JPS60217630A - 遠紫外光用レジスト露光方法 - Google Patents
遠紫外光用レジスト露光方法Info
- Publication number
- JPS60217630A JPS60217630A JP59073457A JP7345784A JPS60217630A JP S60217630 A JPS60217630 A JP S60217630A JP 59073457 A JP59073457 A JP 59073457A JP 7345784 A JP7345784 A JP 7345784A JP S60217630 A JPS60217630 A JP S60217630A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- far ultraviolet
- resist
- wavelength
- pmma
- ultraviolet light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は遠紫外光露光法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体素子の微細化が進むにつれて、光露光の光源とし
て、紫外光源（波長的４ｏｏｎｍ）に比べて波長の短い
遠紫外光源（波長２００〜３００ｎ ｍ ）が用いられ
るようになった。遠紫外光露光において用いられる代表
的レジストはＰＭＭＡである。また、遠紫外光露光はＰ
ＭＭＡを下層に、ホトレジストを上層にした２層レジス
トにおいて、ホトレジストを紫外光で露光、現像した後
、ホトレジストをマスクとして下層のＰＭＭＡを露光す
る場合に用いられている。ＰＭＭＡを用いて遠紫外光露
光する場合、問題となるのは、その感度の低さであり、
通常のアライナを用いると、露光時間が６〜１０分と長
時間になり、きわめてスループットが低かった。またＰ
ＭＭＡ以外のポジ形レジスト、あるいはネガ形レジスト
においても、遠紫外光露光における感度は、紫外光露光
に比べて低く、露光時間の長いことが問題となっている
。
て、紫外光源（波長的４ｏｏｎｍ）に比べて波長の短い
遠紫外光源（波長２００〜３００ｎ ｍ ）が用いられ
るようになった。遠紫外光露光において用いられる代表
的レジストはＰＭＭＡである。また、遠紫外光露光はＰ
ＭＭＡを下層に、ホトレジストを上層にした２層レジス
トにおいて、ホトレジストを紫外光で露光、現像した後
、ホトレジストをマスクとして下層のＰＭＭＡを露光す
る場合に用いられている。ＰＭＭＡを用いて遠紫外光露
光する場合、問題となるのは、その感度の低さであり、
通常のアライナを用いると、露光時間が６〜１０分と長
時間になり、きわめてスループットが低かった。またＰ
ＭＭＡ以外のポジ形レジスト、あるいはネガ形レジスト
においても、遠紫外光露光における感度は、紫外光露光
に比べて低く、露光時間の長いことが問題となっている
。
発明の目的
本発明は、この問題を解決するものであり、遠紫外光用
レジストを用いて、その感度を向上させることが可能な
遠紫外光用レジスト露光方法を提供するものである。
レジストを用いて、その感度を向上させることが可能な
遠紫外光用レジスト露光方法を提供するものである。
発明の構成
すなわち、本発明は、遠紫外光用レジストの露光部に波
長２００〜３００ｎｍの遠紫外光と同時に、波長７００
ｎｍ以上の光を照射することを特徴とする遠紫外光用レ
ジスト露光方法であり、これによシ、露光感度の大幅な
増加が可能になる。
長２００〜３００ｎｍの遠紫外光と同時に、波長７００
ｎｍ以上の光を照射することを特徴とする遠紫外光用レ
ジスト露光方法であり、これによシ、露光感度の大幅な
増加が可能になる。
実施例の説明
以下に本発明の実施例について説明する。
試料として、Ｓｉ ウェーハ上にＰＭＭＡ（ポリメチル
メタクリレート）を０．５μｍ塗布し、１７０°Ｃ３０
分プリベークを行った。遠紫外光露光は、キャノン製Ｐ
ＬＡｓ２ｏＦＡコンタクト／プロキシミティ方式のマス
クアライナを用いた。現像は、ＭＩＢＫ（メチルインブ
チルケトン）を用いて、２分間行った。第１図に、ＰＭ
ＭＡの感度特性を、本発明の実施例である、波長７００
１ｍ以上の光を照射した場合の結果として、遠紫外光の
みを照射した場合とあわせて示す。遠紫外光のみを照射
した場合と、本発明の場合とをあわせて、その波長分布
は第２図のとおりである。本発明を用いることにより、
ＰＭＭＡの感度が約１０倍となる。
メタクリレート）を０．５μｍ塗布し、１７０°Ｃ３０
分プリベークを行った。遠紫外光露光は、キャノン製Ｐ
ＬＡｓ２ｏＦＡコンタクト／プロキシミティ方式のマス
クアライナを用いた。現像は、ＭＩＢＫ（メチルインブ
チルケトン）を用いて、２分間行った。第１図に、ＰＭ
ＭＡの感度特性を、本発明の実施例である、波長７００
１ｍ以上の光を照射した場合の結果として、遠紫外光の
みを照射した場合とあわせて示す。遠紫外光のみを照射
した場合と、本発明の場合とをあわせて、その波長分布
は第２図のとおりである。本発明を用いることにより、
ＰＭＭＡの感度が約１０倍となる。
ＰＭＭＡの感度が向上する主原因は、長波長光の照射に
よる温度上昇により、レジスト反応が促進されるだめで
ある。
よる温度上昇により、レジスト反応が促進されるだめで
