JPS62135821A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS62135821A JPS62135821A JP27710785A JP27710785A JPS62135821A JP S62135821 A JPS62135821 A JP S62135821A JP 27710785 A JP27710785 A JP 27710785A JP 27710785 A JP27710785 A JP 27710785A JP S62135821 A JPS62135821 A JP S62135821A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- resin
- pattern
- radiation
- photosensitive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/091—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by antireflection means or light filtering or absorbing means, e.g. anti-halation, contrast enhancement
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜のブリーチング作用を利用して、従来の
露光方法で回折等によって減衰した放射線のコントラス
トを向上させ、微細パタンの露光を実現しうるものであ
る。
露光方法で回折等によって減衰した放射線のコントラス
トを向上させ、微細パタンの露光を実現しうるものであ
る。
従来の技術
半導体集積回路の微細回路バタン形成の為に、光による
縮少投影露光法、電子線による直接露光法、Ｘ線による
プロキシミティ露光法等があげられる。しかし、生産ラ
イへの導入のスループット、工程の容易さ、装置、シス
テム等の生産性を考慮すると、従来から用いられてきた
光による縮少投影露光法が最良であるといわれている。
縮少投影露光法、電子線による直接露光法、Ｘ線による
プロキシミティ露光法等があげられる。しかし、生産ラ
イへの導入のスループット、工程の容易さ、装置、シス
テム等の生産性を考慮すると、従来から用いられてきた
光による縮少投影露光法が最良であるといわれている。
しかし、光の回折により、例えばＮ人＝０．３５、σ＝
０．５の光学系においては、ラインアンドΦスペースが
０．４μになると光のコントラスト（Ｃ＝ Ｉｍａｘ−
Ｉｍｉｎ ／ Ｉｍａｘ−１−Ｉｍｉｎ ）が０．２６
７となり、回折による光のまわり込みで、コントラスト
が低下し、パターンが解像できなくなる。
０．５の光学系においては、ラインアンドΦスペースが
０．４μになると光のコントラスト（Ｃ＝ Ｉｍａｘ−
Ｉｍｉｎ ／ Ｉｍａｘ−１−Ｉｍｉｎ ）が０．２６
７となり、回折による光のまわり込みで、コントラスト
が低下し、パターンが解像できなくなる。
これを改善する為に、１９８３年、米国Ｃ１ｒＫ社のＢ
、 Ｆ 、 Ｇｒｉｆｆｉｎｇらは、レジスト上に光
強度のコントラストを改善させるコントラスト・エンハ
ンスト層を積層し、解像度を向上させる方法ＫＤＬ−４
，Ｎ１１ 、Ｊａｎ、１９８３） を発表しだ。
、 Ｆ 、 Ｇｒｉｆｆｉｎｇらは、レジスト上に光
強度のコントラストを改善させるコントラスト・エンハ
ンスト層を積層し、解像度を向上させる方法ＫＤＬ−４
，Ｎ１１ 、Ｊａｎ、１９８３） を発表しだ。
これは、薄膜中の漂白試薬によるブリーチング作用を利
用したもので、ブリーチング現象は、米国１．Ｂ、Ｍ社
のＦ 、 Ｈ、Ｄｉｌｌらによって行なわれた理論解析
（Ｃｈａｒａｃｔｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆを用いて、薄
膜透過後の光の強度を求めることができる。Ｄｉｌｌ
らの解析の中で、薄膜中でのエネルギー吸収係数人が大
きいほど、弱い光に対する透過率が減少し、コントラス
トの改善効果は大きいと考えられる。ムは一般に、薄膜
の透過率の時間変化の初キ値ＴＯ）と、完全にブリーチ
ングした場合の透過率で（ω）、薄膜の厚さｄを用いる
と人＝Ｈ１ｎ （Ｔ （Ｃｏ）／Ｔ （０） ）
−・−−−−−−・・・（１）と表わされる。
用したもので、ブリーチング現象は、米国１．Ｂ、Ｍ社
のＦ 、 Ｈ、Ｄｉｌｌらによって行なわれた理論解析
（Ｃｈａｒａｃｔｒｉｚａｔｉｏｎ ｏｆを用いて、薄
