JPH0566568A - 多重コントラストレジストパターンの製造方法、及び多層レジスト - Google Patents
多重コントラストレジストパターンの製造方法、及び多層レジストInfo
- Publication number
- JPH0566568A JPH0566568A JP22726491A JP22726491A JPH0566568A JP H0566568 A JPH0566568 A JP H0566568A JP 22726491 A JP22726491 A JP 22726491A JP 22726491 A JP22726491 A JP 22726491A JP H0566568 A JPH0566568 A JP H0566568A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoresist layer
- resist
- light
- contrast
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】多重コントラスト光プロファイルの強弱が精度
良く転写された多重コントラストレジストパターンの製
造方法を提供し、多重コントラスト露光の制御性を向上
し、多重コントラスト露光効果を向上した多層レジスト
を提供する。 【構成】支持体１上に下層フォトレジスト層２、光退色
性及び／又は光吸収性を有する中間層３及び上層フォト
レジスト層４を形成した多層レジスト７。前記多層レジ
スト７に多重コントラスト露光１０を行い、その後現像
を行う多重コントラストレジストパターンの製造方法。
良く転写された多重コントラストレジストパターンの製
造方法を提供し、多重コントラスト露光の制御性を向上
し、多重コントラスト露光効果を向上した多層レジスト
を提供する。 【構成】支持体１上に下層フォトレジスト層２、光退色
性及び／又は光吸収性を有する中間層３及び上層フォト
レジスト層４を形成した多層レジスト７。前記多層レジ
スト７に多重コントラスト露光１０を行い、その後現像
を行う多重コントラストレジストパターンの製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、多重コントラストレジ
ストパターンの製造方法、及び多層レジストに係り、特
に、多重コントラスト光プロファイルの強弱が精度良く
転写された多重コントラストレジストパターンの製造方
法、及び、多重コントラスト露光法の効果を向上する多
層レジストに関する。
ストパターンの製造方法、及び多層レジストに係り、特
に、多重コントラスト光プロファイルの強弱が精度良く
転写された多重コントラストレジストパターンの製造方
法、及び、多重コントラスト露光法の効果を向上する多
層レジストに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のリソグラフィー技術は、支持体上
に形成したフォトレジストを、所望パターンが形成され
たマスクを介して露光し、その後、これを現像して、前
記支持体上に所望パターンを得ていた。そして、前記支
持体上に形成されるパターンの解像力を向上する目的
で、多層構造のレジストが用いられていた。
に形成したフォトレジストを、所望パターンが形成され
たマスクを介して露光し、その後、これを現像して、前
記支持体上に所望パターンを得ていた。そして、前記支
持体上に形成されるパターンの解像力を向上する目的
で、多層構造のレジストが用いられていた。
【０００３】しかしながら、近年、例えば、半導体装置
など、より微細なパターン形成が必要とされる分野にお
いて、前記リソグラフィー技術では、高精度なパターン
の転写を行うことが困難となってきている。そこで、イ
オンビームのイオン種変調露光やドーズ量変調露光、エ
レクトロンビーム（ＥＢ）のドーズ量変調露光などのよ
うに、露光強度を多重にした多重コントラスト露光（強
度が高い光と強度が低い光とを同時に用いて露光する方
法）を行うことで、フォトレジストの光化学反応状態を
変化させ、以て現像速度に差異を生じさせて、支持体上
により高精度なパターンを形成する従来例が知られてい
る。そして、前記多重コントラスト露光は、強度が高い
光と強度が低い光とを同時に用いて露光するため、マス
ク工程を削減できるという利点があった。
など、より微細なパターン形成が必要とされる分野にお
いて、前記リソグラフィー技術では、高精度なパターン
の転写を行うことが困難となってきている。そこで、イ
オンビームのイオン種変調露光やドーズ量変調露光、エ
レクトロンビーム（ＥＢ）のドーズ量変調露光などのよ
うに、露光強度を多重にした多重コントラスト露光（強
度が高い光と強度が低い光とを同時に用いて露光する方
法）を行うことで、フォトレジストの光化学反応状態を
変化させ、以て現像速度に差異を生じさせて、支持体上
により高精度なパターンを形成する従来例が知られてい
る。そして、前記多重コントラスト露光は、強度が高い
光と強度が低い光とを同時に用いて露光するため、マス
ク工程を削減できるという利点があった。
