JPS62183449A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
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- JPS62183449A JPS62183449A JP61023989A JP2398986A JPS62183449A JP S62183449 A JPS62183449 A JP S62183449A JP 61023989 A JP61023989 A JP 61023989A JP 2398986 A JP2398986 A JP 2398986A JP S62183449 A JPS62183449 A JP S62183449A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明はパターン形成方法に関し、特に半導体装置等
の製造における２層レジストを用いた微細パターンを形
成する方法に関するものである。
の製造における２層レジストを用いた微細パターンを形
成する方法に関するものである。
（従来の技術）
・従来、この種のＡ？ターン形成方法に関して、文献ジ
ャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テ
クノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＶａｃｕｕｍＳｃ
ｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ） 、
１６（６） 、 （１９７９）。
ャーナル・オブ・バキューム・サイエンス・アンド・テ
クノロジー（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ＶａｃｕｕｍＳｃ
ｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ） 、
１６（６） 、 （１９７９）。
ｐｐ１６６９−１６７１に、下層にプリメチルメタクリ
レ−） （ＰＭＭＡ）上層にポジ型のホトレジストＡＺ
−１３５０（シワプレー社製）を用いた二層レジスト構
成を用いた方法が記載されている。上層のホトレ・シス
トをパターニング後、遠紫外線を一括照射しパターニン
グするものであシ、一括照射の際上層のフォトレジスト
は下層のマスクとなシ、遠紫外線を下層へ通過させない
ため、上層のパターンは下層へ転写できる。この場合、
ＰＭＭＡ層はウェハー表面の平たん化の役割も有する。
レ−） （ＰＭＭＡ）上層にポジ型のホトレジストＡＺ
−１３５０（シワプレー社製）を用いた二層レジスト構
成を用いた方法が記載されている。上層のホトレ・シス
トをパターニング後、遠紫外線を一括照射しパターニン
グするものであシ、一括照射の際上層のフォトレジスト
は下層のマスクとなシ、遠紫外線を下層へ通過させない
ため、上層のパターンは下層へ転写できる。この場合、
ＰＭＭＡ層はウェハー表面の平たん化の役割も有する。
このため上層は均一な皮膜を形成でき高い解像力のレゾ
ストノぐターンを得ることができる。
ストノぐターンを得ることができる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記のレジスト構成を用いたパターン形
成方法であると、下層にＰＭＭＡを用いているため、パ
ターン被形成部材をエツチング加工する場合のドライエ
ッチ耐性が劣シ高いドライエッチ耐性が要求される微細
加工等の工程では用いることが難しく又、ＰＭＭＡの感
度が低いためＰＭＭＡのパターニングに時間がかかり、
スループット（単位時間当シのウェハー処理枚数）が低
いという欠点があった。
成方法であると、下層にＰＭＭＡを用いているため、パ
ターン被形成部材をエツチング加工する場合のドライエ
ッチ耐性が劣シ高いドライエッチ耐性が要求される微細
