JPS60123842A - ホトマスクの製造方法 - Google Patents
ホトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPS60123842A JPS60123842A JP58232310A JP23231083A JPS60123842A JP S60123842 A JPS60123842 A JP S60123842A JP 58232310 A JP58232310 A JP 58232310A JP 23231083 A JP23231083 A JP 23231083A JP S60123842 A JPS60123842 A JP S60123842A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ion
- implanted
- layer
- photomask
- metallic
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/80—Etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半池体年稙［ｊｌ路の嗜造工程で被処理的体、
匈えけ°半導体ウェハー上のホトレジスト欣を選択αζ
、光するために用いられるホトマスク製造法に関するも
のである。
匈えけ°半導体ウェハー上のホトレジスト欣を選択αζ
、光するために用いられるホトマスク製造法に関するも
のである。
一般にホトマスクの製造方法としてはホトレジストを用
いる写真製版技術が用いられている。その例をν、 Ｉ
Ｖｌ（Ａ）〜（Ｃ）にて散開する。第１図（へ）にお
いて１はガラス等の透明基板２はクロム等金楓層である
。マスクパターンを形成するには、金属層２上にホトレ
ジスト３を塗布し、このレジスト３に紫外線４を選択的
に照射する。ひきつづき掬体し、残ったレジストパター
ン３をマスクトシて、金属層２のエツチングを行なうと
第１図（Ｂ）のような状態になる。つづいて、レジスト
３を除去すれは第１図（Ｃ）のようなホトマスクが製造
される。
いる写真製版技術が用いられている。その例をν、 Ｉ
Ｖｌ（Ａ）〜（Ｃ）にて散開する。第１図（へ）にお
いて１はガラス等の透明基板２はクロム等金楓層である
。マスクパターンを形成するには、金属層２上にホトレ
ジスト３を塗布し、このレジスト３に紫外線４を選択的
に照射する。ひきつづき掬体し、残ったレジストパター
ン３をマスクトシて、金属層２のエツチングを行なうと
第１図（Ｂ）のような状態になる。つづいて、レジスト
３を除去すれは第１図（Ｃ）のようなホトマスクが製造
される。
しかし々から上記のような方法ではホトレジストの解像
度、金ｒ層との密着性等が間かとなシ、又複頼、な写Ｘ
製版技術を用いる為、製造時間も長いという欠点が存在
した。
度、金ｒ層との密着性等が間かとなシ、又複頼、な写Ｘ
製版技術を用いる為、製造時間も長いという欠点が存在
した。
本発明は係る点に鑑み、なさねたものであって、すなわ
ち質来のホトレ少ストプロセスを用いずにホトマスクを
製造する方法を提供するものである。
ち質来のホトレ少ストプロセスを用いずにホトマスクを
製造する方法を提供するものである。
本発明の唱徴は、金属層に選択的に金属イオンを注入し
てエツチング速度を変える事によシホトマスク製造を行
なう方法である。
てエツチング速度を変える事によシホトマスク製造を行
なう方法である。
次に本発明の実施例を図面を参照して散開する。
負１２図（Ａ）において１はガラス等の透明基鈑で２り
Ｄ ２ ｉ、を金属層（例えばクロムわるいは酢化ク
ロム膜）である。上記金属層２にイオン線籍光装埴（た
とえば、Ａｌｆｒｅｄ Ｗａｇｎｅｎ、Ｓｏｌ ｉｄ
８ｔａｔｅｔｅｃｈ、、’Ｖｏ１．２６ 、Ｐ９７ 、
１９８３年参照）を用いタングステンイオン５を選択的
に照射し、同イオンを注入テる。注入するイオン種およ
びイオン量を適尚に辿ぶ事よシ、次に行なうガスプラズ
マによる上記金属層２のエツチング工程においてｆＥ入
部分のエツチングｉ（度を注入されない金綽層部分に比
べ著しく大きくすることが出来る。例えばタングステン
イオンの注入されていない酸化クロム層の四塩仕炭紮、
ガスプラズマによるエツチング速度は２００Ａ／ｍｉｎ
であり、注入されている部分はエツチング不可でおる。
Ｄ ２ ｉ、を金属層（例えばクロムわるいは酢化ク
ロム膜）である。上記金属層２にイオン線籍光装埴（た
とえば、Ａｌｆｒｅｄ Ｗａｇｎｅｎ、Ｓｏｌ ｉｄ
８ｔａｔｅｔｅｃｈ、、’Ｖｏ１．２６ 、Ｐ９７ 、
１９８３年参照）を用いタングステンイオン５を選択的
に照射し、同イオンを注入テる。注入するイオン種およ
びイオン量を適尚に辿ぶ事よシ、次に行なうガスプラズ
マによる上記金属層２のエツチング工程においてｆＥ入
部分のエツチングｉ（度を注入されない金綽層部分に比
べ著しく大きくすることが出来る。例えばタングステン
イオンの注入されていない酸化クロム層の四塩仕炭紮、
ガスプラズマによるエツチング速度は２００Ａ／ｍｉｎ
であり、注入されている部分はエツチング不可でおる。
従ってドライエツチングを行なり事によシ上記イオン注
入を行なったパターンのみが外り糖２図（Ｂ）に示す通
）ホトマスクが製造できる。このような方法を用いるこ
とにより、ホトレジストを用いた場合の複雑な工程を省
略でき、イオンビーム露光、ドライエツチングの２工程
のみヤホトマスクを製造する事が出来る。
入を行なったパターンのみが外り糖２図（Ｂ）に示す通
）ホトマスクが製造できる。このような方法を用いるこ
とにより、ホトレジストを用いた場合の複雑な工程を省
略でき、イオンビーム露光、ドライエツチングの２工程
のみヤホトマスクを製造する事が出来る。
−第１図（Ａ）〜（Ｃ）は従来のホトマスク碧Ｚ造方法
を説明する模式断面図、第２図（Ａ） 、 （Ｂ）は本
発明の一実施例を詩明する模式断面図でるる。 尚、図において、１・・・・・・カラス厚板、２・・・
・・・金属層、３・・・・・・ホトレジスト、４・・・
・・・紫外ｍ、５・・・・・・イオン注入（イオン流）
である。 穿、ｌ 図 第２ 図
を説明する模式断面図、第２図（Ａ） 、 （Ｂ）は本
発明の一実施例を詩明する模式断面図でるる。 尚、図において、１・・・・・・カラス厚板、２・・・
・・・金属層、３・・・・・・ホトレジスト、４・・・
・・・紫外ｍ、５・・・・・・イオン注入（イオン流）
である。 穿、ｌ 図 第２ 図
Claims (1)
- 透川、ガラス基板上の一主平面上に形成された金属層に
選択的に所定のイオンを注入する工程と、ドライエツチ
ング法によシ反応性がスズ２女マ中で訂金金層をエツチ
ングする工程とを有する事を・％雀とするホトマスクの
製造方法、）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232310A JPS60123842A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | ホトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58232310A JPS60123842A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | ホトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60123842A true JPS60123842A (ja) | 1985-07-02 |
Family
ID=16937195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58232310A Pending JPS60123842A (ja) | 1983-12-09 | 1983-12-09 | ホトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60123842A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358446A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Hoya Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPH07327907A (ja) * | 1994-06-03 | 1995-12-19 | Koyo Autom Mach Co Ltd | 容器類の洗浄装置 |
-
1983
- 1983-12-09 JP JP58232310A patent/JPS60123842A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6358446A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Hoya Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPH07327907A (ja) * | 1994-06-03 | 1995-12-19 | Koyo Autom Mach Co Ltd | 容器類の洗浄装置 |
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