JPH08213529A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH08213529A JPH08213529A JP3474295A JP3474295A JPH08213529A JP H08213529 A JPH08213529 A JP H08213529A JP 3474295 A JP3474295 A JP 3474295A JP 3474295 A JP3474295 A JP 3474295A JP H08213529 A JPH08213529 A JP H08213529A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 半導体素子の小型化と電極パッド数の増大化
に伴う半導体装置の多端子化に対応できる樹脂封止型半
導体装置を提供する。 【構成】 半導体素子１１をインナーリード２１のワイ
ヤボンデイング面２１ＡＳと対向する面にのみ接着搭載
し、インナーリード先端部２１Ａと半導体素子の電極パ
ッド１２とをワイヤ１３で電気的に接続した、ダイパッ
ドレスの樹脂封止型半導体装置である。リードフレーム
部は、インナーリード先端部の板厚はアウターリード２
２を含む他部分の板厚より薄く形成され、かつインナー
リード先端部２１Ａの断面は、リードフレーム面に略平
行な対向する２辺と、両辺に挟まれて内側へ凹状の２辺
とからなる略方形である。またアウターリード２２の断
面はリードフレーム面に略平行な対向する２辺２２ａ，
ｃと両辺に挟まれて外側に凸状の２辺２２ｂ，ｄとを有
する略方形である。
に伴う半導体装置の多端子化に対応できる樹脂封止型半
導体装置を提供する。 【構成】 半導体素子１１をインナーリード２１のワイ
ヤボンデイング面２１ＡＳと対向する面にのみ接着搭載
し、インナーリード先端部２１Ａと半導体素子の電極パ
ッド１２とをワイヤ１３で電気的に接続した、ダイパッ
ドレスの樹脂封止型半導体装置である。リードフレーム
部は、インナーリード先端部の板厚はアウターリード２
２を含む他部分の板厚より薄く形成され、かつインナー
リード先端部２１Ａの断面は、リードフレーム面に略平
行な対向する２辺と、両辺に挟まれて内側へ凹状の２辺
とからなる略方形である。またアウターリード２２の断
面はリードフレーム面に略平行な対向する２辺２２ａ，
ｃと両辺に挟まれて外側に凸状の２辺２２ｂ，ｄとを有
する略方形である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，半導体素子の電極パッ
ド（端子）数の増大化に対応できる、多端子の樹脂封止
型半導体装置に関する。
ド（端子）数の増大化に対応できる、多端子の樹脂封止
型半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より用いられている樹脂封止型の半
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図６に示されるような構造であり、半導体装
置６０は、半導体素子を銅合金ないし４２％ニッケル−
鉄合金等からなるリードフレームに搭載した後に、樹脂
６５により封止してパッケージとしたもので、半導体素
子６１の電極パッド６６に対応できる数のインナーリー
ド６３を必要とするものである。そして、半導体素子６
１を搭載するダイパッド部６２や周囲の回路との電気的
接続を行うためのアウターリード部６４、アウターリー
ド部６４に一体となったインナーリード部６３、該イン
ナーリード部６３の先端部と半導体素子６１の電極パッ
ド６６とを電気的に接続するためのワイヤ６７、半導体
素子６１を封止して外界からの応力、汚染から守る樹脂
６５等からなっている。このようなリードフレームを利
用した樹脂封止型の半導体装置（プラスチックリードフ
レームパッケージ）においても、電子機器の軽薄短小化
の時流と半導体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ
電極端子の増大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導
体装置、特にＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）及びＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）等では、リードの多ピン化が著しくな
ってきた。上記の半導体装置に用いられるリードフレー
ムは、微細なものはフオトリソグラフイー技術を用いた
エッチング加工方法により作製され、微細でないものは
プレスによる加工方法による作製されるのが一般的であ
ったが、このような半導体装置の多ピン化に伴い、リー
ドフレームにおいても、インナーリード部先端の微細化
が進み、微細なものに対しては、プレスによる打ち抜き
加工によらず、リードフレーム部材の板厚が０．２５ｍ
ｍ程度のものを用い、エッチング加工で対応してきた。
このエッチング加工方法の工程について以下、図５に基
づいて簡単に述べておく。先ず、銅合金もしくは４２％
ニッケル−鉄合金からなる厚さ０．２５ｍｍ程度の薄板
（リードフレーム素材５１）を十分洗浄（図５（ａ））
した後、重クロム酸カリウムを感光材とした水溶性カゼ
インレジスト等のフオトレジスト５２を該薄板の両表面
に均一に塗布する。（（図５（ｂ）） 次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介して高
圧水銀灯でレジスト部を露光した後、所定の現像液で該
感光性レジストを現像して（図５（ｃ））、レジストパ
ターン５３を形成し、硬膜処理、洗浄処理等を必要に応
じて行い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とするエッチ
ング液を、スプレイにて該薄板（リードフレーム素材５
１）に吹き付け所定の寸法形状にエッチングし、貫通さ
せる。（図５（ｄ）） 次いで、レジスト膜を剥膜処理し（図５（ｅ））、洗浄
後、所望のリードフレームを得て、エッチング加工工程
を終了する。このように、エッチング加工等によって作
製されたリードフレームは、更に、所定のエリアに銀メ
ッキ等が施される。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経
て、インナーリード部を固定用の接着剤付きポリイミド
テープにてテーピング処理したり、必要に応じて所定の
量タブ吊りバーを曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセ
ットする処理を行う。しかし、エッチング加工方法にお
