JPS6222262B2 - - Google Patents

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JPS6222262B2
JPS6222262B2 JP17544581A JP17544581A JPS6222262B2 JP S6222262 B2 JPS6222262 B2 JP S6222262B2 JP 17544581 A JP17544581 A JP 17544581A JP 17544581 A JP17544581 A JP 17544581A JP S6222262 B2 JPS6222262 B2 JP S6222262B2
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JP
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film
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JP17544581A
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JPS5877229A (ja
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Yuzuru Nakasuji
Toshiaki Shinozaki
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Toshiba Corp
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Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
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    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
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    • H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • H01J37/3175—Projection methods, i.e. transfer substantially complete pattern to substrate
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Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は、電子ビーム転写に供されるパターン
転写用マクスおよびその製造方法に関する。
(2) 従来技術 近時、電子ビーム転写技術の一つとしてホトカ
ソード方式が注目されている。ホトカソード方式
は紫外光電面を積層した光学マスク（パターン転
写用マスク）に紫外線を照射し、該マスクから放
射される光電子を結像系でウエーハ上のレジスト
に結像、露光してパターン転写するものであり、
一般に第１図に示す如く構成される。すなわち、
石英基板１の表面にCrパターン２を形成し、こ
れらの表面にCsI等の光電膜３を被着してマスク
４が形成され、このマスク４の下面にレジスト５
を塗布されたウエーハ６が離間対向配置される。
そして、マスク４の上面から一様な紫外線７を照
射し、放射された光電子をマスク−ウエーハ間の
均一な電界により加速し、これと平行な磁界によ
りウエーハ６上に集束させることによつて、パタ
ーン転写が行われるものとなつている。しかし
て、この方式では解像性能が高くサブミクロンの
パターン転写が可能である。さらに、転写時間が
短く高い生産性が得られる等の利点がある。
(3) 従来技術の問題点 前記マスク４を用いた場合、近接効果の影響で
露光パターン周辺部での解像度が悪くなり、転写
精度の低下を招く。さらに、線幅の細いパターン
（２μｍ）を精度良く転写することは困難であつ
た。
(4) 発明の目的 本発明は上記事情を考慮してなされたもので、
その目的とするところは、近接効果に起因するパ
ターン周辺部での解像度低下を防止することがで
き、かつ線幅の細いパターンをも高精度に転写す
ることができるパターン転写用マスクを提供する
ことにある。
また、本発明の他の目的は、上記解像度低下の
防止および高精度転写をはかり得るパターン転写
用マスクの製造方法を提供することにある。
(5) 発明の要約 露光パターンの周辺部での電子ビーム強度をパ
ターン中央部での電子ビーム強度より強くすれ
ば、近接効果が小さくなる。さらに、線幅の細い
パターンにあつてはその電子ビーム強度を強くす
ることにより転写精度が向上することを本発明者
等は見出した。
本発明はこのような点に着目し、パターン転写
用マスクの露光パターン部の線幅の太いものより
細いものの光透過率を大きくし、かつ線幅の太い
パターンにあつてはその中央部より周辺部の光透
過率を大きくしたものである。また、その製造に
際して、光透過性基板上に光吸収部材を所望の露
光パターンに形成したのち、上記基板上および光
吸収部材上に基板の法線方向に対して斜め左方向
および斜め右方向から遮光性物質を蒸着し、しか
るのち光遮光性物質上に光照射により電子を放出
する光電膜を被着するようにした方法である。
(6) 発明の効果 したがつて本発明によれば、近接効果の影響を
少なくすることができ、近接効果に起因するパタ
ーン周辺部の解像度低下を未然に防止することが
できる。さらに、線幅の細いパターンを精度良く
転写することができる。このため、パターン転写
精度の大幅な向上をはかり得ると云う効果を奏す
る。また、製造方法に関しては、光透過率を変え
るための遮光性物質蒸着工程を付加するのみで極
めて容易に実現することができる。
(7) 発明の実施例 以下、本発明の詳細を図示の実施例によつて説
明する。
第２図は本発明の一実施例に係わるパターン転
写用マスクの要部構成を示す断面図である。図中
１１は石英基板（光透過性基板）であり、この基
板１１の下面には所望の露光パターンにCr膜
（光吸収物質）１２が蒸着されている。また、Cr
膜１２の下面および基板１１の下面には金属薄膜
（光遮光性物質）１３が選択的に蒸着されてい
る。すなわち、基板１１の下面の上記Cr膜１２
が蒸着されていない部分（露光パターン部）にお
いては、その線幅が太い場合中央部で厚く周辺部
で薄く金属薄膜１３が蒸着形成されている。ま
た、露光パターン部の線幅が細い場合、上記金属
薄膜１３は蒸着されないものとなつている。そし
て、金属薄膜１３および基板１１の露出部下面に
は、光を照射されて光電子を放出するCsI膜（光
電膜）１４が被着されている。
このように構成されたマスクを電子ビーム転写
に用いた場合、露光パターン部での光透過率は、
第３図に示す如く線幅の太いものではその中央部
より周辺部の方が大きくなる。また、線幅の太い
ものより細いものの方が光透過率が大きくなる。
これにより、線幅の太いパターンより線幅の細い
パターンの方が照射される電子ビーム強度が大き
くなると共に、線幅の太いパターンにあつてはそ
の中央部より周辺部の方に照射される電子ビーム
強度が大きくなる。したがつて、前述した光電効
果の影響を少なくすることができ、パターン転写
精度の向上をはかり得る。
次に、上記実施例マスクの製造方法を説明す
る。まず、第４図ａに示す如く石英基板１１上に
Cr膜１２を蒸着する。次いで、第４図ｂに示す
如くCr膜１２を所望パターンに従つて選択エツ
チングしマスクパターンを形成する。ここで、上
記マスクパターンの厚みは有限なものとなる。次
に、第４図ｃに示す如く基板１１の法線方向に対
し斜め左方向で且つ基板１１上に形成さたパター
ンの長さ方向と平行でない方向から金属薄膜１３
を蒸着し、続いて同図ｄに示す如く斜め右方向で
且つ基板１１上に形成されたパターンの長さ方向
と平行でない方向から金属薄膜１３を蒸着形成す
る。これにより、露光パターン部の中央部で薄く
周辺部で厚く金属薄膜１３が形成される。また、
線幅の細いパターンでは金属薄膜１３は形成され
ないことになる。そして、金属薄膜１３および基
板１１の露出部上にCsI膜１４を被着することに
よつて、前記第２図に示す如きマスクが形成され
ることになる。
(8) 発明の変形例 本発明は上述した実施例に限定されるものでは
なく、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形し
て実施することができる。例えば、前記光透過性
基板としての石英基板の代りに同等の透過率を有
する他の基板を用いるようにしてもよい。また、
Cr膜の代りには光を吸収する部材、さらにCsI膜
の代りには光照射により光電子を放出する部材で
あれば代替使用できる。また、前記金属薄膜のパ
ターン周辺部と中央部とでの膜厚差等は、仕様に
応じて適宜定めればよい。
【図面の簡単な説明】
第１図はホトカソード方式の電子ビーム転写技
術を説明するための断面図、第２図は本発明の一
実施例に係わるパターン転写用マスクの要部構成
を示す断面図、第３図は上記実施例の作用を説明
するための模式図、第４図ａ〜ｄは上記実施例マ
スクの製造工程を示す断面図である。 １１……石英基板（光透過性基板）、１２……
Cr膜（光吸収部材）、１３……金属薄膜（遮光性
物質）、１４……CsI膜（光電膜）。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 光透過性基板上に光吸収部材を所望の露光パ
    ターンに形成すると共に上記基板上に光照射によ
    り電子を放出する光電膜を被着してなり、電子ビ
    ームパターン転写に供されるパターン転写用マス
    クにおいて、前記基板上の露光パターン部の線幅
    の太いものより細いものの光透過率を大きくし、
    かつ線幅の太いパターンにあつてはその中央部よ
    り周辺部の光透過率を大きくしたことを特徴とす
    るパターン転写用マスク。 ２ 光透過性基板上に光吸収部材を所望の露光パ
    ターンに形成したのち、上記基板上および光吸収
    部材上に上記基板の法線方向に対して斜め左方向
    および斜め右方向の少なくとも２方向から遮光性
    物質を蒸着し、しかるのち上記遮光性物質上に光
    照射により電子を放出する光電膜を被着すること
    を特徴とするパターン転写用マスクの製造方法。
JP17544581A 1981-10-31 1981-10-31 パタ−ン転写用マスクおよびその製造方法 Granted JPS5877229A (ja)

