JPH03203390A - プリント基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、プリント基板の製造方法、特にフォトレジス
トパターンの形成方法に係わる。

〔発明の概要〕

本発明はプリント基板の製造工程の、絶縁基板上に被着
された金属層表面にフォトレジストパターンを形成する
工程において、この金属層表面に光吸収する黒化処理を
行った後、フォトレジストの塗布、パターン露光、現像
処理を行ってフォトレジストパターンを形成し、このフ
ォトレジスＩ・パターンをマスクとして金属層に対する
エツチング、メツキ、ソルダーの被着等の処理を行う。

このようにすることによってフォトレジストの被着面の
下地となる金属層からの反射光、散乱光等による露光パ
ターンの乱れ、にじみによる影響によってフォトレジス
トのパターン化の精度の低下、従ってこれによる金属層
に対する処理、例えば配線パターンの形成精度の低下等
を回避する。

〔従来の技術〕

プリント基板の製造工程において、絶縁基板上に、例え
ば銅Ｃｕより戒る配線パターンを形成する場合の、例え
ば全面的に形成された（：ｕ？Ｇに対してのエツチング
のマスクとなるエツチングレジストや、この配線パター
ン上の限定した位置にソルダ、バンプ等の選択的メツキ
加工を行う場合の例えば電気メンキのマスクとなるソル
ダーレジスト或はメツキレジストを形成する工程がある
。

このようなレジストのパターンの形成方法は、例えばフ
ォトレジストを全面的に塗布して後露光マスクを通して
パターン露光を行い、現像処理を施して所要のパターン
とする。

この場合、フォトレジストが被着する面の下地となる層
は、Ｃｕ等の光反射率の大きい金属が全面的に被着され
た金属層、或いはこれがバターニングされた配線パター
ン金属層となる。

−例として、このような配線パターン上の限定した位置
に金属メツキを行う場合の製造方法を、第２図Ａ−Ｄの
工程図を参照して説明する。

第２図Ａに示すように、絶縁基板（１）上に、例えば全
面的にＣｕ箔を形成し、その上を覆うように、例えばネ
ガ型のフォトレジスト（３）を塗布し、例えば幅Ｗｃの
マスクパターン（４１）を有する露光マスク（４）を通
じて紫外線等の光りによる露光を行う。

このとき、この光りはフォトレジスト（３）の中をほぼ
直進して、破線Ｃで示すように、はぼマスクパターン（
４１）の幅Ｗｃを有する領域外のフォトレジスト（３）
が感光され、硬化する。

次に、例えばアセトン、等の溶剤によって現像処理を行
い、第２図Ｂに示すように、最終的にメツキ処理を行う
部分の金属層（２）のみが露出するような開口部（６ｃ
）を有するフォトレジストパターン（６）を形成する。

次に第２図Ｃに示すように、この開口部（６Ｃ）を通じ
て金属層（２）上に例えば電気メツキを行い、例えばＡ
ｕより成るメツキ層（１４）を形成する。

次にフォトレジスト穴Ｘターン（６）を塗布し、第２図
りに示すように、金属層（２）上に限定的に形成された
メツキ層（１４）例えばバンブを得ることができる。

しかしながらこの場合、実際上は、第２図Ｂに示すよう
に、フォトレジストパターン（６）は、その開口部（６
ｃ）の幅Ｗｄが露光マスク（４）のマスクパターン（４
１）の幅Ｗｃより僅かに、例えば１０〜２０μｍ程度大
となる。これは、第２図Ａで示す露光工程において、光
りがフォトレジスト（３）の中をほぼ直進するが、金属
層（２）の表面において反射したり散乱したりするため
、この反射光又は散乱光によって、フォトレジスト（３
）内に破線Ｃで示すように、例えばマスクパターン（４
１）の幅Ｗｃと同様の幅をもつ、本来非露光部となるべ
き領域内に入り込んでその感光がなされて、露光パター
ンの乱れやにじみが生じることに因るものと思われる。

このため露光マスク（４）のマスクパターン（４１）は
、最終的に得られるフォトレジストパターン（６）の開
口部（６ｃ）の幅の変動を考慮して、マスクパターン（
４１）のパターンの寸法形状を補正する必要がある。