加工等の工程では用いることが難しく又、ＰＭＭＡの感
度が低いためＰＭＭＡのパターニングに時間がかかり、
スループット（単位時間当シのウェハー処理枚数）が低
いという欠点があった。
そこで、この発明は二層レジストを用いたＡ’ターン形
成方法において下層レゾストの耐ドライエツチ性が劣る
という欠点と下層レジストの感度が低いという欠点を除
去し、ウェハー等の微細加工におけるドライエッチ性に
優れ、且つスループットの高いパターン形成方法を提供
することを目的とする。
成方法において下層レゾストの耐ドライエツチ性が劣る
という欠点と下層レジストの感度が低いという欠点を除
去し、ウェハー等の微細加工におけるドライエッチ性に
優れ、且つスループットの高いパターン形成方法を提供
することを目的とする。
（問題点を解決するだめの手段）
この発明は、前記問題点を解決するために、パターン被
形成部材上に下層レジストとしてＭＰ−２４００（シラ
プレー社製ホトレジスト）又はＡＺ−５２００（ヘキス
ト社製ホトレジスト）等のｇ線（約４３６ｎｍ）に対し
て感度の低い、好ましくは感度を有さないポジ型のホト
レジスト層を塗布し、この下層レジスト上に上層レジス
トとしてノブラック樹脂のナフトキノンジアジドスルホ
ン酸エステルのシリルエーテル（以下Ｓｔ −ＬＭＲと
いう）よりなるネガ型レジスト材料のレジスト皮膜を形
成し、この上層レジストにｇ線を照射し現像することに
より上層しジストｉ４ターンを形成し、少なくとも前記
下層レジストに２００〜４１０ ｎｍ程度のｇ線より短
波長の光を一括照射しアルカリ現像液で下層レジストパ
ターンの照射部を現像することにより下層レジストパタ
ーンを形成し、しかる後、これらレジストパターンをマ
スクとして前記パターン被形成部材をエツチング加工す
るものである。
形成部材上に下層レジストとしてＭＰ−２４００（シラ
プレー社製ホトレジスト）又はＡＺ−５２００（ヘキス
ト社製ホトレジスト）等のｇ線（約４３６ｎｍ）に対し
て感度の低い、好ましくは感度を有さないポジ型のホト
レジスト層を塗布し、この下層レジスト上に上層レジス
トとしてノブラック樹脂のナフトキノンジアジドスルホ
ン酸エステルのシリルエーテル（以下Ｓｔ −ＬＭＲと
いう）よりなるネガ型レジスト材料のレジスト皮膜を形
成し、この上層レジストにｇ線を照射し現像することに
より上層しジストｉ４ターンを形成し、少なくとも前記
下層レジストに２００〜４１０ ｎｍ程度のｇ線より短
波長の光を一括照射しアルカリ現像液で下層レジストパ
ターンの照射部を現像することにより下層レジストパタ
ーンを形成し、しかる後、これらレジストパターンをマ
スクとして前記パターン被形成部材をエツチング加工す
るものである。
（作用）
以上説明したように本発明によれば、下層レジストとし
てｇ線に対して感度を有さないあるいは感度の低いポジ
型ホトレジストを用い、上層し・シストとしてＳｉ −
ＬＭＲのネガ型ホトレジストを用いて２層レジストを形
成しているので、上層レジストはｇ線照射及び現像によ
シ高い感度でレジストパターンが形成でき、下層レジス
トは２００〜４１０ ｎｍ程度のｇ線より短波長の光を
用いて一括照射し現像することにより高い感度で、耐ド
ライエツチ性に優れたレジストパターンが厚く形成でき
る。
てｇ線に対して感度を有さないあるいは感度の低いポジ
型ホトレジストを用い、上層し・シストとしてＳｉ −
ＬＭＲのネガ型ホトレジストを用いて２層レジストを形
成しているので、上層レジストはｇ線照射及び現像によ
シ高い感度でレジストパターンが形成でき、下層レジス
トは２００〜４１０ ｎｍ程度のｇ線より短波長の光を
用いて一括照射し現像することにより高い感度で、耐ド
ライエツチ性に優れたレジストパターンが厚く形成でき
る。
（実施例）
第１図囚〜（ト）はこの発明の１実施例を説明するため
の構造断面図であり、以下図面に沿って説明する。
の構造断面図であり、以下図面に沿って説明する。
実施例
