JPH08125102A - リードフレーム - Google Patents
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- JPH08125102A JPH08125102A JP28246394A JP28246394A JPH08125102A JP H08125102 A JPH08125102 A JP H08125102A JP 28246394 A JP28246394 A JP 28246394A JP 28246394 A JP28246394 A JP 28246394A JP H08125102 A JPH08125102 A JP H08125102A
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- lead frame
- lead
- flat portion
- inner lead
- wire bonding
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の高密度化、高機能化に伴う、リ
ードフレームの多ピン化が進む中、インナーリード先端
部の小ピッチ化、微細化に対応でき、且つ、後工程にも
対応できるリードフレームを提供する 【構成】 樹脂封止型半導体装置等に用いられるリード
フレームであって、インナーリード先端のワイヤボンデ
イング領域において、インナーリードのワイヤボンデイ
ング面側（表面側）の平坦部はインナーリード形状に沿
った形状の平坦部であり、インナーリードのワイヤボン
デイング面に対向する面側（裏面側）の平坦部は、２ケ
以上のワイヤボンデイング面側の平坦部幅より狭いイン
ナーリード形状に沿った形状の狭幅平坦部と少なくとも
１ケ以上の該狭幅平坦部より広い幅の平坦部である広幅
平坦部とからなり、且つ、狭幅平坦部同士は広幅平坦部
を介して連結されている。
ードフレームの多ピン化が進む中、インナーリード先端
部の小ピッチ化、微細化に対応でき、且つ、後工程にも
対応できるリードフレームを提供する 【構成】 樹脂封止型半導体装置等に用いられるリード
フレームであって、インナーリード先端のワイヤボンデ
イング領域において、インナーリードのワイヤボンデイ
ング面側（表面側）の平坦部はインナーリード形状に沿
った形状の平坦部であり、インナーリードのワイヤボン
デイング面に対向する面側（裏面側）の平坦部は、２ケ
以上のワイヤボンデイング面側の平坦部幅より狭いイン
ナーリード形状に沿った形状の狭幅平坦部と少なくとも
１ケ以上の該狭幅平坦部より広い幅の平坦部である広幅
平坦部とからなり、且つ、狭幅平坦部同士は広幅平坦部
を介して連結されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，ＩＣやＬＳＩなど半導
体装置に用いられるリードフレームに関し、特に、多ピ
ン化に対応できるリードフレームに関する。
体装置に用いられるリードフレームに関し、特に、多ピ
ン化に対応できるリードフレームに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より用いられている樹脂封止型の半
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図４に示されるような構造であり、半導体装
置４０は、半導体素子を４２％ニッケル−鉄合金等から
なるリードフレームに搭載した後に、樹脂４５により封
止してパッケージとしたもので、半導体素子４１の電極
パッド４６に対応できる数のインナーリード４３を必要
とするものである。そして、半導体素子４１を搭載する
ダイパッド部４２や周囲の回路との電気的接続を行うた
めのアウターリード部４４、アウターリード部４４に一
体となったインナーリード部４３、該インナーリード部
４３の先端部と半導体素子４１の電極パッド４６とを電
気的に接続するためのワイヤ４７、半導体素子４１を封
止して外界からの応力、汚染から守る樹脂４５等からな
っている。このようなリードフレームを利用した樹脂封
止型の半導体装置（プラスチックリードフレームパッケ
ージ）においても、電子機器の軽薄短小化の時流と半導
体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ電極端子の増
大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導体装置、特に
ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）及びＴ
ＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）等では、リードの多ピン化が著しくなってきた。上
記の半導体装置に用いられるリードフレームは、微細な
ものはフオトリソグラフイー技術を用いたエッチング加
工方法により作製され、微細でないものはプレスによる
加工方法による作製されるのが一般的であったが、この
ような半導体装置の多ピン化（多端子化）に伴い、リー
ドフレームにおいても、インナーリード部先端の微細化
が進み、微細なものに対しては、プレスによる打ち抜き
加工によらず、当初はリードフレーム部材の板厚が０．
