JPH0220149B2 - - Google Patents
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- JPH0220149B2 JPH0220149B2 JP6678684A JP6678684A JPH0220149B2 JP H0220149 B2 JPH0220149 B2 JP H0220149B2 JP 6678684 A JP6678684 A JP 6678684A JP 6678684 A JP6678684 A JP 6678684A JP H0220149 B2 JPH0220149 B2 JP H0220149B2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体集積回路等の半導体装置用の
リードフレームの製造方法に関する。
リードフレームの製造方法に関する。
従来、半導体装置用のリードフレームは鉄−ニ
ツケル合金等からなるリードフレーム用金属板を
プレス打抜き又はエツチング処理により半導体チ
ツプを載置するアイランド部およびその周囲のリ
ード部のパターンを形成させたのち、このアイラ
ンド部およびその周囲近傍、すなわちインナーリ
ードの先端部のみ通常貴金属のメツキを施すこと
がおこなわれていた。
ツケル合金等からなるリードフレーム用金属板を
プレス打抜き又はエツチング処理により半導体チ
ツプを載置するアイランド部およびその周囲のリ
ード部のパターンを形成させたのち、このアイラ
ンド部およびその周囲近傍、すなわちインナーリ
ードの先端部のみ通常貴金属のメツキを施すこと
がおこなわれていた。
しかし、このような従来の方法によると、アイ
ランド部およびリード部を予め形成させてから、
その所定部分にメツキ液を接触させてメツキをお
こなうものであるから、メツキを必要とする上記
金属板パターンの表面のみならず、メツキを必要
としない金属板パターンの側面あるいは裏面にも
メツキが付着することになる。したがつて高価な
メツキ用貴金属が無駄となり、その量も30〜40％
に及ぶと考えられる。さらにリードフレームをパ
ターン形成したのちメツキをおこなうから、この
メツキ工程で細いリード線が曲つたり、傷つけら
れ不良品を発生するおそれもあり、その傾向は特
に多ピンリードフレームに生じ易い。
ランド部およびリード部を予め形成させてから、
その所定部分にメツキ液を接触させてメツキをお
こなうものであるから、メツキを必要とする上記
金属板パターンの表面のみならず、メツキを必要
としない金属板パターンの側面あるいは裏面にも
メツキが付着することになる。したがつて高価な
メツキ用貴金属が無駄となり、その量も30〜40％
に及ぶと考えられる。さらにリードフレームをパ
ターン形成したのちメツキをおこなうから、この
メツキ工程で細いリード線が曲つたり、傷つけら
れ不良品を発生するおそれもあり、その傾向は特
に多ピンリードフレームに生じ易い。
このような欠点を回避するため、リードフレー
ム用金属板の所定部分に四角にメツキを施してか
ら、プレスで所定のパターンに打抜くことも考え
られるが、その場合、不要な金属板に付着したメ
ツキ金属の回収を必要とし、そのための処理が繁
雑となり、かつ余分な装置を必要とするため好ま
しくない。
ム用金属板の所定部分に四角にメツキを施してか
ら、プレスで所定のパターンに打抜くことも考え
られるが、その場合、不要な金属板に付着したメ
ツキ金属の回収を必要とし、そのための処理が繁
雑となり、かつ余分な装置を必要とするため好ま
しくない。
この発明は上記事情に鑑みてなされたものであ
つて、メツキ金属の無駄を省くことができ、しか
も処理工程も簡単で能率上極めて有利な半導体装
置用のリードフレームの製造方法を提供すること
を目的とする。
つて、メツキ金属の無駄を省くことができ、しか
も処理工程も簡単で能率上極めて有利な半導体装
置用のリードフレームの製造方法を提供すること
を目的とする。
すなわち、この発明はリードフレーム用金属板
の表面に、目的とするリードフレームパターンの
アイランド部とインナーリード先端部に相当する
部分のみを露出するように第１のレジストパター