第１図（４）に示すように、Ｓｔ基板１上に配線金属の
１１層２を積層した被加工試料を予め用意する。
１１層２を積層した被加工試料を予め用意する。
次に第１図（Ｂ）に示すように、Ｓｔ基板１上に図示し
ない０ＡＰ（東京応化製密着増強剤）をスピンコーティ
ングにてコーティングし、続いて下層レジスト３として
ＭＰ−２４００を１．０μｍ厚にスピンコーティング法
によシ形成した。
ない０ＡＰ（東京応化製密着増強剤）をスピンコーティ
ングにてコーティングし、続いて下層レジスト３として
ＭＰ−２４００を１．０μｍ厚にスピンコーティング法
によシ形成した。
次に、第１図（Ｃ）に示すように、６０℃で３０分間ベ
ーキングした後、上層レジスト４として５ｉ−ｒ、ＭＲ
ヲ１５ ｗｔ％モノクロルベンゼンに溶解１，０．２μ
ｍのフィルターで口過したものを用い、上層レジスト４
を下層レジスト３上に０．７μｍ厚にスピンコーティン
グ法によシ形成し、６０℃で３０分間ベーキングを行っ
た後、水銀ランプのｇ線を用いた光ステツパ−（レンズ
開口数；ＮＡ＝０．３５）により露光を行った。露光量
は１２０ ｍＪ／ｃｒＡとした。
ーキングした後、上層レジスト４として５ｉ−ｒ、ＭＲ
ヲ１５ ｗｔ％モノクロルベンゼンに溶解１，０．２μ
ｍのフィルターで口過したものを用い、上層レジスト４
を下層レジスト３上に０．７μｍ厚にスピンコーティン
グ法によシ形成し、６０℃で３０分間ベーキングを行っ
た後、水銀ランプのｇ線を用いた光ステツパ−（レンズ
開口数；ＮＡ＝０．３５）により露光を行った。露光量
は１２０ ｍＪ／ｃｒＡとした。
次に、１００℃で３０分間ベーキング後、モノクロルベ
ンゼン２に対してシクロヘキサン１の混合溶液（重量比
）で２３℃で２０秒間現像して、シクロヘキサンで１０
秒間リンスを行うことにより、第１図ｐ）に示すように
、０．７μｍ幅のラインとスペース（以下Ｌ／Ｓという
）を有した上層レジスト４のパターンが形成された。こ
の基板に５００ＷのＸｅ −Ｈｇランプを用い２００〜
３００ｎｍの光を露光１３００ｍＪ／−で全面照射した
。
ンゼン２に対してシクロヘキサン１の混合溶液（重量比
）で２３℃で２０秒間現像して、シクロヘキサンで１０
秒間リンスを行うことにより、第１図ｐ）に示すように
、０．７μｍ幅のラインとスペース（以下Ｌ／Ｓという
）を有した上層レジスト４のパターンが形成された。こ
の基板に５００ＷのＸｅ −Ｈｇランプを用い２００〜
３００ｎｍの光を露光１３００ｍＪ／−で全面照射した
。
然る後ＭＰ−２４０１現像液（ＭＰ−２４００用現像液
）を水で５倍（体積比）に希釈した水溶液で３０秒間現
像を行い続いて２０秒間水でリンスを行うことにより、
第１図（ト）に示すよって、レジストパターン５が形成
された。レノストパターン５を走査型電子顕微鏡（以下
ＳＥＭという）で観察したとこ口０．７μｍ幅のライン
アントスに一ス（以下いという）パターンが１．７μｍ
厚で形成されていることが分った。
）を水で５倍（体積比）に希釈した水溶液で３０秒間現
像を行い続いて２０秒間水でリンスを行うことにより、
第１図（ト）に示すよって、レジストパターン５が形成
された。レノストパターン５を走査型電子顕微鏡（以下
ＳＥＭという）で観察したとこ口０．７μｍ幅のライン
アントスに一ス（以下いという）パターンが１．７μｍ
厚で形成されていることが分った。
次にこのレジストパターン５をマスクとして１４層２を
通常の方法によシトライエツチングし、レジストパター
ン５を除去処理することによって、第１図（ト）に示す
ように、Ａｔの配線パターン６を０．７μｍ幅で形成す
るものである。
通常の方法によシトライエツチングし、レジストパター
ン５を除去処理することによって、第１図（ト）に示す
ように、Ａｔの配線パターン６を０．７μｍ幅で形成す
るものである。
実施例２
次にＭＰ−２４００の変わりにＡＺ−５２００を用いて
、ＡＺ−５２００を下層レジスト３、Ｓｔ−ＬＭＲを上
