JPH0683033A - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
位相シフトマスク及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH0683033A JPH0683033A JP25736092A JP25736092A JPH0683033A JP H0683033 A JPH0683033 A JP H0683033A JP 25736092 A JP25736092 A JP 25736092A JP 25736092 A JP25736092 A JP 25736092A JP H0683033 A JPH0683033 A JP H0683033A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- mask
- shifter
- substrate
- phase shift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims abstract description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 15
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 2
- YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)molybdenum Chemical compound [Si]=[Mo]=[Si] YXTPWUNVHCYOSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910021344 molybdenum silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 2
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020968 MoSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスク欠陥を減少するとともにマスク修正を
容易にできる位相シフトマスク及びその製造方法を得
る。 【構成】 マスクパターン基板７に形成されたマスクパ
ターン２と、シフトパターン基板８に形成されたシフタ
パターン３とからなり、マスクパターン２のパターン面
９とシフタパターン３のパターン面１０とを所定のパタ
ーン間隔１１を有して対向させ、マスクパターン２とシ
フタパターン３とが照射光に対し所要量だけ重なるよう
にアライメントして一体的に保持してなる位相シフトマ
スクとした。
容易にできる位相シフトマスク及びその製造方法を得
る。 【構成】 マスクパターン基板７に形成されたマスクパ
ターン２と、シフトパターン基板８に形成されたシフタ
パターン３とからなり、マスクパターン２のパターン面
９とシフタパターン３のパターン面１０とを所定のパタ
ーン間隔１１を有して対向させ、マスクパターン２とシ
フタパターン３とが照射光に対し所要量だけ重なるよう
にアライメントして一体的に保持してなる位相シフトマ
スクとした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は位相シフトマスク及び
その製造方法に関し、特に別々の基板上に形成されたマ
スクパターンとシフタパターンとを所要の位置にて重ね
て保持してなる位相シフトマスク及びその製造方法に関
するものである。
その製造方法に関し、特に別々の基板上に形成されたマ
スクパターンとシフタパターンとを所要の位置にて重ね
て保持してなる位相シフトマスク及びその製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来の位相シフトマスクの製造方
法におけるマスクパターン及びシフタパターンの形成フ
ローであり、図６(h) は従来の位相シフトマスクであ
る。図において、１はガラス基板、２はガラス基板１上
に形成されたマスクパターン、３はマスクパターン２上
に一部重ねて形成されたシフタパターン、４はマスクパ
ターン２を形成するためのモリブデンシリサイド（Ｍｏ
Ｓｉ2 ）等のマスクパターン材料、５はフォトレジス
ト、６はシフタパターンを形成するための酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 膜）等のシフタ材料である。
法におけるマスクパターン及びシフタパターンの形成フ
ローであり、図６(h) は従来の位相シフトマスクであ
る。図において、１はガラス基板、２はガラス基板１上
に形成されたマスクパターン、３はマスクパターン２上
に一部重ねて形成されたシフタパターン、４はマスクパ
ターン２を形成するためのモリブデンシリサイド（Ｍｏ
Ｓｉ2 ）等のマスクパターン材料、５はフォトレジス
ト、６はシフタパターンを形成するための酸化膜（Ｓｉ
Ｏ2 膜）等のシフタ材料である。
【０００３】次に、従来の位相シフトマスクの製造工程
の概略を説明する。まず、図６(a) のように、ガラス基
板１上にマスクパターン材料４を形成する。次に、これ
をパターン化するため、図６(b) のように、マスクパタ
ーン材料４上にフォトレジスト５をパターニングし、こ
れをマスクに下地マスクパターン材料４を、塩素（Ｃｌ
