JPS622536A

JPS622536A - 電子ビ−ム露光装置用マスクおよびその製造方法

Info

Publication number: JPS622536A
Application number: JP60140387A
Authority: JP
Inventors: Kiichi Takamoto; 喜一高本; Mamoru Kondo; 衛近藤
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1985-06-28
Filing date: 1985-06-28
Publication date: 1987-01-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、半導体集積回路などの製造において必要な微
細パターンを形成するための電子ビーム露光装置のうち
で、ホトエミッタから発生する電子を利用してパターン
形成する電子ビーム露光装置に用いるマスクおよびその
製造方法に関するものである。

〔従来の技術〕

ホトエミッタを被着したマスクを利用し、マスクパター
ン試料面上に等倍で転写する装置を第５図に示す。１は
マスク基板、２はＬＳＩなどのパターン、３はホトエミ
ッタ、４はウェハ、５はレジスト膜、１０はウェハ保持
具、１１は紫外線発生用゛　光源、１２は集束用コイル
、°１３は高圧電源、ｚＯはホトエミッタ３から発生す
る電子である。ホトエミッタ３はＰｄである。ウェハ保
持具１０は電気の導体でつくられている。ホトエミッタ
３とウェハ４との間に、高圧電ｇ１３により１０〜２０
ｋＶの高電圧を印加する。パターン２は、膜厚０．１−
前後のＣｒ膜。

もしくは膜厚０．１−前後のＣｒ＊０３Ｈなどで形成さ
れており、これらの膜が被着している部分では、紫外線
がほとんど透過しない。光源１１から発生した紫外線を
マスク基板１に照射すると、紫外線が照射されたホトエ
ミッタ３の部分から電子２０が発生する。集束用コイル
１２は、磁束密度が一様になるような磁界を発生してい
る。電子ｚＯは、ホトエミッタ３とウェハ４との間にお
ける電界および磁界の作用をうけて運動し、ホトエミッ
タ３の一点から発生した電子２０は、レジスト膜５上の
一点に集束する。この結果、パターン２は、電子２０を
媒介として、レジスト膜５に等倍の大きさで転写される
。（ダブリュー・アール・リヴアセイ（Ｌ　Ｒ。

Ｌｉｖｅｓａｙ）による［計算機制御を用いた電子ビー
ム投影マスク位置合わせ装置（ＣｏｍｐｕｔｅｒＣｏｎ
ｔｒｏｌｌｅｄ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｂｅａｍ　Ｐｒｏ
ｊｅｃｔｉｏｎ　ＭａｓｋＡｌｉｇｎｅｒ）Ｊ固体素子
技術（ＳＯＬＩＤ　５ＴＡＴＥＴＥＣＩＩＮＯＬＯＧＹ
）　１９７４年７月号２１頁）ホトエミッタを被着した
マスクを利用し、マスクパターンを縮小して試料面上に
転写する装置を第６図に示す。１０１はマスク基板、　
１０２はＬＳＩなどのパターン、１０３はホトエミッタ
、１０４はウェハ、１０５はレジスト膜、１１１は紫外
線発生用光源、１１ｚは加速電極、　１１３．１１４は
電子レンズ、１１５はブランカ、１１６はビーム制限絞
り、１２０は高圧電源、１３０は電子ビームである。ホ
トエミッタ１０３はＰｄである。ホトエミッタ１０３と
加速電極１１２の間に、高圧電源１２０によりｌＯ〜２
０ｋＶの高電圧を印加する。

