JPH08316392A

JPH08316392A - リードフレームの製造方法とリードフレーム

Info

Publication number: JPH08316392A
Application number: JP14008995A
Authority: JP
Inventors: Chikao Ikenaga; 知加雄池永; Shuichi Yamada; 修一山田
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1995-05-16
Filing date: 1995-05-16
Publication date: 1996-11-29

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置の高密度化、高機能化に伴
い、リードフレームの多ピン化が進む中、リードフレー
ムのインナーリードの小ピッチ化、微細化に対応でき、
ワイヤボンデイング平坦幅の確保ができ、ワイヤボンデ
イング作業における転びが発生しずらく、且つ、後工程
にも対応できる強度をもつリードフレームと、その製造
方法を提供する。【構成】インナーリード先端のワイヤボンデイング領
域をリードフレームのアウターリード等他の部分より薄
肉に形成した樹脂封止型半導体装置用リードフレームの
製造方法であって、順に、リードフレーム素材をエッチ
ング加工にて外形加工する工程、外形加工された各イン
ナーリード先端のワイヤボンデイング領域をコイニング
する工程を有し、該エッチング加工は、少なくともイン
ナーリード先端のワイヤボンデイング領域を含む所定の
部分をハーフエッチング加工により外形加工し、且つ該
所定の部分以外のアウターリード部他を両面からエッチ
ングにより外形加工する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は，ＩＣやＬＳＩ等の樹脂
封止型半導体装置に用いられるリードフレームに関する
ものであり、特に、多ピン化に対応できるリードフレー
ムとその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より用いられている樹脂封止型の半
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図７（ａ）に示されるような構造であり、半
導体素子７１１を搭載するダイパッド部７２１や周囲の
回路との電気的接続を行うためのアウターリード部７２
３、アウターリード部７２３に一体となったインナーリ
ード部７２２、該インナーリード部７２２の先端部と半
導体素子７１１の電極パッド７１２とを電気的に接続す
るためのワイヤ７１３、半導体素子７１１を封止して外
界からの応力、汚染から守る樹脂７１４等からなってお
り、半導体素子７１１をリードフレームのダイパッド７
２１部等に搭載した後に、樹脂７１４により封止してパ
ッケージとしたもので、半導体素子７１１の電極パッド
７１２に対応できる数のインナーリード７１３を必要と
するものである。そして、このような樹脂封止型の半導
体装置の組立部材として用いられる（単層）リードフレ
ームは、一般には図７（ｂ）に示すような構造のもの
で、半導体素子を搭載するためのダイパッド７２１と、
ダイパッド７２１の周囲に設けられた半導体素子と結線
するためのインナーリード７２２、該インナーリード７
２２に連続して外部回路との結線を行うためのアウター
リード７２３、樹脂封止する際のダムとなるダムバー７
２４、リードフレーム７２０全体を支持するフレーム
（枠）部７２５等を備えており、通常、コバール、４２
合金（４２％ニッケル−鉄合金）、銅系合金のような導
電性に優れた金属を用い、プレス法もしくはエッチング
法により形成されていた。