ンを形成する工程と、この露出部分にのみメツキ
を施す工程と、上記第１のレジストパターンを除
去する工程と、目的とするリードフレームパター
ンを形成するための第２のレジストパターンを該
リードフレーム用金属板の表裏面にそれぞれ対応
させて形成する工程と、該第２のレジストパター
ンをマスクとして該リードフレーム用金属板の露
出部をエツチング除去する工程と、上記第２のレ
ジストパターンを除去する工程と、を具備してな
ることを特徴とする半導体装置用リードフレーム
の製造方法を提供するものである。
の表面に、目的とするリードフレームパターンの
アイランド部とインナーリード先端部に相当する
部分のみを露出するように第１のレジストパター
ンを形成する工程と、この露出部分にのみメツキ
を施す工程と、上記第１のレジストパターンを除
去する工程と、目的とするリードフレームパター
ンを形成するための第２のレジストパターンを該
リードフレーム用金属板の表裏面にそれぞれ対応
させて形成する工程と、該第２のレジストパター
ンをマスクとして該リードフレーム用金属板の露
出部をエツチング除去する工程と、上記第２のレ
ジストパターンを除去する工程と、を具備してな
ることを特徴とする半導体装置用リードフレーム
の製造方法を提供するものである。
以下、この発明を図示の実施例を参照して説明
する。
する。
まず、第１図Ａ，Ｂに示す如く、半導体装置用
リードフレーム用金属板１例えば厚み0.25mm、寸
法350×425（mm）の42重量％Ni−残部Fe合金の一
主面にフオトレジスト膜（厚さ8μmのポリビニル
アルコール系感光性樹脂）をコーテングし、所定
のリードパターンのマスク（図示しない）を施し
たのち、高圧水銀灯（又はハロゲン灯）により露
光し、水を噴き付けてスプレー現像して未露光部
分３を除去し、ついで６％クロム酸水溶液を用い
２段階の浸漬（60秒、30秒）で露光部分を硬膜化
し、レジストパターン２を形成した。ついで150
℃、10分でバーニングしたのち、下記組成のシア
ン化金カリウム系メツキ液 KAu 15ｇ／ クエン酸カリウム 50ｇ／ リン酸 30ｇ／ リン酸カリウム 20ｇ／ ボーメ濃度：18 PH ：7.5 を用い、温度75℃、電流密度4A／ｄm2、時間45
秒で金メツキをおこない第２図Ａ，Ｂに示す如く
金属板１の露出部分３（第１図参照）（すなわち
リードフレームのアイランド部とインナーリード
先端部に相当する）に厚さ2.2μmの金メツキパタ
ーン４を形成した。
リードフレーム用金属板１例えば厚み0.25mm、寸
法350×425（mm）の42重量％Ni−残部Fe合金の一
主面にフオトレジスト膜（厚さ8μmのポリビニル
アルコール系感光性樹脂）をコーテングし、所定
のリードパターンのマスク（図示しない）を施し
たのち、高圧水銀灯（又はハロゲン灯）により露
光し、水を噴き付けてスプレー現像して未露光部
分３を除去し、ついで６％クロム酸水溶液を用い
２段階の浸漬（60秒、30秒）で露光部分を硬膜化
し、レジストパターン２を形成した。ついで150
℃、10分でバーニングしたのち、下記組成のシア
ン化金カリウム系メツキ液 KAu 15ｇ／ クエン酸カリウム 50ｇ／ リン酸 30ｇ／ リン酸カリウム 20ｇ／ ボーメ濃度：18 PH ：7.5 を用い、温度75℃、電流密度4A／ｄm2、時間45
秒で金メツキをおこない第２図Ａ，Ｂに示す如く
金属板１の露出部分３（第１図参照）（すなわち
リードフレームのアイランド部とインナーリード
先端部に相当する）に厚さ2.2μmの金メツキパタ
ーン４を形成した。
次に剥離剤（たとえば水酸化ナトリウム10重量
％水溶液）を用い第３図Ａ，Ｂに示す如くレジス
トパターン２を除去したのち、第４図Ａ，Ｂに示
す如く金メツキパターン４の上面ならびにその周
囲のリード部に第１図の場合と同様に露光、現像
をおこない、フオトレジストパターン５を形成す
るとともに、金属板１の裏側主面にもフオトレジ
スト膜５と対応する部分にフオトレジストパター
ン５′を形成した。なお、この場合、この第２回
目のフオトレジストパターン５，５′と第１図に
示す第１回目のフオトレジストパターン２との整
合精度を良好に保つため、マスク原版（図示しな
