JP3131765B2 - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
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- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は位相シフトマスクの
製造方法に係わり、特にハーフトーンマスクを用いたも
のに関する。
製造方法に係わり、特にハーフトーンマスクを用いたも
のに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に、チップを製造するためには一
枚の基板に多数個のチップ領域を決めてステッピング工
程で複数回の露光工程を行う。このようなステッピング
工程では４〜１０％の透過率を有する半透明物質を用い
たハーフトーンマスクを利用した位相シフトマスクを使
用している場合がある。ステッピング工程では複数回の
露光工程で重複露光する領域が発生する。したがって、
ハーフトーンマスクを使用した場合、通常そのハーフト
ーンマスクは４〜１０％の透過率を有する半透明物質を
利用しているので、２重露光される部分は８〜２０％、
４重露光される部分は１６〜４０％の光がマスクを透過
するようになり、基板上のフォトレジストに露光されて
所望しない形状を形成する。かかる問題点を解決するた
めに、ハーフトーンマスクのチップ領域の周辺部にガー
ドボード領域を設けて多重露光されるのを防止してい
た。
枚の基板に多数個のチップ領域を決めてステッピング工
程で複数回の露光工程を行う。このようなステッピング
工程では４〜１０％の透過率を有する半透明物質を用い
たハーフトーンマスクを利用した位相シフトマスクを使
用している場合がある。ステッピング工程では複数回の
露光工程で重複露光する領域が発生する。したがって、
ハーフトーンマスクを使用した場合、通常そのハーフト
ーンマスクは４〜１０％の透過率を有する半透明物質を
利用しているので、２重露光される部分は８〜２０％、
４重露光される部分は１６〜４０％の光がマスクを透過
するようになり、基板上のフォトレジストに露光されて
所望しない形状を形成する。かかる問題点を解決するた
めに、ハーフトーンマスクのチップ領域の周辺部にガー
ドボード領域を設けて多重露光されるのを防止してい
た。
【０００３】このようなガードボード領域を備えたハー
フトーンマスク、すなわち位相シフトマスクを添付図面
を参照して説明すると、下記の通りである。図１は従来
のハーフトーンマスクでのガードボードの構成図であ
る。図示のように、メインチップ領域１２の周辺部にそ
れを取り囲むようにガードボード領域１３を形成させて
ある。このガードボード領域の外側１４はマスクとして
は不要な領域である。図２（ａ）は図１の「Ａ部分」の
ガードボードの拡大断面図、図２（ｂ）は図１のガード
ボードの拡大平面図、図２（ｃ）は図２（ｂ）の「Ｂ部
分」の詳細図である。
フトーンマスク、すなわち位相シフトマスクを添付図面
を参照して説明すると、下記の通りである。図１は従来
のハーフトーンマスクでのガードボードの構成図であ
る。図示のように、メインチップ領域１２の周辺部にそ
れを取り囲むようにガードボード領域１３を形成させて
ある。このガードボード領域の外側１４はマスクとして
は不要な領域である。図２（ａ）は図１の「Ａ部分」の
ガードボードの拡大断面図、図２（ｂ）は図１のガード
ボードの拡大平面図、図２（ｃ）は図２（ｂ）の「Ｂ部
分」の詳細図である。
【０００４】このようなガードボード領域は、通常、ハ
ーフトーンマスクに占める面積が約２×１０8 μｍ2 で
ある。前記ガードボード領域の構成は図２（ａ）乃至
（ｃ）に示すように、１．０μｍ×１．０μｍの大きさ
を有するように複数個の位相シフト反転層２０を格子状
に形成する。このガードボード領域をこのように作成す
るにあたっては、石英基板にシリコン酸化膜もしくはＳ
ＯＧの位相シフト層２０を形成し、その位相シフト層２
０に大きさ１．０μ×１．０μｍのコンタクトホールを
１：１のピッチで形成していた。
ーフトーンマスクに占める面積が約２×１０8 μｍ2 で
ある。前記ガードボード領域の構成は図２（ａ）乃至
（ｃ）に示すように、１．０μｍ×１．０μｍの大きさ
を有するように複数個の位相シフト反転層２０を格子状
に形成する。このガードボード領域をこのように作成す
るにあたっては、石英基板にシリコン酸化膜もしくはＳ
ＯＧの位相シフト層２０を形成し、その位相シフト層２
０に大きさ１．０μ×１．０μｍのコンタクトホールを
１：１のピッチで形成していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のハーフ
トーンマスクにこのようにしてガードボード領域を形成
させるには下記のような問題点があった。従来一般的な
半導体素子の製造時のマスクでは、大きさ約２．０×
２．０μｍのコンタクトホールが使用されていた。とこ
ろが、ハーフトーンマスクのガードボード領域の場合に
は、約２×１０8 μｍ2 の面積に１：１のピッチで大き
さ１．０×１．０μｍのコンタクトホールを誤差±１０
％の範囲内に保持して形成しなければならないので、工
程が難しくなり、量産性が低下し、加えてマスクのコス
トが上昇することになる。