膜透過後の光の強度を求めることができる。Ｄｉｌｌ
らの解析の中で、薄膜中でのエネルギー吸収係数人が大
きいほど、弱い光に対する透過率が減少し、コントラス
トの改善効果は大きいと考えられる。ムは一般に、薄膜
の透過率の時間変化の初キ値ＴＯ）と、完全にブリーチ
ングした場合の透過率で（ω）、薄膜の厚さｄを用いる
と人＝Ｈ１ｎ （Ｔ （Ｃｏ）／Ｔ （０） ）
−・−−−−−−・・・（１）と表わされる。
ここで、コントラストの改善効果はＴ（ｃｏ）／Ｔ（ｏ
）に関すると考えて近似できるので、コントラストはＡ
−ｄが大きいと、その改善効果は大きいと考えられる。
）に関すると考えて近似できるので、コントラストはＡ
−ｄが大きいと、その改善効果は大きいと考えられる。
したがって、（ＩＥＬを特徴づける量は、人・ｄであり
、薄膜の膜厚ｄがその効果に直接影響する事になる。
、薄膜の膜厚ｄがその効果に直接影響する事になる。
実際の”／ＬＳＩ製造工程においては、段差部によって
スピンコードした場合に塗布膜厚は場所によってばらつ
く。
スピンコードした場合に塗布膜厚は場所によってばらつ
く。
第３図に、段差を含む基板１上にスピン塗布した感光性
樹脂２と、放射線漂白作用を持つ有機薄膜３の断面図を
示す。第３図に示す様に、段差部での有機薄膜３の膜厚
ｄ１ と、平坦部での膜厚ｄ２とはｄ＋＜ｄｚとなる
。第４図に有機薄膜３の膜厚が変化した場合の光透過率
の変化を示す。図に示す様に膜厚が減少すると透過率の
変化割合が減少し、コントラスト増大効果は減少する。
樹脂２と、放射線漂白作用を持つ有機薄膜３の断面図を
示す。第３図に示す様に、段差部での有機薄膜３の膜厚
ｄ１ と、平坦部での膜厚ｄ２とはｄ＋＜ｄｚとなる
。第４図に有機薄膜３の膜厚が変化した場合の光透過率
の変化を示す。図に示す様に膜厚が減少すると透過率の
変化割合が減少し、コントラスト増大効果は減少する。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、コントラスト改善効果をもたらす放射線漂白
性有機薄膜の膜厚依存性を無くし、段差を含む基板上で
も全面に渡って有効なコントラスト改善を行おうとする
ものである。
性有機薄膜の膜厚依存性を無くし、段差を含む基板上で
も全面に渡って有効なコントラスト改善を行おうとする
ものである。
問題点を解決するだめの手段
本発明は、単位表面積当りに同等の放射線漂白作用ある
いは退色作用をもつ有機薄膜を、感光性樹脂上に形成さ
せるものである。
いは退色作用をもつ有機薄膜を、感光性樹脂上に形成さ
せるものである。
作用
単位表面積当りに回当の放射線漂白作用あるいは退色作
用をもたせる事により、薄膜中での（１）式におけるＡ
−ｄが等制約に一定となり、各場所におけるコントラス
ト改善効果が一様になり、バタン寸法の制御性が向上す
る。
用をもたせる事により、薄膜中での（１）式におけるＡ
−ｄが等制約に一定となり、各場所におけるコントラス
ト改善効果が一様になり、バタン寸法の制御性が向上す
る。
実施例
第１図に本発明の一実施例のパターン形成方法を示す。
段差部１０を含む半導体基板１１上に塗布された感光性
樹脂（７オトレジスト１２）上に、放射線漂白作用を付
加した有機薄膜１３を、ラングミュアブロジェット法で
分子層毎にたい積させる。たい積された有機薄膜１３は
、この方法であれば分子層毎にたい積されるので、その
膜厚ｄが樹脂１２上で均一となる。したがって薄膜１２
は、全面に渡ってその単位表面積当りでの放射線漂白作
用あるいは退色作用すなわちコントラスト改善効果を示
す（Ａ−ｄ）がほぼ均一になる。したがって、光透過特
性が全面で等しくなシ、通常のスピンコード法等の場合
に起こる段差部等での膜厚の不均一性がなくなり、全面
に渡って均一なコントラストの改善効果が得られる。
樹脂（７オトレジスト１２）上に、放射線漂白作用を付
加した有機薄膜１３を、ラングミュアブロジェット法で
分子層毎にたい積させる。たい積された有機薄膜１３は
、この方法であれば分子層毎にたい積されるので、その
膜厚ｄが樹脂１２上で均一となる。したがって薄膜１２
は、全面に渡ってその単位表面積当りでの放射線漂白作
用あるいは退色作用すなわちコントラスト改善効果を示
す（Ａ−ｄ）がほぼ均一になる。したがって、光透過特
性が全面で等しくなシ、通常のスピンコード法等の場合
に起こる段差部等での膜厚の不均一性がなくなり、全面
に渡って均一なコントラストの改善効果が得られる。
薄膜１３を形成後、第１図すに示す様にマスク１４全通