いては、エッチング液による腐蝕は被加工板の板厚方向
の他に板幅（面）方向にも進むため、その微細化加工に
も限度があるのが一般的で、図５に示すように、リード
フレーム素材の両面からエッチングするため、ラインア
ンドスペース形状の場合、ライン間隔の加工限度幅は、
板厚の５０〜１００％程度と言われている。又、リード
フレームの後工程等のアウターリードの強度を考えた場
合、一般的には、その板厚は約０．１２５ｍｍ以上必要
とされている。この為、図５に示すようなエッチング加
工方法の場合、リードフレームの板厚を０．１５ｍｍ〜
０．１２５ｍｍ程度まで薄くすれば、ワイヤボンデイン
グのための平坦幅が少なくとも７０〜８０μｍ必要であ
ることより、０．１６５ｍｍピッチ程度の微細なインナ
ーリード部先端のエッチングによる加工を達成してきた
が、これが限度とされていた。
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図６に示されるような構造であり、半導体装
置６０は、半導体素子を銅合金ないし４２％ニッケル−
鉄合金等からなるリードフレームに搭載した後に、樹脂
６５により封止してパッケージとしたもので、半導体素
子６１の電極パッド６６に対応できる数のインナーリー
ド６３を必要とするものである。そして、半導体素子６
１を搭載するダイパッド部６２や周囲の回路との電気的
接続を行うためのアウターリード部６４、アウターリー
ド部６４に一体となったインナーリード部６３、該イン
ナーリード部６３の先端部と半導体素子６１の電極パッ
ド６６とを電気的に接続するためのワイヤ６７、半導体
素子６１を封止して外界からの応力、汚染から守る樹脂
６５等からなっている。このようなリードフレームを利
用した樹脂封止型の半導体装置（プラスチックリードフ
レームパッケージ）においても、電子機器の軽薄短小化
の時流と半導体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ
電極端子の増大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導
体装置、特にＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａ
ｇｅ）及びＴＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ
Ｐａｃｋａｇｅ）等では、リードの多ピン化が著しくな
ってきた。上記の半導体装置に用いられるリードフレー
ムは、微細なものはフオトリソグラフイー技術を用いた
エッチング加工方法により作製され、微細でないものは
プレスによる加工方法による作製されるのが一般的であ
ったが、このような半導体装置の多ピン化に伴い、リー
ドフレームにおいても、インナーリード部先端の微細化
が進み、微細なものに対しては、プレスによる打ち抜き
加工によらず、リードフレーム部材の板厚が０．２５ｍ
ｍ程度のものを用い、エッチング加工で対応してきた。
このエッチング加工方法の工程について以下、図５に基
づいて簡単に述べておく。先ず、銅合金もしくは４２％
ニッケル−鉄合金からなる厚さ０．２５ｍｍ程度の薄板
（リードフレーム素材５１）を十分洗浄（図５（ａ））
した後、重クロム酸カリウムを感光材とした水溶性カゼ
インレジスト等のフオトレジスト５２を該薄板の両表面
に均一に塗布する。（（図５（ｂ）） 次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介して高
圧水銀灯でレジスト部を露光した後、所定の現像液で該
感光性レジストを現像して（図５（ｃ））、レジストパ
ターン５３を形成し、硬膜処理、洗浄処理等を必要に応
じて行い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とするエッチ
ング液を、スプレイにて該薄板（リードフレーム素材５
１）に吹き付け所定の寸法形状にエッチングし、貫通さ
せる。（図５（ｄ）） 次いで、レジスト膜を剥膜処理し（図５（ｅ））、洗浄
後、所望のリードフレームを得て、エッチング加工工程
を終了する。このように、エッチング加工等によって作
製されたリードフレームは、更に、所定のエリアに銀メ
ッキ等が施される。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経
て、インナーリード部を固定用の接着剤付きポリイミド
テープにてテーピング処理したり、必要に応じて所定の
量タブ吊りバーを曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセ
ットする処理を行う。しかし、エッチング加工方法にお
いては、エッチング液による腐蝕は被加工板の板厚方向
の他に板幅（面）方向にも進むため、その微細化加工に
も限度があるのが一般的で、図５に示すように、リード
フレーム素材の両面からエッチングするため、ラインア
ンドスペース形状の場合、ライン間隔の加工限度幅は、
板厚の５０〜１００％程度と言われている。又、リード
フレームの後工程等のアウターリードの強度を考えた場
合、一般的には、その板厚は約０．１２５ｍｍ以上必要
とされている。この為、図５に示すようなエッチング加
工方法の場合、リードフレームの板厚を０．１５ｍｍ〜
０．１２５ｍｍ程度まで薄くすれば、ワイヤボンデイン
グのための平坦幅が少なくとも７０〜８０μｍ必要であ
ることより、０．１６５ｍｍピッチ程度の微細なインナ
ーリード部先端のエッチングによる加工を達成してきた
が、これが限度とされていた。
【０００３】しかしながら、近年、樹脂封止型半導体装
置は、小パッケージでは、電極端子であるインナーリー
ドのピッチが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１
５〜０．１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてき
た事と、エッチング加工において、リード部材の板厚を
薄くした場合には、アセンブリ工程や実装工程といった
後工程におけるアウターリードの強度確保が難しいとい
う点から、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング
加工を行う方法にも限界が出てきた。
置は、小パッケージでは、電極端子であるインナーリー
ドのピッチが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１
５〜０．１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてき
た事と、エッチング加工において、リード部材の板厚を
薄くした場合には、アセンブリ工程や実装工程といった
後工程におけるアウターリードの強度確保が難しいとい
う点から、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング
加工を行う方法にも限界が出てきた。
【０００４】これに対応する方法として、アウターリー
ドの強度を確保したまま微細化を行う方法で、インナー
リード先端部分をプレスにより薄くしてエッチング加工
を行う方法が提案されている。しかし、プレスにより薄
くしてエッチング加工をおこなう場合には、後工程にお
いての精度が不足する（例えば、めっきエリアの平滑
性）、ボンデイング、モールデイング時のクランプに必
要なインナーリードの平坦性、寸法精度が確保されな
い、製版工程が複雑になる、等問題点が多くある。ま
た、インナーリード先端部分を第一の製版にてハーフエ
ッチングして薄くした後に、ハーフエッチングされた部
分を更に第二の製版にてエッチングし外形加工を行う方
法も提案されているが、この方法の場合も、製版を２度
行なわなければならず、製造工程が複雑になるという問
題があった。上記、いずれの方法も実用化には、未だ至
っていないのが現状である。
ドの強度を確保したまま微細化を行う方法で、インナー
リード先端部分をプレスにより薄くしてエッチング加工
を行う方法が提案されている。しかし、プレスにより薄
くしてエッチング加工をおこなう場合には、後工程にお
いての精度が不足する（例えば、めっきエリアの平滑
性）、ボンデイング、モールデイング時のクランプに必
要なインナーリードの平坦性、寸法精度が確保されな
い、製版工程が複雑になる、等問題点が多くある。ま
た、インナーリード先端部分を第一の製版にてハーフエ
ッチングして薄くした後に、ハーフエッチングされた部
分を更に第二の製版にてエッチングし外形加工を行う方
法も提案されているが、この方法の場合も、製版を２度
行なわなければならず、製造工程が複雑になるという問
題があった。上記、いずれの方法も実用化には、未だ至
っていないのが現状である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、半導体素
子の微細化かつ電極パッド（端子）数の増大化に伴い、
リードフレームを用い、インナーリード先端部と半導体
素子の電極パッド（端子）部とをワイヤボンイングにて
電気的に接続する樹脂封止型半導体装置においては、イ
ンナーリード先端部の小ピッチ化、微細化に対応でき、
且つ、後工程にも対応できる高精細なリードフレームを
用いることが必要となってきた。同時に、上記、インナ
ーリード先端部の小ピッチ化、微細化に対応でき、且
つ、後工程にも対応できる高精細なリードフレームを用
いた場合に適した構造の半導体装置が求められるように
なってきた。本発明は、このような状況のもと、半導体
素子の微細化かつ電極パッド（端子）数の増大化に伴
う、半導体装置の多端子化に対応し、インナーリード先
端部の小ピッチ化、微細化に対応できて、後工程にも対
応できる強度をもつ、高精細なリードフレームを用い
た、多端子化に適した構造の半導体装置を提供しようと
するものである。
子の微細化かつ電極パッド（端子）数の増大化に伴い、
リードフレームを用い、インナーリード先端部と半導体
素子の電極パッド（端子）部とをワイヤボンイングにて
電気的に接続する樹脂封止型半導体装置においては、イ
ンナーリード先端部の小ピッチ化、微細化に対応でき、
且つ、後工程にも対応できる高精細なリードフレームを
用いることが必要となってきた。同時に、上記、インナ
ーリード先端部の小ピッチ化、微細化に対応でき、且
つ、後工程にも対応できる高精細なリードフレームを用
いた場合に適した構造の半導体装置が求められるように
なってきた。本発明は、このような状況のもと、半導体
素子の微細化かつ電極パッド（端子）数の増大化に伴
う、半導体装置の多端子化に対応し、インナーリード先
端部の小ピッチ化、微細化に対応できて、後工程にも対
応できる強度をもつ、高精細なリードフレームを用い
た、多端子化に適した構造の半導体装置を提供しようと
するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置は、半導体素子を、インナーリードのワイヤボン
デイング面と対向する面にのみ接着搭載し、インナーリ
ード先端部と半導体素子の電極パッド（端子部）とをワ
イヤボンデイングにて電気的に接続する、ダイパッドレ
スの樹脂封止型半導体装置であって、リードフレーム部
は、少なくともインナーリード先端部の板厚をアウター
リードを含む他の部分の板厚より薄く形成しており、且
つ、インナーリード先端部の断面形状は、リードフレー
ム面に略平行する互いに対向する２辺と、これらの辺に
挟まれてインナーリードの内側へ凹んだ形状の２辺とを
有する略方形であり、アウターリードの断面形状は、リ
ードフレーム面に略平行する互いに対向する２辺と、こ
れらの辺に挟まれてアウターリードの外側に凸状となっ
た形状を持つ２辺とを有する略方形であることを特徴と
するものである。
体装置は、半導体素子を、インナーリードのワイヤボン
デイング面と対向する面にのみ接着搭載し、インナーリ
ード先端部と半導体素子の電極パッド（端子部）とをワ
イヤボンデイングにて電気的に接続する、ダイパッドレ
スの樹脂封止型半導体装置であって、リードフレーム部
は、少なくともインナーリード先端部の板厚をアウター
リードを含む他の部分の板厚より薄く形成しており、且
つ、インナーリード先端部の断面形状は、リードフレー
ム面に略平行する互いに対向する２辺と、これらの辺に
挟まれてインナーリードの内側へ凹んだ形状の２辺とを
有する略方形であり、アウターリードの断面形状は、リ
ードフレーム面に略平行する互いに対向する２辺と、こ
れらの辺に挟まれてアウターリードの外側に凸状となっ
た形状を持つ２辺とを有する略方形であることを特徴と
するものである。
【０００７】
【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記のよう
な構成にすることにより、半導素子の小型化（微細化）
かつ電極パッド（端子）の増大化に伴う、半導体装置の
多端子化への対応を可能としている。詳しくは、半導体
素子を、インナーリードのワイヤボンデイング面と対向
する面にのみ接着搭載し、インナーリード先端部と半導
体素子の端子部（電極パッド部）とをワイヤボンデイン
グにて電気的に接続する、ダイパッドレス構造とするこ
とにより、半導体装置作製の為のワイボンデイング時に
は、キャピラリがダイパッドに接触しないようにしてお
り、且つ、ワイヤの引き回しの自由度も上げることがで