２５ｍｍ程度のものを用い、エッチング加工で対応して
きた。このエッチング加工方法の工程について以下、図
５に基づいて簡単に述べておく。先ず、銅合金もしくは
４２％ニッケル−鉄合金からなるリードフレーム素材５
１を十分洗浄（図５（ａ））した後、フオトレジスト５
２を該リードフレーム素材５１の両表面に均一に塗布す
る。（（図５（ｂ）） 次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介してフ
オトレジスト部を露光した後、所定の現像液で該フオト
レジストを現像し（図５（ｃ））てレジストパターン５
３を形成し、硬膜処理、洗浄処理等を必要に応じて行
い、エッチング液にて腐蝕し、リードフレーム素材５１
を所定の寸法形状に貫通させる。（図５（ｄ）の
（イ）） 次いで、レジスト膜を剥膜処理し（図５（ｅ）の
（イ））、洗浄後、所望のリードフレームを得て、エッ
チング加工工程を終了する。このように、エッチング加
工等によって作製されたリードフレームは、更に、所定
のエリアに銀メッキ等が施される。次いで、洗浄、乾燥
等の処理を経て、インナーリード部を固定用の接着剤付
きポリイミドテープにてテーピング処理したり、必要に
応じて所定の量タブ吊りバーを曲げ加工し、ダイパッド
部をダウンセットする処理を行う。しかし、上記リード
フレームのエッチング加工方法においては、エッチング
液による腐蝕は被加工板の板厚方向の他に板幅（面）方
向にも進むため、その微細化加工にも限度があるのが一
般的で、図５に示すように、リードフレーム素材の両面
からエッチングするため、ラインアンドスペース形状の
場合、ライン間隔の加工限度幅は、板厚の５０〜１００
％程度と言われている。又、リードフレームの後工程等
のアウターリードの強度を考えた場合、一般的には、そ
の板厚は約０．１２５ｍｍ以上必要とされている。この
為、図５に示すようなエッチング加工方法の場合、リー
ドフレームの板厚を０．１５ｍｍ〜０．１２５ｍｍ程度
まで薄くすることにより、ワイヤボンデイングのための
平坦幅を確保してきた。即ち、０．１６５ｍｍピッチ程
度の微細なインナーリード部先端のエッチングによる加
工により少なくとも７０〜８０μｍの平坦巾を達成して
きたが、これが限度とされていた。
導体装置（プラスチックリードフレームパッケージ）
は、一般に図４に示されるような構造であり、半導体装
置４０は、半導体素子を４２％ニッケル−鉄合金等から
なるリードフレームに搭載した後に、樹脂４５により封
止してパッケージとしたもので、半導体素子４１の電極
パッド４６に対応できる数のインナーリード４３を必要
とするものである。そして、半導体素子４１を搭載する
ダイパッド部４２や周囲の回路との電気的接続を行うた
めのアウターリード部４４、アウターリード部４４に一
体となったインナーリード部４３、該インナーリード部
４３の先端部と半導体素子４１の電極パッド４６とを電
気的に接続するためのワイヤ４７、半導体素子４１を封
止して外界からの応力、汚染から守る樹脂４５等からな
っている。このようなリードフレームを利用した樹脂封
止型の半導体装置（プラスチックリードフレームパッケ
ージ）においても、電子機器の軽薄短小化の時流と半導
体素子の高集積化に伴い、小型薄型化かつ電極端子の増
大化が顕著で、その結果、樹脂封止型半導体装置、特に
ＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）及びＴ
ＱＦＰ（Ｔｈｉｎ Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）等では、リードの多ピン化が著しくなってきた。上
記の半導体装置に用いられるリードフレームは、微細な
ものはフオトリソグラフイー技術を用いたエッチング加
工方法により作製され、微細でないものはプレスによる
加工方法による作製されるのが一般的であったが、この
ような半導体装置の多ピン化（多端子化）に伴い、リー
ドフレームにおいても、インナーリード部先端の微細化
が進み、微細なものに対しては、プレスによる打ち抜き
加工によらず、当初はリードフレーム部材の板厚が０．
２５ｍｍ程度のものを用い、エッチング加工で対応して
きた。このエッチング加工方法の工程について以下、図
５に基づいて簡単に述べておく。先ず、銅合金もしくは
４２％ニッケル−鉄合金からなるリードフレーム素材５
１を十分洗浄（図５（ａ））した後、フオトレジスト５
２を該リードフレーム素材５１の両表面に均一に塗布す
る。（（図５（ｂ）） 次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介してフ
オトレジスト部を露光した後、所定の現像液で該フオト
レジストを現像し（図５（ｃ））てレジストパターン５
３を形成し、硬膜処理、洗浄処理等を必要に応じて行
い、エッチング液にて腐蝕し、リードフレーム素材５１
を所定の寸法形状に貫通させる。（図５（ｄ）の
（イ）） 次いで、レジスト膜を剥膜処理し（図５（ｅ）の
（イ））、洗浄後、所望のリードフレームを得て、エッ
チング加工工程を終了する。このように、エッチング加
工等によって作製されたリードフレームは、更に、所定
のエリアに銀メッキ等が施される。次いで、洗浄、乾燥