ところがこの補正は、フォトレジストを被着する下地と
なる金属層のパターン形状によって変える必要がある。

このようなマスクパターンの補正を、第３図の平面図を
参照して説明する。

第３図Ａにおいては、絶縁基板（１）上に被着形成され
た例えばＣｕより成る幅広の金属層（２）上に、破線す
で示すように正方形のパターンのメツキを、第２図Ａ−
Ｄにおいて説明したと同様の工程によって、すなわちネ
ガ型のフォトレジストを用いて形成する場合を示す。こ
の場合、露光マスクパターンによって破線すによって囲
まれた領域以外を露光させるものであるが、この場合そ
の露光用光は、第２図において説明した場合と同様に、
金属層（２）の表面において反射或いは散乱され、この
反射光或いは散乱光が、フォトレジストの本来の非露光
部となるべき部分、この例では正方形のパターンの破線
すで囲む領域内に周囲からにじみ込む。

従ってネガ型のフォトレジストでは本来の露光硬化部以
外のその内側においても露光効果が生じ、このため、現
像処理によって得られるフォトレジストパターンの開口
部、すなわちメツキが施される部分は第３図Ａに斜線を
付して示すように、本来の露光マスクパターン（４１）
によって規定されるパターンに比し、面積が縮小された
パターンとなる。

一方、第３図Ｂに示す例では、メツキ処理を行う領域す
なわち露光領域が破線ｄで示すように、その幅が金属層
の幅Ｗにほぼ対応する場合で、第３図Ｂにおける上下方
向に関しては、第３図Ａで説明したと同様に、金属層（
２）の表面による反射或いは散乱によって本来非露光部
となるべき部分が縮小されるが、左右に関してはその外
側の下地に金属層が存在しないことから、光が反射或い
は散乱されることがほとんどないので、パターンが縮小
されない。

このように、下地の金属層（２）のパターンによって露
光パターンが影響されることから、実際上、マスクパタ
ーン（４１）の形状を補正する作業は極めて繁雑であり
、また、ＩＣの高集積度化が進むにつれて、プリント基
板の細密化、すなわち配線パターンの細密化が進み、５
０μ端以下の細密なパターンを形成する場合には、上述
したように１０〜２０μｍの補正を必要とする方法では
、精確なフォトレジストパターン（６）が得られず、パ
ターンの形成精度の低下を招くという問題があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明は、上述したような下地金属層の形状に依存する
問題を解決して、露光用マスクパターンの補正を省略な
いしは簡易化して配線パターンを精密に形成し、かつ作
業性の向上をはかる。

〔課題を解決するための手段〕

本発明によるプリント基板の製造方法の一例の工程図を
第１図Ａ−Ｄに示す。

本発明は、第１図Ａに示すように、プリント基板の製造
工程の、絶縁基板（１）上に被着された金属層（２）の
表面にフォトレジストパターンを形成する工程において
、金属層（２）の表面に、光吸収する黒化処理を行った
後に、フォトレジスト（３）の塗布。

パターン露光、現像処理を行ってフォトレジストパター
ン（６）をマスクとする金属層（２）に対する処理、例
えば金属層に対する選択的エツチング、又は金属層に対
する選択的メツキ等の処理を行う。

ここで黒化処理とは、上述したフォトレジストパターン
の形成に用いられる光に対して、効率の良い吸収が行わ
れる光吸収表面処理を指称するものであって、例えば褐
色化等をも含むものである。

〔作用〕

上述したように、本発明製造方法では、第１図Ａに示す
ように、絶縁基板（１）上の金属Ｎ（２）の表面が光吸
収するように黒化処理を行うので、第１図Ｂで示すよう
に、黒化処理層（７）上に塗布されたフォトレジスト（
３）にパターン露光を行う場合、光りはフォトレジスト
（３）中をほぼ直進し、黒化処理層（７）の表面におい
て反射したり、散乱したりすることがない。このためフ
ォトレジスト（３）は、破線ａで示す本来の非露光領域
以外の部分のみが感光硬化される。

従って従来の方法のように、マスクパターン（４工）の
形状を補正する必要がなく、作業性の向上と高精度化を
はかることができ、特にＩＣの高集積度化に伴う各種パ
ターンの微細化を行うことができる。

〔実施例〕

本発明によるプリント基板の製造方法の一例を、その工
程図を示す第１図Ａ−Ｄを参照してさらに説明する。

この場合、基板上に配線パターンを形成する方法の一例
で、第１図Ａに示すように、絶縁性材料より成る基板、
或いは非絶縁性材料より成る基体の表面に絶縁層が形成
されて成る、絶縁基板（１）が用意され、この上に例え
ばＣｕ箔、或いは蒸着Ｃｕ等よりなる金属パターン層、
あるいは全面的に被着された金属層（２）が、形成され
て成る。この金属層（２）に対して弱アルカリ性又は弱
酸性の例えば酢酸。

