JPH0667404A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0667404A JPH0667404A JP22390592A JP22390592A JPH0667404A JP H0667404 A JPH0667404 A JP H0667404A JP 22390592 A JP22390592 A JP 22390592A JP 22390592 A JP22390592 A JP 22390592A JP H0667404 A JPH0667404 A JP H0667404A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- pattern
- resist
- forming
- patterns
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 精度の高いパターン転写が可能なフォトマス
クの製造方法を得る。 【構成】 透明基板上１１に所望の誘電体パターン１５
と等しい厚さの金属膜１２ａと電子線描画用レジスト膜
１３ａとを順次形成する工程と、電子線描画用レジスト
膜１３ａの所望の誘電体パターン１５に対応する部分を
除去してレジストパターン１３を形成する工程と、レジ
ストパターン１３をマスクにして金属膜１２ａの露出し
ている部分を除去して金属パターン１２を形成する工程
と、透明基板１１および金属パターン１２上に誘電体膜
１５ａとレジスト膜１６とを順次形成する工程と、誘電
体膜１５ａおよびレジスト膜１６を金属パターン１２の
上面が露出するまで除去する工程と、金属パターン１２
を除去して所望の誘電体パターンを形成する工程とを包
含する。
クの製造方法を得る。 【構成】 透明基板上１１に所望の誘電体パターン１５
と等しい厚さの金属膜１２ａと電子線描画用レジスト膜
１３ａとを順次形成する工程と、電子線描画用レジスト
膜１３ａの所望の誘電体パターン１５に対応する部分を
除去してレジストパターン１３を形成する工程と、レジ
ストパターン１３をマスクにして金属膜１２ａの露出し
ている部分を除去して金属パターン１２を形成する工程
と、透明基板１１および金属パターン１２上に誘電体膜
１５ａとレジスト膜１６とを順次形成する工程と、誘電
体膜１５ａおよびレジスト膜１６を金属パターン１２の
上面が露出するまで除去する工程と、金属パターン１２
を除去して所望の誘電体パターンを形成する工程とを包
含する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ガラス基板上にエッ
チングストッパー膜を用いずに誘電体パターンを形成す
るフォトマスクの製造方法に関するものである。
チングストッパー膜を用いずに誘電体パターンを形成す
るフォトマスクの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来における位相シフト型フォト
マスクの製造工程を示す模式断面図である。まず、図３
（ａ）に示すように、例えばガラス等の透明基板１上に
エッチングストッパー膜２を形成し、この上面に誘電体
膜３ａを例えばＳＯＧ塗布あるいはＳｉＯ2スパッタ等
で形成する。次いで電子線描画用レジスト膜（以下ＥＢ
レジスト膜と称す）４ａとして、例えばポジレジストを
塗布する。そして、このＥＢレジスト膜４ａの、後述す
る所望の誘電体パターン３に対応する部分を除く他の部
分に電子線５を照射する。
マスクの製造工程を示す模式断面図である。まず、図３
（ａ）に示すように、例えばガラス等の透明基板１上に
エッチングストッパー膜２を形成し、この上面に誘電体
膜３ａを例えばＳＯＧ塗布あるいはＳｉＯ2スパッタ等
で形成する。次いで電子線描画用レジスト膜（以下ＥＢ
レジスト膜と称す）４ａとして、例えばポジレジストを
塗布する。そして、このＥＢレジスト膜４ａの、後述す
る所望の誘電体パターン３に対応する部分を除く他の部
分に電子線５を照射する。
【０００３】次に、図３（ｂ）に示すようにＥＢレジス
ト膜４ａを現像、エッチング処理してレジストパターン
４を形成する。そして、図３（ｃ）に示すようにレジス
トパターン４をマスクとして、透明基板１を異法性の反
応イオンエッチング（以下ＲＩＥと称す）処理を行い、
下地の誘電体膜３ａを選択的にエッチング除去して行
き、エッチングストッパー膜２が露出した時点でＲＩＥ
を終了する。そして最後に、透明基板１をアッシング処
理してレジストパターン４を除去すると、図３（ｄ）に
示すように透明基板上にはエッチングストッパー膜２を
介して所望の誘電体パターン３が形成され、位相シフト
型フォトマスクが得られる。
ト膜４ａを現像、エッチング処理してレジストパターン
４を形成する。そして、図３（ｃ）に示すようにレジス
トパターン４をマスクとして、透明基板１を異法性の反
応イオンエッチング（以下ＲＩＥと称す）処理を行い、
下地の誘電体膜３ａを選択的にエッチング除去して行
