JPS60235426A - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法Info
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- JPS60235426A JPS60235426A JP9217884A JP9217884A JPS60235426A JP S60235426 A JPS60235426 A JP S60235426A JP 9217884 A JP9217884 A JP 9217884A JP 9217884 A JP9217884 A JP 9217884A JP S60235426 A JPS60235426 A JP S60235426A
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- resist
- wiring
- integrated circuit
- carbon
- circuit device
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- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体集積回路装置の製造方法に関し、時には
電極配線層形成方法に関するものである。
電極配線層形成方法に関するものである。
従来の電極配線J11形成方法は、第1図(a)に示す
ように半導体基板上に配線用金属材料An等を蒸着し、
その上に写真食刻用感光材(以下レジストと称する)を
塗布する。次に第1図(b)に示すようvc檜託血光あ
入−け船互霞をに卦すて電光L−モの後現像を行う。次
に第1図(c)に示すように第1図(b)にて形成した
レジストパターンをマスクとして電極配線用金属のエツ
チングを行う。次に、第1図(a) K示すようにマス
クとして使用したレジストを除去し、所望の配線パター
ンを得るものである。第1回(θ)は第1図(d)の1
−1′線に沿った断面図である。しかしながら、Δλな
どでは露光に用いる光の反射率が高く、ポジ(陽画)型
レジストを用いた場合、第1図(cl)交差部Δでは反
射した光によって形成したパターンにくびれが生じる。
ように半導体基板上に配線用金属材料An等を蒸着し、
その上に写真食刻用感光材(以下レジストと称する)を
塗布する。次に第1図(b)に示すようvc檜託血光あ
入−け船互霞をに卦すて電光L−モの後現像を行う。次
に第1図(c)に示すように第1図(b)にて形成した
レジストパターンをマスクとして電極配線用金属のエツ
チングを行う。次に、第1図(a) K示すようにマス
クとして使用したレジストを除去し、所望の配線パター
ンを得るものである。第1回(θ)は第1図(d)の1
−1′線に沿った断面図である。しかしながら、Δλな
どでは露光に用いる光の反射率が高く、ポジ(陽画)型
レジストを用いた場合、第1図(cl)交差部Δでは反
射した光によって形成したパターンにくびれが生じる。
特に第1図(a)交差部Bのような箇所では下地段差の
角に近いため、光の集中で配線パターンのくびれが著し
いものとなり、不良の原因となっている。
角に近いため、光の集中で配線パターンのくびれが著し
いものとなり、不良の原因となっている。
本発明は、上記欠点を除去するだめの製造方法であり、
第2図1 (a)に示すように配:腺金属層のA2を蒸
着した後さらVこその上に例えばカーボン(炭素)k1
000Alj度蒸着し、その後レジス)=1翅布する。
第2図1 (a)に示すように配:腺金属層のA2を蒸
着した後さらVこその上に例えばカーボン(炭素)k1
000Alj度蒸着し、その後レジス)=1翅布する。
次に粛2図(1))に示すように投影露光あるいは転写
露光においてh元し、七の後現像を行う。次に第2図(
e)にかすように第2図(b)にて形成したレジストパ
ターンをマスクとしてta配線用金属のエツチングを行
う。次に第2図(a)に示すようにマスクとして使用し
たレジストを除去し、所望の1線パターンを得るもので
ある。第2図(e)(は第2図(,1)のn−n’線に
沿った断面図である。すなわち、本発明によればカーボ
ン?蒸着したことによって配線金属層の露光光の反射率
ケ低下させ、配線パターンのくびれを少なくし、不良率
の低減が可能となる。
露光においてh元し、七の後現像を行う。次に第2図(
e)にかすように第2図(b)にて形成したレジストパ
ターンをマスクとしてta配線用金属のエツチングを行
う。次に第2図(a)に示すようにマスクとして使用し
たレジストを除去し、所望の1線パターンを得るもので
ある。第2図(e)(は第2図(,1)のn−n’線に
沿った断面図である。すなわち、本発明によればカーボ
ン?蒸着したことによって配線金属層の露光光の反射率
ケ低下させ、配線パターンのくびれを少なくし、不良率
の低減が可能となる。
第1図(a)〜(C)は電極配線完成前の製造工程順の
断面図、第1図(d)(は完成後の平面図、第1図(e
)は第1図(d)の!−I′線に沿った断面(ロ)、第
2図(a)〜(C)は本発明の実袖例で電極配線完成前
の製造工程順の断面図、第2図(d) flよ完成後の
平面図、第2図(θ)は第21図(d)のn−n’線に
沿った断面図である。 Δ、B・・・Aμと下地段差との交差部、ARのくびれ
が発生している状態 1・・・レジスト 2・・・カーボン等の光低反射率層 5・・パ電極配線用A2 4・・・81基板上の8102等 5・・・段差とな/) P OL Y (多結晶)81
等6・・・81基板 7・・・k↓元元 以上 出−(人 セイコーを子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 11図 !