2 ）や六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）等のガスを用いてドラ
イエッチングし（図６(c) ）、その後、フォトレジスト
５を除去し、図６(d) のようなマスクパターン２を形成
する。次に、図６(e) のように、マスクパターン２を形
成したガラス基板１上にシフタ材料６を形成し、同様の
方法でフォトレジスト５をパターニングした（図６(f)
）後、これをマスクにシフタ材料６を、テトラフルオ
ロメタン（ＣＦ4 ）や三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）等の
ガスを用いてドライエッチングし（図６(g) ）、その
後、フォトレジスト５を除去する。このようにして、同
一ガラス基板１上でマスクパターン２に一部重なるよう
にシフタパターン３を形成し、位相シフトマスクを得る
（図６(h) ）。
の概略を説明する。まず、図６(a) のように、ガラス基
板１上にマスクパターン材料４を形成する。次に、これ
をパターン化するため、図６(b) のように、マスクパタ
ーン材料４上にフォトレジスト５をパターニングし、こ
れをマスクに下地マスクパターン材料４を、塩素（Ｃｌ
2 ）や六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）等のガスを用いてドラ
イエッチングし（図６(c) ）、その後、フォトレジスト
５を除去し、図６(d) のようなマスクパターン２を形成
する。次に、図６(e) のように、マスクパターン２を形
成したガラス基板１上にシフタ材料６を形成し、同様の
方法でフォトレジスト５をパターニングした（図６(f)
）後、これをマスクにシフタ材料６を、テトラフルオ
ロメタン（ＣＦ4 ）や三フッ化メタン（ＣＨＦ3 ）等の
ガスを用いてドライエッチングし（図６(g) ）、その
後、フォトレジスト５を除去する。このようにして、同
一ガラス基板１上でマスクパターン２に一部重なるよう
にシフタパターン３を形成し、位相シフトマスクを得る
（図６(h) ）。
【０００４】このように従来の位相シフトマスクは、ガ
ラス基板１上に形成されたマスクパターン２に一部重な
るようにしてシフタパターン３を形成しており、これに
より基板に垂直に入射し該位相シフトマスクを透過する
露光光がシフタパターン部で位相のずれを生じ、該シフ
タパターン部と該シフタパターンのない部分との間の光
強度のコントラストを向上させることができるようにし
ている。
ラス基板１上に形成されたマスクパターン２に一部重な
るようにしてシフタパターン３を形成しており、これに
より基板に垂直に入射し該位相シフトマスクを透過する
露光光がシフタパターン部で位相のずれを生じ、該シフ
タパターン部と該シフタパターンのない部分との間の光
強度のコントラストを向上させることができるようにし
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の位相シフトマス
クは、以上のようにシフタパターンとマスクパターンを
同一ガラス基板上で形成しているので、位相シフトマス
クを得るための製造工程が多く、この工程数の多さから
全体としてパーティクルが多く発生しやすく、これによ
り加工残渣が発生してマスク欠陥が生じやすいという問
題や、レジストパターンを得るためにホトリソグラフィ
技術を２度使用することになり、歩留りが悪くなるとい
う問題があった。またマスクパターン材料やシフタ材料
は、マスクパターンやシフタパターンを形成する際の各
パターン材料とガラス基板間のエッチング時の選択性の
問題や、シフタパターンを形成する際のマスクパターン
材料とシフタパターン材料とのエッチング選択性の問題
を考慮に入れて決める必要があり、従来はモリブデンシ
リサイドをマスクパターン材料として用いてマスクパタ
ーンを形成し、この上にシフタ材料としてＳｉＯ2 膜を
形成してシフタパターンを得ているが、このようにシフ
タパターン加工時の下地膜との関係から材料の選択性に
問題があり、マスク欠陥の発生原因にもなっていた。ま
た、シフタパターン形成時に場合によっては既に形成さ
れたマスクパターン同士が接触してしまい、このマスク
パターン上にシフタパターンを形成するとマスクパター
ンのマスク修正ができなくなるという問題もあった。
クは、以上のようにシフタパターンとマスクパターンを
同一ガラス基板上で形成しているので、位相シフトマス
クを得るための製造工程が多く、この工程数の多さから
全体としてパーティクルが多く発生しやすく、これによ
り加工残渣が発生してマスク欠陥が生じやすいという問
題や、レジストパターンを得るためにホトリソグラフィ
技術を２度使用することになり、歩留りが悪くなるとい
う問題があった。またマスクパターン材料やシフタ材料
は、マスクパターンやシフタパターンを形成する際の各
パターン材料とガラス基板間のエッチング時の選択性の
問題や、シフタパターンを形成する際のマスクパターン
材料とシフタパターン材料とのエッチング選択性の問題
を考慮に入れて決める必要があり、従来はモリブデンシ
リサイドをマスクパターン材料として用いてマスクパタ
ーンを形成し、この上にシフタ材料としてＳｉＯ2 膜を
形成してシフタパターンを得ているが、このようにシフ
タパターン加工時の下地膜との関係から材料の選択性に
問題があり、マスク欠陥の発生原因にもなっていた。ま
た、シフタパターン形成時に場合によっては既に形成さ
れたマスクパターン同士が接触してしまい、このマスク
