JPH08288445A

JPH08288445A - リードフレーム

Info

Publication number: JPH08288445A
Application number: JP7111107A
Authority: JP
Inventors: Junichi Yamada; 淳一山田; Tomoe Kami; 智江上; Masaru Sasaki; 賢佐々木
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1995-04-13
Filing date: 1995-04-13
Publication date: 1996-11-01

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体素子の微細化かつ電極パッド（端子）
数の増大化に伴う、半導体装置の多端子化に対応し、イ
ンナーリード先端部の小ピッチ化、微細化に対応でき
て、後工程にも対応できる強度をもつ、高精細なリード
フレームであって、樹脂封止した後のダムバーのカット
の際に、プレスが破損しずらく、且つ、アウターリード
の位置精度の劣化が起こらないリードフレームを提供し
ようとするものである。【構成】少なくともインナーリード先端部の板厚をア
ウターリードを含む他の部分の板厚より薄く形成した、
樹脂封止型半導体装置用リードフレームであって、ダム
バー部のアウターリード側に薄肉部ないし切り欠き部を
設けている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，半導体素子の電極パッ
ド（端子）数の増大化に対応できる、樹脂封止型半導体
装置用リードフレームに関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より用いられている樹脂封止型の半
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図６に示されるような構造であり、半導体装
置６０は、半導体素子を銅合金ないし４２％ニッケル−
鉄合金等からなるリードフレームに搭載した後に、樹脂
６５により封止してパッケージとしたもので、半導体素
子６１の電極パッド６６に対応できる数のインナーリー
ド６３を必要とするものである。そして、半導体素子６
１を搭載するダイパッド部６２や周囲の回路との電気的
接続を行うためのアウターリード部６４、アウターリー
ド部６４に一体となったインナーリード部６３、該イン
ナーリード部６３の先端部と半導体素子６１の電極パッ
ド６６とを電気的に接続するためのワイヤ６７、半導体
素子６１を封止して外界からの応力、汚染から守る樹脂
６５等からなっている。このようなリードフレームを利
用した樹脂封止型の半導体装置（プラスチックリードフ
レームパッケージ）においても、電子機器の軽薄短小化
の時流と半導体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ
電極端子の増大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導
体装置、特にＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａ
ｇｅ）及びＴＱＦＰ（ＴｈｉｎＱｕａｄＦｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）等では、リードの多ピン化が著しくな
ってきた。

【０００３】上記の半導体装置に用いられるリードフレ
ーム（単層リードフレームと言う）は、一般には、図７
（ａ）に示すように、半導体素子を搭載するためのダイ
パッド７１、半導体素子とワイヤにて電気的に結線する
インナーリード７２、インナーリード７２に一体的に連
結し外部回路と電気的に接続するためのアウターリード
７３、樹脂封止の際の樹脂の漏れを防止するダムとなる
ダムバー７４とこれらを支持するフレーム（枠）部７５
等から成っており、図７（ｂ）に示すように、厚さはど
の部分でもほぼ同じであった。尚、図７（ｂ）は、図７
（ａ）におけるＤ１−Ｄ２における断面図である。この
リードフレームの作製には、エッチング加工法、プレス
加工法等が用いられていたが、半導体装置の多ピン化に
伴い、インナーリード部先端の微細化が進み、インナー
リード先端部が微細なものに対しては、プレスによる打
ち抜き加工によらず、当初はリードフレーム部材の板厚
が０．２５ｍｍ程度のものを用い、エッチング加工で対
応してきた。このエッチング加工方法の工程について以
下、図５に基づいて簡単に述べておく。先ず、銅合金も
しくは４２％ニッケル−鉄合金からなる厚さ０．２５ｍ
ｍ程度の薄板（リードフレーム素材５１）を十分洗浄
（図５（ａ））した後、重クロム酸カリウムを感光材と
した水溶性カゼインレジスト等のフオトレジスト５２を
該薄板の両表面に均一に塗布する。（（図５（ｂ））次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介して高
圧水銀灯でレジスト部を露光した後、所定の現像液で該
感光性レジストを現像して（図５（ｃ））、レジストパ
ターン５３を形成し、硬膜処理、洗浄処理等を必要に応
じて行い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とするエッチ
ング液を、スプレイにて該薄板（リードフレーム素材５
１）に吹き付け所定の寸法形状にエッチングし、貫通さ
せる。（図５（ｄ））次いで、レジスト膜を剥膜処理し（図５（ｅ））、洗浄
後、所望のリードフレームを得て、エッチング加工工程
を終了する。このように、エッチング加工等によって作
製されたリードフレームは、更に、所定のエリアに銀メ
ッキ等が施される。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経
て、インナーリード部を固定用の接着剤付きポリイミド
テープにてテーピング処理したり、必要に応じて所定の
量タブ吊りバーを曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセ
ットする処理を行う。