き、結局、半導体素子の小型化（微細化）かつ電極パッ
ド（端子）数の増大化に伴う、半導体装置の多端子化に
対応できる構造としている。そして、インナーリード先
端部の断面形状が、リードフレーム面に略平行する互い
に対向する２辺と、これらの辺に挟まれてインナーリー
ドの内側へ凹んだ形状の２辺とを有していることによ
り、ワイヤボンデイング時の転びの発生の少ない構造と
している。また、インナーリード先端部に比べアウター
リード部を厚しており、且つ、アウターリードの断面形
状が、リードフレーム面に略平行する互いに対向する２
辺と、これらの辺に挟まれてアウターリードの外側に凸
状となった形状を持つ２辺とを有すことにより、強度的
に強固なものとし、半導体装置作製のアセンブリ工程や
実装工程等の後工程に対応できるものとしている。そし
てまた、少なくともインナーリード先端部の板厚をアウ
ターリードを含む他の部分の板厚より薄くしていること
により、インナーリードの多ピン化、狭ピッチ化に適し
たものとしており、結果として、電極パッド（端子）数
の増大化に伴う、半導体装置の多端子化に対応できるも
のとしている。
な構成にすることにより、半導素子の小型化（微細化）
かつ電極パッド（端子）の増大化に伴う、半導体装置の
多端子化への対応を可能としている。詳しくは、半導体
素子を、インナーリードのワイヤボンデイング面と対向
する面にのみ接着搭載し、インナーリード先端部と半導
体素子の端子部（電極パッド部）とをワイヤボンデイン
グにて電気的に接続する、ダイパッドレス構造とするこ
とにより、半導体装置作製の為のワイボンデイング時に
は、キャピラリがダイパッドに接触しないようにしてお
り、且つ、ワイヤの引き回しの自由度も上げることがで
き、結局、半導体素子の小型化（微細化）かつ電極パッ
ド（端子）数の増大化に伴う、半導体装置の多端子化に
対応できる構造としている。そして、インナーリード先
端部の断面形状が、リードフレーム面に略平行する互い
に対向する２辺と、これらの辺に挟まれてインナーリー
ドの内側へ凹んだ形状の２辺とを有していることによ
り、ワイヤボンデイング時の転びの発生の少ない構造と
している。また、インナーリード先端部に比べアウター
リード部を厚しており、且つ、アウターリードの断面形
状が、リードフレーム面に略平行する互いに対向する２
辺と、これらの辺に挟まれてアウターリードの外側に凸
状となった形状を持つ２辺とを有すことにより、強度的
に強固なものとし、半導体装置作製のアセンブリ工程や
実装工程等の後工程に対応できるものとしている。そし
てまた、少なくともインナーリード先端部の板厚をアウ
ターリードを含む他の部分の板厚より薄くしていること
により、インナーリードの多ピン化、狭ピッチ化に適し
たものとしており、結果として、電極パッド（端子）数
の増大化に伴う、半導体装置の多端子化に対応できるも
のとしている。
【０００８】
【実施例】本発明の樹脂封止型半導体装置の実施例を以
下、図にそって説明する。図１（ａ）は本実施例樹脂封
止型半導体装置の概略断面図、図１（ｂ）はインナーリ
ード先端部断面図、図１（ｃ）はアウターリード断面図
を示している。図１中、１０は半導体装置、１１は半導
体素子、１２は電極パッド、１３はワイヤ、１８はテー
プ、１９は樹脂、２１はインナーリード、２１Ａはイン
ナーリード先端部、２１ＡＳはワイヤボンデイング面、
２２はアウターリード、である。本実施例の樹脂封止型
半導体装置は、図１（ａ）に示すように、半導体素子１
１を、インナーリード先端１５Ａのワイヤボンデイング
面２１ＡＳと対向する面にのみ接着搭載し、インナーリ
ード先端部２１Ａと半導体素子１１の端子部である電極
パッド１２とをワイヤ１３にて電気的に接続した、ダイ
パッドのない樹脂封止型半導体装置である。リードフレ
ーム部は４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）からな
り、インナーリード先端部の板厚は０．０４ｍｍで、ア
ウターリード他の板厚は０．１５ｍｍで、インナーリー
ドピッチは０．１３ｍｍである。もちろん、４２合金
（４２％ニッケル−鉄合金）でなく、銅合金を用いても
良い。本実施例半導体装置は、このように、リードフレ
ームとしてはダイパッド部がない構造のものを用いたも
ので、インナーリード先端部２１Ａのワイヤボンデイン
グ面２１Ａａと対向する面側に半導体素子１１を接着材
により搭載し、半導体素子の電極パッド１２とインナー
リード先端部２１Ａとをワイヤ１３により電気的に接続
していることにより、電極パッド１２の位置を広い範囲
にとれてワイヤの引き回しの自由度が大きいもので、且
つ、ボンデイングの際には、ダイパッドがない為、キャ
ピラリがダイパッドに接することもなく、ボンデイング
し易い構造となっている。また、インナーリードの断面
形状は図１（ｂ）に示すように、インナーリード面に略
平行の対向する２辺２１Ａａ、２１Ａｃとこれらに挟ま
れ、インナーリードの内側に凹んだ２辺２１Ａｂ、２１
Ａｄとを有しており、ワイヤボンデイングの際に転びが
発生しにくいものとしている。アウターリード２２部
は、板厚０．１５ｍｍで、インナーリード先端部の板厚
０．０４ｍｍとは異なり厚くなっており、且つ、断面形
状は図１（ｃ）に示すように、リードフレーム面に略平
行する互いに対向する２辺２２ａ、２２ｃと、これらの
辺に挟まれてアウターリードの外側に凸状となった形状
を持つ２辺２２ｂ、２２ｄとを有すことにより、強度的
に強固なものとし、半導体装置作製のアセンブリ工程や
実装工程等の後工程に対応できるものとしている。そし
てまた、少なくともインナーリード先端部の板厚をアウ
ターリードを含む他の部分の板厚より薄くしていること
により、半導体素子の小型化（微細化）かつ電極パッド
の増大化に対応した、インナーリードの多ピン化、狭ピ
ッチ化に対応できるものとしている。尚、本実施例半導
体装置においては、インナーリード先端２１Ａの近傍に
ポリイミドのテープ１９を補強として貼りつけた状態で
樹脂１８で封止している。
下、図にそって説明する。図１（ａ）は本実施例樹脂封
止型半導体装置の概略断面図、図１（ｂ）はインナーリ
ード先端部断面図、図１（ｃ）はアウターリード断面図
を示している。図１中、１０は半導体装置、１１は半導
体素子、１２は電極パッド、１３はワイヤ、１８はテー
プ、１９は樹脂、２１はインナーリード、２１Ａはイン
ナーリード先端部、２１ＡＳはワイヤボンデイング面、
２２はアウターリード、である。本実施例の樹脂封止型
半導体装置は、図１（ａ）に示すように、半導体素子１
１を、インナーリード先端１５Ａのワイヤボンデイング
面２１ＡＳと対向する面にのみ接着搭載し、インナーリ
ード先端部２１Ａと半導体素子１１の端子部である電極
