JPS5877229A - パタ−ン転写用マスクおよびその製造方法 - Google Patents

パタ−ン転写用マスクおよびその製造方法

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JPS5877229A
JPS5877229A JP17544581A JP17544581A JPS5877229A JP S5877229 A JPS5877229 A JP S5877229A JP 17544581 A JP17544581 A JP 17544581A JP 17544581 A JP17544581 A JP 17544581A JP S5877229 A JPS5877229 A JP S5877229A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）発明の技術分野 本発明は、電子ビーム転写に洪されるパターン転写用マ
スクおよびその製造方法に関する〇（２）従来技術 近時、電子ビーム転写技術ｒ・一つとしてホトカンード
方式が注目されてし−・る０ポ）カンード方式は紫外光
電面を積層した光学マスク（）ｆターン転写用マスク）
に紫外線を照射し、該マスクから放射される光電子を結
ｇＩ糸でウェーハ上のレジストに結像、露光してノ譬タ
　−ン転写するものであシ、一般に第１図に・ドす如く
構成される。すなわち、石英基＠１のＰｉｌｏｔにＣｒ
パターン２を形成し、これらの表面にＣａｒ等の光電膜
Ｓを被着してマスク４が形成され、このマスク４０下面
にレジスト５を塗布されたウェーハ６が離間対向配置さ
れる◎そして、マスク４の上面から一様な紫外Ｉ１１を
照射し、放射された光電子をｉスターウ墨−へ間の均一
な電界によシ加速し、これと平行な磁界によシウェーハ
ｅ上に集束させることＫよって、パターン転写が行われ
るものとなっている０しかして、この方式では解像性能
が高くサブオフロンのパターン転写が可能である。さら
に１転写時間が短く高い生産性が得られる等の利点があ
る。
（３）従来技術の１問題点 前記マスク４を用い九場合〜近接効果の影響で露光ノ臂
ターン周辺部での解像度が悪くなシ、転写精度の低下を
招く０さらに゛、線幅の細いツクターン（２μｍ）を精
度良く転写することは困難でＴｏ−ｖた０ （４）発明の目的 本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、近接効果に起因するｉ４ターン周辺部
での解像度低下を防止することができ、かつ線幅の細い
ツクターンをも高８＆に転写することができる／４ター
ン転写用マスクを提供することにある〇 また、本発明の他の目的は、上記解像度低下の防止およ
び高精度転写をはかシ得るツクターン転写用マスクの製
造方法を提供することにある〇（５）発明の畳約 露光ノリーンの周辺部での電子ビーム強度をツヤターン
中央部での電子ビーム強度よシ強くすれば、近接効果が
小さくなる０さらに、線幅の細いパターンにあってはそ
の電子ビーム強度を強くすることによ）転写精度が向上
することを本発明者等は見出した。
本発明はこのような点に着目し、ツクターン転写用マス
クの露光ノ４ターン部の線幅の太いものより細いものの
光透過率を大きくシ、かつ線幅の太いパターンにあって
はその中央部よシ局辺部の光透過率を大きくしたもので
ある。まえ、その製造に際して、光透過性基板上に光吸
収部材を所望の露光ツタターンに形成したのち、上記基
板上および光吸収部材上に基板の法線方向に対して斜め
方向から遮光性物質を蒸着し、しかるのち光遮光性物質
上に光照射によシミ子を放出する光電膜を被着するよう
にした方法である０（６）発明の効果 したがって本発明によれば、近接効果の１替を少なくす
ることができ、近接効果に起因するパターン周辺部の解
像度低下を未然に防止することができる。さらに、線幅
の細いパターンを精度良く転写することができる。この
ため、ノナターン転写精度の大幅な向上をはかシ得ると
云う効果を奏する。また、製造方法に関して゛は、光透
過率を変えるための鍵光性物質蒸着工程を付加するのみ
で極めて容易に実演することができる。
（７）発明の実施例 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第２図は本発明の一実施例に保わる／ｌターン転写用マ
スクの要部構成を示す断面図である。
図中１１は石英基＊（光透過性基板）であシ、この基板
１１の下面には所望の露光パターンにＣｒ膜（光吸収物
質）１２が蒸着されているｏｆえ、Ｃｒ１ｌｌＺＪの下
面および基板１１の下面には金属薄膜（光鍵光性物質）
１３が選択的に蒸着されている０すなわち、基板１１の
下面の上記Ｃｒ膜１２が蒸着されていない部分（露光）