【０００４】しかし、エッチング加工方法においては、
エッチング液による腐蝕は被加工板の板厚方向の他に板
幅（面）方向にも進むため、その微細化加工にも限度が
あるのが一般的で、図５に示すように、リードフレーム
素材の両面からエッチングするため、ラインアンドスペ
ース形状の場合、ライン間隔の加工限度幅は、板厚の５
０〜１００％程度と言われている。又、リードフレーム
の後工程等のアウターリードの強度を考えた場合、一般
的には、その板厚は約０．１２５ｍｍ以上必要とされて
いる。この為、ワイヤボンデイングのための平坦幅が少
なくとも７０〜８０μｍ必要であることより、図５に示
すようなエッチング加工方法の場合、リードフレームの
板厚を０．１５ｍｍ〜０．１２５ｍｍ程度まで薄くする
ことにより、０．１６５ｍｍピッチ程度の微細なインナ
ーリード部先端のエッチングによる加工を達成してきた
が、これが限度とされていた。

【０００５】更に、近年、樹脂封止型半導体装置は、小
パッケージでは、電極端子であるインナーリードのピッ
チが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１５〜０．
１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてきた事と、
エッチング加工において、リード部材の板厚を薄くした
場合には、アセンブリ工程や実装工程といった後工程に
おけるアウターリードの強度確保が難しいという点か
ら、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング加工を
行う方法にも限界が出てきた。

【０００６】これに対応する方法として、アウターリー
ドの強度を確保したまま微細化を行う方法で、インナー
リード先端部分をプレスにより薄くしてエッチング加工
を行う方法が提案されている。しかし、プレスにより薄
くしてエッチング加工をおこなう場合には、後工程にお
いての精度が不足する（例えば、めっきエリアの平滑
性）、ボンデイング、モールデイング時のクランプに必
要なインナーリードの平坦性、寸法精度が確保されな
い、製版工程が複雑になる、等問題点が多くある。ま
た、インナーリード先端部分を第一の製版にてハーフエ
ッチングして薄くした後に、ハーフエッチングされた部
分を更に第二の製版にてエッチングし外形加工を行う方
法も提案されているが、この方法の場合も、製版を２度
行なわなければならず、製造工程が複雑になるという問
題があった。上記、いずれの方法も実用化には、未だ至
っていないのが現状である。

【０００７】このような状況のもと、本願発明者等によ
り、図３に示す、半導体素子の多端子化に対応できるリ
ードフレームの製造方法が提案された。このリードフレ
ームの製造方法により、少なくともインナーリード先端
部の板厚をアウターリードを含む他の部分の板厚より薄
く形成することにより、インナーリードの微細加工に対
応するとともに、アウターリードの強度を確保すること
ができるようになってきた。しかしながら、アウターリ
ードの多端子化、狭ピッチ化により、樹脂封止した後の
ダムバーの除去の作業が益々難しくなってきて、ダムバ
ーをカットするためのプレスも破損し易すくなってき
た。ダムバーをカットするためのプレスは、その作製に
は時間がかかり、高価なものでその対応が求められてい
た。また、アウターリードの多端子化、狭ピッチ化によ
り、実装する際のアウターリードの位置精度に対して
も、一層精度の良いものが要求されるようになってきた
が、ダムバーのプレスカット時にも、アウターリードの
位置精度が劣化してしまい問題となっていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このように、エッチン
グ加工にて作製される、インナーリード先端部の小ピッ
チ化、微細化に対応でき、且つ、後工程にも対応できる
高精細なリードフレームにおいて、樹脂封止した後のダ
ムバーのカットの際に、プレスが破損しないリードフレ
ームで、且つ、ダムバーのプレスカット時にも、アウタ
ーリードの位置精度の劣化が起こらないリードフレーム
が求められるようになってきた。本発明は、このような
状況のもと、半導体素子の微細化かつ電極パッド（端
子）数の増大化に伴う、半導体装置の多端子化に対応
し、インナーリード先端部の小ピッチ化、微細化に対応
できて、後工程にも対応できる強度をもつ、高精細なリ
ードフレームであって、樹脂封止した後のダムバーのカ
ットの際に、プレスが破損しずらく、且つ、アウターリ
ードの位置精度の劣化が起こらないリードフレームを提
供しようとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、少なくともインナーリード先端部の板厚をアウター
リードを含む他の部分の板厚より薄く形成した、樹脂封
止型半導体装置用リードフレームであって、ダムバー部
のアウターリード側に薄肉部ないし切り欠き部を設けて
いることを特徴とするものである。そして、上記におい
て、インナーリード先端部の断面形状は、リードフレー
ム面に略平行する互いに対向する２辺と、これらの辺に
挟まれてインナーリードの内側へ凹んだ形状の２辺とを
有する略方形であり、アウターリードの断面形状は、リ
ードフレーム面に略平行する互いに対向する２辺と、こ
れらの辺に挟まれてアウターリードの外側に凸状となっ
た形状を持つ２辺とを有する略方形であることを特徴と
するものである。