き、エッチングストッパー膜２が露出した時点でＲＩＥ
を終了する。そして最後に、透明基板１をアッシング処
理してレジストパターン４を除去すると、図３（ｄ）に
示すように透明基板上にはエッチングストッパー膜２を
介して所望の誘電体パターン３が形成され、位相シフト
型フォトマスクが得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフト型フ
ォトマスクは以上のような製造方法で形成され、誘電体
パターン３と透明基板１との間にエッチングストッパー
膜２が介在されているので、この位相シフト型フォトマ
スクを介してＳｉウエハ等に紫外線を用いてパターン転
写を行うと、エッチングストッパー膜２の紫外線透過率
が低いために、像がぼけて精度の高いパターン転写が得
られないという問題点があった。
ォトマスクは以上のような製造方法で形成され、誘電体
パターン３と透明基板１との間にエッチングストッパー
膜２が介在されているので、この位相シフト型フォトマ
スクを介してＳｉウエハ等に紫外線を用いてパターン転
写を行うと、エッチングストッパー膜２の紫外線透過率
が低いために、像がぼけて精度の高いパターン転写が得
られないという問題点があった。
【０００５】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、エッチングストッパー膜を不要
とすることにより、精度の高いパターン転写が可能なフ
ォトマスクの製造方法を提供することを目的とするもの
である。
ためになされたもので、エッチングストッパー膜を不要
とすることにより、精度の高いパターン転写が可能なフ
ォトマスクの製造方法を提供することを目的とするもの
である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係るフォトマ
スクの製造方法は、透明基板上に所望の誘電体パターン
と等しい厚さの金属膜と電子線描画用レジスト膜とを順
次形成する工程と、電子線描画用レジスト膜の所望の誘
電体パターンに対応する部分を除去してレジストパター
ンを形成する工程と、レジストパターンをマスクにして
金属膜の露出している部分を除去して金属パターンを形
成する工程と、透明基板および金属パターン上に誘電体
膜とレジスト膜とを順次形成する工程と、誘電体膜およ
びレジスト膜を金属パターンの上面が露出するまで除去
する工程と、金属パターンを除去して所望の誘電体パタ
ーンを形成する工程とを包含したものである。
スクの製造方法は、透明基板上に所望の誘電体パターン
と等しい厚さの金属膜と電子線描画用レジスト膜とを順
次形成する工程と、電子線描画用レジスト膜の所望の誘
電体パターンに対応する部分を除去してレジストパター
ンを形成する工程と、レジストパターンをマスクにして
金属膜の露出している部分を除去して金属パターンを形
成する工程と、透明基板および金属パターン上に誘電体
膜とレジスト膜とを順次形成する工程と、誘電体膜およ
びレジスト膜を金属パターンの上面が露出するまで除去
する工程と、金属パターンを除去して所望の誘電体パタ
ーンを形成する工程とを包含したものである。
【０００７】
【作用】この発明におけるフォトマスクの製造方法は、
所望の誘電体パターンと等しい厚さの金属パターンを形
成して、金属パターン上面をエッチングストッパーとし
て機能させることにより精度の高いパターン転写を可能
とし、又、下地に金属膜を形成することにより電子線描
画の際のＥＢレジスト膜の帯電を防止する。
所望の誘電体パターンと等しい厚さの金属パターンを形
成して、金属パターン上面をエッチングストッパーとし
て機能させることにより精度の高いパターン転写を可能
とし、又、下地に金属膜を形成することにより電子線描
画の際のＥＢレジスト膜の帯電を防止する。
【０００８】
実施例１．以下、この発明の実施例を図について説明す
る。図１はこの発明の実施例１における位相シフト型フ
ォトマスクの製造工程を示す模式断面図である。まず、
図１（ａ）に示すように、例えばガラス等の透明基板１
１上に、後述する所望の誘電体パターン１５の厚さに等
しい膜厚で、例えばＡｌ、Ｃｒなどでなる金属膜１２ａ
を形成する。そして、この上面に例えばポジレジストと
などのＥＢレジスト膜１３ａを形成し、このＥＢレジス
ト膜１３ａの所望の誘電体パターン１５に対応する部分
に電子線１４を照射する。
る。図１はこの発明の実施例１における位相シフト型フ
ォトマスクの製造工程を示す模式断面図である。まず、
図１（ａ）に示すように、例えばガラス等の透明基板１
１上に、後述する所望の誘電体パターン１５の厚さに等
しい膜厚で、例えばＡｌ、Ｃｒなどでなる金属膜１２ａ
を形成する。そして、この上面に例えばポジレジストと
などのＥＢレジスト膜１３ａを形成し、このＥＢレジス
ト膜１３ａの所望の誘電体パターン１５に対応する部分
に電子線１４を照射する。
【０００９】次に、図１（ｂ）に示すようにＥＢレジス
ト膜１３ａを現像、エッチング処理してレジストパター