トーンマスクにこのようにしてガードボード領域を形成
させるには下記のような問題点があった。従来一般的な
半導体素子の製造時のマスクでは、大きさ約２．０×
２．０μｍのコンタクトホールが使用されていた。とこ
ろが、ハーフトーンマスクのガードボード領域の場合に
は、約２×１０8 μｍ2 の面積に１：１のピッチで大き
さ１．０×１．０μｍのコンタクトホールを誤差±１０
％の範囲内に保持して形成しなければならないので、工
程が難しくなり、量産性が低下し、加えてマスクのコス
トが上昇することになる。
【０００６】本発明はかかる問題点を解決するためのも
ので、その目的は工程を単純化することにより、量産性
を向上させ、コストを減少させた位相シフトマスクの製
造方法を提供することにある。
ので、その目的は工程を単純化することにより、量産性
を向上させ、コストを減少させた位相シフトマスクの製
造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の位相シフトマス
クの製造方法は、透光性基板上にメインチップ領域とガ
ードボード領域に区分してハーフトーンマスク層を形成
させて、メインチップ領域ではそのハーフトーンマスク
層を所定のパターンに形成し、ガードボード領域のハー
フトーンマスク層の上に遮光層を形成させることを特徴
とする。
クの製造方法は、透光性基板上にメインチップ領域とガ
ードボード領域に区分してハーフトーンマスク層を形成
させて、メインチップ領域ではそのハーフトーンマスク
層を所定のパターンに形成し、ガードボード領域のハー
フトーンマスク層の上に遮光層を形成させることを特徴
とする。
【０００８】
【実施例】以下、前記本発明の位相シフトマスクの製造
方法を添付図面を参照してより詳しく説明する。図３
（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例による位相シフトマ
スクの工程断面図であり、図４は本発明によるメッキ方
式の説明図である。まず、図３（ａ）に示すように、石
英のような透明基板２１上に位相シフト層２２と薄い金
属膜２３を順次形成してハーフトーンマスク層を形成す
る。位相シフト層２２としては重化窒化クロム（ＣｒＯ
Ｎ）若しくは酸化窒化モリブデンシリコン（ＭｏＳｉＯ
Ｎ）を使用し、金属膜２３としてはクロム（Ｃｒ）を使
用する。ここで、金属膜２３は厚さを薄くして遮光層で
はなく半透明層とする。したがって、光の一部を透過さ
せ、その透過させた光の位相を反転させるハーフトーン
層が形成される。その後、全面に感光膜２４を蒸着す
る。
方法を添付図面を参照してより詳しく説明する。図３
（ａ）〜（ｅ）は本発明の一実施例による位相シフトマ
スクの工程断面図であり、図４は本発明によるメッキ方
式の説明図である。まず、図３（ａ）に示すように、石
英のような透明基板２１上に位相シフト層２２と薄い金
属膜２３を順次形成してハーフトーンマスク層を形成す
る。位相シフト層２２としては重化窒化クロム（ＣｒＯ
Ｎ）若しくは酸化窒化モリブデンシリコン（ＭｏＳｉＯ
Ｎ）を使用し、金属膜２３としてはクロム（Ｃｒ）を使
用する。ここで、金属膜２３は厚さを薄くして遮光層で
はなく半透明層とする。したがって、光の一部を透過さ
せ、その透過させた光の位相を反転させるハーフトーン
層が形成される。その後、全面に感光膜２４を蒸着す
る。
【０００９】図３（ｂ）に示すように、前記感光膜２４
にフォトリソグラフィで、若しくは電子ビームを選択的
に直接照射して、感光膜パターン２４ａを形成する。エ
ッチング工程で前記金属膜２３及び位相シフト膜２２を
選択的に除去して、図３（ｃ）に示すように、メインチ
ップ領域１２にチップマスクパターンを形成し、前記感
光膜パターン２４ａを除去する。このとき、メインチッ
プ領域１２とガードボード領域１３間を隔離しても隔離
しなくても良い。図３（ｂ）には隔離した状態を示し
た。図３（ｄ）に示すように、さらに全面に感光膜を蒸
着し、露光及び現像工程で前記ガードボード領域１３の
みに金属膜が露出するように感光膜パターン２５を形成
する。そして、図３（ｅ）に示すように、メッキ方式を
用いてガードボード領域１３に金属をメッキして遮光層
２６を形成した後、前記感光膜パターン２５を除去す
る。このメッキ方法は図４に示す。
にフォトリソグラフィで、若しくは電子ビームを選択的
に直接照射して、感光膜パターン２４ａを形成する。エ
ッチング工程で前記金属膜２３及び位相シフト膜２２を
選択的に除去して、図３（ｃ）に示すように、メインチ
ップ領域１２にチップマスクパターンを形成し、前記感
光膜パターン２４ａを除去する。このとき、メインチッ
プ領域１２とガードボード領域１３間を隔離しても隔離
しなくても良い。図３（ｂ）には隔離した状態を示し
た。図３（ｄ）に示すように、さらに全面に感光膜を蒸
着し、露光及び現像工程で前記ガードボード領域１３の
みに金属膜が露出するように感光膜パターン２５を形成
する。そして、図３（ｅ）に示すように、メッキ方式を
用いてガードボード領域１３に金属をメッキして遮光層
２６を形成した後、前記感光膜パターン２５を除去す
る。このメッキ方法は図４に示す。
【００１０】即ち、電解液が貯蔵した電解槽１８内に、
前記図３（ｄ）のように形成された基板とメッキしよう
とするメッキ物質１９（遮光物質）とを浸漬して、陽極
にはメッキ物質１９、即ちＣｒ若しくはＭｏを連結し、