層レジスト４とする二層レノストの皮膜を形成し、又実
施例１と同様にｇ線、光ステッパーを用いて上層レゾス
ト４のＳｉ−ＬＭＲのパターニングを行った。
、ＡＺ−５２００を下層レジスト３、Ｓｔ−ＬＭＲを上
層レジスト４とする二層レノストの皮膜を形成し、又実
施例１と同様にｇ線、光ステッパーを用いて上層レゾス
ト４のＳｉ−ＬＭＲのパターニングを行った。
然る後、ＸｅＣＬのエキシマレーザ−（３０８ｎｍ）で
２００ ｍＪ／ｃａの露光量で基板を一括照射した。続
いてＡＺ現像液を水で２倍に希釈した液で３０秒間現像
し、水で１０秒間リンスした。ＳＥＭにてレジストパタ
ーンを観察したところ０．７μｍ ”、ａのＬ／Ｓを有
したパターンがシャープなプロファイルで得られた。
２００ ｍＪ／ｃａの露光量で基板を一括照射した。続
いてＡＺ現像液を水で２倍に希釈した液で３０秒間現像
し、水で１０秒間リンスした。ＳＥＭにてレジストパタ
ーンを観察したところ０．７μｍ ”、ａのＬ／Ｓを有
したパターンがシャープなプロファイルで得られた。
（比較例）
平行平板型プラズマエツチング装置を用いに。
ガスプラズマ中でのレノストのエツチングレートを測定
したところ、〔エツチング条件はＣＣｔ４流量； ５０
ＳＣＣＭ （スタンダードｃｃ／”）ｔガス圧；、２
０Ｐａ、ノぐワー密度； ０．１６ ｗ／ｃｒｌ、 エ
ツチング時間；５分間とした。〕各レしストのエツチン
グ量はＰＭＭＡ２．１μｍ 、 Ｓｔ−ＬＭＲＯ，４Ａ
ｍ 、 ＭＰ−２４０００、５μｍ 、 ＡＺ−５２
０００，５ｔｔｍであった。
したところ、〔エツチング条件はＣＣｔ４流量； ５０
ＳＣＣＭ （スタンダードｃｃ／”）ｔガス圧；、２
０Ｐａ、ノぐワー密度； ０．１６ ｗ／ｃｒｌ、 エ
ツチング時間；５分間とした。〕各レしストのエツチン
グ量はＰＭＭＡ２．１μｍ 、 Ｓｔ−ＬＭＲＯ，４Ａ
ｍ 、 ＭＰ−２４０００、５μｍ 、 ＡＺ−５２
０００，５ｔｔｍであった。
又、上層レジスト４に用いたＳｉ−ＬＭＲの吸光特性は
第２図に示す様に２００〜４１０ ｎｍで吸収が太きく
０．５μｍ厚のＳｉ−ＬＭＲではこの領域ではほとんど
光が通過せず下層レジスト３への一括照射の際のマスク
となることが分った。
第２図に示す様に２００〜４１０ ｎｍで吸収が太きく
０．５μｍ厚のＳｉ−ＬＭＲではこの領域ではほとんど
光が通過せず下層レジスト３への一括照射の際のマスク
となることが分った。
又、下層レジスト３であるＭＰ−２４００及びＡＺ−５
２００の皮膜に２００ ｍＪ肩の露光量でｇ線の光を照
射し前記のそれぞれの現像液で１分間現像したところ照
射部の膜減シは０．１μｍ以′下であった。即ち、ＭＰ
−２４００及びＡＺ−５２００はｇ線の光では感度が非
常に低いことが分かる。
２００の皮膜に２００ ｍＪ肩の露光量でｇ線の光を照
射し前記のそれぞれの現像液で１分間現像したところ照
射部の膜減シは０．１μｍ以′下であった。即ち、ＭＰ
−２４００及びＡＺ−５２００はｇ線の光では感度が非
常に低いことが分かる。
以上述べた本発明の実施例及び比較実験例よシ、本発明
の実施例によれば、下層レジスト３としてＭＰ−２４０
０あルイはＡＺ−５２００等のｇ線に対して感度が極め
て低いレジスト材料を用いているので、上層し・シスト
４のＳｔ−ＬＭＲをｇ線を用いてパターンニングしても
、下層レジストは全く影響を受けず、又、Ｓｉ−ＬＭＲ
の現像液に用いたモノクロルベンゼンに対しても下層レ
ジスト３は影響を受けない。又、上層レジスト４のＳＬ
−ＬＭＲに、下層し・シストのパターンニングに用いた
２００〜４１０ｎｍ波長の光を照射し、下層レジストの
現像に用いたアルカリ現像液で現像しても、上層レジス
ト４のＳｔ−ＬＭＲは全く影響を受けることがないので
微細なレジストパターン５を形成することができる。
の実施例によれば、下層レジスト３としてＭＰ−２４０
０あルイはＡＺ−５２００等のｇ線に対して感度が極め
て低いレジスト材料を用いているので、上層し・シスト