断面図、第1図(d)(は完成後の平面図、第1図(e
)は第1図(d)の!−I′線に沿った断面(ロ)、第
2図(a)〜(C)は本発明の実袖例で電極配線完成前
の製造工程順の断面図、第2図(d) flよ完成後の
平面図、第2図(θ)は第21図(d)のn−n’線に
沿った断面図である。 Δ、B・・・Aμと下地段差との交差部、ARのくびれ
が発生している状態 1・・・レジスト 2・・・カーボン等の光低反射率層 5・・パ電極配線用A2 4・・・81基板上の8102等 5・・・段差とな/) P OL Y (多結晶)81
等6・・・81基板 7・・・k↓元元 以上 出−(人 セイコーを子工業株式会社 代理人 弁理士 最 上 務 11図 !
Claims (1)
- 電極配線用金属を蒸着する工程と、その上に光学的反射
率層を形成する工程と、写真食刻用感光材を塗布する工
程と、それを露光、現像する工程と、電極配線用金属を
エツチングする工程とから成る半導体集積回路装置の製
造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9217884A JPS60235426A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9217884A JPS60235426A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60235426A true JPS60235426A (ja) | 1985-11-22 |
Family
ID=14047177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9217884A Pending JPS60235426A (ja) | 1984-05-09 | 1984-05-09 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60235426A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5437961A (en) * | 1990-11-27 | 1995-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
US5445710A (en) * | 1991-01-22 | 1995-08-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
US5656128A (en) * | 1993-03-26 | 1997-08-12 | Fujitsu Limited | Reduction of reflection by amorphous carbon |
US5707487A (en) * | 1991-01-22 | 1998-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
US5750316A (en) * | 1994-03-18 | 1998-05-12 | Fujitsu Limited | Manufacture of semiconductor device using a-c anti-reflection coating |
US6007732A (en) * | 1993-03-26 | 1999-12-28 | Fujitsu Limited | Reduction of reflection by amorphous carbon |
US6420095B1 (en) | 1994-03-18 | 2002-07-16 | Fujitsu Limited | Manufacture of semiconductor device using A-C anti-reflection coating |
-
1984
- 1984-05-09 JP JP9217884A patent/JPS60235426A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5437961A (en) * | 1990-11-27 | 1995-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
US5445710A (en) * | 1991-01-22 | 1995-08-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
US5707487A (en) * | 1991-01-22 | 1998-01-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
US5656128A (en) * | 1993-03-26 | 1997-08-12 | Fujitsu Limited | Reduction of reflection by amorphous carbon |
US6007732A (en) * | 1993-03-26 | 1999-12-28 | Fujitsu Limited | Reduction of reflection by amorphous carbon |
US5750316A (en) * | 1994-03-18 | 1998-05-12 | Fujitsu Limited | Manufacture of semiconductor device using a-c anti-reflection coating |
US6420095B1 (en) | 1994-03-18 | 2002-07-16 | Fujitsu Limited | Manufacture of semiconductor device using A-C anti-reflection coating |
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