【００１０】

【作用】本発明のリードフレームは、上記のような構成
にすることにより、半導素子の小型化（微細化）かつ電
極パッド（端子）の増大化に伴う、半導体装置の多端子
化への対応を可能としている。詳しくは、ダムバー部の
アウターリード側に薄肉部ないし切り欠き部を設けてい
ることにより、樹脂封止した後のダムバーのカットの際
に、薄肉部ないし切り欠き部を設けない場合に比べ、カ
ットする断面積が小となるため、プレスの刃への負担が
少なくなり、刃が破損しずらいものとしている。そし
て、アウターリードへかかる力自体を減らしいるので、
アウターリードの変形も起きにくく、アウターリードの
位置精度の劣化が起こらないようにしている。そして、
インナーリード先端部の断面形状は、リードフレーム面
に略平行する互いに対向する２辺と、これらの辺に挟ま
れてインナーリードの内側へ凹んだ形状の２辺とを有す
る略方形であることにより、ワイヤボンデイング時の転
びの発生の少ないものとしており、アウターリードの断
面形状が、リードフレーム面に略平行する互いに対向す
る２辺と、これらの辺に挟まれてアウターリードの外側
に凸状となった形状を持つ２辺とを有する略方形である
ことにより、強度的に強固なものとし、半導体装置作製
のアセンブリ工程や実装工程等の後工程に対応できるも
のとしている。

【００１１】

【実施例】本発明のリードフレームの実施例を以下、図
にそって説明する。図１（ａ）は本実施例リードフレー
ムの概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ１−Ａ２
における断面図、図２（ａ）はインナーリード先端部断
面図、図１（ｂ）はアウターリード断面図、図２（ｃ）
（イ）はダムバー部の形状を示した斜視図で、図２
（ｃ）（ロ）は、図２（ｃ）（イ）におけるＣ１−Ｃ２
における断面図である。図１、図２中、１０はリードフ
レーム、１１はダイパッド、１２はインナーリード、１
２Ａはインナーリード先端部、１２ＡＳはボンデイング
面、１３はアウターリード、１４はダムバー、１４Ａは
ダムバー薄肉部、１５はフレーム（枠）部である。本実
施例のリードフレームは、４２合金（４２％ニッケル−
鉄合金）からなり、図１（ｂ）に示すように、インナー
リード先端部の板厚ｔ₁は０．０４ｍｍ、アウターリー
ド他の板厚ｔ₀は０．１５ｍｍと、インナーリード先端
部のみを薄肉に形成したものであり、且つ、ダムバー１
４にダムバー薄肉部１４Ａを設けたものである。尚、イ
ンナーリードピッチは０．１３ｍｍであり、インナーリ
ード先端部１２Ａのワイヤボンデイング面１２ＡＳ側の
平坦幅Ｗ１は約８０μｍである。エッチング加工された
平坦面からなるワイヤボンデイング面１２ＡＳは、塩化
第二鉄水溶液腐食液により、液温５７°Ｃ、濃度４８Ｂ
ｅ^'の塩化第二鉄溶液を用いて、エッチング加工された
面であり、アラビのない面状態を呈しており、結線（ボ
ンデイング）に対し良い面状態である。