４のＳｔ−ＬＭＲをｇ線を用いてパターンニングしても
、下層レジストは全く影響を受けず、又、Ｓｉ−ＬＭＲ
の現像液に用いたモノクロルベンゼンに対しても下層レ
ジスト３は影響を受けない。又、上層レジスト４のＳＬ
−ＬＭＲに、下層し・シストのパターンニングに用いた
２００〜４１０ｎｍ波長の光を照射し、下層レジストの
現像に用いたアルカリ現像液で現像しても、上層レジス
ト４のＳｔ−ＬＭＲは全く影響を受けることがないので
微細なレジストパターン５を形成することができる。
又、この発明の実施例によれば、クレゾールノｄ？ラッ
ク樹脂のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルのシ
リルエーテルよりなるレジストを二層レジスト法の上層
レジスト４として適用し、このレゾストをｇ線で露光す
ることが出来るので、高解像性が得られる。
ク樹脂のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルのシ
リルエーテルよりなるレジストを二層レジスト法の上層
レジスト４として適用し、このレゾストをｇ線で露光す
ることが出来るので、高解像性が得られる。
さらに、このネガ型の上層レジスト４にはＳｔが含まれ
ているので、耐酸素プラズマ性が高いという利点がある
。従って、０２ＲＩＥによって、ノぐターン被形成部材
の微細なエツチング加工を行うことが出来る。
ているので、耐酸素プラズマ性が高いという利点がある
。従って、０２ＲＩＥによって、ノぐターン被形成部材
の微細なエツチング加工を行うことが出来る。
尚、本発明の実施例では、レジストパターン５をマスク
として、１４層２のパターン被形成部材をドライエツチ
ングによりパターンニングする方法を述べたが、微細な
レジストパターン５をリフトオフマスクとして用いるこ
ともできる。
として、１４層２のパターン被形成部材をドライエツチ
ングによりパターンニングする方法を述べたが、微細な
レジストパターン５をリフトオフマスクとして用いるこ
ともできる。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、本発明によれば、上層レジ
ストとしてＳｉ−ＬＭＲ，下層レジストとしてｇ線の光
に対して感度の低いあるいは感応しないレジスト材料を
用い、ｇｍの光で上層レジストをノＺターンニング後、
２００〜４１０ ｎｍ波長の光を一括照射して下層レノ
ストをｉ４ターンニングしているので、上層レジスト及
び下層レジスト共に酬ドライエッチ性が高り、シかも２
００〜４１０ｎｍと広い範囲の光で下層をパターニング
でき、しかも従来に比べて少ない露光量でパターニング
できるため、ドライエッチ耐性の優れたサブミクロンの
レジストパターンを高スループツトで形成できる。
ストとしてＳｉ−ＬＭＲ，下層レジストとしてｇ線の光
に対して感度の低いあるいは感応しないレジスト材料を
用い、ｇｍの光で上層レジストをノＺターンニング後、
２００〜４１０ ｎｍ波長の光を一括照射して下層レノ
ストをｉ４ターンニングしているので、上層レジスト及
び下層レジスト共に酬ドライエッチ性が高り、シかも２
００〜４１０ｎｍと広い範囲の光で下層をパターニング
でき、しかも従来に比べて少ない露光量でパターニング
できるため、ドライエッチ耐性の優れたサブミクロンの
レジストパターンを高スループツトで形成できる。
第１図（５）〜（ト）は本発明の詳細な説明するための
構造断面図、第２図はＳｔ−ＬＭＲの吸光特性を示す図
である。 １・・・Ｓｔ基板、２・・・配線金属、３・・・下層レ
ジスト、４・・・上層レジスト、５・・・レジストパタ
ーン、６・・・配線パターン。 ’ｌｉｅ□＜ｔａｒ ＠ ｓ光明すう氏めめ講Ｌｑ”曲
図第１図 液長（ｎｍ） Ｓｉ−ＬＭＲｔｙ＋ ”及九詩、１生乏斤、す国策２図 手続補正書輸発） 和 Ｊｌ・贋・２０８ 寺許庁長官 殿 事件の表示 昭和６１年 特 許 願第０２３９８９号発明の名称 ノぐターン形成方法 補正をする者