加速電極１１２は、メツシュになっている。これは。

ホトエミッタ１０３と加速電極１１２の間に一様な電界
を発生させるためである。パターン１０２は、膜厚０．
１−前後のＣｒ膜、もしくは膜厚０．１ｔ１ｍ前後のＣ
ｒ、０３膜などで形成されており、これらの膜が被着し
ている部分では、紫外線がほとんど透過しない。光源１
１１から発生した紫外線をマスク基板１０１　！こ照射
すると、紫外線が照射されたホトエミッタ１０３の部分
から電子が発生する。発生した電子は、加速電極１１２
により、加速される。加速電極１１２から出射した電子
ビームは、電子レンズ１１３．１１４の作用により縮小
されて、レジスト膜１０５上に結像する。電子レンズ１
１３，１１４よりなる光学系の倍率は、通常１７４〜１
／ｌＯである。（アール・スバイデル（Ｒ，５ｐｅｉｄ
ｅｌ）、エム・メイア（Ｍ、　Ｍａｙｅｒ）によるｒホ
トカソードを用いた電子ビーム投影装［（Ｅｌｅｋｔｒ
ｏｎｅｎｏｐｔｉｓｃｈｅｒ　Ｍａｓｋｉｅｒｕｎｇｓ
ｐｒｏｊｅｋｔｏｒｏｍｉｔ　Ｐｈｏｔｏｋａｔｈｏｄ
ｅ）Ｊ光学（Ｏｐｔｉｋ）１９７７年４８巻２号２４７
頁）第５図、第６図に示す電子ビーム露光装置に用いられる
マスクについて、従来の製造方法を第７図（、）〜（ｅ
）に示す。これは、ホトエミッタとしてＣｓＩなとの絶
縁物を用いる場合のマスク製造方法である。１５０は石
英ガラス等からなるマスク基板、１５１，１５５はＣｒ
膜、１５２はレジスト膜。

１６０はホトエミッタである。Ｃｒ１ｌＩＩ５１の膜厚
は０．１１雇前後、Ｃｒ膜１５５の膜厚は１０〜２０ｎ
−である、第７図（ａ）の状態において、電子ビーム露
光法、紫外線露光法などにより、レジストＷＡ１５２に
パターンを露光し、レジスト膜１５２を現像する。その
結果、第７図（ｂ）に示ずように、レジスト膜１５２に
パターンが形成される。次に、レジスト膜１５２に形成
したパターンをマスクとして、化学エツチング、ドライ
エツチング法などにより、Ｃｒ膜１５１にパターン形成
する。その後、レジスト膜１５２を除去する。レジスト
１１５２を除去した状態を第７図（ｃ）に示す。次に、
電界分布の一様性を向上させるために、極薄いＣｒ膜１
５５をマスク基板１５０全体に被着する。その状態を第
７図（ｄ）に示す。

次に、第７図（ｅ）に示すように、マスク基板】５１全
体にホトエミッタ１６０を被着する。

ホトエミッタとしてＰｄなどの電気の導体を用いる場合
には、第７図に示す工程において、Ｃｒ１１１５５を被
着する第７図（ｄ）の工程が省かれる。

第７図（ｅ）に示すマスクにおいて、Ｃｒ膜１５１が残
っている部分では、紫外線をほとんど透過しない、Ｃｒ
膜１５５がマスク基板１５０に直接被着している部分で
は、紫外線が透過し、この部分に対応するホトエミッタ
１６０のところから電子が発生する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このようにして従来の方法で製造されたマスクを用い、
第５図、第６図に示す電子ビーム露光装置でレジスト膜
にパターン露光した場合、紫外線が照射される部分のホ
トエミッタから発生する電子の密度は、マスク基板上の
どの部分においても同じである。

ところで、電子ビームにより微細なパターンをレジ／ス
ト膜に形成する場合、近接効果が問題となる。このため
、電子ビーム露光法で微細なパターンを露光する場合、
近接効果を補正することが必要となる。近接効果の補正
方法には、■パターン毎に電子ビームのドーズ量を補正
する方法、および■パターン毎にパターン寸法を補正す
る方法がある。パターン寸法によって近接効果を補正す
る方法では、パターン寸法の補正量に対する解がひとつ
ではないため、実用的ではない。一方、ドーズ量によっ
て近接効果を補正する方法では、ドーズ量の補正量に対
する解がひとつである。このようなことから、近接効果
の補正では、パターン毎に電子ビームのドーズ量を補正
する方法が一般に用いられている。以上の２近接効果お
よびその補正に関する事柄は、周知の事実である。

第５図、第６図に示した電子ビーム露光装置において、
従来から用いられているマスクでは、パターンによって
電子ビームのドーズ量を変化させることができない。こ
のため、ホトエミッタを用いたマスクから電子を発生さ
せてレジスト膜にパターン露光する従来の電子ビーム露
光装置では。

近接効果の補正ができないため、　１＃１１１以下の微
細なパターンを有するパターンの露光に実用的に用いら
れることはなかった。

本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するも
ので、その目的は、ホトエミッタから発生する電子を利
用してパターン形成する電子ビーム露光装置において、
近接効果を補正したパターン形成を可能とするため、パ
ターン毎に光の透過量を変えることができるマスクおよ
びそのマスクの製造方法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、ホトエミッタを被着するマスクにおいて、光
が透過する部分に薄膜を形成し、かつ。