等の処理を経て、インナーリード部を固定用の接着剤付
きポリイミドテープにてテーピング処理したり、必要に
応じて所定の量タブ吊りバーを曲げ加工し、ダイパッド
部をダウンセットする処理を行う。しかし、上記リード
フレームのエッチング加工方法においては、エッチング
液による腐蝕は被加工板の板厚方向の他に板幅（面）方
向にも進むため、その微細化加工にも限度があるのが一
般的で、図５に示すように、リードフレーム素材の両面
からエッチングするため、ラインアンドスペース形状の
場合、ライン間隔の加工限度幅は、板厚の５０〜１００
％程度と言われている。又、リードフレームの後工程等
のアウターリードの強度を考えた場合、一般的には、そ
の板厚は約０．１２５ｍｍ以上必要とされている。この
為、図５に示すようなエッチング加工方法の場合、リー
ドフレームの板厚を０．１５ｍｍ〜０．１２５ｍｍ程度
まで薄くすることにより、ワイヤボンデイングのための
平坦幅を確保してきた。即ち、０．１６５ｍｍピッチ程
度の微細なインナーリード部先端のエッチングによる加
工により少なくとも７０〜８０μｍの平坦巾を達成して
きたが、これが限度とされていた。
【０００３】しかしながら、近年、樹脂封止型半導体装
置は、小パッケージでは、電極端子であるインナーリー
ドのピッチが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１
５〜０．１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてき
た事と、エッチング加工において、リード部材の板厚を
薄した場合には、アセンブリ工程や実装工程といった後
工程におけるアウターリードの強度確保が難しいという
点から、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング加
工を行う方法にも限界が出てきた。
置は、小パッケージでは、電極端子であるインナーリー
ドのピッチが０．１６５ｍｍピッチを経て、既に０．１
５〜０．１３ｍｍピッチまでの狭ピッチ化要求がでてき
た事と、エッチング加工において、リード部材の板厚を
薄した場合には、アセンブリ工程や実装工程といった後
工程におけるアウターリードの強度確保が難しいという
点から、単にリード部材の板厚を薄くしてエッチング加
工を行う方法にも限界が出てきた。
【０００４】これに対応して、リードフレーム素材をワ
イヤボンデイング面（表面）と反対側の面（裏面）側か
ら大きくエッチングを行い、ワイヤボンデイング面の平
坦部の巾確保とインナーリード間隔を十分に確保する方
法が採られてきた。この方法は、図５に示すエッチング
加工方法のエッチング工程図５（ｄ）において、裏面か
らのエッチング量を表面（ワイヤボンデイング面）から
のエッチング量に比べ大きくし、図５（ｄ）の（ロ）の
ような断面形状に、リードフレームを加工したものであ
る。図５（ｄ）において、表面（ワイヤボンデイング
面）からのエッチング量に比べて、裏面からのエッチン
グ量を次第に大きくして、リードフレームを加工する
と、その断面形状は、順に、図５（ｄ）に示す（イ）か
ら、（ロ）へと変化するが、同時に、リード間隔も広く
なっていく。このことは、図３に示すように、リードの
ピッチをＰａ、Ｐｂ、Ｐｃと次第に小としても、裏面か
らのエッチング量を次第に大きくすることにより、同じ
板厚において、リード間隔Ｗを確保することができるこ
とを示している。即ち、この方法によれば、リードフレ
ーム全体の板厚をアウターリードの強度を確保できる板
厚にしたまま、微細化が行え、且つ、ワイヤボンデイン
グ面（表面）の平坦巾を確保できることを意味してい
る。図６は、この方法によって得られるリードフレーム
のインナーリード先端部の形状を示すものであり、図６
（ａ）はボンデイング面（表面）側からみた図で、図６
（ｂ）はボンデイング面（表面）に対向する面（裏面）
側からみた図である。図６において、インナーリード先
端部６０を異なる位置であるＥ１−Ｅ２、Ｆ１−Ｆ２、
Ｇ１−Ｇ２での断面はほぼ同じ形状であり、ボンデイン
グ面（表面）側の平坦幅Ｗ１は裏面平坦幅Ｗ２よりも大
きくなっている。尚、エッチング量については、エッチ
ング液を噴射するスプレー圧やエッチング時間、エッチ
ング液組成、等の調整の他、図５（ｃ）において、ワイ
ヤボンデイング面（表面）と反対側の面である裏面を形
成するためのレジストパターンを、ワイヤボンデイング
面（表面）を形成するためのレジストパターンより巾を
狭くすることによっても多少は調整はできる。しかしな
がら、この方法により作製されたリードフレームのイン
ナーリード先端部の断面形状は、裏面からのエッチング
量が大となるにしたがい、図３（ｂ）から図３（ｃ）に
示されるように裏面平坦幅が小となる為、裏面平坦幅が
十分広くとれず、図７に示すように、ワイヤボンデイン
グ作業の際、ヒートブロック７３に固定されワイヤ７２
がインナーリード７１と結線されるが、裏面平坦部の幅
が狭い程不安定となり、インナーリードが倒れる（以
降、倒れることを転びと言う。）という問題がでて来
た。即ち、多ピン化に対応し、インナーリードピッチを
小さくした微細化加工はできるが、ボンデイング作業に
おいてインナーリードの転びが発生し問題となってい