陰極には基板の金属膜２３を連結してメッキを行う。そ
の結果、前記メッキ物質が露出した金属膜２３、即ちガ
ードボード領域に選択的にメッキされる。電解液として
は、メッキ物質１９がクロムの場合、硫酸水溶液に酸化
クロムが含有されたものを使用し、メッキ物質１９がモ
リブデンＭｏの場合、硫酸水溶液に酸化モリブデンＭｏ
Ｏ2を含有したものを使用する。
前記図３（ｄ）のように形成された基板とメッキしよう
とするメッキ物質１９（遮光物質）とを浸漬して、陽極
にはメッキ物質１９、即ちＣｒ若しくはＭｏを連結し、
陰極には基板の金属膜２３を連結してメッキを行う。そ
の結果、前記メッキ物質が露出した金属膜２３、即ちガ
ードボード領域に選択的にメッキされる。電解液として
は、メッキ物質１９がクロムの場合、硫酸水溶液に酸化
クロムが含有されたものを使用し、メッキ物質１９がモ
リブデンＭｏの場合、硫酸水溶液に酸化モリブデンＭｏ
Ｏ2を含有したものを使用する。
【００１１】ガードボード領域に遮光層を形成すること
ができる他の実施形態を図５（ａ）〜（ｂ）に示す。図
５（ａ）に示すように、前記図３（ｄ）で説明した方法
によって、感光膜パターン２５を形成した状態の基板に
クロムＣｒ若しくはモリブデンＭｏ等の遮光物質２７を
全面に蒸着する。図５（ｂ）に示すように、リフト−オ
フ法によって前記感光膜パターン２５と、その感光膜パ
ターン２５の上側に形成された遮光物質２７とを選択的
に除去することにより、ガードボード領域に遮光層２６
を形成する。
ができる他の実施形態を図５（ａ）〜（ｂ）に示す。図
５（ａ）に示すように、前記図３（ｄ）で説明した方法
によって、感光膜パターン２５を形成した状態の基板に
クロムＣｒ若しくはモリブデンＭｏ等の遮光物質２７を
全面に蒸着する。図５（ｂ）に示すように、リフト−オ
フ法によって前記感光膜パターン２５と、その感光膜パ
ターン２５の上側に形成された遮光物質２７とを選択的
に除去することにより、ガードボード領域に遮光層２６
を形成する。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の位相シフ
トマスクの製造方法は、ガードボード領域にメッキ方式
若しくはリフトーオフ法で遮光層を形成するので、工程
が単純化され、生産性が向上するばかりではなく、低廉
なコストのハーフトーンマスクを提供することができ
る。
トマスクの製造方法は、ガードボード領域にメッキ方式
若しくはリフトーオフ法で遮光層を形成するので、工程
が単純化され、生産性が向上するばかりではなく、低廉
なコストのハーフトーンマスクを提供することができ
る。
【図１】 従来のハーフトーンマスクのガードボードの
構成図である。
構成図である。
【図２】 （ａ）は図１のガードボードの拡大断面図、
（ｂ）は図１のガードボードの拡大平面図、（ｃ）は図
２（ｂ）の部分詳細図である。
（ｂ）は図１のガードボードの拡大平面図、（ｃ）は図
２（ｂ）の部分詳細図である。
【図３】 本発明の一実施例による位相シフトマスクの
工程断面図である。
工程断面図である。
【図４】 本発明によるメッキ方式の説明図である。
【図５】 本発明の他の実施形態による位相シフトマス
クの工程断面図である。
クの工程断面図である。
１１ マスク上の不要領域 １２ メインチップ １３ ガードボード領域 １４ 不要領域 １９ メッキ物質 ２１ 透明基板 ２２ 位相シフト層 ２３ 金属膜 ２４ 感光膜 ２４ａ、２５ 感光膜パターン ２６ 遮光層
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−289589（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−342205（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−82916（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−5980（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−221750（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−93274（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−113046（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−130750（ＪＰ，Ａ) 特公 昭45−3424（ＪＰ，Ｂ１)
Claims (5)
- 【請求項１】 メインチップ領域と、それを囲んでいる
多重露光防止用のガードボード領域とを備えた位相シフ
トマスクの製造方法であって、 メインチップ領域とガードボード領域とを有する透光性
基板上にハーフトーンマスク層を形成する工程と、 メインチップ領域における前記ハーフトーンマスク層を
選択的にエッチングしてメインチップ領域にマスクパタ
ーンを形成する工程と、 マスクパターンを形成したメインチップ領域上、および
ガードボード領域上に感光膜を形成し、前記感光膜を選
択的にエッチングしてガードボード領域のみを露出させ
る工程と、 メッキ法により前記露出されたガードボード領域に遮光