【０００３】このようなリードフレームを利用した樹脂
封止型の半導体装置（プラスチックリードフレームパッ
ケージ）においても、電子機器の軽薄短小化の時流と半
導体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ電極端子の
増大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導体装置、特
にＱＦＰ（ＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）及び
ＴＱＦＰ（ＴｈｉｎＱｕａｄＦｌａｔＰａｃｋａ
ｇｅ）等では、リードの多ピン化が著しくなってきた。
上記の半導体装置に用いられるリードフレームは、微細
なものはフオトリソグラフイー技術を用いたエッチング
加工方法により作製され、微細でないものはプレスによ
る加工方法による作製されるのが一般的であったが、こ
のような半導体装置の多ピン化（多端子化）に伴い、リ
ードフレームにおいても、インナーリード部先端の微細
化が進み、微細なものに対しては、プレスによる打ち抜
き加工によらず、当初はリードフレーム部材の板厚が
０．２５ｍｍ程度のものを用い、エッチング加工で対応
してきた。このエッチング加工方法の工程について以
下、図６に基づいて簡単に述べておく。先ず、銅合金も
しくは４２％ニッケル−鉄合金からなるリードフレーム
素材６１０を十分洗浄（図６（ａ））した後、フオトレ
ジスト６２０を該リードフレーム素材６１０の両表面に
均一に塗布する。（（図６（ｂ））次いで、所定のパターンが形成されたパターン版を介し
てフオトレジスト部を選択的に露光した後、所定の現像
液で該フオトレジスト６２０を現像し（図６（ｃ））て
レジストパターン６３０を形成し、硬膜処理、洗浄処理
等を必要に応じて行い、エッチング液にて腐蝕し、リー
ドフレーム素材６１０を所定の寸法形状に貫通させる。
（図６（ｄ）の（イ））次いで、レジスト膜（レジストパターン６３０）を剥膜
処理し（図６（ｅ）の（イ））、洗浄後、所望のリード
フレームを得て、エッチング加工工程を終了する。この
ように、エッチング加工等によって作製されたリードフ
レームは、更に、所定のエリアに銀メッキ等が施され
る。次いで、洗浄、乾燥等の処理を経て、インナーリー
ド部を固定用の接着剤付きポリイミドテープにてテーピ
ング処理したり、必要に応じて所定の量タブ吊りバーを
曲げ加工し、ダイパッド部をダウンセットする処理を行
う。しかし、上記リードフレームのエッチング加工方法
においては、エッチング液による腐蝕は被加工板の板厚
方向の他に板幅（面）方向にも進むため、その微細化加
工にも限度があるのが一般的で、図６に示すように、リ
ードフレーム素材の両面からエッチングするため、ライ
ンアンドスペース形状の場合、ライン間隔の加工限度幅
は、板厚の５０〜１００％程度と言われている。又、リ
ードフレームの後工程等のアウターリードの強度を考え
た場合、一般的には、その板厚は約０．１２５ｍｍ以上
必要とされている。この為、図６に示すようなエッチン
グ加工方法の場合、リードフレームの板厚を０．１５ｍ
ｍ〜０．１２５ｍｍ程度まで薄くすることにより、０．
１６５ｍｍピッチ程度の微細なインナーリード部先端の
エッチングによる加工を達成し、且つ、ワイヤボンデイ
ングに必要とされる７０〜８０μｍの平坦巾を確保して
きたが、これが限度とされていた。

【０００４】しかしながら、近年、樹脂封止型半導体装
置は、小パッケージでは、電極端子であるインナーリー
ドのピッチが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１
５〜０．１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてき
た事と、エッチング加工において、リード部材の板厚を
薄した場合には、アセンブリ工程や実装工程といった後
工程におけるアウターリードの強度確保が難しいという
点から、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング加
工を行う方法にも限界が出てきた。

