JPS60230650A - 微細パタ−ンの製作法 - Google Patents

微細パタ−ンの製作法

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Publication number
JPS60230650A
JPS60230650A JP8735984A JP8735984A JPS60230650A JP S60230650 A JPS60230650 A JP S60230650A JP 8735984 A JP8735984 A JP 8735984A JP 8735984 A JP8735984 A JP 8735984A JP S60230650 A JPS60230650 A JP S60230650A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
layer
resist
light
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP8735984A
Other languages
English (en)
Inventor
Masaru Koeda
小枝 勝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shimadzu Corp
Shimazu Seisakusho KK
Original Assignee
Shimadzu Corp
Shimazu Seisakusho KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shimadzu Corp, Shimazu Seisakusho KK filed Critical Shimadzu Corp
Priority to JP8735984A priority Critical patent/JPS60230650A/ja
Publication of JPS60230650A publication Critical patent/JPS60230650A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/09Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
    • G03F7/095Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having more than one photosensitive layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Architecture (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
  • Holo Graphy (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 イ・産業上の利用分野 本発明はホログラフィック露光により作成した断面形状
が正弦波状の微細レジストパターンを断ものに変換する
方法に関するもので、ラメラ−回折格子、透過型回折格
子、フレネルゾーンプレート等を作成する上で重要でか
つ広い応用が考えられる。
口・従来技術 ラメラ−回折格子を作成する場合、機械切りと化学エツ
チングを用いた方法(A、Frank etc。
Ph11. Prans、 Roy、 Boc、 27
’7.503. (”75))及びホログラフィック露
光法とリフトオフプロセスを用いた方法(G、Schm
ahl J、Soc、Japan24.3. (”74
))等があるが、前者は機械切りの為周期誤差によるゴ
ーストや迷光が多く、又作成に要する時間が桁違いに長
いだめ製造コストが高くなる。又、後者はホログラフィ
ック露光法によシ、これら機械切りの欠点を改善してい
るがリストオフが非常に困:難である。
軟X線用透過型回折格子、軟X線用フレネルゾーンフレ
ートを作成する場合、ホログラフィク露光法で作成した
レジストパターンをマスクにしてイオンエツチングで第
2層のAuの薄膜層に置キ換える方法があるが、この場
合、Au薄膜に転写されたパターンの断面形状が矩形状
にならず、又Au−膜を厚く出来ないことが欠点として
上げられる。又、X線を利用してAuのパターンをマス
クとし断面形状が矩形状のものに転写する方法では、マ
スクの製造自体が非常に難しいと同時に大規模なX線露
光装置が必要である。又電子ビームでレジストにパター
ンを直接描画し、リフトオフした後、それをマスクとし
て第2層をイオンエツチングニよりアスペクト比の高い
パターンに変換する方法では、電子ビームの位置合せ精
り描画時間、製作工程の複雑さなどに多くの間題がある
八日的 本発明はラメラ−回折格子、透過型回折格子。
フレネルゾーンプレート等を作成するに要する時間を短