パターン上にシフタパターンを形成するとマスクパター
ンのマスク修正ができなくなるという問題もあった。
【０００６】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、マスク欠陥を低減できるととも
に、マスク修正を容易にできる位相シフトマスクを得る
ことを目的としており、さらにこの位相シフトマスクに
適した製造方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、マスク欠陥を低減できるととも
に、マスク修正を容易にできる位相シフトマスクを得る
ことを目的としており、さらにこの位相シフトマスクに
適した製造方法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明に係る位相シフ
トマスク及びその製造方法は、基板上にマスクパターン
を形成し、この基板とは別の他の基板上にシフタパター
ンを形成し、両基板をこのマスクパターンとシフタパタ
ーンとが照射光に対して所要の位置関係となるようにア
ライメントして保持するようにしたものである。
トマスク及びその製造方法は、基板上にマスクパターン
を形成し、この基板とは別の他の基板上にシフタパター
ンを形成し、両基板をこのマスクパターンとシフタパタ
ーンとが照射光に対して所要の位置関係となるようにア
ライメントして保持するようにしたものである。
【０００８】
【作用】この発明における位相シフトマスクは、マスク
パターンとシフタパターンとを別々の基板に形成し、こ
の形成されたマスクパターンとシフタパターンを照射光
に対して所要の位置関係になるようにアライメントして
保持し、位相シフトマスクとしての機能を持たせるよう
にしたので、それぞれのパターン形成のための工程数が
少なく、加工マージンが拡大し、これによってパーティ
クルの発生が抑制され、加工残渣などによるマスク欠陥
も減少するとともに、歩留りもよくなる。またマスクパ
ターンとシフタパターンが別々のガラス基板に形成され
るので、シフタパターン加工時のマスクパターン材料と
シフタパターン材料との関係を考慮する必要がなく、下
地膜との選択性の問題が低減され、マスク修正も容易に
行える。
パターンとシフタパターンとを別々の基板に形成し、こ
の形成されたマスクパターンとシフタパターンを照射光
に対して所要の位置関係になるようにアライメントして
保持し、位相シフトマスクとしての機能を持たせるよう
にしたので、それぞれのパターン形成のための工程数が
少なく、加工マージンが拡大し、これによってパーティ
クルの発生が抑制され、加工残渣などによるマスク欠陥
も減少するとともに、歩留りもよくなる。またマスクパ
ターンとシフタパターンが別々のガラス基板に形成され
るので、シフタパターン加工時のマスクパターン材料と
シフタパターン材料との関係を考慮する必要がなく、下
地膜との選択性の問題が低減され、マスク修正も容易に
行える。
【０００９】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１はこの発明の第１の実施例による位相シ
フトマスクの構成を示す断面図であり、同一符号は同一
又は相当部分を示し、７はマスクパターン２を形成した
マスクパターン基板、８はシフタパターン３を形成した
シフタパターン基板である。上記両基板７，８は、マス
クパターン２のパターン面９とシフタパターン３のパタ
ーン面１０を所定のパターン間隔１１を介して対向さ
せ、かつ該両パターン２，３が基板に対して垂直に入力
される照射光に対して所定の位置にて重なるようにアラ
イメントされて、パターン間隔１１を保つように図示し
ない機械的手段により一体的に固定保持されている。
る。 実施例１．図１はこの発明の第１の実施例による位相シ
フトマスクの構成を示す断面図であり、同一符号は同一
又は相当部分を示し、７はマスクパターン２を形成した
マスクパターン基板、８はシフタパターン３を形成した
シフタパターン基板である。上記両基板７，８は、マス
クパターン２のパターン面９とシフタパターン３のパタ
ーン面１０を所定のパターン間隔１１を介して対向さ
せ、かつ該両パターン２，３が基板に対して垂直に入力
される照射光に対して所定の位置にて重なるようにアラ
イメントされて、パターン間隔１１を保つように図示し
ない機械的手段により一体的に固定保持されている。
【００１０】また図２、図３はそれぞれマスクパターン
２、シフタパターン３を形成するためのプロセスフロー
を示したものであり、これらを用いて位相シフトマスク
の製造工程の概略を説明する。
２、シフタパターン３を形成するためのプロセスフロー
を示したものであり、これらを用いて位相シフトマスク
の製造工程の概略を説明する。
【００１１】マスクパターン２は、図６(a) から図６
(d) において既に説明した従来方法と同じ方法で形成さ
れる。すなわち、図２(a），(b) ，(c) ，(d) に示すよ
うに、マスクパターン基板７上にマスクパターン材料
（ＭｏＳｉ2 ）４を形成し、この上に塗布、フォトレジ
スト５をパターニングする。そして、このレジスト５を
マスクに下地マスクパターン材料４を前述したガスを用
いてドライエッチングし、その後レジスト５を除去して
マスクパターン２を形成する。
(d) において既に説明した従来方法と同じ方法で形成さ
れる。すなわち、図２(a），(b) ，(c) ，(d) に示すよ
うに、マスクパターン基板７上にマスクパターン材料
（ＭｏＳｉ2 ）４を形成し、この上に塗布、フォトレジ