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FR8216465A FR2515873A1 (fr) 1981-10-31 1982-09-30 Masque de transfert par faisceau d'electrons et procede de fabrication

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR910000756B1 (en) * 1984-11-20 1991-02-06 Fujitsu Ltd Method for projection photoelectron image
JPS622536A (ja) * 1985-06-28 1987-01-08 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電子ビ−ム露光装置用マスクおよびその製造方法
GB2180669A (en) * 1985-09-20 1987-04-01 Phillips Electronic And Associ An electron emissive mask for an electron beam image projector, its manufacture, and the manufacture of a solid state device using such a mask

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2446042C3 (de) * 1974-09-26 1982-03-18 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum Herstellen von Masken für verkleinernde elektronenoptische Projektion
US4039810A (en) * 1976-06-30 1977-08-02 International Business Machines Corporation Electron projection microfabrication system
DE2835363A1 (de) * 1978-08-11 1980-03-13 Siemens Ag Verfahren zum uebertragen von strukturen fuer halbleiterschaltungen
US4241109A (en) * 1979-04-30 1980-12-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Technique for altering the profile of grating relief patterns

Also Published As

Publication number Publication date
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FR2515873B1 (ja) 1984-07-06
DE3236142A1 (de) 1983-05-19
DE3236142C2 (ja) 1987-08-20
FR2515873A1 (fr) 1983-05-06

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