ン１３を形成する。そして、図１（ｃ）に示すようにレ
ジストパターン１３をマスクとして、金属膜をＲＩＥ処
理し金属パターン１２を形成し、図１（ｄ）に示すよう
に、この上面に誘電体膜１５ａを例えばＳＯＧ塗布ある
いはＳｉＯ2スパッタ等で金属パターン１２の膜厚より
厚く形成するとともに、この上に誘電体膜１５ａと同程
度のエッチングレートを持つレジスト膜１６を塗布し平
坦度を上げる。次に、図１（ｅ）に示すように誘電体膜
１５ａおよびレジスト膜１６を金属パターン１２が露出
するまでエッチング除去し、最後に、図１（ｆ）に示す
ようにＨＣｌなどでウエット処理し金属パターン１２を
除去することによって、透明基板上には誘電体パターン
１５が形成され、位相シフト型フォトマスクが得られ
る。
ト膜１３ａを現像、エッチング処理してレジストパター
ン１３を形成する。そして、図１（ｃ）に示すようにレ
ジストパターン１３をマスクとして、金属膜をＲＩＥ処
理し金属パターン１２を形成し、図１（ｄ）に示すよう
に、この上面に誘電体膜１５ａを例えばＳＯＧ塗布ある
いはＳｉＯ2スパッタ等で金属パターン１２の膜厚より
厚く形成するとともに、この上に誘電体膜１５ａと同程
度のエッチングレートを持つレジスト膜１６を塗布し平
坦度を上げる。次に、図１（ｅ）に示すように誘電体膜
１５ａおよびレジスト膜１６を金属パターン１２が露出
するまでエッチング除去し、最後に、図１（ｆ）に示す
ようにＨＣｌなどでウエット処理し金属パターン１２を
除去することによって、透明基板上には誘電体パターン
１５が形成され、位相シフト型フォトマスクが得られ
る。
【００１０】上記のようなこの発明の実施例１における
製造方法で得られる位相シフト型フォトマスクは、従来
のもののようにエッチングストッパー膜を介在すること
なく、透明基板１１上に直接誘電体パターン１５が形成
されているので、紫外線の透過率が良くなり精度の高い
パターン転写が得られ、又、電子線描画の際、下地に金
属膜１２ａが介在しているので、ＥＢレジストが帯電す
ることも防止される。
製造方法で得られる位相シフト型フォトマスクは、従来
のもののようにエッチングストッパー膜を介在すること
なく、透明基板１１上に直接誘電体パターン１５が形成
されているので、紫外線の透過率が良くなり精度の高い
パターン転写が得られ、又、電子線描画の際、下地に金
属膜１２ａが介在しているので、ＥＢレジストが帯電す
ることも防止される。
【００１１】実施例２．図２はこの発明の実施例２にお
ける位相シフト型フォトマスクの製造工程を示す模式断
面図である。なお、上記実施例においては、誘電体パタ
ーン１５のみを有する位相シフト型フォトマスクの製造
方法について説明したが、誘電体パターンおよび金属パ
ターンを同一基板上に有する位相シフト型フォトマスク
の製造方法に適用することも可能である。
ける位相シフト型フォトマスクの製造工程を示す模式断
面図である。なお、上記実施例においては、誘電体パタ
ーン１５のみを有する位相シフト型フォトマスクの製造
方法について説明したが、誘電体パターンおよび金属パ
ターンを同一基板上に有する位相シフト型フォトマスク
の製造方法に適用することも可能である。
【００１２】以下、この発明の実施例２における位相シ
フト型フォトマスクの製造方法を図２に基づいて説明す
る。まず、上記実施例１の場合と同様に、図１（ａ）〜
図１（ｅ）までの製造工程を行う。次に、金属パターン
１２および誘電体パターン１５の上面に例えばポジレジ
ストなどのＥＢレジスト膜１７ａを図２（ａ）に示すよ
うに形成し、金属パターン１２のうちで不要な部分に対
応する範囲に電子線１４を照射する。次に図２（ｂ）に
示すようにＥＢレジスト膜１７ａを現像、エッチング処
理してレジストパターン１７を形成し、このレジストパ
ターン１７をマスクとして、図２（ｃ）に示すように下
地の金属パターン１２をウェットエッチング処理により
選択的に除去する。そして最後に、アッシング処理によ
りレジストパターン１７を除去すると、図２（ｄ）に示
すように、透明基板１１上には金属パターン１２および
誘電体パターン１５を有する位相シフト型フォトマスク
が得られる。
フト型フォトマスクの製造方法を図２に基づいて説明す
る。まず、上記実施例１の場合と同様に、図１（ａ）〜
図１（ｅ）までの製造工程を行う。次に、金属パターン
１２および誘電体パターン１５の上面に例えばポジレジ
ストなどのＥＢレジスト膜１７ａを図２（ａ）に示すよ
うに形成し、金属パターン１２のうちで不要な部分に対
応する範囲に電子線１４を照射する。次に図２（ｂ）に
示すようにＥＢレジスト膜１７ａを現像、エッチング処
理してレジストパターン１７を形成し、このレジストパ
ターン１７をマスクとして、図２（ｃ）に示すように下
地の金属パターン１２をウェットエッチング処理により
選択的に除去する。そして最後に、アッシング処理によ
りレジストパターン１７を除去すると、図２（ｄ）に示
すように、透明基板１１上には金属パターン１２および
