JPS63244622A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS63244622A JPS63244622A JP62078065A JP7806587A JPS63244622A JP S63244622 A JPS63244622 A JP S63244622A JP 62078065 A JP62078065 A JP 62078065A JP 7806587 A JP7806587 A JP 7806587A JP S63244622 A JPS63244622 A JP S63244622A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- secondary electrons
- electric field
- range
- direction perpendicular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板
上に塗布されたフォトレジストに半導体集積回路パター
ンを焼きつけるフォトリソグラフィー工程に関する。
上に塗布されたフォトレジストに半導体集積回路パター
ンを焼きつけるフォトリソグラフィー工程に関する。
従来、この種のフォトリソグラフィー工程においては、
露光用に用いられる光源としては最短波長でも紫外光領
域までが使用されていた。紫外光領域までの波長では使
用光源のエネルギーが低いために、フォトレジスト中で
発生する２次電子の飛程はパターン寸法精度に比し無視
できる程度に短かく、フォトレジストの感光反応は光自
身に関与するものが支配的であった。すなわち、フォト
レジスト中で発生する２次電子の飛程を制御する必要性
は低いものであった。
露光用に用いられる光源としては最短波長でも紫外光領
域までが使用されていた。紫外光領域までの波長では使
用光源のエネルギーが低いために、フォトレジスト中で
発生する２次電子の飛程はパターン寸法精度に比し無視
できる程度に短かく、フォトレジストの感光反応は光自
身に関与するものが支配的であった。すなわち、フォト
レジスト中で発生する２次電子の飛程を制御する必要性
は低いものであった。
しかるに、半導体集積回路をより高集積化していく為に
は、より微細な回路パターンを精度よく半導体基板上に
形成する必要がある。このためフォトリソグラフィー工
程においては、Ｘ線・電子線等のより波長の短い光源を
用いて解像度を向上させることが必要不可欠である。特
に、Ｘ線露光においてはフォトマスクをＸ線が通過した
際に生じるマスク端からのフレネル回折による解像度の
低下をおさえる意味からも、より短波長のＸ線を使用す
ることが効果的である。解像度向上の為に光源を短波長
にしていく程、同時に光源のエネルギーも高くなる。従
って、これに伴いフォトレジスト中で発生する２次電子
の飛程が長くなってくる。２次電子の飛程がパターン寸
法精度に対し無視できない程長くなれば、フォトレジス
トのパターンエツジの切れが悪くなり、解像度を落とす
要因となる。
は、より微細な回路パターンを精度よく半導体基板上に
形成する必要がある。このためフォトリソグラフィー工
程においては、Ｘ線・電子線等のより波長の短い光源を
用いて解像度を向上させることが必要不可欠である。特
に、Ｘ線露光においてはフォトマスクをＸ線が通過した
際に生じるマスク端からのフレネル回折による解像度の
低下をおさえる意味からも、より短波長のＸ線を使用す
ることが効果的である。解像度向上の為に光源を短波長
にしていく程、同時に光源のエネルギーも高くなる。従
って、これに伴いフォトレジスト中で発生する２次電子
の飛程が長くなってくる。２次電子の飛程がパターン寸
法精度に対し無視できない程長くなれば、フォトレジス
トのパターンエツジの切れが悪くなり、解像度を落とす
要因となる。
従来のフォトリソグラフィー技術ではフォトレジスト内
で発生する２次電子を特に制御することは行われていな
かった。フォトレジスト面に対し水平方向の２次電子の
飛程を抑えない限り、上述のように露光波長が短くなる
程、２次電子による解像度への影響が大きくなるという
弊害が存在する。特にＸ線露光では、フレネル回折と２
次電子という相反する要因が存在する。
で発生する２次電子を特に制御することは行われていな
かった。フォトレジスト面に対し水平方向の２次電子の
飛程を抑えない限り、上述のように露光波長が短くなる
程、２次電子による解像度への影響が大きくなるという
弊害が存在する。特にＸ線露光では、フレネル回折と２
次電子という相反する要因が存在する。
本発明は、半導体基板上に塗布さ゛れたフォトレジスト
に半導体集積回路パターンを焼きつけるフォトリソグラ
フィー工程において、フォトレジスト面に鉛直な方向の
電界をかけることにより、フォトレジスト内で発生する
２次電子を鉛直方向に加速し、水平方向への飛程を短く
抑えるようにしたことを特徴とする。
に半導体集積回路パターンを焼きつけるフォトリソグラ
フィー工程において、フォトレジスト面に鉛直な方向の
電界をかけることにより、フォトレジスト内で発生する
２次電子を鉛直方向に加速し、水平方向への飛程を短く
抑えるようにしたことを特徴とする。
次に、本発明について図面を参照して説明する。第１図
は本発明の第１の実施例として拡散層へのコンタクトを
形成する場合を示すものである。シリコン基板１上の拡
１ｉｉＪＷ８へのコンタクトをとる為ＰＳ（ｌＪ２にコ
ンタクトホールを形成する工程において、フォトレジス
ト３内でＸ線５によって二次電子６が発生する。本実施
例の場合はシリコン基板１を接地）し、前方にＸ線を透
過するベリリウム製の電極板（図示せず）を配置して、
フォトレジスト面に鉛直方向の電界４をかける。この電
界４により、二次電子６はシリコン基板１に対し鉛直方
向に加速され、二次電子６の平均飛程において水平方向
の飛程が小さくなる。
は本発明の第１の実施例として拡散層へのコンタクトを
形成する場合を示すものである。シリコン基板１上の拡
１ｉｉＪＷ８へのコンタクトをとる為ＰＳ（ｌＪ２にコ
ンタクトホールを形成する工程において、フォトレジス
ト３内でＸ線５によって二次電子６が発生する。本実施
例の場合はシリコン基板１を接地）し、前方にＸ線を透
過するベリリウム製の電極板（図示せず）を配置して、
フォトレジスト面に鉛直方向の電界４をかける。この電
界４により、二次電子６はシリコン基板１に対し鉛直方
向に加速され、二次電子６の平均飛程において水平方向
の飛程が小さくなる。
従って、フォトレジスト３の切れの悪化を防ぐことがで
きる。
きる。
第２図は本発明の第２の実施例である。シリコン基板１
１上に形成された酸化膜１７をゲート絶縁膜とし、多結
晶シリコン１２よりなるゲート電極を形成する工程にお
いて、フォトレジスト１３内でＸ線１５によって発生す
る二次電子１６をフォトレジスト１３に対し鉛直方向の
電界１４をかけ、二次電子の飛程の水平方向成分を小さ
くしてフォトレジスト１３の切れの悪化を防ぐものであ
る。
１上に形成された酸化膜１７をゲート絶縁膜とし、多結
晶シリコン１２よりなるゲート電極を形成する工程にお