【００１２】本実施例のリードフレームは、上記のよう
に、インナーリード先端部の板厚をアウターリードを含
む他の部分の板厚より薄くしていることにより、半導体
素子の小型化（微細化）かつ電極パッド数の増大化に対
応した、インナーリードの多ピン化、狭ピッチ化に対応
できるものとしているアウターリード１３部は、板厚０．１５ｍｍで、インナ
ーリード先端部１２Ａの板厚０．０４ｍｍとは異なり厚
くなっており、且つ、断面形状は図２（ｂ）に示すよう
に、リードフレーム面に略平行する互いに対向する２辺
１２ａ、１２ｃと、これらの辺に挟まれてアウターリー
ドの外側に凸状となった形状を持つ２辺１２ｂ、１２ｄ
とを有すことにより、強度的に強固なものとし、半導体
装置作製のアセンブリ工程や実装工程等の後工程に対応
できるものとしている。

【００１３】また、ダムバー１４のアウターリード１３
側にダムバー薄肉部１４Ａを設けることにより、樹脂封
止の後のプレスによるダムバーのカットをし易いものと
しており、且つ、カットの際にアウターリード１３へ掛
かる負担を少なくし、変形の発生の少ないものとしてい
る。ここでは、ダムバー薄肉部１４Ａを後述するエッチ
ング加工において、ハーフエッチングにより作成した。
ダムバー薄肉部１４Ａはこのような形状に限定されるこ
とない。また薄肉部に代え、切り欠き部を設けても良
い。

【００１４】また、インナーリード先端部１２Ａの断面
形状は図２（ａ）に示すように、インナーリード面に略
平行の対向する２辺１２Ａａ、１２Ａｃとこれらに挟ま
れ、インナーリードの内側に凹んだ２辺１２Ａｂ、１２
Ａｄとを有しており、ワイヤボンデイングの際に転びが
発生しにくいものとしているが、図４に基づいて、さら
に、この点について説明する。本実施例リードフレーム
のインナーリード先端部１２Ａの断面形状は、図４
（イ）に示すようになっており、エッチング平坦面１２
Ａａ側の幅Ｗ１は反対側の面１２Ａｃの幅Ｗ２より大き
くくなっており、Ｗ１、Ｗ２（約８０μｍ）ともこの部
分の板厚さ方向の中央部における幅Ｗよりも大きくなっ
ている。このようにインナリーリード先端薄肉部の両面
は広くなった断面形状であるため、図３（ロ）に示すよ
うに、どちらの面を用いても半導体素子（図示せず）と
インナーリード先端部１２Ａａ、１２Ａｃと、それぞれ
金線等のワイヤ４１Ａ、４１Ｂによる結線（ボンデイン
グ）がし易すいものとなっているが、本実施例半導体装
置の場合、エッチング加工によるアラビのない平坦面１
２Ａａの方が、リードフレーム素材面である１２Ａｂよ
りも結線（ボンデイング）適性が優れるため、図４
（ロ）の（ａ）に示すように、辺１２Ａａ側をボンデイ
ング面１２ＡＳとした。尚、４２Ａ、４２Ｂは金メッキ
部であるが、銀メッキ部としても良い。図４（ハ）は図
５に示す加工方法にて作製された従来のリードフレーム
のインナーリード先端部４３と半導体素子（図示せず）
との結線（ボンデイング）を示すものであるが、この場
合もインナーリード先端部４３の両面は平坦ではある
が、この部分の板厚方向の幅に比べ大きくとれない。ま
た両面ともリードフレーム素材面である為、結線（ボン
デイング）適性は本実施例のエッチング平坦面より劣
る。図４（ニ）はプレスによりインナーリード先端部を
薄肉化した後にエッチング加工によりインナーリード先
端部４４を加工したものの、半導体素子（図示せず）と
の結線（ボンデイング）を示したものであるが、この場
合はプレス面側が図に示すように平坦になっていないた
め、どちらの面を用いて結線（ボンデイング）しても、
図４（ニ）の（ａ）、（ｂ）に示すように結線（ボンデ
イング）の際に安定性が悪く品質的にも問題となる場合
が多い。