パッド１２とをワイヤ１３にて電気的に接続した、ダイ
パッドのない樹脂封止型半導体装置である。リードフレ
ーム部は４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）からな
り、インナーリード先端部の板厚は０．０４ｍｍで、ア
ウターリード他の板厚は０．１５ｍｍで、インナーリー
ドピッチは０．１３ｍｍである。もちろん、４２合金
（４２％ニッケル−鉄合金）でなく、銅合金を用いても
良い。本実施例半導体装置は、このように、リードフレ
ームとしてはダイパッド部がない構造のものを用いたも
ので、インナーリード先端部２１Ａのワイヤボンデイン
グ面２１Ａａと対向する面側に半導体素子１１を接着材
により搭載し、半導体素子の電極パッド１２とインナー
リード先端部２１Ａとをワイヤ１３により電気的に接続
していることにより、電極パッド１２の位置を広い範囲
にとれてワイヤの引き回しの自由度が大きいもので、且
つ、ボンデイングの際には、ダイパッドがない為、キャ
ピラリがダイパッドに接することもなく、ボンデイング
し易い構造となっている。また、インナーリードの断面
形状は図１（ｂ）に示すように、インナーリード面に略
平行の対向する２辺２１Ａａ、２１Ａｃとこれらに挟ま
れ、インナーリードの内側に凹んだ２辺２１Ａｂ、２１
Ａｄとを有しており、ワイヤボンデイングの際に転びが
発生しにくいものとしている。アウターリード２２部
は、板厚０．１５ｍｍで、インナーリード先端部の板厚
０．０４ｍｍとは異なり厚くなっており、且つ、断面形
状は図１（ｃ）に示すように、リードフレーム面に略平
行する互いに対向する２辺２２ａ、２２ｃと、これらの
辺に挟まれてアウターリードの外側に凸状となった形状
を持つ２辺２２ｂ、２２ｄとを有すことにより、強度的
に強固なものとし、半導体装置作製のアセンブリ工程や
実装工程等の後工程に対応できるものとしている。そし
てまた、少なくともインナーリード先端部の板厚をアウ
ターリードを含む他の部分の板厚より薄くしていること
により、半導体素子の小型化（微細化）かつ電極パッド
の増大化に対応した、インナーリードの多ピン化、狭ピ
ッチ化に対応できるものとしている。尚、本実施例半導
体装置においては、インナーリード先端２１Ａの近傍に
ポリイミドのテープ１９を補強として貼りつけた状態で
樹脂１８で封止している。
【０００９】本実施例半導体装置に用いられるリードフ
レームとその製造方法について図に基づいて説明する。
図２（イ）の（ａ）は、本実施例樹脂封止型半導体装置
に用いられたリードフレームを示す平面図であり、図２
（イ）の（ｂ）はそのＡ１−Ａ２部の断面図を示してお
り、図２中、２０はリードフレーム、２１はインナーリ
ード、２１Ａはインナーリード先端部、２１Ｓはボンデ
イング面、２２はアウリーリード、２４はダムバー、２
５はフレーム部である。本実施例半導体装置に用いられ
るリードフレーム２０は後述するエッチング加工法によ
り作製されるもので、前述のように、４２合金（４２％
ニッケル−鉄合金）からなり、図２（ｂ）に示す板厚ｔ
0 を０．１５ｍｍ、板厚ｔ1 を４０μｍとし、インナー
リードピッチ０．１３ｍｍとするもので、図１（ｂ）に
示すインナーリード先端部の断面のワイヤボンデイング
面２１ＡＳ側の平坦幅Ｗ１は約８０μｍである。エッチ
ング加工された平坦面からなるワイヤボンデイング面２
１ＡＳは、塩化第二鉄水溶液腐食液により、液温５７°
Ｃ、濃度４８Ｂｅ' の塩化第二鉄溶液を用いて、エッチ
ング加工された面であり、アラビのない面状態を呈して
おり、結線（ボンデイング）に対し良い面状態である。
また、本発明のリードフレーム２０は、インナーリード
先端部２１Ａのみが板厚ｔ1 が４０μｍで、他のアウタ
ーリード部等の板厚さは０．１５ｍｍと厚い為、エッチ
ング加工後の半導体装置作成のためのアセンブリ工程や
実装工程等の後工程に対しても、機械的強度的に充分対
応できるものとなっている。
レームとその製造方法について図に基づいて説明する。
図２（イ）の（ａ）は、本実施例樹脂封止型半導体装置
に用いられたリードフレームを示す平面図であり、図２
（イ）の（ｂ）はそのＡ１−Ａ２部の断面図を示してお
り、図２中、２０はリードフレーム、２１はインナーリ
ード、２１Ａはインナーリード先端部、２１Ｓはボンデ
イング面、２２はアウリーリード、２４はダムバー、２
５はフレーム部である。本実施例半導体装置に用いられ
るリードフレーム２０は後述するエッチング加工法によ
り作製されるもので、前述のように、４２合金（４２％
ニッケル−鉄合金）からなり、図２（ｂ）に示す板厚ｔ
0 を０．１５ｍｍ、板厚ｔ1 を４０μｍとし、インナー
リードピッチ０．１３ｍｍとするもので、図１（ｂ）に
示すインナーリード先端部の断面のワイヤボンデイング
面２１ＡＳ側の平坦幅Ｗ１は約８０μｍである。エッチ
ング加工された平坦面からなるワイヤボンデイング面２
１ＡＳは、塩化第二鉄水溶液腐食液により、液温５７°
Ｃ、濃度４８Ｂｅ' の塩化第二鉄溶液を用いて、エッチ
ング加工された面であり、アラビのない面状態を呈して
おり、結線（ボンデイング）に対し良い面状態である。
また、本発明のリードフレーム２０は、インナーリード
先端部２１Ａのみが板厚ｔ1 が４０μｍで、他のアウタ
ーリード部等の板厚さは０．１５ｍｍと厚い為、エッチ
ング加工後の半導体装置作成のためのアセンブリ工程や
実装工程等の後工程に対しても、機械的強度的に充分対
応できるものとなっている。
【００１０】本実施例リードフレームのインナーリード
先端部２１Ａの断面形状は、図４（イ）に示すようにな
っており、エッチング平坦面２１ａ側の幅Ｗ１は反対側
の面２１Ａｃの幅Ｗ２より大きくくなっており、Ｗ１、
Ｗ２（約８０μｍ）ともこの部分の板厚さ方向の中央部
における幅Ｗよりも大きくなっている。このようにイン
ナリーリード先端薄板部の両面は広くなった断面形状で
あるため、図４（ロ）に示すように、どちらの面を用い
ても半導体素子（図示せず）とインナーリード先端部２
１Ａａ、２１Ａｃと、それぞれ金線等のワイヤ４１Ａ、
４１Ｂによる結線（ボンデイング）がし易すいものとな
っているが、本実施例半導体装置の場合、エッチング加
工によるアラビのない平坦面２１Ａａの方が、リードフ
レーム素材面である２１Ａｂよりも結線（ボンデイン
グ）適性が優れるため、図４（ロ）の（ａ）に示すよう
に、辺２１Ａａ側をボンデイング面２１ＡＳとした。
尚、４２Ａ、４２Ｂは金メッキ部であるが、銀メッキ部
としても良い。図４（ハ）は図５に示す加工方法にて作
製された従来のリードフレームのインナーリード先端部
４３と半導体素子（図示せず）との結線（ボンデイン
グ）を示すものであるが、この場合もインナーリード先
