード先端部４９が微細加工さ
れた図４（ａ）に示すリードフレームを得た。エッチン
グ抵抗層４８とレジスト膜（レジストパターン４２Ａ、
４２Ｂ）の除去は水酸化ナトリウム水溶液により溶解除
去した。

【００１３】尚、上記実施例においては、エッチング加
工にて、図３（ａ）に示ように、インナーリード先端部
から導体部１５を延設し、インナーリード先端部同士を
繋げた形状にして形成したものを得て、導体部１５をプ
レス等により切断除去して図１（ａ）に示す形状を得
る。図３（ａ）に示すものを切断し、図１に示す形状に
する際には、図３（ｂ）に示すように、通常、補強のた
めポリイミドテープを使用する。図３（ｂ）の状態で、
プレス等により導体部１５を切断除去し、図２（ａ）、
図２（ｂ）に示すように半導体素子２０をインナーリー
ド先端部１１Ａにバンプ２１を介して搭載した後、図６
（ａ）に示すワイヤボンデイング接続のものと同様に、
樹脂封止をするが、半導体素子は、テープをつけた状態
のままで、図６（ｂ）のように搭載され、そのまま樹脂
脂封止される。

【００１４】尚、本方法によるインナーリード先端部４
９の微細化加工は、第二の凹部４６の形状と、最終的に
得られるインナーリード先端部の厚さｔに左右されるも
ので、例えば、板厚ｔを５０μｍまで薄くすると、図４
（ｅ）に示す、平坦幅Ｗを１００μｍとして、インナー
リード先端部ピッチｐが０．１５ｍｍまで微細加工可能
となる。板厚ｔを３０μｍ程度まで薄くし、平坦幅Ｗを
７０μｍ程度とすると、インナーリード先端部ピッチｐ
が０．１２ｍｍ程度まで微細加工ができるが、板厚ｔ、
平坦幅Ｗのとり方次第ではインナーリード先端部ピッチ
ｐは更に狭いピッチまで作製が可能となる。

【００１５】

【発明の効果】本発明のリードフレームは、上記のよう
に、半導体素子をバンプを介してインナーリード先端部
に搭載する、樹脂封止型半導体装置に用いられるリード
フレームにおいて、バンプとバンプを搭載するインナー
リード先端部との位置ズレが起きても、電気的接続がし
易いものの提供を可能とするものであり、且つ、エッチ
ング加工にてインナーリード先端部の微細加工が可能な
構造としている。又、本発明のリードフレームの製造方
法は、半導体装置の多端子化に伴う、リードフレームの
インナーリード先端部の小ピッチ化、微細化に対応で
き、且つ、半導体装置作製のためのアセンブリ工程や実
装工程等の後工程にも対応できる、上記本発明のリード
フレームの製造を可能とするものである。結局、本発明
は、半導体装置用のリードフレームで、半導体装置の多
端子化対応でき、且つ、半導体装置作製の後工程にも対
応できる、高精細なリードフレームを提供することを可
能としている。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例のリードフレーム

【図２】実施例のリードフレームを説明するための図

【図３】エッチング後のリードフレームの形状等を説明
するための図

【図４】本発明実施例のリードフレームの製造工程図

【図５】従来のリードフレームのエッチング製造工程を
説明するための図

【図６】樹脂封止型半導体装置図

【図７】従来のフリップチップ法を説明するための図

【符号の説明】

１０リードフレーム１１インナーリード１１Ａインナーリード先端部１２アウターリード１３ダムバー１４フレーム部１５導体１６テープ２０、２０ａ半導体素子２１、２１ａバンプ２５、２５ａテープ４１リードフレーム素材４２Ａ、４２Ｂレジストパターン４３第一の開口部４４第二の開口部４５第一の凹部４６第二の凹部４７平坦状面４８エッチング抵抗層４９インナーリード先端部５１リードフレーム素材５２フオトレジスト５３レジストパターン５４インナーリード６０、６０ａ樹脂封止型半導体装置６１、６１ａ半導体素子６２ダンパッド６３、６３ａインナーリード６３ａＡインナーリード先端部６４、６４ａアウターリード６５、６５ａ樹脂６６半導体素子電極部６７ワイヤ６７ａバンプ７０半導体素子７１バンプ７２配線（インナーリード）７２Ａ電極部（インナーリード先
端部）７３セラミック基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子をバンプを介してインナーリ
ード先端部に搭載し、インナーリードと一体となって延
設したアウターリードにより半導体素子と外部回路とを
電気的に接続する、樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームであって、インナーリード先端部は、板厚がリード
フレームの他の部分の板厚よりも薄く、断面形状が略方
形であり、且つ、該インナーリード先端部の１面はリー
ドフレームの他の部分の面に平行で、前記インナーリー
ドの他の３面は凹状に形成されていることを特徴とする
リードフレーム。
【請求項２】半導体素子をバンプを介してインナーリ
ード先端部に搭載し、インナーリードに一体となって延
設したアウターリードにより半導体素子と外部回路とを
電気的に接続する、樹脂封止型半導体装置用リードフレ
ームであって、半導体素子をバンプを介して搭載するイ
ンナーリード先端部は、板厚をリードフレームの他の部
分の板厚よりも薄く、断面形状が略方形であり、前記イ
ンナーリード先端部の１面はリードフレームの他の部分
の面に平行で、前記インナーリードの他の３面は凹状に
形成されていることを特徴とするリードフレームをエッ
チングプロセスによって作製する方法であって、少なく
とも順に、（Ａ）リードフレーム素材の両面に感光性レジストを塗
布する工程、（Ｂ）前記リードフレーム素材に対し、一方の面は、少
なくとも半導体素子をバンプを介して搭載するインナー
リード先端部形成領域において平坦状に腐蝕するための
パターンが形成されたパターン版にて、他方の面は、イ
ンナーリード先端部形状を形成するためのパターンが形
成されたパターン版にて、それぞれ、感光性レジストを
露光して、所定形状の開口部を持つレジストパターンを
形成する工程、（Ｃ）少なくとも、インナーリード先端部形状を形成す
るための、所定形状の開口部をもつレジストパターンが
形成された面側から腐蝕液による第一のエッチング加工
を行い、腐蝕されたインナーリード先端部形成領域にお
いて、所定量だけエッチング加工して止める工程、（Ｄ）インナーリード先端部形状を形成するためのパタ
ーンが形成された面側の腐蝕された部分に、耐エッチン
グ性のあるエッチング抵抗層を埋め込む工程、（Ｅ）平坦状に腐蝕するためのパターンが形成された面
側から、腐蝕液による第二のエッチング加工を行い貫通
させて、インナーリード先端部を形成する工程、（Ｆ）上記エッチング抵抗層、レジスト膜を剥離し、洗
浄する工程、を含むことを特徴とするリードフレームの
製造方法。