スト５をパターニングする。そして、このレジスト５を
マスクに下地マスクパターン材料４を前述したガスを用
いてドライエッチングし、その後レジスト５を除去して
マスクパターン２を形成する。
【００１２】次にシフタパターン３は、従来のようにマ
スクパターン２の形成されたマスクパターン基板７上に
形成するのではなく、図３(a) のように、別のガラス基
板８をシフタパターン基板として、このシフタパターン
基板８上にシフタ材料（ＳｉＯ2 膜）６を形成する。そ
して、このシフタ材料６上に図３(b) に示すようにフォ
トレジスト５を塗布、パターニングし、これをマスクに
下地シフタ材料６を前述したガスを用いてドライエッチ
ングし（図３(c) ）、その後、フォトレジスト５を除去
してシフタパターン３を形成する（図３(d) ）。
スクパターン２の形成されたマスクパターン基板７上に
形成するのではなく、図３(a) のように、別のガラス基
板８をシフタパターン基板として、このシフタパターン
基板８上にシフタ材料（ＳｉＯ2 膜）６を形成する。そ
して、このシフタ材料６上に図３(b) に示すようにフォ
トレジスト５を塗布、パターニングし、これをマスクに
下地シフタ材料６を前述したガスを用いてドライエッチ
ングし（図３(c) ）、その後、フォトレジスト５を除去
してシフタパターン３を形成する（図３(d) ）。
【００１３】こうしてマスクパターン基板７、シフタパ
ターン基板８上にそれぞれ形成されたマスクパターン
２、シフタパターン３は、図１に示すようにマスクパタ
ーン面９とシフタパターン面１０とを対向させ、両パタ
ーン２，３が基板に垂直に入射される照射光に対して所
定の位置関係、即ち一部が重なる関係になるようにアラ
イメントし、かつ両パターン間にパターン間隔１１を介
して機械的手段により固定保持する。
ターン基板８上にそれぞれ形成されたマスクパターン
２、シフタパターン３は、図１に示すようにマスクパタ
ーン面９とシフタパターン面１０とを対向させ、両パタ
ーン２，３が基板に垂直に入射される照射光に対して所
定の位置関係、即ち一部が重なる関係になるようにアラ
イメントし、かつ両パターン間にパターン間隔１１を介
して機械的手段により固定保持する。
【００１４】このように本実施例では、マスクパターン
２とシフタパターン３をそれぞれ別々のガラス基板上に
独立して形成し、該両基板７，８を所定間隔にて、かつ
該両パターン間を所定の位置関係にアライメントして保
持することによって、位相シフトマスクを形成したか
ら、各パターンの形成工程は非常に簡略化されてマスク
欠陥が少なくなり、歩留りもよくなる。またマスクパタ
ーン２、シフタパターン３の修正も両者が別体であるた
め非常に容易となる。また、従来はマスクパターン材料
とシフタパターン材料のエッチング選択性の問題を考慮
する必要があったが、本実施例１のようにマスクパター
ン２とシフタパターン３とを別々のガラス基板上に形成
したことにより上記各材料間のエッチング選択性の問題
を考慮する必要がなくなり、シフタパターン加工時の下
地膜との選択性の問題を低減できる。
２とシフタパターン３をそれぞれ別々のガラス基板上に
独立して形成し、該両基板７，８を所定間隔にて、かつ
該両パターン間を所定の位置関係にアライメントして保
持することによって、位相シフトマスクを形成したか
ら、各パターンの形成工程は非常に簡略化されてマスク
欠陥が少なくなり、歩留りもよくなる。またマスクパタ
ーン２、シフタパターン３の修正も両者が別体であるた
め非常に容易となる。また、従来はマスクパターン材料
とシフタパターン材料のエッチング選択性の問題を考慮
する必要があったが、本実施例１のようにマスクパター
ン２とシフタパターン３とを別々のガラス基板上に形成
したことにより上記各材料間のエッチング選択性の問題
を考慮する必要がなくなり、シフタパターン加工時の下
地膜との選択性の問題を低減できる。
【００１５】実施例２．図４はこの発明の第２の実施例
による位相シフトマスクの断面図である。本実施例２
は、マスクパターン２の表面とシフタパターン基板８の
裏面とを直接接着させたもので、この場合のパターン間
隔１２は、基板間距離でマスクパターン２の厚み分とな
っており、パターン間隔を実施例１のように機械的保持
手段により決定するのではなく、自動的に決定できる構
成となっている。本実施例２においても上記実施例１と
同様の効果が得られるのは勿論である。
による位相シフトマスクの断面図である。本実施例２
は、マスクパターン２の表面とシフタパターン基板８の
裏面とを直接接着させたもので、この場合のパターン間
隔１２は、基板間距離でマスクパターン２の厚み分とな
っており、パターン間隔を実施例１のように機械的保持
手段により決定するのではなく、自動的に決定できる構
成となっている。本実施例２においても上記実施例１と
同様の効果が得られるのは勿論である。
【００１６】実施例３．図５はこの発明の第３の実施例
による位相シフトマスクの断面図である。本実施例３
は、マスクパターン基板７の裏面と、シフタパターン基
板８の裏面とを直接接着させたもので、本実施例３のパ
ターン間隔１３は基板間距離で零となっており、本実施
例３も基板間距離を自動的に決定できる構成となってい
る。
による位相シフトマスクの断面図である。本実施例３
は、マスクパターン基板７の裏面と、シフタパターン基
板８の裏面とを直接接着させたもので、本実施例３のパ
ターン間隔１３は基板間距離で零となっており、本実施