して紫外線１５等によるパターンニング露光を行い、薄
膜１３を除去した後感光性樹脂１２を現像する事によっ
て、第１図Ｃに示される様に感光性引脂１２の微細バタ
ンを形成する。こうした均一なコントラスト改善効果に
より、微細な感光性樹脂パターンを均一に得ることが可
能となる。
して紫外線１５等によるパターンニング露光を行い、薄
膜１３を除去した後感光性樹脂１２を現像する事によっ
て、第１図Ｃに示される様に感光性引脂１２の微細バタ
ンを形成する。こうした均一なコントラスト改善効果に
より、微細な感光性樹脂パターンを均一に得ることが可
能となる。
第２図に本発明の他の実施例を示す。段差部１０を含む
基板１１上に塗布された感光性樹脂膜１２上に有機薄膜
１３をスピンコード法等により塗布し、その後、ラジカ
ル成分として化学的蒸着法やイオン注入法によって放射
線漂白作用をもたらすラジカルあるいは活性剤２０を有
機薄膜１３中に導入する。この様にして放射線漂白作用
を持たせた有機薄膜１３は、全面に渡り、単位表面積当
シの放射線漂白作用が等しくなり、薄膜１３の膜厚に依
存しない透過特性が得られる。この様にして形成した薄
膜１３を通して、バターニング露光を行い、薄膜１３を
除去後、樹脂１２を現像する事によって微細バタンか形
成できる。
基板１１上に塗布された感光性樹脂膜１２上に有機薄膜
１３をスピンコード法等により塗布し、その後、ラジカ
ル成分として化学的蒸着法やイオン注入法によって放射
線漂白作用をもたらすラジカルあるいは活性剤２０を有
機薄膜１３中に導入する。この様にして放射線漂白作用
を持たせた有機薄膜１３は、全面に渡り、単位表面積当
シの放射線漂白作用が等しくなり、薄膜１３の膜厚に依
存しない透過特性が得られる。この様にして形成した薄
膜１３を通して、バターニング露光を行い、薄膜１３を
除去後、樹脂１２を現像する事によって微細バタンか形
成できる。
発明の効果
本発明は、光透過薄膜の透過特性の膜厚依存性を解消し
、均一なコントラスト改善効果により微細パタンを形成
する事を提供するものである。
、均一なコントラスト改善効果により微細パタンを形成
する事を提供するものである。
第１図、第２図は本発明の実施例の工程を示す断面図、
第３図は従来の工程を示す断面図、第４図は従来におけ
る有機薄膜の光透過特性を示す図である。 １ｏ・・・・・・段差部、１１・・・・・・基板、１２
・・・・・・感光性樹脂、１３・・・・・・有機薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ＴｃＬ） （ｂ） （Ｃ） 第２図 第３図
第３図は従来の工程を示す断面図、第４図は従来におけ
る有機薄膜の光透過特性を示す図である。 １ｏ・・・・・・段差部、１１・・・・・・基板、１２
・・・・・・感光性樹脂、１３・・・・・・有機薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ＴｃＬ） （ｂ） （Ｃ） 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）段差を含む基板上に放射線感光性樹脂を形成する
工程と、段差を有する前記感光性樹脂上に前記基板上全
面で均一な放射線漂白作用あるいは退色作用を付加した
有機薄膜を形成する工程と、前記樹脂および薄膜をパタ
ーン露光し、前記薄膜を全面除去する工程と、前記樹脂
を現像してパターン形成する工程とを有する事を特徴と
するパターン形成方法。 - （２）樹脂上に均一な膜厚で薄膜を形成することを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方法
。 - （３）樹脂上にラジカルを注入する事により放射線漂白
作用を持たせた有機薄膜を形成することを特徴とする特
許請求の範囲第１項に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27710785A JPS62135821A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27710785A JPS62135821A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62135821A true JPS62135821A (ja) | 1987-06-18 |
Family