誘電体パターン１５を有する位相シフト型フォトマスク
が得られる。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば透明基
板上に所望の誘電体パターンと等しい厚さの金属膜と電
子線描画用レジスト膜とを順次形成する工程と、電子線
描画用レジスト膜の所望の誘電体パターンに対応する部
分を除去してレジストパターンを形成する工程と、レジ
ストパターンをマスクにして金属膜の露出している部分
を除去して金属パターンを形成する工程と、透明基板お
よび金属パターン上に誘電体膜とレジスト膜とを順次形
成する工程と、誘電体膜およびレジスト膜を金属パター
ンの上面が露出するまで除去する工程と、金属パターン
を除去して所望の誘電体パターンを形成する工程とを包
含することにより、エッチングストッパー膜を不要とし
精度の高いパターン転写が可能なフォトマスクの製造方
法を提供することができる。
板上に所望の誘電体パターンと等しい厚さの金属膜と電
子線描画用レジスト膜とを順次形成する工程と、電子線
描画用レジスト膜の所望の誘電体パターンに対応する部
分を除去してレジストパターンを形成する工程と、レジ
ストパターンをマスクにして金属膜の露出している部分
を除去して金属パターンを形成する工程と、透明基板お
よび金属パターン上に誘電体膜とレジスト膜とを順次形
成する工程と、誘電体膜およびレジスト膜を金属パター
ンの上面が露出するまで除去する工程と、金属パターン
を除去して所望の誘電体パターンを形成する工程とを包
含することにより、エッチングストッパー膜を不要とし
精度の高いパターン転写が可能なフォトマスクの製造方
法を提供することができる。
【図１】この発明の実施例１における位相シフトマスク
型フォトマスクの製造工程を示す模式断面図である。
型フォトマスクの製造工程を示す模式断面図である。
【図２】この発明の実施例２における位相シフト型フォ
トマスクの製造工程を示す模式断面図である。
トマスクの製造工程を示す模式断面図である。
【図３】従来における位相シフト型フォトマスクの製造
工程を示す模式断面図である。
工程を示す模式断面図である。
１、１１ 透明基板 ２ エッチングストッパー ３、１５ 誘電体パターン ３ａ、１５ａ 誘電体膜 ４、１３、１７ レジストパターン ４ａ、１３ａ、１７ａ ＥＢレジスト膜 ５、１４ 電子線 １２ 金属パターン １２ａ 金属膜 １６ レジスト膜
Claims (1)
- 【請求項１】 透明基板上所望の誘電体パターンと等し
い厚さの金属膜と電子線描画用レジスト膜とを順次形成
する工程と、上記電子線描画用レジスト膜の上記所望の
誘電体パターンに対応する部分を除去してレジストパタ
ーンを形成する工程と、上記レジストパターンをマスク
にして上記金属膜の露出している部分を除去して金属パ
ターンを形成する工程と、上記透明基板および金属パタ
ーン上に誘電体膜とレジスト膜とを順次形成する工程
と、上記誘電体膜およびレジスト膜を上記金属パターン
の上面が露出するまで除去する工程と、上記金属パター
ンを除去して所望の誘電体パターンを形成する工程とを
包含したことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22390592A JP2745988B2 (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | フォトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22390592A JP2745988B2 (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0667404A true JPH0667404A (ja) | 1994-03-11 |
| JP2745988B2 JP2745988B2 (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=16805550
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22390592A Expired - Lifetime JP2745988B2 (ja) | 1992-08-24 | 1992-08-24 | フォトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2745988B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4887515A (en) * | 1987-09-29 | 1989-12-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Hydraulic cylinder apparatus |