た。通常、裏面のインナーリードの平坦部の巾は、ワイ
ヤーボンデイングに必要な最少巾と思われる７０〜８０
μｍ程度の巾の６０〜７０％程度必要だとされている。
イヤボンデイング面（表面）と反対側の面（裏面）側か
ら大きくエッチングを行い、ワイヤボンデイング面の平
坦部の巾確保とインナーリード間隔を十分に確保する方
法が採られてきた。この方法は、図５に示すエッチング
加工方法のエッチング工程図５（ｄ）において、裏面か
らのエッチング量を表面（ワイヤボンデイング面）から
のエッチング量に比べ大きくし、図５（ｄ）の（ロ）の
ような断面形状に、リードフレームを加工したものであ
る。図５（ｄ）において、表面（ワイヤボンデイング
面）からのエッチング量に比べて、裏面からのエッチン
グ量を次第に大きくして、リードフレームを加工する
と、その断面形状は、順に、図５（ｄ）に示す（イ）か
ら、（ロ）へと変化するが、同時に、リード間隔も広く
なっていく。このことは、図３に示すように、リードの
ピッチをＰａ、Ｐｂ、Ｐｃと次第に小としても、裏面か
らのエッチング量を次第に大きくすることにより、同じ
板厚において、リード間隔Ｗを確保することができるこ
とを示している。即ち、この方法によれば、リードフレ
ーム全体の板厚をアウターリードの強度を確保できる板
厚にしたまま、微細化が行え、且つ、ワイヤボンデイン
グ面（表面）の平坦巾を確保できることを意味してい
る。図６は、この方法によって得られるリードフレーム
のインナーリード先端部の形状を示すものであり、図６
（ａ）はボンデイング面（表面）側からみた図で、図６
（ｂ）はボンデイング面（表面）に対向する面（裏面）
側からみた図である。図６において、インナーリード先
端部６０を異なる位置であるＥ１−Ｅ２、Ｆ１−Ｆ２、
Ｇ１−Ｇ２での断面はほぼ同じ形状であり、ボンデイン
グ面（表面）側の平坦幅Ｗ１は裏面平坦幅Ｗ２よりも大
きくなっている。尚、エッチング量については、エッチ
ング液を噴射するスプレー圧やエッチング時間、エッチ
ング液組成、等の調整の他、図５（ｃ）において、ワイ
ヤボンデイング面（表面）と反対側の面である裏面を形
成するためのレジストパターンを、ワイヤボンデイング
面（表面）を形成するためのレジストパターンより巾を
狭くすることによっても多少は調整はできる。しかしな
がら、この方法により作製されたリードフレームのイン
ナーリード先端部の断面形状は、裏面からのエッチング
量が大となるにしたがい、図３（ｂ）から図３（ｃ）に
示されるように裏面平坦幅が小となる為、裏面平坦幅が
十分広くとれず、図７に示すように、ワイヤボンデイン
グ作業の際、ヒートブロック７３に固定されワイヤ７２
がインナーリード７１と結線されるが、裏面平坦部の幅
が狭い程不安定となり、インナーリードが倒れる（以
降、倒れることを転びと言う。）という問題がでて来
た。即ち、多ピン化に対応し、インナーリードピッチを
小さくした微細化加工はできるが、ボンデイング作業に
おいてインナーリードの転びが発生し問題となってい
た。通常、裏面のインナーリードの平坦部の巾は、ワイ
ヤーボンデイングに必要な最少巾と思われる７０〜８０
μｍ程度の巾の６０〜７０％程度必要だとされている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように、半導体装
置の高密度化、高機能化に伴い、リードフレームの多ピ
ン化が進む中、リードフレームのインナーリードの小ピ
ッチ化、微細化に対応できて、且つ、アセンブリ工程や
実装工程等の後工程におけるアウターリード等の強度の
確保ができ、且つ、ボンデイング作業においても、イン
ナーリードの転びの問題のないリードフレームが求めら
れていた。本発明は、このような状況のもと、リードフ
レームの多ピン化要求に対し、インナーリード先端部の
小ピッチ化、微細化に対応でき、且つ、後工程にも対応
できるリードフレームを提供しようとするものである。
置の高密度化、高機能化に伴い、リードフレームの多ピ
ン化が進む中、リードフレームのインナーリードの小ピ
ッチ化、微細化に対応できて、且つ、アセンブリ工程や
実装工程等の後工程におけるアウターリード等の強度の
確保ができ、且つ、ボンデイング作業においても、イン
ナーリードの転びの問題のないリードフレームが求めら
れていた。本発明は、このような状況のもと、リードフ
レームの多ピン化要求に対し、インナーリード先端部の
小ピッチ化、微細化に対応でき、且つ、後工程にも対応
できるリードフレームを提供しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、樹脂封止型半導体装置等に用いられるリードフレー
ムであって、インナーリード先端のワイヤボンデイング
領域において、インナーリードのワイヤボンデイング面
側（表面側）の平坦部はインナーリード形状に沿った形
状の平坦部であり、インナーリードのワイヤボンデイン
グ面に対向する面側（裏面側）の平坦部は、２ケ以上の
ワイヤボンデイング面側の平坦部幅より狭いインナーリ
ード形状に沿った形状の狭幅平坦部と少なくとも１ケ以
上の該狭幅平坦部より広い幅の平坦部である広幅平坦部
とからなり、且つ、狭幅平坦部同士は広幅平坦部を介し
て連結されていることを特徴とするものである。そして
また、上記において、板厚が約０．１２５ｍｍ以上であ