端部４３の両面は平坦ではあるが、この部分の板厚方向
の幅に比べ大きくとれない。また両面ともリードフレー
ム素材面である為、結線（ボンデイング）適性は本実施
例のエッチング平坦面より劣る。図４（ニ）はプレスに
よりインナーリード先端部を薄肉化した後にエッチング
加工によりインナーリード先端部４４Ａ、４４Ｂを加工
したものの、半導体素子（図示せず）との結線（ボンデ
イング）を示したものであるが、この場合はプレス面側
が図に示すように平坦になっていないため、どちらの面
を用いて結線（ボンデイング）しても、図３（ニ）の
（ａ）、（ｂ）に示すように結線（ボンデイング）の際
に安定性が悪く品質的にも問題となる場合が多い。
先端部２１Ａの断面形状は、図４（イ）に示すようにな
っており、エッチング平坦面２１ａ側の幅Ｗ１は反対側
の面２１Ａｃの幅Ｗ２より大きくくなっており、Ｗ１、
Ｗ２（約８０μｍ）ともこの部分の板厚さ方向の中央部
における幅Ｗよりも大きくなっている。このようにイン
ナリーリード先端薄板部の両面は広くなった断面形状で
あるため、図４（ロ）に示すように、どちらの面を用い
ても半導体素子（図示せず）とインナーリード先端部２
１Ａａ、２１Ａｃと、それぞれ金線等のワイヤ４１Ａ、
４１Ｂによる結線（ボンデイング）がし易すいものとな
っているが、本実施例半導体装置の場合、エッチング加
工によるアラビのない平坦面２１Ａａの方が、リードフ
レーム素材面である２１Ａｂよりも結線（ボンデイン
グ）適性が優れるため、図４（ロ）の（ａ）に示すよう
に、辺２１Ａａ側をボンデイング面２１ＡＳとした。
尚、４２Ａ、４２Ｂは金メッキ部であるが、銀メッキ部
としても良い。図４（ハ）は図５に示す加工方法にて作
製された従来のリードフレームのインナーリード先端部
４３と半導体素子（図示せず）との結線（ボンデイン
グ）を示すものであるが、この場合もインナーリード先
端部４３の両面は平坦ではあるが、この部分の板厚方向
の幅に比べ大きくとれない。また両面ともリードフレー
ム素材面である為、結線（ボンデイング）適性は本実施
例のエッチング平坦面より劣る。図４（ニ）はプレスに
よりインナーリード先端部を薄肉化した後にエッチング
加工によりインナーリード先端部４４Ａ、４４Ｂを加工
したものの、半導体素子（図示せず）との結線（ボンデ
イング）を示したものであるが、この場合はプレス面側
が図に示すように平坦になっていないため、どちらの面
を用いて結線（ボンデイング）しても、図３（ニ）の
（ａ）、（ｂ）に示すように結線（ボンデイング）の際
に安定性が悪く品質的にも問題となる場合が多い。
【００１１】次いで、本実施例半導体装置に用いられる
リードフレームの製造方法について図を用いて説明す
る。図３は、図２（ａ）に示すリードフレームのＢ１−
Ｂ２断面における、作製工程に対応した図を示したもの
であり、図３中、３１はリードフレーム素材、３２Ａ、
３２Ｂはレジストパターン、３３は第一開口部、３４は
第二開口部、３５は凹部、３６は平坦状面、３７はエッ
チング抵抗層を示す。先ず、４２％ニッケル−鉄合金か
らなり、厚みが０．１５ｍｍのリードフレーム素材３１
の両面に、重クロム酸カリウムを感光剤とした水溶性カ
ゼインレジストを塗布した後、所定のパターン版を用い
て、所定形状の開口部１、開口部２をもつレジストパタ
ーン３２Ａ、３２Ｂを形成した。（図３（ａ）） 第一開口部３３は、後のエッチング加工においてリード
フレーム素材３１をこの第一開口部３３からベタ状に腐
蝕するためのもので、レジストの第二開口部３４は、リ
ードフレーム先端部形状を形成するためのものである。
第一開口部３３は、少なくともインナーリード先端部領
域を含むが、後工程において、テーピングの工程や、ボ
ンデイング時のリードフレームを固定するクランプ工程
で、ベタ状に腐蝕され部分的に薄くなった部分との段差
が邪魔になる場合があるので、エッチングを行うエリア
はインナーリード先端の微細加工部分だけにせず大きめ
にとる必要がある。リードフレーム素材３１の両面に形
成されたレジストパターン３２Ａ、３２Ｂを作製する為
のフオトマスクはそれぞれ図２（ロ）に示すものを使用
した。第一開口部３３側は図２（ロ）の（ａ）のパター
ンを、第二開口部３４側は図２（ロ）（ｂ）のパターン
を使用した。次いで、液温５７°Ｃ、濃度４８Ｂｅ' の
塩化第二鉄溶液を用いて、スプレー圧２．５ｋｇ／ｃｍ
2 にて、レジストパターンが形成されたリードフレーム
素材１の両面をエッチングし、ベタ状（平坦状）に腐蝕
された凹部５の深さｈがリードフレーム部材の１／３に
達した時点でエッチングを止めた。（図３（ｂ）） エッチング後のベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５
の平坦状面３６の表面状態は、エッチングされていない
面に比べ、アラビのない、平滑な面となった。尚、塩化
第二鉄溶液を用いてエッチングした場合、液温度５５°
Ｃ以上、液濃度４７Ｂｅ' 以上、スプレー圧２．０ｋｇ
／ｃｍ2 以上で腐蝕された表面はアラビのないものとな
る。次いで、ベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５側
面にエッチング抵抗層３７としての耐エッチング性のあ
るホットメルト型ワックス（ザ・インクテック社製の酸
ワックス、型番ＭＲ−ＷＢ６）を、ダイコータを用い
て、塗布し、ベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５に
埋め込んだ。レジストパターン３２Ａ上も該エッチング
抵抗層３７に塗布された状態となった。（図３（ｃ）） 本実施例で使用したエッチング抵抗層３７は、上記のレ
ジストパターン３２Ａ上で膜厚さ１００μｍ程度で、ア
ルカリ溶解型のワックスであるが、基本的にエッチング
液に耐性があり、エッチング時にある程度の柔軟性のあ
るものが、好ましく、特に、上記ワックスに限定され
ず、ＵＶ硬化型のものでも良い。このようにエッチング
抵抗層３７をベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５に
埋め込むことにより、後工程でのエッチング時にベタ状
（平坦状）に腐蝕された凹部３５の平坦状面３６側面が
腐蝕されないようにしているとともに、エッチング加工
に対しての機械的な強度補強をしており、スプレー圧を
高く（２．５〜７ｋｇ／ｃｍ2 ）とすることができ、こ
れによりエッチングが深さ方向に進行し易すくなり、そ
の断面形状も垂直に近づく。勿論エッチング抵抗層３７
はベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５の平坦状面３