該薄膜の膜厚をパターン毎に変えることができるように
することによって、パターン毎に電子ビームのドース量
を変えることができることを最も主要な特徴とする。

すなわち、本発明の電子ビーム露光装置用マスクは、基
板と、該基板上に設けられ、所定のパターンが形成され
たパターン薄膜と、該パターン薄膜上に設けられたホト
エミッタとを具備する電子ビーム露光装置用マスクにお
いて、上記パターン薄膜の光を透過するパターンのうち
、少なくとも２つのパターンにおける光の透過率が異な
っていることを特徴とする。

また、本発明の電子ビーム露光装置用マスクの第１の製
造方法は、基板上にマスクパターンを形成すべきパター
ン薄膜を被着する工程と、該パターン薄膜」二にレジス
ト膜を被着する工程と、該レジスト膜を少なくとも２つ
のパターンの露光量が異なるように露光する工程と、該
レジスト膜を現像する工程と、該パターン化されたレジ
スト膜をマスクとして、該レジスト膜下層の上記パター
ン薄膜をドライエツチングして上記少なくとも２つのパ
ターンの膜厚を異ならせる工程とを具備することを特徴
とする。

さらに１本発明の電子ビーム露光装置用マスクの第２の
製造方法は、基板上にマスクパターンを形成すべきパタ
ーン薄膜を被着する工程と、該パターン薄膜上にレジス
ト膜を被着する工程と、該レジスト膜を露光・現像する
工程と、該パターン化されたレジスト膜をマスクとして
、該レジスト膜下層の上記パターン薄膜をエツチングし
て所定のパターンを形成する工程と、偏向・集束ビーム
により該パターン化されたパターン薄膜の、光が透過す
るパターンのうち所定のパターンのみにイオンを付着さ
せ薄膜を形成する工程とを具備することを特徴とする。

〔実施例〕

第１図（ａ）〜（ｅ）は本発明の第１の実施例であって
、マスクを製造するための工程を説明する図である。２
０１はマスク基板、２０２．２１２はＣ’ｒ膜。

２０３はレジスト膜、２０４はホトエミッタである。

まず、マスクとして完成した状態である第１図（ｅ）に
ついて、説明する。マスク基板２０１には、　。

Ｃｒ膜２０２，２１２が被着されており、このＣｒ膜２
０２および２１２の膜厚によりホトエミッタ２０４に照
射される紫外線の量を調整する。マスク基板２０１に被
着したＣｒ膜において、最も薄い部分の膜厚をＨｏとす
る１本実施例においては、膜厚Ｈ６はＣｒ膜２１２の膜
厚に等しい。第１図（ｅ）において、光が透過する部分
のＣｒ膜の膜厚は、パターン毎に変化している。すなわ
ち、パターン寸法が小さいパターン３００の部分のＣｒ
［ｌｉの膜厚は、Ｈ，であり、パターン寸法の大きなパ
ターン３１Ｇの部分のＣｒ膜の膜厚は、Ｈｏの約１．５
倍になっている。パターン３００における光の透過率を
１とすると、パターン３１０での光の透過率は０．５と
なる。ホトエミッタから発生する電子の密度は、照射さ
れる光量にほぼ比例する。したがって、パターン毎にＣ
ｒ膜の膜厚を制御することによって、パターン毎にホト
エミッタから発生する電子の密度を制御でき、その結果
、パターン毎にレジスト膜に照射する電子のドーズ量を
変化することができるので、近接効果を補正したパター
ン露光が可能となる。

ここで、膜厚Ｈ０におけるＣｒ膜の光の透過率をη。、
膜厚ＨにおけるＣｒ膜の光の透過率をηとする。ｋを定
数とすると、の関係が成り立つ、ＬＳＩパターンを電子ビーム露光法
で描画する場合、近接効果を補正するために各パターン
に与える電子ビームのドーズ量が近接効果補正プログラ
ムなどによる計算により決定される。各パターン毎の電
子ビームのドーズ量を比で表し、この比に基づき１式（
１）から、各パターンに対するＣｒ膜の膜厚を決定する
。なお、膜厚と光の透過率との関係については１式（１
）ではなく、実際に測定した関係を用いてもよい。