例３も基板間距離を自動的に決定できる構成となってい
る。
【００１７】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る位相シフ
トマスクによれば、マスクパターンとシフタパターンと
をそれぞれ別々のガラス基板上に形成し、その後、両パ
ターンを所要の位置にて重なるようにアライメントして
一体に保持あるいは固着するようにしたので、それぞれ
のパターン形成のための工程数が少なく、加工マージン
が拡大し、これによってパーティクルの発生を抑制で
き、加工残渣などによるマスク欠陥を減少でき、歩留り
もよくなる。また各パターンが別々のガラス基板に形成
されるので、シフタパターン加工時の下地膜との選択性
の問題が低減されるとともに、マスク修正も容易にでき
る効果がある。
トマスクによれば、マスクパターンとシフタパターンと
をそれぞれ別々のガラス基板上に形成し、その後、両パ
ターンを所要の位置にて重なるようにアライメントして
一体に保持あるいは固着するようにしたので、それぞれ
のパターン形成のための工程数が少なく、加工マージン
が拡大し、これによってパーティクルの発生を抑制で
き、加工残渣などによるマスク欠陥を減少でき、歩留り
もよくなる。また各パターンが別々のガラス基板に形成
されるので、シフタパターン加工時の下地膜との選択性
の問題が低減されるとともに、マスク修正も容易にでき
る効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例による位相シフトマス
クを示す構成断面図である。
クを示す構成断面図である。
【図２】図１に示す位相シフトマスクのマスクパターン
の製造フローの断面図である。
の製造フローの断面図である。
【図３】図１に示す位相シフトマスクのシフタパターン
の製造フローの断面図である。
の製造フローの断面図である。
【図４】この発明の第２の実施例による位相シフトマス
クを示す構成断面図である。
クを示す構成断面図である。
【図５】この発明の第３の実施例による位相シフトマス
クを示す構成断面図である。
クを示す構成断面図である。
【図６】従来の位相シフトマスクの製造方法のプロセス
フロー断面図である。
フロー断面図である。
１ ガラス基板 ２ マスクパターン ３ シフタパターン ４ マスクパターン材料 ５ フォトレジスト ６ シフタ材料 ７ マスクパターン基板 ８ シフタパターン基板 ９ マスクパターン面 １０ シフタパターン面 １１ パターン間隔 １２ パターン間隔 １３ パターン間隔
Claims (7)
- 【請求項１】 基板にマスクパターンを形成してなるマ
スクパターン基板と、 上記基板とは別の他の基板にシフタパターンを形成して
なるシフタパターン基板とからなり、 上記両基板を、所定の間隔を介して、かつ該マスクパタ
ーンと該シフタパターンとが照射される光に対して所要
の位置関係となるようにアライメントして保持してなる
ことを特徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項２】 請求項１記載の位相シフトマスクにおい
て、 上記マスクパターンのパターン面と上記シフタパターン
のパターン面とを所定間隔にて対向させてなることを特
徴とする位相シフトマスク。 - 【請求項３】 請求項１記載の位相シフトマスクにおい
て、 上記マスクパターンのパターン面と上記シフタパターン
基板の裏面とを対向させ接着してなることを特徴とする
位相シフトマスク。 - 【請求項４】 請求項１記載の位相シフトマスクにおい
て、 上記マスクパターン基板と上記シフタパターン基板との
裏面同士を対向させ接着してなることを特徴とする位相
シフトマスク。 - 【請求項５】 基板にマスクパターンを形成してマスク
パターン基板を得る第１の工程と、 上記基板とは別の他の基板にシフタパターンを形成して
シスタパターン基板を得る第２の工程と、 上記両基板を、該両基板間に所定の間隔を介して、かつ
上記両基板の各パターン面を対向させ、該両パターンが
照射される光に対して所要の関係になるようにアライメ
ントして保持する工程とを備えたことを特徴とする位相
シフトマスクの製造方法。 - 【請求項６】 請求項５記載の位相シフトマスクの製造
方法において、 上記保持する工程に代えて、上記マスクパターンのパタ
ーン面と上記シフタパターン基板の裏面とを対向させ接
着する工程としたことを特徴とする位相シフトマスクの
製造方法。 - 【請求項７】 請求項５記載の位相シフトマスクの製造
方法において、 上記保持する工程に代えて、上記マスクパターン基板と
上記シフタパターン基板の裏面同士を対向させて接着す
る工程としたことを特徴とする位相シフトマスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25736092A JPH0683033A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25736092A JPH0683033A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0683033A true JPH0683033A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17305307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25736092A Pending JPH0683033A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 位相シフトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0683033A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100356794B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-10-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 마스크 형성방법 |