| US7026099B2 (en) | 2002-04-24 | 2006-04-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device |
-
1992
- 1992-08-24 JP JP22390592A patent/JP2745988B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4887515A (en) * | 1987-09-29 | 1989-12-19 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Hydraulic cylinder apparatus |
| US7026099B2 (en) | 2002-04-24 | 2006-04-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and method for manufacturing semiconductor device |
| CN100403167C (zh) * | 2002-04-24 | 2008-07-16 | 株式会社东芝 | 图案形成方法和半导体器件的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2745988B2 (ja) | 1998-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3312703B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの修正方法 | |
| US4661426A (en) | Process for manufacturing metal silicide photomask | |
| US5591549A (en) | Self aligning fabrication method for sub-resolution phase shift mask | |
| JP2745988B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPH0463349A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスク | |
| JP3301557B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| JP3225074B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| JP2909317B2 (ja) | フォトマスク | |
| JPH0580492A (ja) | 位相シフト層を有するフオトマスクの製造方法 | |
| JP3257130B2 (ja) | エッジ強調型位相シフトマスクの製造方法 | |
| JP2908649B2 (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
| US5498497A (en) | Method for manufacturing a phase shift mask | |
| JP3449508B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの作製方法 | |
| JP3222531B2 (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法 | |
| JPH05134386A (ja) | 位相シフトフオトマスク | |
| JPH0366656B2 (ja) | ||
| JPH03235947A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH05281702A (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
| JPH04304452A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスク及びその製造方法 | |
| JP3207913B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| JPS6097357A (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| JPH06110192A (ja) | ホトマスク製造方法 | |
| JPH05165189A (ja) | 光学マスク及びその修正方法 | |
| JPH0683033A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH04225353A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクの製造方法 |