JPS60211862A - 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は半導体集積回路等の半導体装置用のリードフ
レームの製造方法に関する。

従来、半導体装置用のリードフレームは鉄−ニッケル合
金等からなるリードフレーム用金属板をプレス打抜き又
はエツチング処理によシ半導体チップを載置するアイラ
ンド部およびその周囲のリード部のパターンを形成させ
たのち、このアイランド部およびその周囲近傍、すなわ
ちインナーリードの先端部のみ通常貴金属のメッキを施
すことがおこなわれていた。

しかし、このような従来の方法によると、アイランド部
およびリード部を予め形成させてから、その所定部分に
メッキ液を接触させてメッキをおこなうものであるから
、メッキを必要とする上記金属板・母ターンの表面のみ
ならず、メッキを必要としない金属板パターンの側面あ
るいは裏面にもメッキが付着することＫなる。したがっ
て高価なメッキ用貴金属が無駄となり、その量も３０〜
４０％に及ぶと考えられる。さらにリードフレームをノ
やターン形成したのちメッキをおこなうから、このメッ
キ工程で細いす−ド線が曲ったシ、傷つけられ不良品を
発生するおそれもあり、その傾向は特に多ビンリードフ
レームに生じ易い。

このような欠点を回避するため、リードフレーム用金属
板の所定部分に四角にメッキを施してから、プレスで所
定の７９ターンに打抜くことも考えられるが、その場合
、不要な金属板に付着したメッキ金属の回収を必要とし
、そのための処理が繁雑となシ、かつ余分な装置を必要
とするため好ましくない。

この発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、メ
ッキ金属の無駄を省くことができ、しかも処理工程も簡
単で能率上極めて有利な半導体装置用のリードフレーム
の製造方法を提供することを目的とする。

すなわち、この発明はリードフレーム用金属板の一生面
上に、アイランド部とインナーリード先端部に相当する
部分のみを露出するように第１のレジストパターンを形
成する工程と、この露出部分にメッキを施す工程と、上
記第１のレジス）　ｉ４ターンを除去する工程と、目的
とするリードフレーム・やターンを形成するだめの第２
のレジストパターンを形成したのち、金札板露出部をエ
ツチング除去する工程と、を具備してなることを特徴と
する半導体用リードフレームの製造方法を提供するもの
である。

以下、この発明を図示の実施例を参照して説明する。

まず、第１図（Ａ）　（Ｂ）に示す如く、半導体装置用
リードフレーム用金属板１（例えば厚み０．２５ｙ、寸
法３５０Ｘ４２５←→の４２重量％Ｎｌ−残部Ｆｅ合金
）の−主面にフォトレノスト膜（厚さ８μｍのポリビニ
ルアルコール系感光性樹脂）をコーテングし、所定のリ
ード・やターンのマスク（図示しない）を施したのち、
高圧水銀灯（又は−・ロダン灯）によ如露光し、水を噴
き付けてスプレー現像して未露光部分３を除去し、つい
で６％クロム酸水溶液を用い２段階の浸漬（６０秒、３
０秒）で露光部分ヲ硬膜化し、レソストノやターン２を
形成した。ついで１５０℃、１０分でバーニングしたの
ち、下記組成のシアン化金カリウム系メッキ液 ＫＡｕ　（ＣＮ）２　１５　Ｅｌ／４３クエン酸カリウ
ム　５０１／／、（３ リン酸　３０１／Ｉ；３ リン酸カリウム　２０９１０ ボ一メ濃度：１８ ｐＨニア、５ を用い、温度７５℃、電流密度４Ａ／ｄｍ２、時間４５
秒で金メッキをおとなへ第２図α）　、　（Ｂ）に示す
如く金属板１の露出部分３（第１図参照）（すなわちリ
ードフレームのアイランド部とインナリード先端部に相
当する）に厚さ２．２μｍの金メツキパターン４を形成
した。