【０００４】また、Ｘ線や光のリソグラフィーにおいて
も同様に、多重コントラスト露光を行って、より高精度
なパターンを支持体上に形成している。即ち、この多重
コントラスト露光では、強度が高い光（高強度光）で感
光したフォトレジストの現像速度と、強度が低い光（低
強度光）で感光したフォトレジストとの現像速度の差が
うまく取れるように、露光条件などを設定すると共に、
現像条件を制御して、支持体上により高精度なパターン
を形成している。
も同様に、多重コントラスト露光を行って、より高精度
なパターンを支持体上に形成している。即ち、この多重
コントラスト露光では、強度が高い光（高強度光）で感
光したフォトレジストの現像速度と、強度が低い光（低
強度光）で感光したフォトレジストとの現像速度の差が
うまく取れるように、露光条件などを設定すると共に、
現像条件を制御して、支持体上により高精度なパターン
を形成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記多
重コントラスト露光を行う従来例は、現像条件が大変厳
しく、また、多重コントラスト露光により、フォトレジ
ストの光化学反応に差異を生じさせても、現像速度差で
パターンを得ることは非常に難しいという問題があっ
た。また、多重干渉効果に対処できないという問題もあ
った。従って、多重コントラスト露光を実際の工程に導
入することが困難であった。
重コントラスト露光を行う従来例は、現像条件が大変厳
しく、また、多重コントラスト露光により、フォトレジ
ストの光化学反応に差異を生じさせても、現像速度差で
パターンを得ることは非常に難しいという問題があっ
た。また、多重干渉効果に対処できないという問題もあ
った。従って、多重コントラスト露光を実際の工程に導
入することが困難であった。
【０００６】本発明は、このような問題を解決すること
を課題とするものであり、多重コントラスト光プロファ
イルの強弱が精度良く転写された多重コントラストレジ
ストパターンの製造方法を提供し、また、多重コントラ
スト露光の制御性を向上し、多重コントラスト露光効果
を向上した多層レジストを提供することを目的とする。
を課題とするものであり、多重コントラスト光プロファ
イルの強弱が精度良く転写された多重コントラストレジ
ストパターンの製造方法を提供し、また、多重コントラ
スト露光の制御性を向上し、多重コントラスト露光効果
を向上した多層レジストを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、支持体上に下層フォトレジスト層を形成
する第１工程と、光退色性及び／又は光吸収性を有する
中間層を形成する第２工程と、上層フォトレジスト層を
形成する第３工程と、多重コントラスト露光を行う第４
工程と、現像を行う第５工程と、を備えたことを特徴と
する多重コントラストレジストパターンの製造方法を提
供するものである。
に、本発明は、支持体上に下層フォトレジスト層を形成
する第１工程と、光退色性及び／又は光吸収性を有する
中間層を形成する第２工程と、上層フォトレジスト層を
形成する第３工程と、多重コントラスト露光を行う第４
工程と、現像を行う第５工程と、を備えたことを特徴と
する多重コントラストレジストパターンの製造方法を提
供するものである。
【０００８】そして、下層フォトレジスト層と上層フォ
トレジスト層との間に、光退色性及び／又は光吸収性を
有する中間層を設けたことを特徴とする多層レジストを
提供するものである。
トレジスト層との間に、光退色性及び／又は光吸収性を
有する中間層を設けたことを特徴とする多層レジストを
提供するものである。
【０００９】
【作用】請求項１記載の発明によれば、支持体上に下層
フォトレジスト層と、光退色性及び／又は光吸収性を有
する中間層と、上層フォトレジスト層と、を順に形成し
た後、多重コントラスト露光することで、高強度光によ
り露光された領域では、当該高強度光が下層フォトレジ
スト層まで到達してこの領域を最適露光し、低強度光に
より露光された領域では、当該低強度光が上層フォトレ
ジスト層を露光する。ここで、前記低強度光が上層フォ
トレジスト層を最適露光した後、これを透過して中間層
に到達しても、当該低強度光は、ある程度当該中間層に
吸収されるため、即座に下層フォトレジスト層に到達す
ることがない。
フォトレジスト層と、光退色性及び／又は光吸収性を有
する中間層と、上層フォトレジスト層と、を順に形成し
た後、多重コントラスト露光することで、高強度光によ
り露光された領域では、当該高強度光が下層フォトレジ
スト層まで到達してこの領域を最適露光し、低強度光に
より露光された領域では、当該低強度光が上層フォトレ
ジスト層を露光する。ここで、前記低強度光が上層フォ
トレジスト層を最適露光した後、これを透過して中間層
に到達しても、当該低強度光は、ある程度当該中間層に
吸収されるため、即座に下層フォトレジスト層に到達す
ることがない。
【００１０】即ち、前記低強度光は、前記高強度光が前
記多層レジスト層を最適露光している間に、上層フォト