層を形成する工程と、前記感光膜を除去する工程とを備
え、ガードボード領域が遮光された位相シフトマスクを
得ることを特徴とする位相シフト膜の製造方法。 - 【請求項２】 ハーフトーンマスク層は位相シフト層と
薄い金属膜とが積層されていることを特徴とする請求項
１記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項３】 位相シフト層は酸化窒化クロム、若しく
は酸化窒化モリブデンシリコンを使用することを特徴と
する請求項２記載の位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項４】 メインチップ領域と、それを囲んでいる
多重露光防止用のガードボード領域とを備えた位相シフ
トマスクの製造方法であって、 透光性基板に位相シフト膜と薄い金属膜を順次蒸着して
ハーフトーンマスク層を形成させ、 メインチップ領域にマスクパターンが形成されるよう
に、メインチップ領域における前記位相シフト膜及び薄
い金属膜を選択的に除去し、 メインチップ領域上、及びガードボード領域上に感光膜
を形成し、その感光膜をエッチングしてガードボード領
域のみを露出させ、 酸化クロム含有の硫酸水溶液を電解液とするメッキを、
前記基板に施して、前記露出したガードボード領域にク
ロムの遮光層を形成し、 もって、ガードボード領域が遮光された位相シフトマス
クを得ることを特徴とする位相シフトマスクの製造方
法。 - 【請求項５】 メインチップ領域と、それを囲んでいる
多重露光防止用のガードボード領域とを備えた位相シフ
トマスクの製造方法であって、 メインチップ領域とガードボード領域とを有する透光性
基板上にハーフトーンマスク層を形成する工程と、 メインチップ領域における前記ハーフトーンマスク層を
選択的にエッチングしてメインチップ領域にマスクパタ
ーンを形成する工程と、マスクパターンを形成した メインチップ領域上、および
ガードボード領域上に感光膜を形成し、前記感光膜を選
択的にエッチングしてガードボード領域のみを露出させ
る工程と、遮光物質を全面に蒸着し、前記感光膜をその上の遮光物
質とともに除去するリフトオフ法によって前記露出され
たガードボード領域に遮光層を形成する工程と を備え、
ガードボード領域が遮光された位相シフトマスクを得る
ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950031654A KR0161856B1 (ko) | 1995-09-25 | 1995-09-25 | 위상 반전 마스크의 제조방법 |
| KR31654/1995 | 1995-09-25 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0990603A JPH0990603A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3131765B2 true JP3131765B2 (ja) | 2001-02-05 |
Family
ID=19427747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12771096A Expired - Fee Related JP3131765B2 (ja) | 1995-09-25 | 1996-04-25 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5641592A (ja) |
| JP (1) | JP3131765B2 (ja) |
| KR (1) | KR0161856B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101718950B (zh) * | 2008-10-09 | 2011-12-28 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜构图方法及制造液晶显示装置的方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100214271B1 (ko) * | 1996-06-29 | 1999-08-02 | 김영환 | 콘택홀용 위상 반전 마스크 |
| US5792578A (en) * | 1997-01-13 | 1998-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method of forming multiple layer attenuating phase shifting masks |
| KR100358536B1 (ko) * | 1999-11-03 | 2002-10-25 | 주식회사 피케이엘 | 메탈 마스크의 제조방법 |
| KR100494683B1 (ko) * | 2000-05-31 | 2005-06-13 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 4-마스크를 이용한 박막 트랜지스터 액정표시장치의제조시에 사용하는 할프톤 노광 공정용 포토 마스크 |