【０００５】これに対応して、リードフレーム素材をワ
イヤボンデイング面（表面）と反対側の面（裏面）側か
ら大きくエッチングを行い、ワイヤボンデイング面の平
坦部の巾確保とインナーリード間隔を十分に確保する方
法が採られてきた。この方法は、図６に示すエッチング
加工方法のエッチング工程図６（ｄ）において、裏面か
らのエッチング量を表面（ワイヤボンデイング面）から
のエッチング量に比べ大きくし、図６（ｄ）の（ロ）の
ような断面形状に、リードフレームを加工したものであ
る。図６（ｄ）において、表面（ワイヤボンデイング
面）からのエッチング量に比べて、裏面からのエッチン
グ量を次第に大きくして、リードフレームを加工する
と、その断面形状は、順に、図６（ｄ）に示す（イ）か
ら、（ロ）へと変化するが、同時に、リード間隔も広く
なっていく。このことは、図５に示すように、リードの
ピッチをＰａ、Ｐｂ、Ｐｃと次第に小としても、裏面か
らのエッチング量を次第に大きくすることにより、同じ
板厚において、リード間隔Ｗを確保することができるこ
とを示している。即ち、この方法によれば、リードフレ
ーム全体の板厚をアウターリードの強度を確保できる板
厚にしたまま、微細化が行え、且つ、ワイヤボンデイン
グ面（表面）の平坦巾を確保できることを意味してい
る。この方法によって得られるリードフレームのインナ
ーリード先端部の形状は、一般に、図５（ｂ）、図５
（ｃ）に示すように、ボンデイング面（表面）側の平坦
幅Ｗｈは裏面平坦幅ＷｂないしＷｃよりも大きくなって
いる。尚、エッチング量については、エッチング液を噴
射するスプレー圧やエッチング時間、エッチング液組
成、等の調整の他、図６（ｃ）において、ワイヤボンデ
イング面（表面）と反対側の面である裏面を形成するた
めのレジストパターンを、ワイヤボンデイング面（表
面）を形成するためのレジストパターンより巾を狭くす
ることによっても多少は調整はできる。しかしながら、
この方法により作製されたリードフレームのインナーリ
ード先端部の断面形状は、裏面からのエッチング量が大
となるにしたがい、図５（ｂ）から図５（ｃ）に示され
るように裏面平坦幅が小となる為、裏面平坦幅が十分広
くとれず、図８に示すように、ワイヤボンデイング作業
の際、ヒートブロック８３０に固定されワイヤ８２０が
インナーリード８１０と結線されるが、裏面平坦部の幅
が狭い程不安定となり、インナーリードが倒れる（以
降、倒れることを転びと言う。）という問題がでて来
た。即ち、多ピン化に対応し、インナーリードピッチを
小さくした微細化加工はできるが、ボンデイング作業に
おいてインナーリードの転びが発生し問題となってい
た。通常、裏面のインナーリードの平坦部の巾は、ワイ
ヤーボンデイングに必要な最少巾と思われる７０〜８０
μｍ程度の巾の６０〜７０％程度必要だとされている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】このように、半導体装
置の高密度化、高機能化に伴い、リードフレームの多ピ
ン化が進む中、リードフレームのインナーリードの小ピ
ッチ化、微細化に対応できて、且つ、アセンブリ工程や
実装工程等の後工程におけるアウターリード等の強度の
確保ができ、且つ、ボンデイング作業においても、イン
ナーリードの転びの問題のないリードフレームが求めら
れていた。本発明は、このような状況のもと、リードフ
レームの多ピン化要求に対し、インナーリード先端部の
小ピッチ化、微細化に対応でき、ワイヤボンデイング平
坦幅の確保ができ、ワイヤボンデイング作業における転
びが発生しにくく、且つ、後工程にも対応できる強度を
もつリードフレームおよびその製造方法を提供しようと
するものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
の製造方法は、インナーリード先端のワイヤボンデイン
グ領域をリードフレームのアウターリード等他の部分よ
り薄肉に形成した樹脂封止型半導体装置用リードフレー
ムの製造方法であって、順に、リードフレーム素材をエ
ッチング加工にて外形加工する工程、外形加工された各
インナーリード先端のワイヤボンデイング領域をコイニ
ングする工程とを有し、該エッチング加工は、少なくと
もインナーリード先端のワイヤボンデイング領域を含む
所定の部分をハーフエッチング加工により外形加工し、
且つ該所定の部分以外のアウターリード部他を両面から
エッチングにより外形加工するものであることを特徴と
するものである。そして、上記において、コイニングす
る工程の際、インナーリード先端のハーフエッチング加
工により外形加工された所定の部分のうち、ワイヤボン
デイング領域を含まない箇所にもコイニングすることを
特徴とするものである。また、本発明のリードフレーム
は、インナーリード先端のワイヤボンデイング領域をリ
ードフレームのアウターリード等他の部分より薄肉に形
成した樹脂封止型半導体装置用リードフレームであっ
て、インナーリード先端の少なくともワイヤボンデイン
グ領域を含む所定の部分は、ハーフエッチング加工によ
り外形加工されたものをコイニングして薄肉にしたもの
であることを特徴とするものである。そして、上記にお
いて、ワイヤボンデイング領域を含む所定の部分以外の
インナーリード先端部にも、ハーフエッチング加工によ
り外形加工されたものをコイニングして薄肉にした部分
を設けていることを特徴とするものである。尚，ここで
言うハーフエッチング加工とは、リードフレーム素材を
エッチング加工する際に、リードフレーム素材の一方面
側から素材の板厚を薄くするように全体的に腐蝕を行
い、且つ他方面からは所定の形状に腐蝕を行い、両面か
らの腐蝕の進行により外形加工をするエッチング加工方
法である。

