JP2837452B2 - フィルムキャリアおよび半導体装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はフィルムキャリアおよび半導体装置に関する
ものである。

〈従来の技術〉 近年、電子機器の多機能化と小型化の要求に対して、
半導体素子技術の分野ではLSIからVLSIへと高集積化が
進み、これに伴い実装方式も従来のピンスルーホール実
装から表面実装へと移り変わっている。このような実装
方式の中でTAB方式が今後の主流となりつつあり、この
方式に用いるフィルムキャリアも今後、多ピン化や狭ピ
ッチ化に対応していく必要がある。

しかし、従来のフィルムキャリアにおけるリードは、
第３図に示すようにリードを形成する金属箔２が絶縁性
フィルム１からデバイスホールＡ内へ単体で露出してい
るため、フィルムキャリアの多ピン化や狭ピン化が進む
につれてリード幅が狭くなり、曲げ強度が低下し折れや
すくなったり、また作業性や生産性、ボンディング時の
信頼性も低下するようになる。

リードの曲げ強度を維持するためにはリードの厚みを
増大化すればよいが、厚みを増大化することは事実上難
しい。また、リードを形成する金属箔に強度のある素材
を採用することも考えられるが、導電性や柔軟性などを
考慮すると一概に素材を変更することも難しいものであ
る。

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明は上記従来の技術が有する欠点を解決するフィ
ルムキャリア、詳しくはフィルムキャリアの多ピン化や
狭ピン化が進んでリード幅が狭くなっても、実用上充分
なリードの曲げ強度を有するフィルムキャリア、および
このフィルムキャリアを用いてなる半導体装置を提供す
ることを目的とするものである。

〈課題を解決するための手段〉 本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、リード背面にフ
ィルムキャリアを構成する絶縁性フィルムを残存させる
ことによって、リード一本当たりの見掛け体積を増加さ
せることができ、リードの強度が強化でき、さらに作業
性や生産性が向上することを見い出し、本発明を完成す
るに至った。

即ち、本発明はデバイスホールの中に形成されたリー
ドの背面に、リード形成パターンに沿った形状に絶縁性
フィルムを残存させてなるフィルムキャリア、および上
記フィルムキャリアのリード部に外部接続用電極を有す
る半導体素子を接続してなる半導体装置を提供するもの
である。

〈実施例〉 以下に、本発明を図面を用いて具体的に説明する。

第１図（ａ）および（ｂ）は本発明のフィルムキャリ
アのリード一本の縦断面図および横断面図であり、リー
ドを形成する金属箔２はその背面に絶縁性フィルム１を
有し、デバイスホールＡ内にリード部を形成している。

金属箔２としては銅、アルミニウム、銀、鉄またはこ
れらの合金、これらのメッキ物を用いることができ、絶
縁性フィルム１としては熱硬化性、熱可塑性のいずれの
樹脂からなるものでもよいが、具体的にはポリイミド樹
脂フィルムが耐熱性などの点から好ましい。

また、本発明において金属箔２と絶縁性フィルム１
は、そのまま積層してなる２層タイプのもの（第１図参
照）と、耐熱性接着剤層を介してなる３層タイプのもの
（図示省略）として使用できるが、ボンディング時の加
熱加圧環境を考慮すると、２層タイプのものを用いるこ
とが好ましい。

第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明のフィルムキャリアの
リード一本の他の実例の横断面図であり、第２図（ａ）
および（ｂ）は絶縁性フィルム１の幅がリード幅よりも
大きいものと、小さいものである。絶縁性フィルム１の
幅がリード幅より極端に大きいとフィルム１の自重でリ
ードが曲がり易くなり、また小さすぎるとリードの曲げ
強度の補強効果が少なくなる。好ましくは第１図（ｂ）
のように同幅がよい。