い）と金属板１に同一ピツチの合わせピン穴を形
成しており、露光焼付け時に、これらピン穴でピ
ン合せをおこなうことが好ましい。
％水溶液）を用い第３図Ａ，Ｂに示す如くレジス
トパターン２を除去したのち、第４図Ａ，Ｂに示
す如く金メツキパターン４の上面ならびにその周
囲のリード部に第１図の場合と同様に露光、現像
をおこない、フオトレジストパターン５を形成す
るとともに、金属板１の裏側主面にもフオトレジ
スト膜５と対応する部分にフオトレジストパター
ン５′を形成した。なお、この場合、この第２回
目のフオトレジストパターン５，５′と第１図に
示す第１回目のフオトレジストパターン２との整
合精度を良好に保つため、マスク原版（図示しな
い）と金属板１に同一ピツチの合わせピン穴を形
成しており、露光焼付け時に、これらピン穴でピ
ン合せをおこなうことが好ましい。
次に、塩化第２鉄液（ボーメ濃度°Be′：46.4、
液温50℃）を用い金属板１の両面からエツチング
をおこない第５図に示す如く、露出する金属板部
分７を完全に除去したのち、フオトレジストパタ
ーン５，５′を除去することにより、第６図Ａ，
Ｂに示す如く、アイランド部およびインナーリー
ド先端部にのみ金メツキパターン４を施したリー
ドフレーム６が得られた。
液温50℃）を用い金属板１の両面からエツチング
をおこない第５図に示す如く、露出する金属板部
分７を完全に除去したのち、フオトレジストパタ
ーン５，５′を除去することにより、第６図Ａ，
Ｂに示す如く、アイランド部およびインナーリー
ド先端部にのみ金メツキパターン４を施したリー
ドフレーム６が得られた。
なお、上記実施例ではフオトレジスト膜として
ポリビニルアルコール系感光性樹脂をコーテング
する場合について説明したが、これに限らず、フ
オトレジスト膜としてドライフイルムを用いても
よい。また材質についてもメツキ浴に耐え得る他
のレジスト材料を使用してもよい。
ポリビニルアルコール系感光性樹脂をコーテング
する場合について説明したが、これに限らず、フ
オトレジスト膜としてドライフイルムを用いても
よい。また材質についてもメツキ浴に耐え得る他
のレジスト材料を使用してもよい。
また、上記実施例では第２回目のフオトレジス
トパターン５の形成時に金メツキパターン４上面
にもレジスト層を形成するようにしたが、金、銀
メツキは塩化第２鉄に侵されないから、金メツキ
パターン４上のレジスト層５は必ずしも必要とし
ない。
トパターン５の形成時に金メツキパターン４上面
にもレジスト層を形成するようにしたが、金、銀
メツキは塩化第２鉄に侵されないから、金メツキ
パターン４上のレジスト層５は必ずしも必要とし
ない。
又、メツキ液としては上述のものに限らず、任
意に選択し得る。たとえば下記の如きPH値が９以
下の中性もしくは酸性領域の金メツキ液又は銀メ
ツキ液を使用し得る。
意に選択し得る。たとえば下記の如きPH値が９以
下の中性もしくは酸性領域の金メツキ液又は銀メ
ツキ液を使用し得る。
金メツキ液
KAu（CN2）
NaH3PO3
Na2H2PO3 ４ｇ／
15ｇ／
20ｇ／
PH＝6.5〜7.5、液温60℃
KAu（CN2）
クエン酸カリウム
酒石酸アンチモニルカリウム
EDTAコバルト塩 12ｇ／
125ｇ／
１ｇ／
３ｇ／
PH＝3.0〜4.5、液温35℃
銀メツキ液
KAg（CN2） 20ｇ／
リン酸 10ｇ／
リン酸カリウム 30ｇ／
クエン酸カリウム 50ｇ／
PH＝８〜９、液温70℃
以上詳述したように、本発明によれば、アイラ
ンド部およびインナリード先端部のメツキ層の形
成をリードフレーム用金属板に最初にフオトレジ
ストパターンを利用して所定のパターンに形成す
るから従来の如き金属板の側面部にメツキ層が付
着することがないから高価なメツキ液を著るしく
節減（30〜40％のコスト低減）することができ、
又、従来のメツキ工程におけるマスク操作の必要
性もなくなるなど作業効率が改善され、リードフ
レーム作製後のメツキ工程がなくなるからリード
フレームの曲り、傷等による不良発性も少なく歩
留りの向上を図ることができる。さらに、前述の
如く、四角くメツキを施して、後にプレスで打抜
く方式ではメツキ金属の回収を必要とするが、本