レジスト層を最適露光する、または、上層フォトレジス
ト層を最適露光し終え、中間層を露光している、また
は、上層フォトレジスト層を最適露光し終え、中間層を
露光した後、現像閾値以下で下層フォトレジスト層を露
光する状態の強さとすることが好適である。そして、前
記露光終了後、現像することで、下層フォトレジスト層
まで露光された領域は、上層レジスト，中間層及び下層
レジスト層が除去される。また、上層フォトレジスト層
のみ、または、上層フォトレジスト層と中間層のみが露
光された領域は、上層フォトレジスト層のみが除去され
る。従って、多重コントラスト光プロファイルの強弱が
精度良く前記支持体上に転写された多重コントラストレ
ジストパターンが形成される。
記多層レジスト層を最適露光している間に、上層フォト
レジスト層を最適露光する、または、上層フォトレジス
ト層を最適露光し終え、中間層を露光している、また
は、上層フォトレジスト層を最適露光し終え、中間層を
露光した後、現像閾値以下で下層フォトレジスト層を露
光する状態の強さとすることが好適である。そして、前
記露光終了後、現像することで、下層フォトレジスト層
まで露光された領域は、上層レジスト，中間層及び下層
レジスト層が除去される。また、上層フォトレジスト層
のみ、または、上層フォトレジスト層と中間層のみが露
光された領域は、上層フォトレジスト層のみが除去され
る。従って、多重コントラスト光プロファイルの強弱が
精度良く前記支持体上に転写された多重コントラストレ
ジストパターンが形成される。
【００１１】そして、請求項２記載の発明によれば、下
層フォトレジスト層と上層フォトレジスト層との間に、
光退色性及び／又は光吸収性を有する中間層を設けてな
る多層レジストは、多重コントラスト露光の制御性を向
上し、多重コントラスト露光の効果を向上することがで
き、多重コントラスト露光を実際の工程に導入すること
ができる。
層フォトレジスト層と上層フォトレジスト層との間に、
光退色性及び／又は光吸収性を有する中間層を設けてな
る多層レジストは、多重コントラスト露光の制御性を向
上し、多重コントラスト露光の効果を向上することがで
き、多重コントラスト露光を実際の工程に導入すること
ができる。
【００１２】即ち、前記多層レジスト層を支持体上に形
成して、これに多重コントラスト露光を行うと、高強度
光により露光された領域では、当該光が上層フォトレジ
スト層を露光した後、これを透過して中間層に到達す
る。ここで、前記高強度光は、当該中間層に吸収され
る、及び／又は、該中間層の色を退色させた後、さらに
当該中間層を透過して下層フォトレジスト層まで到達
し、前記多層レジスト層を最適露光する。一方、前記多
層レジスト層のうち、低強度光により露光された領域で
は、当該光が上層フォトレジスト層を露光する。ここ
で、当該低強度光が上層フォトレジスト層を最適露光し
た後、これを透過して前記中間層に到達しても、該低強
度光は、ある程度当該中間層に吸収されるため、即座に
下層フォトレジストに到達することがない。
成して、これに多重コントラスト露光を行うと、高強度
光により露光された領域では、当該光が上層フォトレジ
スト層を露光した後、これを透過して中間層に到達す
る。ここで、前記高強度光は、当該中間層に吸収され
る、及び／又は、該中間層の色を退色させた後、さらに
当該中間層を透過して下層フォトレジスト層まで到達
し、前記多層レジスト層を最適露光する。一方、前記多
層レジスト層のうち、低強度光により露光された領域で
は、当該光が上層フォトレジスト層を露光する。ここ
で、当該低強度光が上層フォトレジスト層を最適露光し
た後、これを透過して前記中間層に到達しても、該低強
度光は、ある程度当該中間層に吸収されるため、即座に
下層フォトレジストに到達することがない。
【００１３】従って、高強度光と低強度光とを簡単に制
御することができ、下層フォトレジストまで露光される
領域と上層フォトレジストのみ露光される領域とを顕著
に区別することができる。
御することができ、下層フォトレジストまで露光される
領域と上層フォトレジストのみ露光される領域とを顕著
に区別することができる。
【００１４】
【実施例】次に本発明に係る実施例について、図面を参
照して説明する。 （実施例１）図１ないし図５は、本発明の実施例に係る
多重レジストの製造工程を示す一部断面図である。
照して説明する。 （実施例１）図１ないし図５は、本発明の実施例に係る
多重レジストの製造工程を示す一部断面図である。
【００１５】先ず、図１に示す工程では、支持体１上
に、フォトレジストとして、ノボラック系樹脂製で耐ド
ライエッチング性に優れたフォトレジスト（『ＯＦＰＲ
−８９００』（商品名）；東京応化（株）製）を用い
て、１．０μｍ程度の膜厚で下層フォトレジスト層２を
形成する。次に、図２に示す工程では、図１に示す工程
で得た下層フォトレジスト層２上に、中間層３として、
光退色性及び光吸収性を有するＣＥＬＬ剤（セル剤）を
程度の膜厚で形成する。ここで、中間層３に十分な光退
色性と膜厚を与えることで、多重コントラスト光プロフ