第２図（ｃ）および（ｄ）は絶縁性フィルム１の横断
面形状が長形でなく、台形状のものであるが、実用上は
長形が好ましい。

また、リード背面に残存させる絶縁性フィルム１の厚
みはリードを形成する金属箔２の厚みの0.15〜９倍程度
が適当であり、厚みが0.15倍に満たない場合は強度補強
効果が少なく、また９倍以上ではフィルム１の自重でリ
ードに負荷がかかって曲がり易くなり、時には折れる恐
れもある。

本発明においてリード背面に絶縁性フィルムを残存さ
せるには、前記したように２層タイプもしくは３層タイ
プの積層フィルムの金属箔部分に、エッチングによって
微細パターンを施こしてリードを形成したのち、リード
形成パターンに沿って絶縁性フィルムを除去、残存させ
る方法、リード形成パターンを絶縁性フィルムに設け、
予め絶縁性フィルムを除去したのち、リードとしての金
属箔を設ける方法などがある。

上記絶縁性フィルムの残存方法としては、３層タイプ
の積層フィルムを用いる場合、金属箔と絶縁性フィルム
との積層の前に、絶縁性フィルムにパンチングなどの手
段で不要な絶縁性フィルムを除去する方法が挙げられ
る。また２層タイプの積層フィルムでは金属箔上にポリ
イミド前駆体溶液などをリード形成パターンにて塗工
し、加熱硬化させる方法や、積層フィルムをウエットエ
ッチングやドライエッチングする方法が挙げられる。な
お、ポリイミドフィルムの如き耐薬品性の高い絶縁性フ
ィルムをウエットエッチングする場合は、フィルムを完
全硬化させる前の前駆体ないしは半硬化状態で行なうこ
とが好ましく、ドライエッチングに際しては、レーザ
ー、プラズマなどを用いることが好ましい。

本発明のフィルムキャリアの具体的な製造方法の一例
を以下に示す。

17μｍ厚の銅箔の上にポリイミド前駆体溶液を25μｍ
厚で塗工、硬化させ、２層タイプの積層フィルムを作製
し、これをフィルムキャリアの基材フィルムとした。次
に、このフィルムの銅箔側にレジストを塗工し、露光、
現像、エッチングを行なって、リード部を有するパター
ンを形成した。この時のリード幅は60μｍとした。

このリードパターンに銅箔側から紫外領域のレーザー
を用いてドライエッチングを施こし、各リード間の絶縁
性フィルム（ポリイミドフィルム）を除去し、リード背
面に絶縁性フィルムを残存させたフィルムキャリアを得
た。得られた絶縁性フィルムは第２図（ｃ）のような台
形の横断面形状を有するものであり、上底辺80μｍ、下
底辺60μｍであった。

上記の方法でリード全数を120個としたフィルムキャ
リアを作製した場合、リードの曲がりや折れはなかった
が、第３図に示すような従来のフィルムキャリアでは24
個のリードに折れが生じるものであった。

上記本発明のフィルムキャリアのリード部には、外部
接続用電極を有する半導体素子を接続して半導体装置と
することができる。

〈発明の効果〉 以上のように本発明のフィルムキャリアは、リード背
面に絶縁性フィルムを残存させているので、リード自体
の曲げ強度が向上され、フィルムキャリア製造時のリー
ドの曲がりや折れがなくなり、作業性や生産性が向上す
る。また、このフィルムキャリアを用いてなる半導体装
置においても、ボンディング時の信頼性が高まるものと
なる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）および（ｂ）は本発明のフィルムキャリア
のリード一本の縦断面図および横断面図であり、第２図
（ａ）〜（ｄ）は本発明のフィルムキャリアのリード一
本の他の実例の横断面図、第３図は従来のフィルムキャ
リアの断面図を示す。 １…絶縁性フィルム、２…金属箔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平１−205544（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁶，ＤＢ名) H01L 21/60

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】デバイスホールの中に形成されたリードの
   背面に、リード形成パターンに沿った形状に絶縁性フィ
   ルムを残存させてなるフィルムキャリア。
2. 【請求項２】請求項（１）記載のフィルムキャリアのリ
   ード部に外部接続用電極を有する半導体素子を接続して
   なる半導体装置。