発明の方法によれば、その必要もなくなる。
ンド部およびインナリード先端部のメツキ層の形
成をリードフレーム用金属板に最初にフオトレジ
ストパターンを利用して所定のパターンに形成す
るから従来の如き金属板の側面部にメツキ層が付
着することがないから高価なメツキ液を著るしく
節減（30〜40％のコスト低減）することができ、
又、従来のメツキ工程におけるマスク操作の必要
性もなくなるなど作業効率が改善され、リードフ
レーム作製後のメツキ工程がなくなるからリード
フレームの曲り、傷等による不良発性も少なく歩
留りの向上を図ることができる。さらに、前述の
如く、四角くメツキを施して、後にプレスで打抜
く方式ではメツキ金属の回収を必要とするが、本
発明の方法によれば、その必要もなくなる。
本発明の製造方法は連続的な工程でメツキ被膜
付きリードフレームを作成するのに適し、極めて
優れたものである。
付きリードフレームを作成するのに適し、極めて
優れたものである。
第１図ないし第６図は本発明の方法を工程順に
示すもので、そのうち、Ａ図は断面図、第５図を
除き、Ｂ図はそれぞれＡ図に対応する平面図であ
る。 図中、１……金属板、２，５，５′……フオト
レジストパターン、３……金属板露出部、４……
金メツキパターン、６……リードフレーム。
示すもので、そのうち、Ａ図は断面図、第５図を
除き、Ｂ図はそれぞれＡ図に対応する平面図であ
る。 図中、１……金属板、２，５，５′……フオト
レジストパターン、３……金属板露出部、４……
金メツキパターン、６……リードフレーム。
Claims (1)
- １ リードフレーム用金属板の表面に、目的とす
るリードフレームパターンのアイランド部とイン
ナーリード先端部に相当する部分のみを露出する
ように第１のレジストパターンを形成する工程
と、この露出部分にのみメツキを施す工程と、上
記第１のレジストパターンを除去する工程と、目
的とするリードフレームパターンを形成するため
の第２のレジストパターンを該リードフレーム用
金属板の表裏面にそれぞれ対応させて形成する工
程と、該第２のレジストパターンをマスクとして
該リードフレーム金属板の露出部をエツチング除
去する工程と、上記第２のレジストパターンを除
去する工程と、を具備してなることを特徴とする
半導体装置用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6678684A JPS60211862A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6678684A JPS60211862A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211862A JPS60211862A (ja) | 1985-10-24 |
| JPH0220149B2 true JPH0220149B2 (ja) | 1990-05-08 |
Family
ID=13325888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6678684A Granted JPS60211862A (ja) | 1984-04-05 | 1984-04-05 | 半導体装置用リ−ドフレ−ムの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211862A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100530754B1 (ko) * | 1998-09-09 | 2006-02-28 | 삼성테크윈 주식회사 | 연속적인 리드프레임 제조방법 |
-
1984
- 1984-04-05 JP JP6678684A patent/JPS60211862A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60211862A (ja) | 1985-10-24 |
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