| KR100390801B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2003-07-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 포토 반투과 마스크 제조방법 |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP25736092A patent/JPH0683033A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100356794B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2002-10-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 마스크 형성방법 |
| KR100390801B1 (ko) * | 2001-05-24 | 2003-07-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 포토 반투과 마스크 제조방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US8158306B2 (en) | Method and system for combining photomasks to form semiconductor devices | |
| JP2000066366A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| EP1518150B1 (en) | Method of reticle fabrication using an amorphous carbon layer | |
| JP2008165183A (ja) | フォトマスクのブリッジリペア方法 | |
| JP3064962B2 (ja) | ハーフトーン位相シフトマスクおよびそのマスクブランクスならびにハーフトーン位相シフトマスクの製造方法および欠陥修正方法 | |
| US6376130B1 (en) | Chromeless alternating reticle for producing semiconductor device features | |
| US6893779B2 (en) | Phase shifting mask for manufacturing semiconductor device and method of fabricating the same | |
| JP3312703B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの修正方法 | |
| KR101143628B1 (ko) | 펠리클, 펠리클을 포함하는 포토마스크, 포토마스크의 제조방법 | |
| JPH0683033A (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JP2003121989A (ja) | ハーフトーン型位相シフトマスクの修正方法 | |
| US6348288B1 (en) | Resolution enhancement method for deep quarter micron technology | |
| KR100214063B1 (ko) | 위상반전마스크 제조방법 | |
| JPH05303190A (ja) | 位相シフト用フォトマスク及びその作製方法 | |
| US6296987B1 (en) | Method for forming different patterns using one mask | |
| JP2745988B2 (ja) | フォトマスクの製造方法 | |
| JPH04368947A (ja) | 位相シフトマスクの作成方法 | |
| JP2739008B2 (ja) | 位相シフトマスク及びその製造方法 | |
| JPH04273243A (ja) | 位相シフトマスクとその製造方法 | |
| KR100855864B1 (ko) | 반도체소자의 마스크 제조방법 | |
| JP3207913B2 (ja) | 位相シフトフォトマスクの製造方法 | |
| KR960002507A (ko) | 마스크 및 그 제조방법 | |
| KR100219398B1 (ko) | 포토마스크제조방법 | |
| JPH06148864A (ja) | 位相シフトマスクおよびその製造方法 | |
| JPH03235947A (ja) | 位相シフト層を有するフォトマスクおよびその製造方法 |