JPS60217631A - 遠紫外光用レジスト露光方法 - Google Patents
遠紫外光用レジスト露光方法Info
- Publication number
- JPS60217631A JPS60217631A JP59073464A JP7346484A JPS60217631A JP S60217631 A JPS60217631 A JP S60217631A JP 59073464 A JP59073464 A JP 59073464A JP 7346484 A JP7346484 A JP 7346484A JP S60217631 A JPS60217631 A JP S60217631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- far ultraviolet
- ultraviolet light
- ultraviolet rays
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は遠紫外光用レジストの露光方法に関するもので
ある。
ある。
従来例の構成とその問題点
半導体素子が微細化されるにつれて、露光用レジストも
光露光源の短波長化が図られ、波長２００〜３００ｎｍ
の遠紫外光露光が用いられ始めている。この場合、波長
４００ｎｍ前後の、通常の紫外光露光に比較して、短波
長化にともなう回折の減少によシ、パターンの微細化を
図ることができる。しかしながら、紫外光露光の際に問
題となった、基板からの光の反射忙より、パターン幅が
変化する現象は、遠紫外光露光においても存在し、パタ
ーン微′細化の障害となるため、その解決が強く望まれ
ていた。
光露光源の短波長化が図られ、波長２００〜３００ｎｍ
の遠紫外光露光が用いられ始めている。この場合、波長
４００ｎｍ前後の、通常の紫外光露光に比較して、短波
長化にともなう回折の減少によシ、パターンの微細化を
図ることができる。しかしながら、紫外光露光の際に問
題となった、基板からの光の反射忙より、パターン幅が
変化する現象は、遠紫外光露光においても存在し、パタ
ーン微′細化の障害となるため、その解決が強く望まれ
ていた。
発明の目的
本発明は、この問題を解決し、遠紫外光露光における基
板からの反射をなくし、パターンの微細化を図ることが
可能な遠紫外光用レジスト露光方法を提供するものであ
る。
板からの反射をなくし、パターンの微細化を図ることが
可能な遠紫外光用レジスト露光方法を提供するものであ
る。
発明の構成
すなわち、本発明は基板上に波長３００ｎｍ以下の遠紫
外光で露光した、ポリスチレン系ネガ形レジストを反射
防止膜として形成し、同反射防止膜上に遠紫外光用レジ
ストを設けて露光処理することを特徴とする遠紫外光用
レジスト露光方法であシ、これによシ、基板面での遠紫
外光の反射を抑えて、高精度のパターン化ができる。
外光で露光した、ポリスチレン系ネガ形レジストを反射
防止膜として形成し、同反射防止膜上に遠紫外光用レジ
ストを設けて露光処理することを特徴とする遠紫外光用
レジスト露光方法であシ、これによシ、基板面での遠紫
外光の反射を抑えて、高精度のパターン化ができる。
実施例の説明
以下に第１図の工程順断面図にもとづいて本発明の実施
例について説明する。はじめに第１図ａのようにＳｉ基
板１上に０ＭＳレジスト（クロロメチル化ポリスチレン
）２を１μｍ塗布し、１３０℃、３０分間プリベークし
、ついで、キャノン製遠紫外露光装置ＰＬ’Ａ３２０Ｆ
Ａを用いて遠紫外光束３により２秒露光する。つぎに第
２図すのように中間層であるＳｉＯ□膜形成用材を０．
１μｍの厚さで塗布形成し、２００℃、２０分のベーク
を行い、ＳｉＯ□膜４を形成し、さらに、ＰＭＭＡレジ
スト６を厚さ０．５μｍで形成し、１７０℃。
例について説明する。はじめに第１図ａのようにＳｉ基
板１上に０ＭＳレジスト（クロロメチル化ポリスチレン
）２を１μｍ塗布し、１３０℃、３０分間プリベークし
、ついで、キャノン製遠紫外露光装置ＰＬ’Ａ３２０Ｆ
Ａを用いて遠紫外光束３により２秒露光する。つぎに第
２図すのように中間層であるＳｉＯ□膜形成用材を０．
１μｍの厚さで塗布形成し、２００℃、２０分のベーク
を行い、ＳｉＯ□膜４を形成し、さらに、ＰＭＭＡレジ
スト６を厚さ０．５μｍで形成し、１７０℃。
２０分のプリベークを行い、三層レゾスト構造を完成す
る。
る。
つぎに、前述した遠紫外光露光装置を用いてＰＭＭＡレ
ジスト５に所定図形を露光し、つづいて、第１図Ｃのよ
うにメチルイソブチルケトン液で２分間現像する。
ジスト５に所定図形を露光し、つづいて、第１図Ｃのよ
うにメチルイソブチルケトン液で２分間現像する。
そして、ＰＭＭ人レジスト５をマスクとしてＲＩＥ装置
を用いて０３Ｆ８−１−０□ガスで５ｉ０２膜４をエツ
チングし、５ｉｎ２膜４をマスクとし、下層の０ＭＳレ