ることを特徴とするものである。
は、樹脂封止型半導体装置等に用いられるリードフレー
ムであって、インナーリード先端のワイヤボンデイング
領域において、インナーリードのワイヤボンデイング面
側（表面側）の平坦部はインナーリード形状に沿った形
状の平坦部であり、インナーリードのワイヤボンデイン
グ面に対向する面側（裏面側）の平坦部は、２ケ以上の
ワイヤボンデイング面側の平坦部幅より狭いインナーリ
ード形状に沿った形状の狭幅平坦部と少なくとも１ケ以
上の該狭幅平坦部より広い幅の平坦部である広幅平坦部
とからなり、且つ、狭幅平坦部同士は広幅平坦部を介し
て連結されていることを特徴とするものである。そして
また、上記において、板厚が約０．１２５ｍｍ以上であ
ることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】本発明のリードフレームは、上記のような構成
にすることにより、リードフレームの多ピン化、即ちイ
ンナーリードの狭ピッチ化（微細化）に対応できるとと
もに、ワイヤボンデイング工程における転びの発生をな
いものとしており、且つ、アセンブリ工程や実装工程等
の後工程におけるアウターリード等の強度の確保ができ
るものとしている。詳しくは、ボンデイング面（表面）
と対向する裏面に狭幅平坦部を設けることにより、エッ
チング加工にて作成する際に、微細加工を可能にしてお
り、該ボンデイング面（表面）と対向する面（裏面）に
広幅平坦部を少なくとも１箇所に設けていることによ
り、ワイヤボンデイング時には転びの発生のない構造と
している。又、リードフレームの板厚を約０．１２５ｍ
ｍ以上とすることにより、アセンブリ工程等の後工程に
耐える強度としている。本発明のリードフレームは、ア
センブリ工程や実装工程等の後工程におけるアウターリ
ードの強度を考えた場合、一般的には、その板厚は約
０．１２５ｍｍ以上必要とされている為、特に、板厚が
約０．１２５ｍｍ以上のもので一層の多ピン化対応が必
要なもの、即ち、インナーリードの一層の微細加工が必
要なものに有効である。
にすることにより、リードフレームの多ピン化、即ちイ
ンナーリードの狭ピッチ化（微細化）に対応できるとと
もに、ワイヤボンデイング工程における転びの発生をな
いものとしており、且つ、アセンブリ工程や実装工程等
の後工程におけるアウターリード等の強度の確保ができ
るものとしている。詳しくは、ボンデイング面（表面）
と対向する裏面に狭幅平坦部を設けることにより、エッ
チング加工にて作成する際に、微細加工を可能にしてお
り、該ボンデイング面（表面）と対向する面（裏面）に
広幅平坦部を少なくとも１箇所に設けていることによ
り、ワイヤボンデイング時には転びの発生のない構造と
している。又、リードフレームの板厚を約０．１２５ｍ
ｍ以上とすることにより、アセンブリ工程等の後工程に
耐える強度としている。本発明のリードフレームは、ア
センブリ工程や実装工程等の後工程におけるアウターリ
ードの強度を考えた場合、一般的には、その板厚は約
０．１２５ｍｍ以上必要とされている為、特に、板厚が
約０．１２５ｍｍ以上のもので一層の多ピン化対応が必
要なもの、即ち、インナーリードの一層の微細加工が必
要なものに有効である。
【０００８】
【実施例】本発明のリードフレームの実施例１を挙げ、
以下、図に基づいて本発明を説明する。図１は、実施例
１のリードフレームの要部であるワイヤボンデイング領
域を含むインナーリード先端部の形状を示すものであ
る。図１（ａ）はワイヤボンデイング面（表面）側から
見た平面図で、図１（ｂ）はワイヤボンデイング面（表
面）と対向する面（裏面）から見た平面図であり、黒部
は平坦部を表す。図１（ｃ）（イ）、図１（ｃ）
（ロ）、はそれぞれＡ１−Ａ２、Ｂ１−Ｂ２、における
断面形状を表したものである。図１中、１０はイナーリ
ード先端部、１１は表面平坦部、１２は狭幅平坦部、１
３は広幅平坦部、１４はクランプ用平坦部である。実施
例１のリードフレームは、４２％ニッケル−鉄合金から
なる厚さ０．１２５ｍｍの薄板をリードフレーム素材と
したもので、インナーリードピッチ０．１５ｍｍで、ワ
イヤボンデイング面（表面）には平坦幅８０μｍの表面
平坦部１１を設け、ワイヤボンデイング面に対向する面
（裏面）には平坦幅３０μの狭幅平坦部１２とワイヤボ
ンデイング領域に１箇所菱形の広い幅の広幅平坦部１３
とを設けている。広幅平坦部１３の最大幅は略７０μｍ
である。図１（ｂ）に示すように、本実施例リードフレ
ームのインナーリード先端部１０の狭幅平坦部１２は表
側の平坦部１１に比べ、広幅平坦部１３を除き狭く形成
されており、且つ、広幅平坦部１３は隣接するンインナ
ーリード間では互いに異なる位置に設けられていること
により、エッチング加工にて作製する際には、図６に示
す従来のリードフレームに比べ、インナーリード間隙Ｉ
Ｄ１を広くとれ、インナーリードピッチＩＰ１を狭くと
れる構造となっている。裏面の広幅平坦部１３はワイヤ
ボンデイング領域１５に設けられており、ワイヤボンデ
イングする際には、広幅部平坦１３により、インナーリ
ードの転びが発生しずらい構造となっている。また、本
実施例リードフレームの場合、ボンデイングする際のイ
ンナーリードをクランプする位置に、楕円状の広幅のク