構造断面図、第２図はＳｔ−ＬＭＲの吸光特性を示す図
である。 １・・・Ｓｔ基板、２・・・配線金属、３・・・下層レ
ジスト、４・・・上層レジスト、５・・・レジストパタ
ーン、６・・・配線パターン。 ’ｌｉｅ□＜ｔａｒ ＠ ｓ光明すう氏めめ講Ｌｑ”曲
図第１図 液長（ｎｍ） Ｓｉ−ＬＭＲｔｙ＋ ”及九詩、１生乏斤、す国策２図 手続補正書輸発） 和 Ｊｌ・贋・２０８ 寺許庁長官 殿 事件の表示 昭和６１年 特 許 願第０２３９８９号発明の名称 ノぐターン形成方法 補正をする者
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基体上に下層レジストとしてｇ線（波長約４３６ｎｍ）
の光に対して感度を有さないあるいは感度の低いポジ型
のホトレジスト層を塗布する工程と、該下層レジスト上
に上層レジストとしてノボラック樹脂のナフトキノンジ
アジドスルホン酸エステルのシリルエーテルよりなるネ
ガ型レジスト材料のレジスト皮膜を形成する工程と、 該上層レジストにｇ線の光を選択照射し現像することに
より上層レジストパターンを形成する工程と、 少なくとも前記下層レジストにｇ線より短波長の光を一
括照射し現像することにより下層レジストパターンを形
成する工程とを備えてなることを特徴とするパターン形
成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61023989A JPS62183449A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61023989A JPS62183449A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62183449A true JPS62183449A (ja) | 1987-08-11 |
Family
ID=12125987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61023989A Pending JPS62183449A (ja) | 1986-02-07 | 1986-02-07 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62183449A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07142365A (ja) * | 1993-11-13 | 1995-06-02 | Nec Corp | 多層レジストパターンの形成方法 |
| US5455145A (en) * | 1988-12-24 | 1995-10-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing double layer resist pattern and double layer resist structure |
-
1986
- 1986-02-07 JP JP61023989A patent/JPS62183449A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5455145A (en) * | 1988-12-24 | 1995-10-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing double layer resist pattern and double layer resist structure |
| JPH07142365A (ja) * | 1993-11-13 | 1995-06-02 | Nec Corp | 多層レジストパターンの形成方法 |
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