いて、フォトレジスト１３内でＸ線１５によって発生す
る二次電子１６をフォトレジスト１３に対し鉛直方向の
電界１４をかけ、二次電子の飛程の水平方向成分を小さ
くしてフォトレジスト１３の切れの悪化を防ぐものであ
る。
なお、電界はシリコン基板側とフォトレジスト側に電極
板（但し、フォトレジスト側の電極板はＸ線を透過可能
な材料を選ぶ）を設置して印加する。
板（但し、フォトレジスト側の電極板はＸ線を透過可能
な材料を選ぶ）を設置して印加する。
以上説明したように本発明は、フォトリソグラフィー工
程においてフォトレジスト面に鉛直な方向の電界をかけ
ることにより、フォトレジスト内で発生する二次電子の
水平方向への飛程を小さくし、フォトレジストの切れの
悪化を防ぐという効果がある。
程においてフォトレジスト面に鉛直な方向の電界をかけ
ることにより、フォトレジスト内で発生する二次電子の
水平方向への飛程を小さくし、フォトレジストの切れの
悪化を防ぐという効果がある。
第１図は本発明の第１の実施例を示す断面図、第２図は
本発明の第２の実施例を示す断面図である。 １．１１・・・シリコン基板、２・・・Ｐ２Ｏ層、３゜
１３・・・フォトレジスト、４，１４・・・電界、５゜
１５・・・Ｘ線、６，１６・・・２次電子、７・・・接
地、８・・・拡散層、１２・・・多結晶シリコン、１７
・・・酸化膜。
本発明の第２の実施例を示す断面図である。 １．１１・・・シリコン基板、２・・・Ｐ２Ｏ層、３゜
１３・・・フォトレジスト、４，１４・・・電界、５゜
１５・・・Ｘ線、６，１６・・・２次電子、７・・・接
地、８・・・拡散層、１２・・・多結晶シリコン、１７
・・・酸化膜。
Claims (1)
- 半導体基板上に塗布されたフォトレジストに半導体集積
回路パターンを焼きつけるフォトリソグラフィー工程に
おいて、フォトレジスト面に鉛直な方向の電界をかける
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62078065A JPS63244622A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62078065A JPS63244622A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63244622A true JPS63244622A (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=13651443
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62078065A Pending JPS63244622A (ja) | 1987-03-30 | 1987-03-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63244622A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005038527A3 (en) * | 2003-10-06 | 2006-01-12 | Intel Corp | Enhancing photoresist performance using electric fields |
| US7463336B2 (en) | 2004-04-14 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and apparatus with applied electric field |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5649450A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-06 | Nissan Motor Co Ltd | Abnormality decision device of line pressure controller for automatic transmission |
| JPS5651499A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-09 | Meiji Seika Kaisha Ltd | Aminoglycoside derivative and its preparation |
| JPS6057624A (ja) * | 1983-09-08 | 1985-04-03 | Toshiba Corp | ハ−ドマスクの製作方法 |
| JPS60109323U (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-25 | 富士通株式会社 | 導通ピン |
-
1987
- 1987-03-30 JP JP62078065A patent/JPS63244622A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5649450A (en) * | 1979-09-28 | 1981-05-06 | Nissan Motor Co Ltd | Abnormality decision device of line pressure controller for automatic transmission |
| JPS5651499A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-09 | Meiji Seika Kaisha Ltd | Aminoglycoside derivative and its preparation |
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| JPS60109323U (ja) * | 1983-12-27 | 1985-07-25 | 富士通株式会社 | 導通ピン |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005038527A3 (en) * | 2003-10-06 | 2006-01-12 | Intel Corp | Enhancing photoresist performance using electric fields |
| US7374867B2 (en) | 2003-10-06 | 2008-05-20 | Intel Corporation | Enhancing photoresist performance using electric fields |
| US7463336B2 (en) | 2004-04-14 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and apparatus with applied electric field |
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