６以外の同じリード面側の部分、例えばアウターリード
間の腐蝕も防ぐものである。この後、ベタ状（平坦状）
に腐蝕された凹部３５形成面側と反対面側からリードフ
レーム部材をエッチングし、インナーリード先端部２１
Ａを貫通させた。（図３（ｄ）） 次いで、洗浄、エッチング抵抗層３７の除去、レジスト
膜（レジストパターン３２Ａ、３２Ｂ）の除去を行い、
インナーリード先端部２１Ａが微細加工された図２
（イ）に示すリードフレーム２０を得た（図３（ｅ）） エッチング抵抗層３７とレジスト膜（レジストパターン
３２Ａ、３２Ｂ）の除去は水酸化ナトリウム水溶液によ
り溶解除去した。
リードフレームの製造方法について図を用いて説明す
る。図３は、図２（ａ）に示すリードフレームのＢ１−
Ｂ２断面における、作製工程に対応した図を示したもの
であり、図３中、３１はリードフレーム素材、３２Ａ、
３２Ｂはレジストパターン、３３は第一開口部、３４は
第二開口部、３５は凹部、３６は平坦状面、３７はエッ
チング抵抗層を示す。先ず、４２％ニッケル−鉄合金か
らなり、厚みが０．１５ｍｍのリードフレーム素材３１
の両面に、重クロム酸カリウムを感光剤とした水溶性カ
ゼインレジストを塗布した後、所定のパターン版を用い
て、所定形状の開口部１、開口部２をもつレジストパタ
ーン３２Ａ、３２Ｂを形成した。（図３（ａ）） 第一開口部３３は、後のエッチング加工においてリード
フレーム素材３１をこの第一開口部３３からベタ状に腐
蝕するためのもので、レジストの第二開口部３４は、リ
ードフレーム先端部形状を形成するためのものである。
第一開口部３３は、少なくともインナーリード先端部領
域を含むが、後工程において、テーピングの工程や、ボ
ンデイング時のリードフレームを固定するクランプ工程
で、ベタ状に腐蝕され部分的に薄くなった部分との段差
が邪魔になる場合があるので、エッチングを行うエリア
はインナーリード先端の微細加工部分だけにせず大きめ
にとる必要がある。リードフレーム素材３１の両面に形
成されたレジストパターン３２Ａ、３２Ｂを作製する為
のフオトマスクはそれぞれ図２（ロ）に示すものを使用
した。第一開口部３３側は図２（ロ）の（ａ）のパター
ンを、第二開口部３４側は図２（ロ）（ｂ）のパターン
を使用した。次いで、液温５７°Ｃ、濃度４８Ｂｅ' の
塩化第二鉄溶液を用いて、スプレー圧２．５ｋｇ／ｃｍ
2 にて、レジストパターンが形成されたリードフレーム
素材１の両面をエッチングし、ベタ状（平坦状）に腐蝕
された凹部５の深さｈがリードフレーム部材の１／３に
達した時点でエッチングを止めた。（図３（ｂ）） エッチング後のベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５
の平坦状面３６の表面状態は、エッチングされていない
面に比べ、アラビのない、平滑な面となった。尚、塩化
第二鉄溶液を用いてエッチングした場合、液温度５５°
Ｃ以上、液濃度４７Ｂｅ' 以上、スプレー圧２．０ｋｇ
／ｃｍ2 以上で腐蝕された表面はアラビのないものとな
る。次いで、ベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５側
面にエッチング抵抗層３７としての耐エッチング性のあ
るホットメルト型ワックス（ザ・インクテック社製の酸
ワックス、型番ＭＲ−ＷＢ６）を、ダイコータを用い
て、塗布し、ベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５に
埋め込んだ。レジストパターン３２Ａ上も該エッチング
抵抗層３７に塗布された状態となった。（図３（ｃ）） 本実施例で使用したエッチング抵抗層３７は、上記のレ
ジストパターン３２Ａ上で膜厚さ１００μｍ程度で、ア
ルカリ溶解型のワックスであるが、基本的にエッチング
液に耐性があり、エッチング時にある程度の柔軟性のあ
るものが、好ましく、特に、上記ワックスに限定され
ず、ＵＶ硬化型のものでも良い。このようにエッチング
抵抗層３７をベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５に
埋め込むことにより、後工程でのエッチング時にベタ状
（平坦状）に腐蝕された凹部３５の平坦状面３６側面が
腐蝕されないようにしているとともに、エッチング加工
に対しての機械的な強度補強をしており、スプレー圧を
高く（２．５〜７ｋｇ／ｃｍ2 ）とすることができ、こ
れによりエッチングが深さ方向に進行し易すくなり、そ
の断面形状も垂直に近づく。勿論エッチング抵抗層３７
はベタ状（平坦状）に腐蝕された凹部３５の平坦状面３
６以外の同じリード面側の部分、例えばアウターリード
間の腐蝕も防ぐものである。この後、ベタ状（平坦状）
に腐蝕された凹部３５形成面側と反対面側からリードフ
レーム部材をエッチングし、インナーリード先端部２１
Ａを貫通させた。（図３（ｄ）） 次いで、洗浄、エッチング抵抗層３７の除去、レジスト
膜（レジストパターン３２Ａ、３２Ｂ）の除去を行い、
インナーリード先端部２１Ａが微細加工された図２
（イ）に示すリードフレーム２０を得た（図３（ｅ）） エッチング抵抗層３７とレジスト膜（レジストパターン
３２Ａ、３２Ｂ）の除去は水酸化ナトリウム水溶液によ
り溶解除去した。
【００１２】尚、本方法によるインナーリード先端部の
微細化加工は図３（ｂ）に示すベタ状（平坦状）に腐蝕
された凹部３５の深さｈ、言い換えればその部分の板厚
ｔに左右されるよるもので、例えば、板厚ｔを５０μｍ
まで薄くすると、図４（イ）に示す平坦幅Ｗ１を１００
μｍとして、ピッチｐが０．１５ｍｍまで微細加工可能
となり、板厚ｔを３０μｍ程度まで薄くし、平坦幅Ｗ２
を７０μｍ程度とするとピッチｐが０．１２ｍｍ程度ま
で微細加工ができるが、板厚ｔ、平坦幅Ｗ１のとり方次
第ではピッチｐは更に狭いピッチまで作製が可能とな
る。
微細化加工は図３（ｂ）に示すベタ状（平坦状）に腐蝕
された凹部３５の深さｈ、言い換えればその部分の板厚
ｔに左右されるよるもので、例えば、板厚ｔを５０μｍ
まで薄くすると、図４（イ）に示す平坦幅Ｗ１を１００
μｍとして、ピッチｐが０．１５ｍｍまで微細加工可能
となり、板厚ｔを３０μｍ程度まで薄くし、平坦幅Ｗ２
を７０μｍ程度とするとピッチｐが０．１２ｍｍ程度ま
で微細加工ができるが、板厚ｔ、平坦幅Ｗ１のとり方次
第ではピッチｐは更に狭いピッチまで作製が可能とな
る。
【００１３】上記、図３に示すように、上記リードフレ
ームの製造方法によれば、インナーリード先端部の断面
形状を図１（ｂ）に示す形状に作製できるが、アウター
リードの断面形状についても、図２（ロ）に示すパター
ンを用いることにより、上記製造工程により、図１
（ｃ）に示す断面形状を得ることができる。