【００１５】次いで、本実施例リードフレームの製造方
法について図を用いて説明する。図３は、図１（ａ）に
示すリードフレームのＢ１−Ｂ２断面における、作製工
程に対応した図を示したものであり、図３中、３１はリ
ードフレーム素材、３２Ａ、３２Ｂはレジストパター
ン、３３は第一開口部、３４は第二開口部、３５は凹
部、３６は平坦状面、３７はエッチング抵抗層を示す。
先ず、４２％ニッケル−鉄合金からなり、厚みが０．１
５ｍｍのリードフレーム素材３１の両面に、重クロム酸
カリウムを添加した水溶性カゼインレジストを塗布した
後、所定のパターン版を用いて、所定形状の開口部１、
開口部２をもつレジストパターン３２Ａ、３２Ｂを形成
した。（図３（ａ））第一開口部３３は、後のエッチング加工においてリード
フレーム素材３１をこの第一開口部３３からベタ状に腐
蝕するためのもので、レジストの第二開口部３４は、リ
ードフレーム先端部形状を形成するためのものである。
第一開口部３３は、少なくともインナーリード先端部領
域を含むが、後工程において、テーピングの工程や、ボ
ンデイング時のリードフレームを固定するクランプ工程
で、ベタ状に腐蝕され部分的に薄くなった部分との段差
が邪魔になる場合があるので、エッチングを行うエリア
はインナーリード先端の微細加工部分だけにせず大きめ
にとる必要がある。リードフレーム素材３１の両面に形
成されたレジストパターン３２Ａ、３２Ｂを作製する為
のフオトマスクはそれぞれ所定形状のものを使用した。
次いで、液温５７°Ｃ、濃度４８Ｂｅ^'の塩化第二鉄溶
液を用いて、スプレー圧２．５ｋｇ／ｃｍ²にて、レジ
ストパターンが形成されたリードフレーム素材３１の両
面をエッチングし、ベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部
３５の深さｈがリードフレーム素材の厚さの１／３に達
した時点でエッチングを止めた。（図３（ｂ））エッチング後のベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５
の平坦状面３６の表面状態は、エッチングされていない
面に比べ、アラビのない、平滑な面となった。尚、塩化
第二鉄溶液を用いてエッチングした場合、液温度５５°
Ｃ以上、液濃度４７Ｂｅ^'以上、スプレー圧２．０ｋｇ
／ｃｍ²以上で腐蝕された表面はアラビのないものとな
る。次いで、ベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５側
面にエッチング抵抗層３７としての耐エッチング性のあ
るホットメルト型ワックス（ザ・インクテック社製の酸
ワックス、型番ＭＲ−ＷＢ６）を、ダイコータを用い
て、塗布し、ベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５に
埋め込んだ。レジストパターン３２Ａ上も該エッチング
抵抗層３７に塗布された状態となった。（図３（ｃ））本実施例で使用したエッチング抵抗層３７は、上記のレ
ジストパターン３２Ａ上で膜厚さ１００μｍ程度で、ア
ルカリ溶解型のワックスであるが、基本的にエッチング
液に耐性があり、エッチング時にある程度の柔軟性のあ
るものが、好ましく、特に、上記ワックスに限定され
ず、ＵＶ硬化型のものでも良い。このようにエッチング
抵抗層３７をベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５に
埋め込むことにより、後工程でのエッチング時にベタ状
（平坦状）に腐蝕された凹部３５の平坦状面３６側面が
腐蝕されないようにしているとともに、エッチング加工
に対しての機械的な強度補強をしており、スプレー圧を
高く（２．５〜７ｋｇ／ｃｍ²）とすることができ、こ
れによりエッチングが深さ方向に進行し易すくなり、そ
の断面形状も垂直に近づく。勿論エッチング抵抗層３７
はベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５の平坦状面３
６以外の同じリード面側の部分、例えばアウターリード
間の腐蝕も防ぐものである。この後、ベタ状（平坦状）
に腐蝕された凹部３５形成面側と反対面側からリードフ
レーム部材をエッチングし、インナーリード先端部３１
Ａを貫通させた。（図３（ｄ））次いで、洗浄、エッチング抵抗層３７の除去、レジスト
膜（レジストパターン３２Ａ、３２Ｂ）の除去を行い、
インナーリード先端部１２Ａが微細加工された図１に示
すリードフレーム１０を得た（図３（ｅ））エッチング抵抗層３７とレジスト膜（レジストパターン
３２Ａ、３２Ｂ）の除去は水酸化ナトリウム水溶液によ
り溶解除去した。