ァイルの強弱を十分に保持することができる。
に、フォトレジストとして、ノボラック系樹脂製で耐ド
ライエッチング性に優れたフォトレジスト（『ＯＦＰＲ
−８９００』（商品名）；東京応化（株）製）を用い
て、１．０μｍ程度の膜厚で下層フォトレジスト層２を
形成する。次に、図２に示す工程では、図１に示す工程
で得た下層フォトレジスト層２上に、中間層３として、
光退色性及び光吸収性を有するＣＥＬＬ剤（セル剤）を
程度の膜厚で形成する。ここで、中間層３に十分な光退
色性と膜厚を与えることで、多重コントラスト光プロフ
ァイルの強弱を十分に保持することができる。
【００１６】次いで、図３に示す工程では、図２に示す
工程で得た中間層３上に、フォトレジストとして、ノボ
ラック系樹脂製で耐ドライエッチング性に優れたフォト
レジスト（『ＴＳＭＲ−Ｖ５０』（商品名）；東京応化
（株）製）を用いて、１．０μｍ程度の膜厚で上層フォ
トレジスト層４を形成する。このようにして、多層レジ
スト層７が形成された。尚、上層フォトレジスト層４の
感度は、下層フォトレジスト層２の感度より低い方が、
次工程で行う多重コントラスト露光の効果を向上する上
で好ましい。
工程で得た中間層３上に、フォトレジストとして、ノボ
ラック系樹脂製で耐ドライエッチング性に優れたフォト
レジスト（『ＴＳＭＲ−Ｖ５０』（商品名）；東京応化
（株）製）を用いて、１．０μｍ程度の膜厚で上層フォ
トレジスト層４を形成する。このようにして、多層レジ
スト層７が形成された。尚、上層フォトレジスト層４の
感度は、下層フォトレジスト層２の感度より低い方が、
次工程で行う多重コントラスト露光の効果を向上する上
で好ましい。
【００１７】次に、図４に示す工程では、図３に示す工
程で得た多層レジスト層７の全面に、ｇ線ステッパーを
利用して多重コントラスト露光１０を行う。この多重コ
ントラスト露光１０は、高強度光５と低強度光６とを同
時に用いて露光する方法であり、高強度光５により露光
された領域では、高強度光５が上層フォトレジスト層４
を露光した後、これを透過して中間層３に到達する。こ
こで、高強度光５は、ある程度中間層３に吸収されると
共に、中間層３の色を退色させた後、さらに高強度光５
は、中間層３を透過して下層フォトレジスト層２まで到
達し、多層レジスト層７を最適露光する。
程で得た多層レジスト層７の全面に、ｇ線ステッパーを
利用して多重コントラスト露光１０を行う。この多重コ
ントラスト露光１０は、高強度光５と低強度光６とを同
時に用いて露光する方法であり、高強度光５により露光
された領域では、高強度光５が上層フォトレジスト層４
を露光した後、これを透過して中間層３に到達する。こ
こで、高強度光５は、ある程度中間層３に吸収されると
共に、中間層３の色を退色させた後、さらに高強度光５
は、中間層３を透過して下層フォトレジスト層２まで到
達し、多層レジスト層７を最適露光する。
【００１８】一方、多層レジスト層７のうち、低強度光
６により露光された領域では、低強度光６が上層フォト
レジスト層４を露光する。ここで、低強度光６が上層フ
ォトレジスト層４を最適露光した後、これを透過して中
間層３に到達しても、低強度光６は、ある程度中間層３
に吸収されるため、即座に下層フォトレジスト層２に到
達することがない。そして、低強度光６は、高強度光５
が多層レジスト層７全体を最適露光している間に、上層
フォトレジスト層４を最適露光する、または、上層フォ
トレジスト層４を最適露光し終え、中間層３を露光して
いる状態の強さとすることが好適である。このようにす
ることで、多層レジスト層７全体が最適露光される領域
と、上層フォトレジスト層４のみ、または、上層フォト
レジスト層４と中間層３のみが最適露光される領域とを
顕著に区別することができる。この結果、多重コントラ
スト露光の制御性が向上し、次工程で行う現像条件が、
従来に比べ大幅に緩和される。
６により露光された領域では、低強度光６が上層フォト
レジスト層４を露光する。ここで、低強度光６が上層フ
ォトレジスト層４を最適露光した後、これを透過して中
間層３に到達しても、低強度光６は、ある程度中間層３
に吸収されるため、即座に下層フォトレジスト層２に到
達することがない。そして、低強度光６は、高強度光５
が多層レジスト層７全体を最適露光している間に、上層
フォトレジスト層４を最適露光する、または、上層フォ
トレジスト層４を最適露光し終え、中間層３を露光して
いる状態の強さとすることが好適である。このようにす
ることで、多層レジスト層７全体が最適露光される領域
と、上層フォトレジスト層４のみ、または、上層フォト
レジスト層４と中間層３のみが最適露光される領域とを
顕著に区別することができる。この結果、多重コントラ
スト露光の制御性が向上し、次工程で行う現像条件が、
従来に比べ大幅に緩和される。
【００１９】次いで、図５に示す工程では、図４に示す
工程で得た支持体１を、アルカリ系現像液を用いて現像
し、下層フォトレジスト層２まで露光された領域は、前
記支持体１上から、多層レジスト層７を除去し、また、
上層フォトレジスト層４と中間層３のみが露光された領
域は、上層フォトレジスト層４のみを除去して、多重コ
ントラストレジストパターンを形成する。
工程で得た支持体１を、アルカリ系現像液を用いて現像
し、下層フォトレジスト層２まで露光された領域は、前
記支持体１上から、多層レジスト層７を除去し、また、
上層フォトレジスト層４と中間層３のみが露光された領
域は、上層フォトレジスト層４のみを除去して、多重コ
ントラストレジストパターンを形成する。
【００２０】このようにして、支持体１上に、多重コン
トラスト光プファイルが精度良く転写された多重コント
ラストレジストパターンが形成された。尚、本実施例で
は、図１に示す工程で、下層フォトレジスト層として、
『ＯＦＰＲ−８９００』（商品名）；東京応化（株）
製）を用いたが、これに限らず、所望により他の、フォ
トレジストを用いてもよい。
トラスト光プファイルが精度良く転写された多重コント
ラストレジストパターンが形成された。尚、本実施例で
は、図１に示す工程で、下層フォトレジスト層として、
『ＯＦＰＲ−８９００』（商品名）；東京応化（株）
製）を用いたが、これに限らず、所望により他の、フォ
トレジストを用いてもよい。
【００２１】また、図２に示す工程では、中間層とし
て、ＣＥＬＬ剤を用いたが、これに限らず、光退色性及
び／又は光吸収性を有すれば、他の物質を用いてもよ
い。そして、図３に示す工程では、上層フォトレジスト
層として、『ＴＳＭＲ−Ｖ５０』（商品名）；東京応化
（株）製）を用いたが、これに限らず、所望により他
の、フォトレジストを用いてもよい。
て、ＣＥＬＬ剤を用いたが、これに限らず、光退色性及
び／又は光吸収性を有すれば、他の物質を用いてもよ
い。そして、図３に示す工程では、上層フォトレジスト
層として、『ＴＳＭＲ−Ｖ５０』（商品名）；東京応化
（株）製）を用いたが、これに限らず、所望により他
の、フォトレジストを用いてもよい。
【００２２】そして、下層フォトレジスト層２、中間層
３、上層フォトレジスト層４の膜厚は、所望により決定
してよい。また、本実施例では、図４に示す工程で、ｇ
線ステッパーを利用して多重コントラスト露光１０を行
ったが、これに限らず、従来のフォトリソグラフィー
や、エキシマレーザリソグラフィ、位相シフト法などを
利用して多重コントラスト露光を行ってもよい。 （実施例２）次に、本発明に係る他の実施例について、
図面を参照して説明する。
３、上層フォトレジスト層４の膜厚は、所望により決定
してよい。また、本実施例では、図４に示す工程で、ｇ
線ステッパーを利用して多重コントラスト露光１０を行
ったが、これに限らず、従来のフォトリソグラフィー
や、エキシマレーザリソグラフィ、位相シフト法などを
利用して多重コントラスト露光を行ってもよい。 （実施例２）次に、本発明に係る他の実施例について、
図面を参照して説明する。
【００２３】図６ないし図９は、本発明の実施例に係る
多層レジストの製造工程を示す一部断面図である。先
ず、図６に示す工程では、支持体１上に、フォトレジス
トとして、ノボラック系樹脂製で耐ドライエッチング性
に優れたフォトレジスト（『ＳＡＬ６０１−ＥＲ７』
（商品名）；シプレイ社製）を用いて、１．０μｍ程度
の膜厚で下層フォトレジスト層２を形成する。
多層レジストの製造工程を示す一部断面図である。先
ず、図６に示す工程では、支持体１上に、フォトレジス
トとして、ノボラック系樹脂製で耐ドライエッチング性
に優れたフォトレジスト（『ＳＡＬ６０１−ＥＲ７』
（商品名）；シプレイ社製）を用いて、１．０μｍ程度
の膜厚で下層フォトレジスト層２を形成する。
【００２４】次に、この下層フォトレジスト層２上に、
中間層３として、Ｘ線を吸収する特性を有するＷ（タン
グステン）を、０．０１〜０．１μｍ程度の膜厚で形成
する。この中間層３の存在により、後に行う工程のマー
ジン（プロセスマージン）が大きくなるので、多重コン
トラストレジストパターンを得るための精度は、十分に
確保される。
中間層３として、Ｘ線を吸収する特性を有するＷ（タン
グステン）を、０．０１〜０．１μｍ程度の膜厚で形成
する。この中間層３の存在により、後に行う工程のマー
ジン（プロセスマージン）が大きくなるので、多重コン
トラストレジストパターンを得るための精度は、十分に
確保される。
【００２５】次いで、この中間層３上に、フォトレジス
トとして、ノボラック系樹脂製で耐ドライエッチング性
に優れたフォトレジスト（『ＳＡＬ６０１−ＥＲ７』
（商品名）；シプレイ社製）を用いて、１．０μｍ程度
の膜厚で上層フォトレジスト層４を形成する。このよう
にして、多層レジスト層７が形成された。次に、図７に
示す工程では、図６に示す工程で得た多層レジスト層７
の全面に、Ｘ線を利用して多重コントラスト露光１０を
行い、実施例１と同様に、多層レジスト層７全体が最適
露光される領域と、上層フォトレジスト層４のみ、また
は、上層フォトレジスト層４と中間層３のみ、または、
上層フォトレジスト層４と中間層３及び下層フォトレジ
スト層２を現像閾値以下で最適露光される領域とを顕著
に区別する。
トとして、ノボラック系樹脂製で耐ドライエッチング性
に優れたフォトレジスト（『ＳＡＬ６０１−ＥＲ７』
（商品名）；シプレイ社製）を用いて、１．０μｍ程度
の膜厚で上層フォトレジスト層４を形成する。このよう
にして、多層レジスト層７が形成された。次に、図７に
示す工程では、図６に示す工程で得た多層レジスト層７
の全面に、Ｘ線を利用して多重コントラスト露光１０を
行い、実施例１と同様に、多層レジスト層７全体が最適
露光される領域と、上層フォトレジスト層４のみ、また
は、上層フォトレジスト層４と中間層３のみ、または、
上層フォトレジスト層４と中間層３及び下層フォトレジ
スト層２を現像閾値以下で最適露光される領域とを顕著
に区別する。
【００２６】次いで、図８に示す工程では、図７に示す
工程で得た支持体１をアルカリ系現像液を用いて現像
し、上層フォトレジスト層４の現像を行う。次に、図９
に示す工程では、図８に示す工程で得た支持体１の中間
層３を前記アルカリ系現像液を用いて、そのままエッチ
ングした後、下層フォトレジスト層２を現像し、多重コ
ントラストレジストパターンを形成する。
工程で得た支持体１をアルカリ系現像液を用いて現像
し、上層フォトレジスト層４の現像を行う。次に、図９
に示す工程では、図８に示す工程で得た支持体１の中間
層３を前記アルカリ系現像液を用いて、そのままエッチ
ングした後、下層フォトレジスト層２を現像し、多重コ
ントラストレジストパターンを形成する。
【００２７】このようにして、支持体１上に高精度なパ
ターンを有する多重コントラストレジストパターンが形
成された。尚、本実施例では、図６に示す工程で、上層
フォトレジスト層４及び下層フォトレジスト層２とし
て、『ＳＡＬ６０１−ＥＲ７』（商品名）；シプレイ社
製を用いたが、これに限らず、所望により他の、フォト
レジストを用いてもよい。
ターンを有する多重コントラストレジストパターンが形
成された。尚、本実施例では、図６に示す工程で、上層
フォトレジスト層４及び下層フォトレジスト層２とし
て、『ＳＡＬ６０１−ＥＲ７』（商品名）；シプレイ社
製を用いたが、これに限らず、所望により他の、フォト
レジストを用いてもよい。
【００２８】また、中間層３として、Ｗを用いたが、Ｘ
線を吸収する性質を有すれば、他の物質を用いてもよ
い。そして、図９に示す工程では、中間層３をアルカリ
系現像液を用いて、そのままエッチングしたが、これに
限らず、Ｆ系ガスを用いてエッチングするなど、他の方
法によりエッチングしてもよい。
線を吸収する性質を有すれば、他の物質を用いてもよ
い。そして、図９に示す工程では、中間層３をアルカリ
系現像液を用いて、そのままエッチングしたが、これに
限らず、Ｆ系ガスを用いてエッチングするなど、他の方
法によりエッチングしてもよい。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように請求項１記載の本発
明によれば、支持体上に下層フォトレジスト層と、光退
色性及び／又は光吸収性を有する中間層と、上層フォト
レジスト層と、を順に形成した後、多重コントラスト露
光することで、多重コントラスト光プロファイルの強弱
が精度良く転写された多重コントラストレジストパター
ンを形成することができる。この結果、多重コントラス
ト露光法の実工程への導入が可能となり、マスク工程を
削減することができる。従って、生産性が向上すると共
に、位置合わせ精度、重ね合わせ精度が向上し、超微細
なディバイスの生産を行うことができる。
明によれば、支持体上に下層フォトレジスト層と、光退
色性及び／又は光吸収性を有する中間層と、上層フォト
レジスト層と、を順に形成した後、多重コントラスト露
光することで、多重コントラスト光プロファイルの強弱
が精度良く転写された多重コントラストレジストパター
ンを形成することができる。この結果、多重コントラス
ト露光法の実工程への導入が可能となり、マスク工程を
削減することができる。従って、生産性が向上すると共
に、位置合わせ精度、重ね合わせ精度が向上し、超微細
なディバイスの生産を行うことができる。
【００３０】また、請求項２記載の発明によれば、下層
フォトレジスト層と上層フォトレジスト層との間に、光
退色性及び／又は光吸収性を有する中間層を設けたこと
で、多重コントラスト露光の制御性を向上し、多重コン
トラスト露光効果を向上することができる。この結果、
前記同様、生産性が向上すると共に、位置合わせ精度、
重ね合わせ精度が向上し、超微細なディバイスの生産を
行うことができる。
フォトレジスト層と上層フォトレジスト層との間に、光
退色性及び／又は光吸収性を有する中間層を設けたこと
で、多重コントラスト露光の制御性を向上し、多重コン
トラスト露光効果を向上することができる。この結果、
前記同様、生産性が向上すると共に、位置合わせ精度、
重ね合わせ精度が向上し、超微細なディバイスの生産を
行うことができる。
【図１】本発明の実施例１に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図３】本発明の実施例１に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図４】本発明の実施例１に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図５】本発明の実施例１に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図６】本発明の実施例２に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図７】本発明の実施例２に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図８】本発明の実施例２に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
【図９】本発明の実施例２に係る多重レジストの製造工
程を示す一部断面図である。
程を示す一部断面図である。
１ 支持体 ２ 下層フォトレジスト層 ３ 中間層 ４ 上層フォトレジスト層 ５ 高強度光 ６ 低強度光 ７ 多層レジスト層 １０ 多重コントラスト露光
Claims (2)
- 【請求項１】 支持体上に下層フォトレジスト層を形成
する第１工程と、光退色性及び／又は光吸収性を有する
中間層を形成する第２工程と、上層フォトレジスト層を
形成する第３工程と、多重コントラスト露光を行う第４
工程と、現像を行う第５工程と、を備えたことを特徴と
する多重コントラストレジストパターンの製造方法。 - 【請求項２】 下層フォトレジスト層と上層フォトレジ
スト層との間に、光退色性及び／又は光吸収性を有する
中間層を設けたことを特徴とする多層レジスト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22726491A JPH0566568A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 多重コントラストレジストパターンの製造方法、及び多層レジスト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22726491A JPH0566568A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 多重コントラストレジストパターンの製造方法、及び多層レジスト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0566568A true JPH0566568A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16858099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22726491A Pending JPH0566568A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | 多重コントラストレジストパターンの製造方法、及び多層レジスト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0566568A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005099838A (ja) * | 1997-07-24 | 2005-04-14 | Optonix Seimitsu:Kk | Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
| US7078760B2 (en) * | 2002-04-26 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | Intermediate semiconductor device structure including multiple photoresist layers |
| JP2007173826A (ja) * | 2005-12-24 | 2007-07-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | デュアル・ダマシン構造を製作する方法 |
| CN114545734A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-05-27 | 珠海市能动科技光学产业有限公司 | 一种阻焊干膜光阻剂、其制备方法及应用 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP22726491A patent/JPH0566568A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005099838A (ja) * | 1997-07-24 | 2005-04-14 | Optonix Seimitsu:Kk | Ｘ線マスクおよびこの製造方法およびこれを用いて製作したマイクロ部品 |
| US7078760B2 (en) * | 2002-04-26 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | Intermediate semiconductor device structure including multiple photoresist layers |
| US7211855B2 (en) | 2002-04-26 | 2007-05-01 | Micron Technology, Inc. | Intermediate semiconductor device structure including multiple photoresist layers |
| JP2007173826A (ja) * | 2005-12-24 | 2007-07-05 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | デュアル・ダマシン構造を製作する方法 |
| CN114545734A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-05-27 | 珠海市能动科技光学产业有限公司 | 一种阻焊干膜光阻剂、其制备方法及应用 |
| CN114545734B (zh) * | 2022-03-09 | 2022-08-12 | 珠海市能动科技光学产业有限公司 | 一种阻焊干膜光阻剂、其制备方法及应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5716758A (en) | Process for forming fine pattern for semiconductor device utilizing multiple interlaced exposure masks | |
| US5480047A (en) | Method for forming a fine resist pattern | |
| JP3197484B2 (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| JP3355239B2 (ja) | パターンの形成方法 | |
| US6455203B1 (en) | Mask structure and method of manufacturing the same | |
| JP2000331928A (ja) | リソグラフ方法 | |
| US6599665B1 (en) | Method of making a semiconductor wafer imaging mask having uniform pattern features | |
| US20060134559A1 (en) | Method for forming patterns on a semiconductor device | |
| JPH0566568A (ja) | 多重コントラストレジストパターンの製造方法、及び多層レジスト | |
| JP2653072B2 (ja) | パターン形成方法 | |
| JPH02140914A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH02238457A (ja) | 厚膜フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPH03283418A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| EP1041441A2 (en) | Device manufacturing method | |
| JPS59141230A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH06186728A (ja) | ホトマスクの製造方法 | |
| JPH0451151A (ja) | 位相シフトレチクルの製作方法 | |
| JPS58153932A (ja) | 写真蝕刻方法 | |
| KR100272519B1 (ko) | 반도체소자의 패터닝방법 | |
| JPS62183449A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH05144718A (ja) | 半導体装置製造用の遮光性レジスト及び多層レジスト | |
| JPS59155926A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH11283920A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH0567566A (ja) | 多層レジスト及びそれを用いたレジストパターンの製造方法 | |
| KR20040001525A (ko) | 레티클 제조방법 및 이를 이용한 노광방법 |