ジスト２を０２ガスでエツチングするととにより、第１
図ｄのように、最終的なパターンが形成される。
を用いて０３Ｆ８−１−０□ガスで５ｉ０２膜４をエツ
チングし、５ｉｎ２膜４をマスクとし、下層の０ＭＳレ
ジスト２を０２ガスでエツチングするととにより、第１
図ｄのように、最終的なパターンが形成される。
ＰＭＭＡレジスト５を遠紫外光露光する場合、基板から
の反射がないので微細なパターンが形成できる。これは
、０ＭＳレジスト２によす１遠紫外光がすべて吸収され
るからである。第２図に厚さ０．６μｍの０ＭＳレジス
トの遠紫外光（波長２６０ｎｍピーク）の透過率を示す
。未照射の場合、１４チの光が透過するが、遠紫外光露
光後は、光の透過量は１チ以下となる。
の反射がないので微細なパターンが形成できる。これは
、０ＭＳレジスト２によす１遠紫外光がすべて吸収され
るからである。第２図に厚さ０．６μｍの０ＭＳレジス
トの遠紫外光（波長２６０ｎｍピーク）の透過率を示す
。未照射の場合、１４チの光が透過するが、遠紫外光露
光後は、光の透過量は１チ以下となる。
なお、本実施例では、クロロメチル化ポリスチレンを例
として説明を行ったが、その他のポリスチレン系ネガ形
レジスト、たとえば、ヨウ素化ポリスチレンなどでも同
様の効果がある。
として説明を行ったが、その他のポリスチレン系ネガ形
レジスト、たとえば、ヨウ素化ポリスチレンなどでも同
様の効果がある。
発明の効果
以上に詳述したように、本発明によれば、波長３００
ｎｍ以下の遠紫外光で露光したポリスチレン系ネガ形レ
ジストを反射防止膜として用いることにより、簡単な工
程で遠紫外光の反射を防ぐことができ、微細なパターン
の形成が可能である。
ｎｍ以下の遠紫外光で露光したポリスチレン系ネガ形レ
ジストを反射防止膜として用いることにより、簡単な工
程で遠紫外光の反射を防ぐことができ、微細なパターン
の形成が可能である。
第１図ａ −ｄは本発明の詳細な説明する断面図、第２
図は本発明の効果を示す、ポリスチレン系ネガ形レジス
トの遠紫外光透過率を示す特性図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・０ＭＳレジ
スト、３・・・・・・遠紫外光、４・・・・・・酸化膜
、５・・・・・・ＰＭＭＡ、６・・・・・・ＰＭＭＡパ
ターン、７・・・・・・パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ＋ ３
図は本発明の効果を示す、ポリスチレン系ネガ形レジス
トの遠紫外光透過率を示す特性図である。 １・・・・・・半導体基板、２・・・・・・０ＭＳレジ
スト、３・・・・・・遠紫外光、４・・・・・・酸化膜
、５・・・・・・ＰＭＭＡ、６・・・・・・ＰＭＭＡパ
ターン、７・・・・・・パターン。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ＋ ３
Claims (1)
- 基板上に、波長３００ｎｍ以下の遠紫外光で露光した、
ポリスチレン系ネガ形レジストを反射防止膜として形成
し、同反射防止膜上に遠紫外用レジストを設けて露光処
理することを特徴とする遠紫外光用レジスト露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073464A JPS60217631A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 遠紫外光用レジスト露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073464A JPS60217631A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 遠紫外光用レジスト露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217631A true JPS60217631A (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=13519004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59073464A Pending JPS60217631A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 遠紫外光用レジスト露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217631A (ja) |
-
1984
- 1984-04-12 JP JP59073464A patent/JPS60217631A/ja active Pending
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