次に、第１図（ｅ）に示したようなマスクを作製する方
法について説明する。

第１図（ｅ）に示すように、マスク基板２０１にＣｒ膜
２０２を被着し、さらに、　Ｃｒ１ｉ２０２の上にレジ
スト膜２０３を被着する。Ｃｒ膜２０２°の膜厚は、紫
外線を充分に遮断できるだけあればよく１本実施例の場
合、０．１〜０．ＬＳＩ１ｍである。また、レジスト膜
２０３にはＰＭＭＡを用いている０次に、レジスト膜２
０３に走査形電子ビーム露光装置によりパターンを露光
し、レジスト［Ｉ２Ｏ３を現像する。第１図（ｂ）には
、現像後のレジスト膜２０３を示している。

各パターンに対して残存するレジスト膜２０３の膜厚が
所定の値になるようにする。電子ビームのドーズ量が最
も多いパターンに対しては、レジスト膜２０３の残像膜
厚が０４１ｍになるようにする。第１図（ｂ）の状態に
おいて、レジスト５２０３をマスクとして、イオンエツ
チングを行い、レジスト膜２０３に形成したパターンを
Ｃｒ膜２０２に転写する。ここで、第２図に示すように
、レジスト膜２０３の膜厚をり、。、Ｏｒ膜２０２の膜
厚を０８６％あるパターンにおいて、残存しているレジ
スト膜２０３の膜厚をＤｌとする。Ｃｒ膜２０２のイオ
ンエツチングによるエツチング速度をＲｗ＋、　レジス
ト［２０３のエツチング速度をＲ７とする。レジスト膜
２０３が残存していないパターン３００において、Ｃｒ
膜２０２がイオンエツチングにより除去されるのに要す
る時間をＴｏとする。Ｔ、＝Ｄ、。／Ｒ，どなる、第１
図（ｂ）の状態において、イオンエツチングする時間を
Ｔ。

とすると、レジスト膜２０３が残存しているパターン部
では、Ｃｒ膜２０２がエツチングされないで残り。

そのＣｒ膜２０２の膜厚り、は。

ｖａＤ＋ｗ＝□・ｏｒ　　　　　　　　　　　　（２）とな
る、各パターンについて、残存させるＣｒ膜の膜厚は、
近接効果補正から決まっているので。

式（２）により、レジスト膜２０３の残存膜厚を各パタ
ーンに対して決定することができる。なお、本実施例で
は、第１図（ｄ）に示すように、マスク基板２０１の全
体にＣｒ膜２１２を被着させるので２残存させるＣｒ膜
２０２の膜厚は、近接効果補正および式（２）から決定
した膜厚の値から、Ｃｒ１ｌ１２１２の膜厚を引いた値
となる。ここで、本実施例では、レジスト１１１Ｉ２０
３にＰＭＭＡを用いている。ＰＭＭＡのようなポジ形レ
ジストの場合、電子ビームのドーズ量とレジスト膜の残
存膜厚の間には、第３図に示すような関係がある。種々
の電子ビーム用レジストについて、第３図のような関係
が得られていることは周知の事実である。第３図のよう
な関係を用いて、走査形電子ビーム露光法でレジスト膜
２０３を露光する場合の各パターンへの電子ビームのド
ーズ量を決定する。このドーズ量に基づいてレジスト膜
を露光し、所定のレジスト膜の残存膜厚を各パターンに
ついて得ることができる。

なお、各パターンへの電子ビームのドーズ量の決定に際
しては、近接効果を補正することが必要となるが、走査
形電子ビーム露光法において近接効果の補正方法は、既
に、確立された技術であるこ゛とは周知の事実である。

第１図（ｃ）には、ｊ１１図（ｂ）の状態からイオンエ
ツチングし、その後にレジスト膜２０３を除去した状態
を示す。次に。

第１図（ｄ）に示すように、Ｃｒ膜２１２をマスク基板
全体に被着する０次に、第１図（ｅ）に示すように、ホ
トエミッタ２０４をマスク基板全体に被着する。これに
より、マスクが完成する。

第１図に示す本発明の実施例においては、　Ｃｒ膜２１
２の膜厚は、２０ｎｍとしている。即ち、式（１）にお
けるＨｏの値がＨａ　＝２０ｎｍである。最小線幅が０
．５４程度のＬＳＩパターンをレジスト膜に電子ビーム
露光法で形成する場合、近接効果補正のために、各パタ
ーンに与える電子ビームのドーズ量の最大値と最小値の
比は約２となる。したがって、紫外線が透過する部分の
Ｃｒ膜の膜厚の最大値は。