ID=17578877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27710785A Pending JPS62135821A (ja) | 1985-12-10 | 1985-12-10 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62135821A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04106902U (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-16 | 株式会社ササキコーポレーシヨン | 超深耕ロータリの横移動機構 |
| US7781150B2 (en) | 2006-12-19 | 2010-08-24 | Industrial Technology Research Institute | Method of photolithographic exposure |
-
1985
- 1985-12-10 JP JP27710785A patent/JPS62135821A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04106902U (ja) * | 1991-02-19 | 1992-09-16 | 株式会社ササキコーポレーシヨン | 超深耕ロータリの横移動機構 |
| US7781150B2 (en) | 2006-12-19 | 2010-08-24 | Industrial Technology Research Institute | Method of photolithographic exposure |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2001060003A (ja) | フォトマスク及びこれを用いた半導体素子の微細パターン形成方法 | |
| JPS59211231A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS62135821A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| GB2291982A (en) | Photo masks | |
| JPS60230650A (ja) | 微細パタ−ンの製作法 | |
| US7100322B2 (en) | Method of manufacturing an alternating phase shift mask | |
| JPH02238457A (ja) | 厚膜フォトレジストパターンの形成方法 | |
| JPH01128522A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JP3663551B2 (ja) | レジスト・パターンの形成方法 | |
| KR950015617A (ko) | 반도체소자의 미세패턴 제조방법 | |
| KR19990065144A (ko) | 반도체 소자의 투과율 조절 마스크 제조 방법 | |
| JPS59155930A (ja) | 微細パタ−ンの形成方法 | |
| KR100399889B1 (ko) | 반도체소자의감광층패턴형성방법 | |
| JPS5892223A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPH01239928A (ja) | パターン形成方法 | |
| JPS61209450A (ja) | ホトマスク | |
| JPS6341027A (ja) | レジストパタ−ン形成方法 | |
| JPS60217630A (ja) | 遠紫外光用レジスト露光方法 | |
| JPS61209442A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPH02213121A (ja) | フォトマスク及びフォトレジストの感光方法と、半導体装置の製造方法 | |
| JPH03223760A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH05291103A (ja) | レジストパターン形成方法 | |
| JPH01130527A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPS59190230A (ja) | ガラス膜の形成方法 | |
| JPH06132215A (ja) | 半導体装置の製造方法 |