【００１６】尚、本方法によるインナーリード先端部の
微細化加工は図３（ｂ）に示すベタ状（平坦状）に腐蝕
された凹部３５の深さｈ、言い換えればその部分の板厚
ｔに左右されるよるもので、例えば、板厚ｔを５０μｍ
まで薄くすると、図４（イ）に示す平坦幅Ｗ１を１００
μｍとして、ピッチｐが０．１５ｍｍまで微細加工可能
となり、板厚ｔを３０μｍ程度まで薄くし、平坦幅Ｗ２
を７０μｍ程度とするとピッチｐが０．１２ｍｍ程度ま
で微細加工ができるが、板厚ｔ、平坦幅Ｗ１のとり方次
第ではピッチｐは更に狭いピッチまで作製が可能とな
る。

【００１７】尚、図２（ｃ）に示すダムバーの薄肉部１
４Ａまたはこれに代わる切り欠け部の作成は、図３に示
すリードフレームの製造工程において、レジストパター
ン３２Ａ、３２Ｂを適当な形状にとることによって得ら
れる。また、上記、図３に示す、上記リードフレームの
製造方法によれば、インナーリード先端部の断面形状を
図２（ａ）に示す形状に作製できるが、アウターリード
の断面形状についても、所定のパターンを用いることに
より、上記製造工程により、図２（ｂ）に示す断面形状
を得ることができる。

【００１８】

【発明の効果】本発明のリードフレームは、上記のよう
に、半導体素子の小型化（微細化）かつ電極パッドの増
大化に伴う半導体装置の多端子化対応できる、樹脂封止
型半導体装置の提供を可能とするものである。詳しく
は、半導体素子の小型化（微細化）かつ電極パッドの増
大化に対応した、多ピン、狭ピッチの半導体装置作製の
アセンブリ工程、実装工程等の後工程にも耐える強度を
持つリードフレームであって、樹脂封止した後のダムバ
ーのカットの際に、プレスが破損しずらく、且つ、アウ
ターリードの位置精度の劣化が起こらないリードフレー
ムの提供を可能としている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施例のリードフレームの概略図

【図２】本発明実施例のリードフレームの要部概略図

【図３】本発明実施例のリードフレームの製造方法の工
程図

【図４】ワイヤボンデイング性を説明するための図

【図５】従来のリードフレームの製造方法の工程図

【図６】樹脂封止型半導体装置の断面図

【図７】従来のリードフレームの平面図

【符号の説明】

１０リードフレーム１１ダイパッド１２インナーリード１２Ａインナーリード先端部１２Ａａ、１２Ａｂ、１２Ａｃ、１２Ａｄ（インナー
リード先端部の）面１２ＡＳワイヤボンデイング面１３アウターリード１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄアウターリードの
面１４ダムバー１４ＡＳダムバーの薄肉部１５フレーム（枠）部３１リードフレーム素材３２Ａ、３２Ｂフオトレジストパターン３３第一開口部３４第二開口部３５凹部３６平坦状面３７エッチング抵抗層４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄ、４１Ｅワイヤ４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄ、４２Ｅ金メッ
キ部４３、４４インナーリード先端部４４Ａａ、４４Ａｃ（インナーリード先端部
の）面５１リードフレーム素材５２フオトレジスト５３フオトレジストパターン５４インナーリード６０樹脂封止型半導体装置６１半導体素子６２ダイパッド６３インナーリード６４アウターリード６５樹脂６６半導体素子電極部６７ワイヤ７０リードフレーム７１ダイパッド７２インナーリード７２Ａインナーリード先端部７３アウターリード７４ダムバー７５フレーム（枠）部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくともインナーリード先端部の板厚
をアウターリードを含む他の部分の板厚より薄く形成し
た、樹脂封止型半導体装置用リードフレームであって、
ダムバー部のアウターリード側に薄肉部ないし切り欠き
部を設けていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】請求項１において、インナーリード先端
部の断面形状は、リードフレーム面に略平行する互いに
対向する２辺と、これらの辺に挟まれてインナーリード
の内側へ凹んだ形状の２辺とを有する略方形であり、ア
ウターリードの断面形状は、リードフレーム面に略平行
する互いに対向する２辺と、これらの辺に挟まれてアウ
ターリードの外側に凸状となった形状を持つ２辺とを有
する略方形であることを特徴とするリードフレーム。