ランプ用平坦部１４を設けていることにより、ボンデイ
ング作業性の良いものとしている。
以下、図に基づいて本発明を説明する。図１は、実施例
１のリードフレームの要部であるワイヤボンデイング領
域を含むインナーリード先端部の形状を示すものであ
る。図１（ａ）はワイヤボンデイング面（表面）側から
見た平面図で、図１（ｂ）はワイヤボンデイング面（表
面）と対向する面（裏面）から見た平面図であり、黒部
は平坦部を表す。図１（ｃ）（イ）、図１（ｃ）
（ロ）、はそれぞれＡ１−Ａ２、Ｂ１−Ｂ２、における
断面形状を表したものである。図１中、１０はイナーリ
ード先端部、１１は表面平坦部、１２は狭幅平坦部、１
３は広幅平坦部、１４はクランプ用平坦部である。実施
例１のリードフレームは、４２％ニッケル−鉄合金から
なる厚さ０．１２５ｍｍの薄板をリードフレーム素材と
したもので、インナーリードピッチ０．１５ｍｍで、ワ
イヤボンデイング面（表面）には平坦幅８０μｍの表面
平坦部１１を設け、ワイヤボンデイング面に対向する面
（裏面）には平坦幅３０μの狭幅平坦部１２とワイヤボ
ンデイング領域に１箇所菱形の広い幅の広幅平坦部１３
とを設けている。広幅平坦部１３の最大幅は略７０μｍ
である。図１（ｂ）に示すように、本実施例リードフレ
ームのインナーリード先端部１０の狭幅平坦部１２は表
側の平坦部１１に比べ、広幅平坦部１３を除き狭く形成
されており、且つ、広幅平坦部１３は隣接するンインナ
ーリード間では互いに異なる位置に設けられていること
により、エッチング加工にて作製する際には、図６に示
す従来のリードフレームに比べ、インナーリード間隙Ｉ
Ｄ１を広くとれ、インナーリードピッチＩＰ１を狭くと
れる構造となっている。裏面の広幅平坦部１３はワイヤ
ボンデイング領域１５に設けられており、ワイヤボンデ
イングする際には、広幅部平坦１３により、インナーリ
ードの転びが発生しずらい構造となっている。また、本
実施例リードフレームの場合、ボンデイングする際のイ
ンナーリードをクランプする位置に、楕円状の広幅のク
ランプ用平坦部１４を設けていることにより、ボンデイ
ング作業性の良いものとしている。
【０００９】次いで、本発明のリードフレームの実施例
２を図２に挙げ、説明する。図２は、実施例２のリード
フレームの要部であるワイヤボンデイング領域を含むイ
ンナーリード先端部の形状を示すものである。図２
（ａ）はワイヤボンデイング面（表面）側から見た平面
図で、図２（ｂ）はワイヤボンデイング面（表面）と対
向する面（裏面）から見た平面図であり、黒部は平坦部
を表す。図２（ｃ）（イ）、図２（ｃ）（ロ）、はそれ
ぞれＣ１−Ｃ２、Ｄ１−Ｄ２、における断面形状を表し
たものである。図２中、２０はイナーリード先端部、２
１は表面平坦部、２２は狭幅平坦部、２３は広幅平坦
部、２４はクランプ用平坦部である。実施例２のリード
フレームは、Ｃｕ材からなる厚さ０．１５ｍｍの薄板を
リードフレーム素材としたもので、インナーリードピッ
チ０．１７ｍｍで、ワイヤボンデイング面（表面）には
平坦幅９０μｍの表面平坦部２１を設け、ワイヤボンデ
イング面に対向する面（裏面）には平坦幅３０μの狭幅
平坦部２２とワイヤボンデイング領域に１箇所円形の広
い幅の広幅平坦部２３とを設けている。広幅平坦部２３
の最大幅は略８０μｍである。本実施例の場合は、実施
例１の菱形の広幅平坦部１３に代え、円形の広幅平坦部
２３を設けたものであり、Ｃ１−Ｃ２、Ｄ１−Ｄ２にお
ける断面形状は、実施例１におけるＡ１−Ａ２、Ｂ１−
Ｂ２、における断面形状とほぼ同じ形状となる。本実施
例の場合も裏面の広幅平坦部２３を除く、狭幅平坦部２
２は、表面平坦部２１より狭くなっており、且つ、広幅
平坦部２３は隣接するンインナーリード間では互いに異
なる位置に設けられていることにより、エッチング加工
にて作製する際には、図６に示す従来のリードフレーム
に比べ、インナーリード間隙ＩＤ２を広くとれ、インナ
ーリードピッチＩＰ２を狭くとれる構造となっている。
また、本実施例リードフレームの場合も、実施例１と同
様、ボンデイング領域２５に広幅平坦部２３を設けてお
り、インナーリードの転びの少ない構造としており、ボ
ンデイングする際、インナーリードをクランプする位置
に、楕円状の広幅のクランプ用平坦部２４を設けている
ことにより、ボンデイング作業性の良いものとしてい
る。
２を図２に挙げ、説明する。図２は、実施例２のリード
フレームの要部であるワイヤボンデイング領域を含むイ
ンナーリード先端部の形状を示すものである。図２
（ａ）はワイヤボンデイング面（表面）側から見た平面
図で、図２（ｂ）はワイヤボンデイング面（表面）と対
向する面（裏面）から見た平面図であり、黒部は平坦部
を表す。図２（ｃ）（イ）、図２（ｃ）（ロ）、はそれ
ぞれＣ１−Ｃ２、Ｄ１−Ｄ２、における断面形状を表し
たものである。図２中、２０はイナーリード先端部、２
１は表面平坦部、２２は狭幅平坦部、２３は広幅平坦
部、２４はクランプ用平坦部である。実施例２のリード
フレームは、Ｃｕ材からなる厚さ０．１５ｍｍの薄板を
リードフレーム素材としたもので、インナーリードピッ
チ０．１７ｍｍで、ワイヤボンデイング面（表面）には
平坦幅９０μｍの表面平坦部２１を設け、ワイヤボンデ
イング面に対向する面（裏面）には平坦幅３０μの狭幅