ｆターン１！Ｂ）においては、その線幅が太い場合中央
部で厚く周辺部で薄く金属薄膜１３が蒸着形成されてい
る。また、露光ノ譬ターン部の線幅が細い場合、上記金
属薄膜１３は蒸着されないものとなっている。そして、
金属薄膜１３および基板１１の露出部下面には、光を照
射されて光電子を放出するＣｓＩ膜（光電膜）１４が被
着されている〇 このように構成されたマスクを電子ビーム転写に用いた
場合、露光パターン部での光透過率は、第３図に示す如
く線幅の太いものではその中央部よシ周辺部の方が大き
くなるｏｆた、線幅の太いものより細いものの方が光透
過率が大きくなる０これによシ、線幅の太いツクターン
よシ線幅の細いツクターンの方が照射される電子ビーム
強度が大きくなると共に、線幅の太いツクターンにあっ
てはその中央部よル周辺部の方に照射される電子ビーム
強度が大きく々る０したがって、前述した光電効果の１
会を少なくすることができ、ノ４ターン転写鞘度の向上
をはかシ得る。
次に、上記実施例マスクの製造方法を！１ｉ！明する。
まず、第４図６）に示す如く石英基板１１上にＣｒ膜１
２を蒸着する０次いで、ｗｔ４図（ｂ）に示す如（Ｃｒ
膜１２を所望）４ターンに従って遺択工、チングしマス
クツ１ターンを形成する０ここで、上記マスクパターン
の厚みは有限なものとなる。次に、第４図（ｅ）に示す
如く基＠Ｘｔの法線方向に対し斜め左方向から金属薄膜
１３を蒸着し、続いて同図（ｄ）に示す如く斜め右方向
から金属薄膜１３を蒸着形成する０これにより、露光パ
ターン部の中央部で薄く周辺部で厚く金属薄膜１３が形
成される◎また、線幅の細い／ｆターンで社金属薄膜２
３は形成されないことになる。そして、金属薄膜１３お
よび基ｔｆＨｘの露出部上にＣｓＩ膜１膜管４着するこ
とによって、前記第２図に示す如きマスクが形成される
ことになる０ （８）発明の肇形例 本発明は上述した実地例に駆足されるものではなく、そ
の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施すること
ができる。例えば、前記光透過性基板としての石英基板
の代りに同等の透過率を有する他の基板を用いるように
してもよい。また、Ｃｒ膜の代シには光を吸収する部材
、さらにＣｓＩ膜の代シには光照射によシ光電子を放出
する部材であれば代替使用できる。また、前記金属薄膜
のノ臂ターン周辺部と中央部とでの膜厚差等は、仕様に
応じて適宜定めればよい０
【図面の簡単な説明】
第１図はホトカソード方式の電子ビーム転写技術を説明
するための断面図、第２図は本発明の一実施例に係わる
ツタターン転写用マスクの要部構成を示す断面図、第３
図は上記冥施例の作用を説明するための模式図、紺４図
（ａ）〜（ｄ）は上記実施例マスクの製造工程を示す断
面図である。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　　光透過性基板上に光吸収部材を所望の露光ツ
    ヤターンに形成すると共に上記基板上に光照射によシミ
    子を放出する光電膜を被着して、なシ、電子ビームパタ
    ーン転写に供されるノ４ターン転写用マスクにおいて、
    前記基板上の露光パターン部の線幅の太いものよシ細い
    ものの光透過率を大きくシ、かつ線幅の太いパターンに
    あってはその中央部よシ周辺部の光透過率を大きくした
    ことを特徴とするパターン転写用マスク。
  2. （２）光透過性基板上に光吸収部材を所望の露光ツヤタ
    ーンに形成したのち、上記基板上および光吸収部材上に
    上記基ｔ４）法線方向に対して斜め方向から遮光性瞼質
    を蒸着し、しかるのち上記遮光性物質上に光照射によシ
    ミ子を放出する光電膜を被着することを特徴とするノ臂
    り―ン転写用マスクの製造方法。
JP17544581A 1981-10-31 1981-10-31 パタ−ン転写用マスクおよびその製造方法 Granted JPS5877229A (ja)

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FR8216465A FR2515873A1 (fr) 1981-10-31 1982-09-30 Masque de transfert par faisceau d'electrons et procede de fabrication

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JPS6222262B2 (ja) 1987-05-16
FR2515873A1 (fr) 1983-05-06
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