【０００８】

【作用】本発明のリードフレームの製造方法は、上記の
ような構成にすることにより、半導体装置の多端子化に
伴う多ピン化、インナーリードの狭ピッチ化（微細化）
に対応でき、ワイヤボンデイング工程における転びの発
生がない、アセンブリ工程や実装工程等の後工程におけ
るアウターリード等の強度の確保ができる、リードフレ
ームの作製を可能とするものである。詳しくは、少なく
ともインナーリード先端のワイヤボンデイング領域を含
む所定の部分をハーフエッチング加工により外形加工す
ることにより、インナーリード先端部を薄肉状に微細加
工できるものとし、この部分をコインニングすることに
より幅広にしワイヤボンデイング平坦幅を確保し、且つ
ワイヤボンデイング時に転びが発生しないようにワイヤ
ボンデイング面とは反対側の面も平坦状に幅広にするこ
とを可能としている。そしてハーフエッチング加工によ
り外形加工された所定の部分以外は両面からエッチング
により外形加工するものであることにより、アウターリ
ード部をリードフレーム素材のままの厚さに、即ちコイ
ンニング部に比べ厚肉状に形成することを可能としてお
り、これによりアウターリード等の強度の確保ができ
る。本発明のリードフレームは、本発明のリードフレー
ムの製造により作製されるもので、樹脂封止型半導体装
置の多端子化に対応できるリードフレームの提供を可能
とするものである。即ち、多ピン化、インナーリードの
狭ピッチ化（微細化）に対応でき、ワイヤボンデイング
工程において転びの発生がなく、且つ、アセンブリ工程
や実装工程等の後工程においるアウターリード等の強度
の確保ができるリードフレームの提供を可能としてい
る。

【０００９】

【実施例】本発明のリードフレームの製造方法の実施例
を挙げ、図に基づいて説明する。先ず、本発明のリード
フレームの製造方法の第一の実施例を挙げる。図１は、
第一の実施例のリードフレームの製造方法の工程に沿
い、リードフレームの要部であるワイヤボンデイング領
域を含むインナーリード先端部の断面形状および平面図
を示したものであり、図１（ａ）、図１（ｂ）、図１
（ｃ）はそれぞれ、各工程における状態を示したもので
ある。図１（ａ）（イ）の点線は、レジストパターン１
２０Ａに対応するリードフレーム素材１１０の反対面側
のレジストパターン１２０Ｂの位置を表したものであ
り、図１（ａ）（ロ）は、図１（ａ）（イ）のＡ１−Ａ
２における断面、図１（ａ）（ハ）は、図１（ａ）
（イ）のＡ３−Ａ４における断面を示したものである。
そして、図１（ｂ）、図（ｃ）の（イ）、（ロ）、
（ハ）はそれぞれ、図１（ａ）の（イ）、（ロ）、
（ハ）に対応する箇所における図である。また、図１
（ｃ）（ニ）は図１（ｃ）（イ）におけるＡ５−Ａ６断
面を示したものである。図１中、１００はインナーリー
ド、１１０はリードフレーム素材、１２０Ａ、１２０Ｂ
はレジストパターン、１３０はハーフエッチングによる
外形加工部、１３０Ａはエッチング面、１４０はコイニ
ング部、１４０Ａはワイヤボンデイングの際のクランプ
部である。尚、図１（ｂ）に示すように、ハーフエッチ
ング面１３０Ａとはハーフエッチングによる外形加工部
１３０のエッチング面のうち、板厚を薄くするようにし
てエッチングされ、形成された面を言う。（以降、この
ような面をハーフエッチング面と言う）

【００１０】先ず、脱脂、洗浄等の処理を施したリード
フレーム素材１１０の両面にレジストパターン１２０
Ａ、１２０Ｂを形成した。（図１（ａ））リードフレーム素材１１０としては、４２％ニッケル−
鉄合金からなる厚さ０．１２５ｍｍの薄板を用い、図６
（ａ）〜図６（ｃ）の工程と同様に、リードフレーム素
材１１０を十分洗浄した後、重クロム酸カリウムを感光
材とした水溶性カゼインレジスト等のフオトレジストを
該リードフレーム素材の両表面に均一に塗布し、乾燥し
た後、所定のパターンが形成されたパターン版を介して
高圧水銀灯でフオトレジスト部を選択的に露光し、所定
の現像液で該フオトレジストを現像してレジストパター
ン１２０Ａ、１２０Ｂを形成した。インナーリード先端
のワイヤボンデイング領域を含む部分に対しては、図１
（ａ）（ロ）に示すように、一方側はリードフレーム素
材１１０の板厚を薄くするエッチングを行うため、レジ
ストパターンがない状態に、他方側は外形加工を行うた
めのレジストパターン１２０Ａを形成した。また、図１
（ａ）（ハ）に示すように、レジストパターン１２０Ｂ
の幅ＷＢをレジストパターン１２０Ａの幅ＷＡに比べ小
さくしているのは、前述のようにインナーリード１３０
間のピッチを小さくするためである。