| KR100618811B1 (ko) * | 2001-03-20 | 2006-08-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조를 위한 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 |
| US6630408B1 (en) * | 2001-09-04 | 2003-10-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Self alignment process to fabricate attenuated shifting mask with chrome border |
| US20070243491A1 (en) * | 2006-04-18 | 2007-10-18 | Wu Wei E | Method of making a semiconductor with a high transmission CVD silicon nitride phase shift mask |
| KR101129022B1 (ko) * | 2008-01-02 | 2012-03-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 하프톤 위상반전마스크 제조 방법 |
| KR20110029701A (ko) * | 2009-09-16 | 2011-03-23 | 삼성전자주식회사 | 차단막을 갖는 극자외선 리소그라피 마스크 및 제조방법 |
| JP6001987B2 (ja) * | 2012-10-05 | 2016-10-05 | 株式会社エスケーエレクトロニクス | エッジ強調型位相シフトマスクの製造方法及びエッジ強調型位相シフトマスク |
| KR102349244B1 (ko) * | 2014-12-10 | 2022-01-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 위상 반전 마스크, 이의 제조 방법 및 미세 패턴 형성 방법 |
| US10739671B2 (en) | 2017-11-10 | 2020-08-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing phase shift photo masks |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR0135729B1 (en) * | 1993-02-12 | 1998-04-24 | Mitsubishi Electric Corp | Attenuating type phase shifting mask and method of manufacturing thereof |
| JPH06289589A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-10-18 | Toppan Printing Co Ltd | 位相シフトマスクとその製造方法そしてそれに用いるブランク |
| JP3262302B2 (ja) * | 1993-04-09 | 2002-03-04 | 大日本印刷株式会社 | 位相シフトフォトマスク、位相シフトフォトマスク用ブランクス及びそれらの製造方法 |
| JPH0889216A (ja) * | 1994-09-27 | 1996-04-09 | Yoshiro Nakamatsu | 発香缶入物 |
-
1995
- 1995-09-25 KR KR1019950031654A patent/KR0161856B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-11-28 US US08/563,261 patent/US5641592A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-04-25 JP JP12771096A patent/JP3131765B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101718950B (zh) * | 2008-10-09 | 2011-12-28 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜构图方法及制造液晶显示装置的方法 |
| US8178374B2 (en) | 2008-10-09 | 2012-05-15 | Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Thin film patterning method and method for manufacturing a liquid crystal display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0990603A (ja) | 1997-04-04 |
| US5641592A (en) | 1997-06-24 |
| KR0161856B1 (ko) | 1999-01-15 |
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