平坦部２２とワイヤボンデイング領域に１箇所円形の広
い幅の広幅平坦部２３とを設けている。広幅平坦部２３
の最大幅は略８０μｍである。本実施例の場合は、実施
例１の菱形の広幅平坦部１３に代え、円形の広幅平坦部
２３を設けたものであり、Ｃ１−Ｃ２、Ｄ１−Ｄ２にお
ける断面形状は、実施例１におけるＡ１−Ａ２、Ｂ１−
Ｂ２、における断面形状とほぼ同じ形状となる。本実施
例の場合も裏面の広幅平坦部２３を除く、狭幅平坦部２
２は、表面平坦部２１より狭くなっており、且つ、広幅
平坦部２３は隣接するンインナーリード間では互いに異
なる位置に設けられていることにより、エッチング加工
にて作製する際には、図６に示す従来のリードフレーム
に比べ、インナーリード間隙ＩＤ２を広くとれ、インナ
ーリードピッチＩＰ２を狭くとれる構造となっている。
また、本実施例リードフレームの場合も、実施例１と同
様、ボンデイング領域２５に広幅平坦部２３を設けてお
り、インナーリードの転びの少ない構造としており、ボ
ンデイングする際、インナーリードをクランプする位置
に、楕円状の広幅のクランプ用平坦部２４を設けている
ことにより、ボンデイング作業性の良いものとしてい
る。
【００１０】次に、実施例１のリードフレームの製造方
法について、図５に沿って簡単に説明する。先ず、４２
％ニッケル−鉄合金からなる厚さ０．１２５ｍｍの薄板
（リードフレーム素材５１）を十分洗浄（図５（ａ））
した後、重クロム酸カリウムを感光材とした水溶性カゼ
インレジスト等のフオトレジスト５２を該薄板の両表面
に均一に塗布した。（（図５（ｂ）） 次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介して高
圧水銀灯でレジスト部を露光した後、所定の現像液で該
感光性レジストを現像し（図５（ｃ））てレジストパタ
ーン５３を形成した。レジストパターンを形成するため
のパターン版としては、形成するリードフレーム形状に
合わせたものを使用した。この後、硬膜処理、洗浄処理
等を行い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とするエッチ
ング液にて、スプレイにて該薄板（リードフレーム素材
５１）に吹き付け所定の寸法形状にエッチングし、貫通
させた。（図５（ｄ）（ロ）） この際、裏面側からエッチングスプレイ圧を、表面側か
らのスプレイ圧に比べ高くして、表面側に比べ、裏面側
からのエッチングレートを上げて行った。また、エッチ
ング液としては、液温５７°Ｃ、比重４８ボーメの塩化
第二鉄溶液を用いた。次いで、レジスト膜をアルカリ液
により剥膜処理し（図５（ｅ）（ロ））、洗浄後、所望
のリードフレームを得た。実施例２のリードフレームの
製造方法も基本的には上記製造方法と同じである。
法について、図５に沿って簡単に説明する。先ず、４２
％ニッケル−鉄合金からなる厚さ０．１２５ｍｍの薄板
（リードフレーム素材５１）を十分洗浄（図５（ａ））
した後、重クロム酸カリウムを感光材とした水溶性カゼ
インレジスト等のフオトレジスト５２を該薄板の両表面
に均一に塗布した。（（図５（ｂ）） 次いで、所定のパターンが形成されたマスクを介して高
圧水銀灯でレジスト部を露光した後、所定の現像液で該
感光性レジストを現像し（図５（ｃ））てレジストパタ
ーン５３を形成した。レジストパターンを形成するため
のパターン版としては、形成するリードフレーム形状に
合わせたものを使用した。この後、硬膜処理、洗浄処理
等を行い、塩化第二鉄水溶液を主たる成分とするエッチ
ング液にて、スプレイにて該薄板（リードフレーム素材
５１）に吹き付け所定の寸法形状にエッチングし、貫通
させた。（図５（ｄ）（ロ）） この際、裏面側からエッチングスプレイ圧を、表面側か
らのスプレイ圧に比べ高くして、表面側に比べ、裏面側
からのエッチングレートを上げて行った。また、エッチ
ング液としては、液温５７°Ｃ、比重４８ボーメの塩化
第二鉄溶液を用いた。次いで、レジスト膜をアルカリ液
により剥膜処理し（図５（ｅ）（ロ））、洗浄後、所望
のリードフレームを得た。実施例２のリードフレームの
製造方法も基本的には上記製造方法と同じである。
【００１１】
【発明の効果】本発明は、上記のように、リードフレー
ムの多ピン化要求に伴う、インナーリード先端部の小ピ
ッチ化、微細化に対応でき、且つ、アセンブリ工程や実
装工程等の後工程にも対応できるリードフレームを提供
を可能にするものである。
ムの多ピン化要求に伴う、インナーリード先端部の小ピ
ッチ化、微細化に対応でき、且つ、アセンブリ工程や実
装工程等の後工程にも対応できるリードフレームを提供
を可能にするものである。
【図１】実施例１のリードフレームの要部概略図
【図２】実施例２のリードフレームの要部概略図
【図３】多ピン化に対応できるインナーリード断面形状
を説明するための図
を説明するための図
【図４】半導体装置図
【図５】リードフレームの製造工程図
【図６】従来のリードフレームのインナーリード先端部
形状を説明するための図
形状を説明するための図
【図７】ボンデイング工程を説明するための図