【００１１】次いで、レジストパターン１２０Ａ、１２
０Ｂを耐エッチング液膜として塩化第二鉄水溶液により
リードフレーム素材１１０をエッチングを行い外形加工
した後、レジストパターン１２０Ａ、１２０Ｂの除去、
洗浄等の処理を行った。（図１（ｂ））レジストパターン１２０Ａ、１２０Ｂ形成後、図６に示
す従来の工程と同様にして、硬膜処理、洗浄処理等を行
い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とするエッチング液
にて、スプレイにて該リードフレーム素材１１０の両面
に吹き付けエッチング加工を行なった。エッチング液と
しては、液温５７°Ｃ、比重４８ボーメの塩化第二鉄水
溶液を用いた。図１（ａ）（ロ）に示す、リードフレー
ム素材１１０の片面にしかレジストパターンがない部分
においては、レジストパターンがない側の面は平坦状に
エッチングが進行し、リードフレーム素材１１０の板厚
を次第に薄肉とし、レジストパターン１２０Ａがある側
の面からの所定形状のエッチング孔のエッチングの進行
とあわせて、リードフレーム素材１１０を貫通する。即
ち、この部分においては、ハーフエッチング加工により
所定の形状に外形加工される。図１（ａ）（ハ）に示す
リードフレーム素材１１０の両面にレジストパターンが
ある部分については、図６に示す従来の工程のようにリ
ードフレーム素材１１０の両面側からレジストパターン
１２０Ａ、１２０Ｂに対応した状態でエッンチングが進
行し、貫通して外形加工される。次いで、レジストパタ
ーン１２０Ａ、１２０Ｂを剥膜処理し、洗浄し、エッチ
ングによる外形加工を終えた。次いで、インナーリード
先端のワイヤボンデイング領域を含む部分に対し、コイ
ニング処理を行った。（図１（ｃ））コイニングは図１（ｂ）に示すハーフエッチング面１３
０Ａと反対側のインナーリード面全体がハーフエッチン
グ部１３０を含め平坦状になるように行った。コイニン
グ量は、平坦幅が所定の寸法になるように設定した。
尚、コイニング量の設定には、コイニングプレス圧と下
死点ストッパー（コイニング量設定ゲージ）の２種の方
法があるが、今回は下死点ストッパーを用いた。通常、
ハーフエッチングより板厚の４０〜８０％になり、更に
コイニングにより板厚の２０〜６０％にするが、今回は
ハーフエッチングにより７０μｍ厚にし、コイニングに
より４０μｍにした。これに伴い、平坦幅はハーフエッ
チング後５０μｍであったが、１２０μｍまで広がっ
た。レジストパターン１２０Ａ、１２０Ｂの幅は、それ
ぞれ、１３０μｍ、１２０μｍとした。

【００１２】上記リードフレームの製造方法において
は、インナーリード先端部は外形加工後にピッチ１６０
μｍ、インナーリード間隔が９０μｍであったが、コイ
ニング処理をしたことにより、コイニング処理されたボ
ンデイングワイヤ領域を含む部分については、インナー
リード間隔４０μｍと狭めることができた。インナーリ
ード間隔４０μｍにはじめからエッチングにより外形加
工することは、エッチング加工の際、エッチングが深さ
方向の他に幅方向にも進行する基本的な特性により不可
能であるが、本製造方法のようにコイニング加工と組み
合せることにより、このような形状を可能としている。
即ち、本実施例のリードフレームの製造方法の場合、図
６に示す従来のエッチング加工のみで達成できる狭いイ
ンナーリードピッチで、ワイヤボンデイングに必要な平
坦幅を確保できない場合および／または転びの発生しが
たい形状を得ることができない場合に対しても、インナ
ーリード間隔をコイニングにより調整でき、且つ表裏と
も平坦状に形成できるため、ワイヤボンデイングに必要
な平坦幅を確保することを可能としている。結局、本発
明のリードフレームの製造方法は、インナーリード先端
部の微細加工、インナーリード先端部のワイヤボンデイ
ング平坦幅の確保を可能とするとともに、ワイヤボンデ
イングの際にインナーリードの転びの発生しにくい形状
のリードフレームの加工を可能にしている。