約３０ｎｍとなる。高周波（ＲＦ）スパッタ法によりＡ
ｒガスを用いてイオンエッチグすると、Ａｒのガス圧が
３　Ｘ　１Ｏ−３ＴｏｒｒでＲＦ出力がｉｏｏｗのとき
、Ｃｒ膜のエツチング速度は約５　ｎｍ／分、ＰＭＭＡ
レジストのエツチング速度は約４０ｎｍ／分となる。

このため、式（２）より、走査形電子ビーム露光法によ
るレジスト膜へのパターン形成において、電子ビーム照
射したレジスト膜の部分での残存膜厚の最大値は約８０
ｒｖとなる。塗布したレジストの初期膜厚を２００ｎ＋
ｎとすると、残存膜厚と初期膜厚の此の最大値は約０．
４となる。したがって、電子ビーム照射部のレジスト膜
における残存膜厚と初期膜厚との比か０〜０．４の範囲
になるように電子ビームのドーズ量を制御してレジスト
膜に電子ビーム露光する。電子ビームのドーズ量は、可
変成形ビーム方式の走査形電子ビーム露光装置の場合、
ビームのショツト時間、スポットビーム方式の走査形電
子ビーム露光装置の場合、ビームの偏向速度によって制
御できる。

第１図に示した本発明の実施例では、第１＠（ｄ）にお
いてＧｒｉｌｌをマスク基板全体に被着するようにして
いるが、この工程を省くこともできる。

この場合には、第１図（ｃ）の状態において。

Ｃｒ膜の膜厚が最終的に必要な膜厚になるようにする。

また、第１図（ｄ）に示したＣｒ膜の状態が得られるよ
うに、レジスト膜への電子ビー゛ムの露光条件を設定す
ることにより、第１図（ｄ）のＣｒ膜を被着する工程を
省くこともできる。

第１図に示した本発明の実施例では、ホトエミッタとし
てＣ８工を用いている。ホトエミッタとして、Ｃｓ、Ｓ
ｂ、ＣｄＳ、Ｐｄ、Ａｕなどを用いることもできる。紫
外線の透過量を調整する薄膜として、Ｃｒ膜を用いてい
るが、Ｃｒ膜の代わりに、Ａｕ、　Ａｇ、　Ｔａ、　Ｔ
ｉ、＾悲などの金属、あるいは各種合金Ｃｒ、Ｏ，、Ｆ
ｅ、Ｏ，などの電気の不導体、などを用いることもでき
る。

本発明の第２の実施例を第４図（ａ）、（ｂ）により説
明する。３０１はマスク基板、３０２はＣｒ膜、３０３
は薄膜である。

第４図（ａ）は、第７図（ｃ）と同じ状態であり、マス
ク基板３０１に被着したＣｒ膜３０２にパターン形成さ
れている。その製造工程は、第７図（ａ）〜（ｃ）によ
り説明した工程と同じである。第４図（、）の状態にお
いて、集束イオンビーム装置により、紫外線を透過させ
るパターン部に薄膜を被着する。集束イオンビーム装置
は、イオン発生源、イオン集束光学系、ブランカ、偏向
器などで構成されている。集束イオンビーム装置では、
イオンビームを偏向する偏向器の機能と、イオンビーム
をオン・オフするブランカの機能とによって、試料面上
の所定の位置あるいは所定の領域にイオンビームを照射
することができる。イオン発生源としては、　Ａ１１．
　Ａｕ、　Ｇａ、　Ｓｉなどの種々のものがある。これ
らをイオン発生源として、集束イオンビームを得て、試
料面にこれらのイオンを付着する技術があることは周知
の事実である。集束イオンビームの直径は１通常、０．
１〜０．５４である。