ある。
以上はポジ形レジストのＰＭＭＡを例として説明をおこ
なったが、次にネガ形レジストＣＭｓ（クロロメチル化
ポリスチレン）の場合について説明する。Ｓｉウェーハ
上にＣＭＳを０・６μｍの厚さに塗布し、１３０’Ｃ，
２０分のプリベークを行った。現像は酢酸インアミル／
エチルセルソルブ＝３／１を用いて、１分間行い、イソ
プロピルアルコールでリンスした。この場合感度特性を
第３図に示す。０．ＭＦ３の場合も、本発明を用いるこ
とにより感度が約６倍向上する。
なったが、次にネガ形レジストＣＭｓ（クロロメチル化
ポリスチレン）の場合について説明する。Ｓｉウェーハ
上にＣＭＳを０・６μｍの厚さに塗布し、１３０’Ｃ，
２０分のプリベークを行った。現像は酢酸インアミル／
エチルセルソルブ＝３／１を用いて、１分間行い、イソ
プロピルアルコールでリンスした。この場合感度特性を
第３図に示す。０．ＭＦ３の場合も、本発明を用いるこ
とにより感度が約６倍向上する。
発明の効果
以上に詳述したように、本発明は、波長２００〜３００
ｎｍの遠紫外光と同時に、波長７００ｎｍ以上の光を照
射することを特徴とする遠紫外光露光方法であって、本
発明を用いることにより、遠紫外光レジストの感度を５
〜１０倍向上させ、スループットを高くするととが可能
である。
ｎｍの遠紫外光と同時に、波長７００ｎｍ以上の光を照
射することを特徴とする遠紫外光露光方法であって、本
発明を用いることにより、遠紫外光レジストの感度を５
〜１０倍向上させ、スループットを高くするととが可能
である。
第１図は本発明の実施例の効果をあられすＰＭＭＡレジ
ストの感度特性図、第２図は本発明の実施例および従来
例のレジストを露光する光の波長分布図、第３図は本発
明の実施例の効果をあられす、０ＭＳレジストの感度特
性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 露光時間ζ秒ジ 第２図 ２／）Ｉ） ３ｏｂ ４６ｔｒ 、５ｏｏ ６θθｆθ
θ００９１４１）Ｒ＋（凭仇〕 第３図 露光時間 （劣
ストの感度特性図、第２図は本発明の実施例および従来
例のレジストを露光する光の波長分布図、第３図は本発
明の実施例の効果をあられす、０ＭＳレジストの感度特
性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 露光時間ζ秒ジ 第２図 ２／）Ｉ） ３ｏｂ ４６ｔｒ 、５ｏｏ ６θθｆθ
θ００９１４１）Ｒ＋（凭仇〕 第３図 露光時間 （劣
Claims (1)
- 遠紫外光用レジストの露光面に、波長２００〜ｓｏｏｎ
ｍの遠紫外光と同時に、波長７００ｎｍ以上の光を照射
することを特徴とする遠紫外光用レジスト露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073457A JPS60217630A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 遠紫外光用レジスト露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59073457A JPS60217630A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 遠紫外光用レジスト露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60217630A true JPS60217630A (ja) | 1985-10-31 |
Family
ID=13518790
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59073457A Pending JPS60217630A (ja) | 1984-04-12 | 1984-04-12 | 遠紫外光用レジスト露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60217630A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63198324A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPH04368952A (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | レジストの露光方法 |
-
1984
- 1984-04-12 JP JP59073457A patent/JPS60217630A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63198324A (ja) * | 1987-02-13 | 1988-08-17 | Toshiba Corp | パタ−ン形成方法 |
| JPH04368952A (ja) * | 1991-06-17 | 1992-12-21 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | レジストの露光方法 |
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