【００１３】次に本発明のリードフレームの製造方法の
第二の実施例を挙げる。図２は、第二の実施例のリード
フレームの製造方法の工程に沿い、リードフレームの要
部であるワイヤボンデイング領域を含むインナーリード
先端部の断面形状および平面図を示したものであり、図
２（ａ）、図２（ｂ）、図２（ｃ）はそれぞれ、各工程
における状態を示したものである。図２（ａ）（イ）の
点線は、レジストパターン２２０Ａに対応するリードフ
レーム素材１１０の反対面側のレジストパターン２２０
Ｂの位置を表したものであり、図２（ａ）（ロ）は、図
２（ａ）（イ）のＡ７−Ａ８における断面、図２（ａ）
（ハ）は、図２（ａ）（イ）のＡ９−Ａ１０における断
面を示したものである。そして、図２（ｂ）、図（ｃ）
の（イ）、（ロ）、（ハ）はそれぞれ、図２（ａ）の
（イ）、（ロ）、（ハ）に対応する箇所における図であ
る。また、図２（ｃ）（ニ）は図２（ｃ）（イ）におけ
るＡ１１−Ａ１２断面を示したものである。図２中、２
００はインナーリード、２１０はリードフレーム素材、
２２０Ａ、２２０Ｂはレジストパターン、２３０はハー
フエッチングによる外形加工部、２３０Ａはエッチング
面、２４０はコイニング部、２２０Ａはワイヤボンデイ
ングの際のクランプ部である。本実施例のリードフレー
ムの製造方法の場合は、図２（ａ）に示すように、レジ
ストパターン２２０Ｂ側にレジストパターン２２０Ｂよ
りも、更に細く、インナーリードの外形加工には影響の
でない程度の幅のレジストパターン２２０Ｃをインナー
リード先端部に設け、レジストパターン製版した後、第
一の実施例と同様にエッチング加工を行い（図２
（ｂ））、次いで、インナーリード先端部のコイニング
加工を行った。（図２（ｃ））レジストパターン２２０Ａ、２２０Ｂ、２２０Ｃの幅
は、それぞれ、１３０μｍ、１２０μｍ、６０μｍと
し、エッチング条件、コイニング条件は第一の実施例と
同様にしてリードフレームの製造を行った。本実施例の
場合、第一の実施例と異なるのは、レジストパターン２
２０Ｃを設けてたことで、これにより、エッチング加工
後に得られるインナーリード先端部の断面形状が第一の
実施例とは異なり、図２（ｂ）（ロ）に示すように略５
角形状になり、略方形となる第一の実施例の場合に比べ
断面は大きくなるため、引き続くコイニング工程により
得られる平坦部２４０は、第一の実施の場合に比べ厚く
とることができ、この部分を強固にすることができる。
本実施例の場合も、第一の実施例と同様に、４２合金
（４２％ニッケル−鉄合金）にて、インナーリード先端
部が外形加工後にピッチ１６０μｍ、インナーリード間
隔が９０μｍであったが、コイニング処理をしたことに
より、コイニング処理されたボンデイングワイヤ領域を
含む部分については、インナーリード間隔４０μｍと狭
めることができた。

【００１４】尚、ハーフエッチングによる外形加工部２
３０は、エッチング加工の際に、図１（ａ）（ロ）に示
すレジストパターン２２０Ｃの下のリードフレーム素材
２１０面全体にエッチング及んで加工されたもので、図
１（ｂ）（ロ）に示すように、断面は略５角形で厚さは
リードフレーム素材２１０の厚さより薄くなっている。
断面形状は、図２に示すレジストパターン２２０Ｃの幅
やエッチング条件を変えることにより種々とれる。