集束イオンビームにより、Ｍ、Ａｕ、Ｇａ、Ｓｉなどを
試料面に付着させる場合、集束イオンビームの偏向速度
、集束イオンビームを同一場合で偏向走査する回数など
によって、付着する物質の膜厚を制御することができる
。第４図（ｂ）には、このようにして膜厚を制御し、パ
ターン部に薄膜を付着した状態を示す、この状態は、第
１の実施例を示す第１図（ｃ）の状態に対応する。第４
図（ｂ）の状態から、マスクとして完成させるまでの工
程は、本発明の第１の実施例と同様である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明は、ホトエミッタから発生
する電子によりパターン形成する電子ビーム露光装置に
用いるマスクにおいて、光を透過するパターンに薄膜を
被着し、かつ、その薄膜の膜厚をパターン毎に制御する
ようにしているので、１）ホトエミッタから発生する電
子の密度をパターン毎に制御することができる、２）ホ
トエミッタから放出される電子によってパターン形成す
る電子ビーム露光装置にこのマスクを用いることにより
、近接効果が補正できる、３）近接効果が補正できるこ
とから、ホトエミッタを用いる電子ビーム露光装置を微
細なパターンの露光に、実用的に用いることができるな
どの効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）〜（ｅ）は１本発明の第１の実施例であっ
て、マスクおよびマスク製造方法を説明するための図、
第２図は１本発明の第１の実施例によるマスク製造工程
で用いるイオンエツチングについて、エツチングの過程
を説明するための図、第３図は、電子ビームのドーズ量
とレジストの残存膜厚との関係のモデル図、第４図（、
）、（ｂ）は、本発明の第２の実施例であって、マスク
製造方法を説明するための図、第５図は、ホトエミッタ
から発生する電子を利用し、マスク上のパターンを等倍
で転写する電子ビーム露光装置を示す図、第６図は、ホ
トエミッタから発生する電子を利用し、マスク上のパタ
ーンを縮小して転写する電子ビーム露光装置を示す図、
第７図（ａ）〜（ｅ）は。従来のマスクの製造方法を説明するための図である。１．１０１．１５０．２０１．２０３，３０１・・・マ
スク基板２．１０２・・・ＬＳＩなどのパターン３．１
０３・・・ホトエミッタ４．１０４・・・ウェハ５．１０５．１５２・・・レジスト膜１０・・・ウェハ保持具１１．１１１・・・紫外線発生用光源１２・・・集束用コイル　　　１３．１２０・・・高圧
電源２０・・・電子　　　　　　　１１２・・・加速電
極１１３．１１４・・・電子レンズ　１１５・・・ブラ
ンカ１１６・・・ビーム制限絞り　１３０・・・電子ビ
ーム１５１、１５５．２０２．２１２．３０２−　Ｃｒ
膜１６０．２０４・・・ホトエミッタ３０３・・・薄膜３００・・・寸法の小さいパターン３１０・・・寸法の大きいパターン特許出願人　日本電信電話株式会社代理人弁理士　　中　村　純之助ＪｊＰｌ　　図矛２図ＩＦ５図、４゜Ｓ＝初期朝ｓ：ｅＵ＊４髪５ｕＤ−電’ｙｓＶ−ズ量１−４図（Ｑ）（ｂ）ｔ５図１Ｐ６図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板と、該基板上に設けられ、所定のパターンが
形成されたパターン薄膜と、該パターン薄膜上に設けら
れたホトエミッタとを具備する電子ビーム露光装置用マ
スクにおいて、上記パターン薄膜の光を透過するパター
ンのうち、少なくとも２つのパターンにおける光の透過
率が異なっていることを特徴とする電子ビーム露光装置
用マスク。
（２）上記光を透過するパターンのうち、少なくとも１
つのパターンには他のパターンとは異なる膜厚の薄膜が
被着してあることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の電子ビーム露光装置用マスク。
（３）上記光を透過するパターンにおける光の透過率が
、近接効果を補正するように各パターン毎に調整してあ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電子ビ
ーム露光装置用マスク。
（４）基板上にマスクパターンを形成すべきパターン薄
膜を被着する工程と、該パターン薄膜上にレジスト膜を
被着する工程と、該レジスト膜を少なくとも２つのパタ
ーンの露光量が異なるように露光する工程と、該レジス
ト膜を現像する工程と、該パターン化されたレジスト膜
をマスクとして、該レジスト膜下層の上記パターン薄膜
をドライエッチングして上記少なくとも２つのパターン
の膜厚を異ならせる工程とを具備することを特徴とする
電子ビーム露光装置用マスクの製造方法。
（５）基板上にマスクパターンを形成すべきパターン薄
膜を被着する工程と、該パターン薄膜上にレジスト膜を
被着する工程と、該レジスト膜を露光・現像する工程と
、該パターン化されたレジスト膜をマスクとして、該レ
ジスト膜下層の上記パターン薄膜をエッチングして所定
のパターンを形成する工程と、偏向・集束ビームにより
該パターン化されたパターン薄膜の、光が透過するパタ
ーンのうち所定のパターンのみにイオンを付着させ薄膜
を形成する工程とを具備することを特徴とする電子ビー
ム露光装置用マスクの製造方法。