次に剥膜剤（たとえば水酸化ナトリウム１０重量楚水溶
液）を用い第３図（Ａ）　、　（Ｂ）に示す如くレジス
トノやターン２を除去したのち、第４図（５）。

ＣＢ）に示す如く金メツキパターン４の上面ならびにそ
の周囲のリード部に第１図の場合と同様に露光、現像を
おこない、７オトレノストｉｅターン５を形成するとと
もに、金属板１の裏側主面にもフォトレジスト膜５と対
応する部分に７オトレノスト・母ターン５′を形成した
。なお、この場合、この第２回目のフォトレノスト・ぐ
ターン５．５′と第１図に示す第１回目のフォトレノス
ト・セターン２との整合精度を良好に保つため、マスク
原版（図示しない）と金属板１に同一ピッチの合わせピ
ン穴を形成しておき、露光焼付は時に、これらビン穴で
ビン合せをおこなうことが好筐しい。

次に、塩化第２鉄液（ボーメ濃Ｍ　０Ｂｅ’　：　４６
．４、液温５０℃）を用い金属板１の両面から工、チン
グをおこない第５図に示す如く、露出する金属板部分７
を完全に除去したのち、フォトレジスト膜やターン５．
５’ｆ除去することにより、第６図（４）、（Ｂ）に示
す如く、アイランド部およびインナーリード先端部にの
み金メツキノ２ターン４を施したリードフレーム６が得
られた。

なお、上記実施例ではフォトレノスト膜としてポリビニ
ルアルコール系感光性樹脂【コーテングする場合につい
て説明したが、これに限らず、フォトレジスト膜として
ドライフィルムを用いてもよい。また材質についてもメ
ッキ浴に耐え得る他のレジスト材料を使用してもよい。

また、上記実施例では第２回目の７オトレジストノやタ
ーン５の形成時に金メッキパターン４上面にもレジスト
層を形成するようにしたが、金、銀メッキは塩化第２鉄
に侵されないから、金メツキツクターン４上のレジスト
層５は必ずしも必要としない。

又、メッキ液としては上述のものに限らず、任意に選択
し得る。たとえば下記の如き…値が９以下の中性もしく
は酸性領域の金メッキ液又は銀メツキ液を使用し得る。

金メッキ液 ｐＨ＝６．５〜７．５．液温６０℃ ｐＨ＝３．０〜４．５．液温３５℃ 銀メッキ液 一一８〜９．液温７０℃ 以上詳述したように、本発明によれば、アイランド部お
よびインナリード先端部のメッキ層の形成をリードフレ
ーム用金楓板に最初にフォトレジスト・母ターンを利用
して所定のパターンに形成するから従来の如き金属板の
側面部にメッキ層が付着することがないから高価なメッ
キ液を著るしく節減（３０〜４０％のコスト低減）　１
することができ、又、従来のメッキ工程におけるマスク
操作の必要性もなくなるなど作業効率が改善され、リー
ドフレーム作製後のメッキ工程がなくなるからリードフ
レームの曲り、傷等による不良発生も少なく歩留りの向
上を図ることができる。さらに、前述の如く、四角くメ
ッキを施して、後にプレスで打抜く方式ではメッキ金属
の回収を必要とするが、本発明の方法によれば、その必
要もなくなる。

本発明の製造方法は連続的な工程でメッキ被膜付きリー
ドフレームを作成するのに適し、極めて優れたものであ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第６図は本発明の方法を工程順に示すもの
で、そのうち、（４）図は断面図、第５図を除き、（Ｂ
）図はそれぞれ囚図に対応する平面図である。 図中、１・・・金属板、２，５，５′・・・フォトレジ
ストハターン、３・・・金属板露出部、４・・・金メツ
キパターン、６・・・リードフレーム。 第１図 （Ａ）　（Ｂ） 第２図 （Ａ）　（Ｂ） 第６図 （Ｂ） （Ａ） 第５図 （Ａ） 第６図 第６図 （Ｂ）

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）　リードフレーム用金属板の一主面上に、アイラ
   ンド部とインナーリード先端部に相当する部分のみを露
   出するように第１のレジストｉｅターンを形成する工程
   と、この露出部分にメッキを施す工程と、上記第１のレ
   ジスト・やターンを除去する工程と、目的とするリード
   フレーム・ぐターンを形成するための第２のレゾス）　
   ｔ＋ターンを形成したのち、金属板露出部をエツチング
   除去する工程と、を具備してなることを特徴とする半導
   体装置用リードフレームの製造方法。
2. （２）　メッキが貴金属メッキであって、第２のレジス
   ト・母ターンを該メッキ部分を除いて形成することを特
   徴とする特許請求の範囲第１項記載の製造方法。