【００１５】次いで、本発明のリードフレームの実施例
を図に基づいて説明する。先ず、本発明のリードフレー
ムの第一の実施例を挙げる。図３は、第一の実施例のリ
ードフレームの要部であるワイヤボンデイング領域を含
むインナーリード先端部の断面形状および平面図を示し
たものである。実施例１リードフレームは、４２％ニッ
ケル−鉄合金からなる厚さ０．１２５ｍｍの薄板をリー
ドフレーム素材としたもので、インナーリードピッチ
０．１３ｍｍで、インナーリード先端のワイヤボンデイ
ング面（表面）平坦幅８０μｍ、裏面平坦幅８０μｍを
もつ。図３（ａ）はワイヤボンデイング面（表面）側か
ら見た平面図で、図３（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、それ
ぞれＢ１−Ｂ２、Ｂ３−Ｂ４、Ｂ５−Ｂ６における断面
形状を表したものである。図３において、３００はイン
ナーリード、３３０はハーフエッチングによる外形加工
部、３３０Ａはハーフエッチング面、３４０はコイニン
グ部、３４１は面、３４０Ａはワイヤボンデイングのク
ランプ部である。本実施例リードフレームの場合、イン
ナーリード先端部３００のハーフエッチングによる外形
加工部３３０のワイヤボンデイング領域をコイニングし
たもので、コイニング部３４０を設けたことにより、ワ
イヤボンデイングする際に転びのない安定したものとし
ている。即ち、ワイヤボンデイング領域（コイニング部
３４０）の断面は図３（ｂ）に示すように、薄肉で表裏
とも略平坦状で、図３（ｃ）に示すハーフエッチングに
よる外形加工部３３０よりも幅広になっている尚、コイ
ニング部３４０の一方の面は、インナーリード３００の
ハーフエッチングによる外形加工部３３０やコイニング
部３４０以外のインナーリード部の一方の面全体と平坦
に一体的に形成されている。本実施例リードフレームに
おいては、ワイヤボンデイング領域としてコイニング部
３４０用い、ワイヤボンデイング面として面３４１を用
いることにより、上記のハーフエッチングによる外形加
工部３３０をインナーリード先端側に延長し、その部分
でワイヤボンデイングを行う場合に比べ、ワイヤボンデ
イング平坦幅の確保ができ、且つ、転びが発生し難い安
定した構造となっている。仮に、ハーフエッチングによ
る外形加工部３３０をインナーリード先端側に延長し、
その部分でワイヤボンデイングを行うとすると、ハーフ
エッチングによる外形加工部３３０の断面形状は図３
（ｃ）に示すように略方形で端部は丸まった形状になっ
ているため、平坦部は、端部が丸まった分だけ狭くな
り、この面をボンデイング面とする場合には、対向する
面よりも狭いため微細化できてもワイヤボンデイングに
必要な平坦面幅の確保が難しい。そして前記対向する面
をワイボンデイングする際には、端部が丸まった形状で
あるため転びが発生し易くなってしまう。尚、ハーフエ
ッチングによる外形加工部３３０は、図３（ｃ）のよう
に本実施例では略方形となっているが、図２（ｂ）
（ロ）に示すように略５角形に近いものや、その中間の
もの等を、図２に示すレジストパターン２２０Ｃの幅や
エッチング条件を変えることにより必要に応じて得るこ
とができる。

【００１６】次に、本発明リードフレームの第二の実施
例を挙げる。図４は、第二の実施例のリードフレームの
要部であるワイヤボンデイング領域を含むインナーリー
ド先端部の断面形状および平面図を示したものである。
図４（ａ）はワイヤボンデイング面（表面）側から見た
平面図で、図４（ｂ）、（ｄ）は、それぞれ図４（ａ）
のＣ１−Ｃ２、Ｃ５−Ｃ６における断面形状を表したも
ので、図４（ｃ）は図４（ａ）のＣ３−Ｃ４ないしＣ７
−Ｃ８における断面形状を表したものである。図４中、
４００はインナーリード、４３０はハーフエッチングに
よる外形加工部、４３０Ａはハーフエッチング面、４４
０は第一コイニング部、４４１は面、４４０Ａはワイヤ
ボンデイングのクランプ部、４５０は第二コイニング部
である。本実施例のリードフレームは、第一の実施例の
ものと同様に、４２％ニッケル−鉄合金からなる厚さ
０．１２５ｍｍの薄板をリードフレーム素材としたもの
で、図４に示す第一コイニング部４４０の面４４１をボ
ンデイング面とするものであり、第一の実施例のリード
フレームには無い第二のコイニング部を設けたものであ
る。そして、第一の実施例と同様、インナーリードピッ
チは０．１３ｍｍで、インナーリード先端のワイヤボン
デイング面（表面）平坦幅８０μｍ、裏面平坦幅８０μ
ｍであり、第一コイニング部４４０および第二コイニン
グ部４５０の一方の面は、インナーリード４００のハー
フエッチング部４３０やコイニング部以外のインナーリ
ード部の一方の面全体と平坦に一体的に形成されてい
る。本実施例のリードフレームは、第二のコイニング部
を設けたことにより、ワイヤボンデイングの際に、第一
の実施例に比べ、ワイヤボンデイング時のクランプ性が
より安定性の良いものなり、更に転びの発生しずらいも
のとしている。尚、第二コイニング部４５０の断面につ
いては第一コイニンク部４４０とは異なる厚さにしても
良い。