１０、２０ インナーリード先端部 １１、２１ 表面平坦部 １２、２２ 狭幅平坦部 １３、２３ 広幅平坦部 １４、２４ クランプ用平坦部 １５、２５ ワイヤボンデイング領域 ＩＤ１、ＩＤ２ インナーリード間隙 ＩＰ１、ＩＰ２ インナーリードピッチ ＩＥ１、ＩＥ２ インナーリード先端側 Ｗｈ ワイヤボンデイング面（表
面）平坦幅 Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ 狭狭幅坦幅 Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ リードピッチ Ｗ リード間隔 ４０ 半導体装置 ４１ 半導体素子 ４２ ダイパッド部 ４３ インナーリード ４４ アウターリード部 ４５ 樹脂 ４６ 電極パッド ４７ ワイヤ ５１ リードフレーム素材 ５２ フオトレジスト ５３ レジストパターン ５４ インナーリード ６０ インナーリード先端部 Ｗ１ ボンデイング面側の平坦幅 Ｗ２ 裏面平坦幅 ７１ インナーリード ７２ ワイヤ ７３ ヒートブロック
面）平坦幅 Ｗａ、Ｗｂ、Ｗｃ 狭狭幅坦幅 Ｐａ、Ｐｂ、Ｐｃ リードピッチ Ｗ リード間隔 ４０ 半導体装置 ４１ 半導体素子 ４２ ダイパッド部 ４３ インナーリード ４４ アウターリード部 ４５ 樹脂 ４６ 電極パッド ４７ ワイヤ ５１ リードフレーム素材 ５２ フオトレジスト ５３ レジストパターン ５４ インナーリード ６０ インナーリード先端部 Ｗ１ ボンデイング面側の平坦幅 Ｗ２ 裏面平坦幅 ７１ インナーリード ７２ ワイヤ ７３ ヒートブロック
Claims (3)
- 【請求項１】 樹脂封止型半導体装置等に用いられるリ
ードフレームであって、インナーリード先端のワイヤボ
ンデイング領域において、インナーリードのワイヤボン
デイング面側の平坦部はインナーリード形状に沿った形
状の平坦部であり、インナーリードのワイヤボンデイン
グ面に対向する面側の平坦部は、２ケ以上のワイヤボン
デイング面側の平坦部幅より狭いインナーリード形状に
沿った形状の狭幅平坦部と少なくとも１ケ以上の該狭幅
平坦部より広い幅の平坦部である広幅平坦部とからな
り、且つ、狭幅平坦部同士は広幅平坦部を介して連結さ
れていることを特徴とするリードフレーム。 - 【請求項２】 請求項１記載の広幅部の形状が円、楕
円、ないし菱形であることを特徴とするリードフレー
ム。 - 【請求項３】 請求項１ないし２記載において、板厚が
約０．１２５ｍｍ以上であることを特徴とするリードフ
レーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28246394A JPH08125102A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28246394A JPH08125102A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08125102A true JPH08125102A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17652760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28246394A Withdrawn JPH08125102A (ja) | 1994-10-24 | 1994-10-24 | リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08125102A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786639A (en) * | 1997-01-09 | 1998-07-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wiring member and lead frame having the same |
| WO2001020669A3 (en) * | 1999-09-16 | 2001-10-04 | Koninkl Philips Electronics Nv | Use of additional bonding finger rows to improve wire bond density |
-
1994
- 1994-10-24 JP JP28246394A patent/JPH08125102A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5786639A (en) * | 1997-01-09 | 1998-07-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Wiring member and lead frame having the same |
| WO2001020669A3 (en) * | 1999-09-16 | 2001-10-04 | Koninkl Philips Electronics Nv | Use of additional bonding finger rows to improve wire bond density |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |