JPS6097625A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6097625A JPS6097625A JP58205177A JP20517783A JPS6097625A JP S6097625 A JPS6097625 A JP S6097625A JP 58205177 A JP58205177 A JP 58205177A JP 20517783 A JP20517783 A JP 20517783A JP S6097625 A JPS6097625 A JP S6097625A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- exposure
- ultraviolet light
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/095—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
末完Ｆ３Ａはレジストパターン形成方法に関するもので
ある。
ある。
従来例の構成とその問題点
半導体素子が微細化するにつれて、段差基板上における
レジストパターンのパターン幅変化が問題とされるよう
になった。この問題を解決するために二層レジスト法が
提案されている。すなわち、まず基板上に下層レジスト
として遠紫外光用レジストを塗布した後、上層レジスト
として通常の紫外光用レジストを塗布する。次に紫外光
を用いて露光、現像を行うことにより、上層レジストに
パターンを形成する。さらにこの上層レジストをマスク
として遠紫外光露光を行い。現像することにより下層レ
ジストのパターニングを行う。
レジストパターンのパターン幅変化が問題とされるよう
になった。この問題を解決するために二層レジスト法が
提案されている。すなわち、まず基板上に下層レジスト
として遠紫外光用レジストを塗布した後、上層レジスト
として通常の紫外光用レジストを塗布する。次に紫外光
を用いて露光、現像を行うことにより、上層レジストに
パターンを形成する。さらにこの上層レジストをマスク
として遠紫外光露光を行い。現像することにより下層レ
ジストのパターニングを行う。
この方法では、露光、現像工程を２回行う必要があり、
プロセスが複雑である。さらに、上層レジストは紫外光
用レジストを用いるので、遠紫外光露光あるいは電子ビ
ーム露光を用いて上層レジストをパターニングすること
ができず、超微細加工に不適である。
プロセスが複雑である。さらに、上層レジストは紫外光
用レジストを用いるので、遠紫外光露光あるいは電子ビ
ーム露光を用いて上層レジストをパターニングすること
ができず、超微細加工に不適である。
このような理由から、遠紫外光露光または電子ビーム露
光によりパターン形成が可能で、しかもプロセスが簡単
な段差基板上のパターン形成方法が望まれていた。
光によりパターン形成が可能で、しかもプロセスが簡単
な段差基板上のパターン形成方法が望まれていた。
発り］の目的
本発明の目的は、段差基板上に高精細度のレジストパタ
ーンを、遠紫外光露光あるいは電子ビーム露光を用いて
形成することのできるパターン形成方法を提供すること
である。
ーンを、遠紫外光露光あるいは電子ビーム露光を用いて
形成することのできるパターン形成方法を提供すること
である。
発明の構成
すなわち、本発明は、基板上に二層の薄膜を形成し、上
層の薄膜のパターンを形成した後、上層薄膜をマスクと
して波長３００ｎｍ以下の遠紫外光を照射することによ
り下層薄膜を選択的に除去することを特徴とするパター
ン形成方法である。
層の薄膜のパターンを形成した後、上層薄膜をマスクと
して波長３００ｎｍ以下の遠紫外光を照射することによ
り下層薄膜を選択的に除去することを特徴とするパター
ン形成方法である。
実施例の説明
以下に第１図に基いて本発明の実施例について説８Ｉ４
する。
する。
０．５μｍの段差を持つ半導体基板１上にポリメチルメ
タアクリレ−）（ＰＭＭＡ＞レジスト２を１ ｌｔｍの
厚さで塗布し、１７０℃、３０分のプリベークを行う。
タアクリレ−）（ＰＭＭＡ＞レジスト２を１ ｌｔｍの
厚さで塗布し、１７０℃、３０分のプリベークを行う。
その上にネガ形電子ビーム露光用レジスト（ＥＢレジス
ト）３として、例えば、クロロメチル化ポリスチレン（
以下、０ＭＳレジストと略す）を０．５μｍの厚さに塗
布し、１２０℃３０分のプリベークを行う（第１図ａ）
。次に、篭手ビーム露光を用いて、露光量４ 、ＩＡＣ
／ ｃｒｌで露光シ、酢酸インアミル：エチルセルソル
ブ＝１＝３の現像液で、１分現像を行い、０ＭＳレジス
ト３のパターン４を形成する（第１図ｂ）。最後にＣＭ
Ｓ パターン４をマスクとして波長２５０ｎｍ。
ト）３として、例えば、クロロメチル化ポリスチレン（
以下、０ＭＳレジストと略す）を０．５μｍの厚さに塗
布し、１２０℃３０分のプリベークを行う（第１図ａ）
。次に、篭手ビーム露光を用いて、露光量４ 、ＩＡＣ
／ ｃｒｌで露光シ、酢酸インアミル：エチルセルソル
ブ＝１＝３の現像液で、１分現像を行い、０ＭＳレジス
ト３のパターン４を形成する（第１図ｂ）。最後にＣＭ
Ｓ パターン４をマスクとして波長２５０ｎｍ。
光出力１０ ｍＷ ／ ｄの光源を用い、基板温度８０
℃で６０分照射することにより、ＰＭＭＡレジスト２は
完全にエツチングされ、パターニングが完成する（第１
図Ｃ）。
℃で６０分照射することにより、ＰＭＭＡレジスト２は
完全にエツチングされ、パターニングが完成する（第１
図Ｃ）。
第２図に、遠紫外光（波長２５０ｎｍ、光出力２０ ｍ
Ｗ’ ／ ｉ ）に対するレジストのエツチング量を示
す。０ＭＳレジストのエッチレートは、ＰＭＭＡのＺ以
下であり、ＣＭＳをマスクとしてＰＭＭＡのパターニン
グが可能である。この現象は、波長３００ ｎｍ以下の
遠紫外光では共通である。
Ｗ’ ／ ｉ ）に対するレジストのエツチング量を示
す。０ＭＳレジストのエッチレートは、ＰＭＭＡのＺ以
下であり、ＣＭＳをマスクとしてＰＭＭＡのパターニン
グが可能である。この現象は、波長３００ ｎｍ以下の
遠紫外光では共通である。
また、ポジ形レジストとしては、ポリブテン、１−スル
フォン（以下、ＰＢＳと略す）レジストのエッチレート
が低く、ＰＢＳレジストを上層レジストとして使用する
ことができる。
フォン（以下、ＰＢＳと略す）レジストのエッチレート
が低く、ＰＢＳレジストを上層レジストとして使用する
ことができる。
なお、遠紫外光照射時の雰囲気としてば＼第２図は大気
中で行っているか、０２雰囲ｄ、Ｎ２雰囲気、真空中い
ずれもエツチングが可能である。
中で行っているか、０２雰囲ｄ、Ｎ２雰囲気、真空中い
ずれもエツチングが可能である。
エッチレートは、大気中１０２１Ｎ２１ 真空＝１１１
．２１０．８１ ｏ、ｓ である。
．２１０．８１ ｏ、ｓ である。
なお、本実施例においては、上層レジストのパターニン
グは電子ビーム露光を用いて行っているが、上層レジス
トを遠紫外線露光を用いてパターニングすることもでき
る。
グは電子ビーム露光を用いて行っているが、上層レジス
トを遠紫外線露光を用いてパターニングすることもでき
る。
発ｒ１４の効果
以上詳述したように、零発り−Ｊは、基板上に二層の薄
膜を形成し、上層の薄膜にパターンを形成した後、上層
薄膜をマスクとして波長３００ ｎｍ以下の遠紫外光を
照射することにより下層薄膜を除去することを特徴とす
るパターン形成方法であって、本発明を用いることによ
り、遠紫外光露光あるいは、電子ビーム露光を用いて、
段差基板上に高精細度のレジストパターンを、簡単なプ
ロセスで形成することができる。
膜を形成し、上層の薄膜にパターンを形成した後、上層
薄膜をマスクとして波長３００ ｎｍ以下の遠紫外光を
照射することにより下層薄膜を除去することを特徴とす
るパターン形成方法であって、本発明を用いることによ
り、遠紫外光露光あるいは、電子ビーム露光を用いて、
段差基板上に高精細度のレジストパターンを、簡単なプ
ロセスで形成することができる。
第１図（，１〜（Ｃ）は本発明の詳細な説明するための
工程断面図、第２図は遠紫外光照射によるレジストのエ
ツチング量を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ＰＭＭＡレジスト
、３・・・・・・０ＭＳレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ３！ｖ封Ｉ１８閘 （分）
工程断面図、第２図は遠紫外光照射によるレジストのエ
ツチング量を示す図である。 １・・・・・・基板、２・・・・・・ＰＭＭＡレジスト
、３・・・・・・０ＭＳレジスト。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第２図 ３！ｖ封Ｉ１８閘 （分）
Claims (2)
- （１）基板上に二層の薄膜を形成し、前記薄膜の上層の
パターンを形成した後、前記上層をマスクとして波長３
００ｎｍ以下の遠紫外光を照射することにより前記薄膜
の下層を選択的に除去することを特徴とするパターン形
成方法。 - （２）Ｒ膜の下層が、遠紫外光の照射によってエツチン
グされる樹脂被膜であり、遠紫外光に対するエッチレー
トが前記薄膜の上層の５倍以上であることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205177A JPS6097625A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58205177A JPS6097625A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6097625A true JPS6097625A (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=16502695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58205177A Pending JPS6097625A (ja) | 1983-11-01 | 1983-11-01 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6097625A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07335534A (ja) * | 1994-06-15 | 1995-12-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 微細レジストパタンの形成方法 |
-
1983
- 1983-11-01 JP JP58205177A patent/JPS6097625A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07335534A (ja) * | 1994-06-15 | 1995-12-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 微細レジストパタンの形成方法 |
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