【００１７】

【発明の効果】本発明は、上記のように、リードフレー
ムの多ピン化要求に伴う、インナーリード先端部の小ピ
ッチ化、微細化に対応でき、且つ、アセンブリ工程や実
装工程等の後工程にも対応できるリードフレームを提供
を可能にするものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明リードフレームの製造方法の第一の実施
例の工程を示した図

【図２】本発明リードフレームの製造方法の第二の実施
例の工程を示した図

【図３】本発明リードフレームの第一の実施例の要部概
略図

【図４】本発明リードフレームの第二の実施例の要部概
略図

【図５】多ピン化に対応できるインナーリード断面形状
を説明するための図

【図６】従来のエッチング加工方法の工程図

【図７】半導体装置図および（単層）リードフレーム図

【図８】ボンデイング工程を説明するための図

【符号の説明】

１００インナーリード１１０リードフレーム素材１２０Ａ、１２０Ｂレジストパターン１３０ハーフエッチングに
よる外形加工部１３０Ａハーフエッチング面１４０コイニング部１４０Ａワイヤボンデイング
のクランプ部２００インナーリード２１０リードフレーム素材２２０Ａ、２２０Ｂ、２２０Ｃレジストパターン２３０ハーフエッチングに
よる外形加工部２３０Ａハーフエッチング面２４０コイニング部２４０Ａワイヤボンデイング
のクランプ部３００、４００インナーリード３３０、４３０ハーフエッチングに
よる外形加工部３３０Ａ、４３０Ａハーフエッチング面３４０コイニング部３４１、４４１面３４０Ａ、４４０Ａワイヤボンデイング
のクランプ部４４０第一コイニング部４５０第二コイニング部Ｗｈワイヤボンデイング
面（表面）平坦幅Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ裏面平坦幅Ｐａ、Ｐｂ、ＰｃリードピッチＷリード間隔６１０リードフレーム素材６２０フオトレジスト６３０レジストパターン６４０インナーリード７１０半導体装置７１１半導体素子７１２電極パッド（端子）７１３ワイヤ７１４樹脂７２０（単層）リードフレー
ム７２１ダンパッド７２２インナーリード７２２Ａインナーリード先端
部７２３アウターリード７２４ダムバー７２５フレーム（枠）部８１０インナーリード８２０ワイヤ８３０ヒートブロック

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】インナーリード先端のワイヤボンデイン
グ領域をリードフレームのアウターリード等他の部分よ
り薄肉に形成した樹脂封止型半導体装置用リードフレー
ムの製造方法であって、順に、リードフレーム素材をエ
ッチング加工にて外形加工する工程、外形加工された各
インナーリード先端のワイヤボンデイング領域をコイニ
ングする工程とを有し、該エッチング加工は、少なくと
もインナーリード先端のワイヤボンデイング領域を含む
所定の部分をハーフエッチング加工により外形加工し、
且つ該所定の部分以外のアウターリード部他を両面から
エッチングにより外形加工するものであることを特徴と
するリードフレームの製造方法。
【請求項２】請求項１において、コイニングする工程
の際、インナーリード先端のハーフエッチング加工によ
り外形加工された所定の部分のうち、ワイヤボンデイン
グ領域を含まない箇所にもコイニングすることを特徴と
するリードフレームの製造方法。
【請求項３】インナーリード先端のワイヤボンデイン
グ領域をリードフレームのアウターリード等他の部分よ
り薄肉に形成した樹脂封止型半導体装置用リードフレー
ムであって、インナーリード先端の少なくともワイヤボ
ンデイング領域を含む所定の部分は、ハーフエッチング
加工により外形加工されたものをコイニングして薄肉に
したものであることを特徴とするリードフレーム。
【請求項４】請求項３において、ワイヤボンデイング
領域を含む所定の部分以外のインナーリード先端部に
も、ハーフエッチング加工により外形加工されたものを
コイニングして薄肉にした部分を設けていることを特徴
とするリードフレーム。