縮させると同時に、製作に必要な装置を単純化し、よシ
低コストでしかも高い性能をもった上記各素子を作成す
る方法に関する。
二・構成 本発明は基板上に波長感度の異なる2層のレジスト層を
形成し、表層側の第1層のレジストに第2層のレジスト
には感光しない波長の光を用い、ホログラフィック露光
を行って、断面形状が正弦波の正の部分だけからなるよ
うなパターンを形成し、次にこのパターンを上記第1層
のレジストヲ透過しない波長の光で第2層に転写し、断
面形状が所要の矩形状のパターンを形成することを特徴
とする微細ノミターンの製造方法である。
ホ・実施例 以下図面に基づいて説明する。
代表的なりEEPUV(波長2000 AO以下の紫外
線)レジス) PMMAは波長250nm以下の短波長
の紫外線によシ感光するが、それより長波長側の光に対
しては全く感光しない。他方第1図は代表的なフオトレ
ジス)AZ1350Jの分光透過率を示している。これ
によるとAZ1350Jの場合24Onm付近から50
0nm付近まで感度を持ってい谷が、240nm以下の
波長の光は全く透過しないことがわかる。これらの特性
を利用して第2図aに示すように、第2層2にPMMA
を用いその上の第1層にAZ1350Jをスピナーで塗
布した基板3にたとえばHe−Cdレーザの光(波長人
−441・6層m)によりホログラフィック露光で第1
層のAZ1350Jのレジスト上に必要なパターンを作
成する(第2図b)っこのパターンの断面は露光量及び
現像処理を適当にして正弦波の正の部分だけからなるよ
うな形状にしであるがこのレジストパターンをマスクと
して波長240nm以下の光、たとえば水銀ランプなど
を光源に用いて一様に照射することによシ、PMMAC
I第2層2C1上KA Z 135 OJ上ニ形成され
たパターンを転写することができる。この工程によシ波
長240nm以下の先はAZ135JOJの部分は透過
せず、又、PMMAとAZ1350Jの間は完全な密着
状態であるため、回折の影響は小さくなシ第2層PMM
Aの薄膜上に矩形断面形状を持ったパターンが正しく転
写される。
その後、このパターンのAZ1350J部分を適当な溶
剤(アセトン)や、o2プラズマで除去し蒸着すること
により、ラメラ−回折格子が作成する。その溝の深さは
、PMMAを塗布する際のスピナーの回転数を調節する
ことで容易に行える。
又Au軟X線用透過型回折格子、Au軟X線用フレネル
ゾーンプレートを作成する場合、Auの膜厚を厚くする
ことが、必要である。この場合第3図の様にSi基板3
上にAu5を蒸着した後、第2層のpMMA層2を厚く
塗布した上に第2層のAZ135OJ層lを塗布する(
第3図a)。
これをラメラ−回折格子の場合と同様にし、PMメッキ
した後PMMAをトリクロルエチレンで除去することに
よシ、Au層の厚いパターンが作成できる(第3図d)
。最後にArイオンビームエツチングで全体にAuをけ
ずった後Si基板3をHF+HN、03あるいはKOH
で除去する(第。
図e)。
もちろんラメラ−回折格子を軟X線用透過型回折格子、
軟X線用及びフレネルゾーンプレート以外の場合であっ
てもホログラフィック露光法で作成された正弦波状のパ
ターンを矩形断面状に変換する場合には同じ効果が期待
できる。
へ・効果 以上、説明した様に本発明によれば、ホログラフィック
露光法を用いて、Auの厚みが厚く、断面形状が矩形型
の微細パターンを持った効率の高いラメラ−回折格子、
軟X線用透過型回折格子。
軟X線用フレネルゾーンプレー1・等を性能を損う−こ
となく安価に製作できるメリットがある。
【図面の簡単な説明】
第1図は代表的ガフオドレジストの分光透過率曲線、第
2図は本発明をラメラ−回折格子に応用した実施例の工
程各段の試料断面図、第3図3は本発明を軟X線用透過
型回折格子、軟X線用フレネルゾーンプレートに応用し
た実施例の工程各段の試料断面図である。 1・・・第1層、2・・・第2層、3・・・基板。 代理人 弁理士 軽 浩 介 皆1図 26“− 究3凶

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板上に波長感度の異なる2層のレジストを形成
    シ、第一層のレジストに、第2層のレジストには感光し
    ない波長の光を用い、ホログラフインク露光を行い、断
    面形状が正弦波の正の部分だけからなるような〜パター
    ンを形成し、次にこのパターンを第一層のレジストを透
    過しない波長の光で(2)上記第1項で第2層のレジス
    トを厚く塗布することにより第1項の断面形状を特徴に
    持ち、かつアスペクト比の大きいパターンに交換するこ
    とを特徴とする微細パターンの製作法。
JP8735984A 1984-04-30 1984-04-30 微細パタ−ンの製作法 Pending JPS60230650A (ja)

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