ームの製造方法によれば、インナーリード先端部の断面
形状を図１（ｂ）に示す形状に作製できるが、アウター
リードの断面形状についても、図２（ロ）に示すパター
ンを用いることにより、上記製造工程により、図１
（ｃ）に示す断面形状を得ることができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置は、上記
のように、半導体素子の小型化（微細化）かつ電極パッ
ドの増大化に伴う半導体装置の多端子化対応できる、樹
脂封止型半導体装置の提供を可能とするものである。詳
しくは、半導体素子の小型化（微細化）かつ電極パッド
の増大化に対応した、多ピン、狭ピッチの半導体装置作
製のアセンブリ工程、実装工程等の後工程にも耐える強
度を持つリードフレームを用い、且つ、半導体素子を、
インナーリードのワイヤボンデイング面と対向する面に
のみ接着搭載し、インナーリード先端部と半導体素子の
端子部（電極パッド部）とをワイヤボンデイングにて電
気的に接続することにより、樹脂封止型半導体装置の多
端子化に対応できる半導体装置の提供を可能としてい
る。
のように、半導体素子の小型化（微細化）かつ電極パッ
ドの増大化に伴う半導体装置の多端子化対応できる、樹
脂封止型半導体装置の提供を可能とするものである。詳
しくは、半導体素子の小型化（微細化）かつ電極パッド
の増大化に対応した、多ピン、狭ピッチの半導体装置作
製のアセンブリ工程、実装工程等の後工程にも耐える強
度を持つリードフレームを用い、且つ、半導体素子を、
インナーリードのワイヤボンデイング面と対向する面に
のみ接着搭載し、インナーリード先端部と半導体素子の
端子部（電極パッド部）とをワイヤボンデイングにて電
気的に接続することにより、樹脂封止型半導体装置の多
端子化に対応できる半導体装置の提供を可能としてい
る。
【図１】本発明実施例の樹脂封止型半導体装置概略図
【図２】本発明実施例の樹脂封止型半導体装置に用いら
れるリードフレームを説明するための図
れるリードフレームを説明するための図
【図３】本発明実施例の樹脂封止型半導体装置に用いら
れるリードフレームの製造方法の工程図
れるリードフレームの製造方法の工程図
【図４】ワイヤボンデイング性を説明するための図
【図５】従来のリードフレームの製造方法の工程図
【図６】従来の半導体装置図
１０ 半導体装置 １１ 半導体素子 １２ 電極パッド １３ ワイヤ １８ テープ １９ 樹脂 ２１ インナーリード ２１Ａ インナーリード先端部 ２１ＡＳ ワイヤボンデイング面 ２２ アウターリード ２４ ダムバー ２５ フレーム部 ３１ リードフレーム素材 ３２Ａ、３２Ｂ フオトレジストパターン ３３ 第一開口部 ３４ 第二開口部 ３５ 凹部 ３６ 平坦状面 ３７ エッチング抵抗層 ４１Ａ、４１Ｂ、４１Ｃ、４１Ｄ、４１Ｅ ワイヤ ４２Ａ、４２Ｂ、４２Ｃ、４２Ｄ、４２Ｅ 金メッ
キ部 ４３、４４、４４Ａ インナーリード部先端部 ５１ リードフレーム素材 ５２ フオトレジスト ５３ フオトレジストパターン ５４ インナーリード ６０ 樹脂封止型半導体装置 ６１ 半導体素子 ６２ ダイパッド ６３ インナーリード ６４ アウターリード ６５ 樹脂 ６６ 半導体素子電極部 ６７ ワイヤ
キ部 ４３、４４、４４Ａ インナーリード部先端部 ５１ リードフレーム素材 ５２ フオトレジスト ５３ フオトレジストパターン ５４ インナーリード ６０ 樹脂封止型半導体装置 ６１ 半導体素子 ６２ ダイパッド ６３ インナーリード ６４ アウターリード ６５ 樹脂 ６６ 半導体素子電極部 ６７ ワイヤ
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体素子を、インナーリードのワイヤ
ボンデイング面と対向する面にのみ接着搭載し、インナ
ーリード先端部と半導体素子の電極パッド部とをワイヤ
ボンデイングにて電気的に接続する、ダイパッドレスの
樹脂封止型半導体装置であって、リードフレーム部は、
少なくともインナーリード先端部の板厚をアウターリー
ドを含む他の部分の板厚より薄く形成しており、且つ、
インナーリード先端部の断面形状は、リードフレーム面
に略平行する互いに対向する２辺と、これらの辺に挟ま
れてインナーリードの内側へ凹んだ形状の２辺とを有す
る略方形であり、アウターリードの断面形状は、リード
フレーム面に略平行する互いに対向する２辺と、これら
の辺に挟まれてアウターリードの外側に凸状となった形
状を持つ２辺とを有する略方形であることを特徴とする
樹脂封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3474295A JPH08213529A (ja) | 1995-02-01 | 1995-02-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3474295A JPH08213529A (ja) | 1995-02-01 | 1995-02-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213529A true JPH08213529A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=12422781
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3474295A Pending JPH08213529A (ja) | 1995-02-01 | 1995-02-01 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08213529A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285074B2 (en) | 1997-08-25 | 2001-09-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
-
1995
- 1995-02-01 JP JP3474295A patent/JPH08213529A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285074B2 (en) | 1997-08-25 | 2001-09-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
| US6297545B1 (en) | 1997-08-25 | 2001-10-02 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030610 |