リン酸、過酸化水素水等の薄い溶液又はこれらに塩を加
えた溶液を用いて、表面黒化、又は褐色化処理を施して
、表面に黒化処理層（７）を形成する。

この場合、黒化処理層（７）の色は、フォトレジストパ
ターンの形成工程におけるフォトレジストを感光する際
に用いる光、例えば紫外線に対して、光吸収率が大とな
るような色、例えば褐色となればよく黒色に限らない。

また黒化処理を施す溶液としては、例えばＣｕより成る
金属層（２）に対して黒化又は褐色化処理を施すと共に
、粗面化によって、よりその効果を高めるように表面に
凸凹を生じさせ得る溶液を用いるものとする。

次に第１図Ｂに示すように、黒化処理層（７）の上に、
全面的に、例えばネガ型のフォトレジスト材より成るフ
ォトレジスト（３）を塗布した後、露光マスク（４）を
通じて所定の幅Ｗａをもって、例えば紫外線等の光りを
照射し、いわゆるパターン露光を行い、フォトレジスト
（３）中に破線ａで示すように、メツキ層を形成する領
域以外の部分のフォトレジスト（３）を感光させる。

次に第１図Ｃに示すように、現像処理を施して、開口部
（６ａ）を有するフォトレジストパターン（６）を形成
する。このとき、開口部（６ａ）の幅ｗｂは、金属層（
２）からの反射或いは散乱が黒化処理層（７）の存在に
よってほとんど生じないことから、露光マスク（４）の
マスクパターン（４１）によって規定される所定の幅Ｗ
ａと一致する。そしてこの開口部（６ａ）を通して軽い
エツチングすなわちライトエツチング等により黒化処理
層（７）を除去した後、電気メツキ処理等を施して、例
えばＡｕより成るメツキ層を被着形成する。

その後、フォトレジストパターン（６）を除去して、第
１図りに示すように、マスクパターン（４１）と同じパ
ターンのメツキ層（１４）を形成する。

なお、上述した例においては、絶縁基板（１）上に全面
的に被着形成された金属層（２）上にフォトレジストパ
ターン（６）を形成する場合に本発明を適用したが、金
属層（２）がパターン化された、いわゆる配線パターン
、さらに、ＩＣの高集積度化に伴う微細な配線パターン
上にフォトレジストパターン（６）を形成する場合に適
用することもできる。

また、上述した例においては、ネガ型のフォトレジスト
を用いた場合について説明したが、ポジ型のフォトレジ
ストを用いて金属層上にフォトレジストパターンを形成
する場合にも適用することが出来る。

［発明の効果〕 上述したように、本発明製造方法では、第１図Ａに示す
ように、絶縁基板（１）上の金属層（２）の表面が光吸
収するように黒化処理を行うので、第１図Ｂで示すよう
に、黒化処理層（７）上に塗布されたフォトレジスト（
３）にパターン露光を行う場合、光りはフォトレジスト
（３）中をほぼ直進し、黒化処理層（７）の表面におい
て反射したり、散乱したりすることがない。このためフ
ォトレジスト（３）は、破線ａで示す本来の非露光領域
以外の部分のみが露光硬化される。

従って従来の方法のように、マスクパターン（４１）の
形状を補正する必要がなく、作業性の向上と高精度化を
はかることができ、特にＩＣの高集積度化に伴う各種パ
ターンの微細化を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ−Ｄは本発明によるプリント基板の製造方法の
一例の工程図、第２図Ａ−Ｄは従来の製造工程を示す工
程図、第３図は露光マスクパターンを示す平面図である
。 （１）は絶縁基板、（２）は金属層、（３）はフォトレ
ジスト、（４）は露光マスク、（４１）はマスクパター
ン、（６）はフォトレジストパターン、（６ａ〉及び（
６ｃ）は開口部、（７）は黒化処理層、（１４）はメツ
キ層、Ｗ　ａ　＋　Ｗ　ｂ　＋Ｗ　ｃ　＋　Ｗ　ｄ及び
Ｗは幅、Ｌは光である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 プリント基板の製造工程の、絶縁基板上に被着された金
   属層表面にフォトレジストパターンを形成する工程にお
   いて、 上記金属層表面に、光吸収する黒化処理を行った後に、
   フォトレジストの塗布、パターン露光、現像処理を行っ
   てフォトレジストパターンを形成し、 該フォトレジストパターンをマスクとする上記金属層に
   対する処理を行う ことを特徴とするプリント基板の製造方法。