JPS6057624A

JPS6057624A - ハ−ドマスクの製作方法

Info

Publication number: JPS6057624A
Application number: JP58164222A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Matsuoka; 康男松岡
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1983-09-08
Filing date: 1983-09-08
Publication date: 1985-04-03
Also published as: JPH0352213B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】り発明の技術分野」この発明はハードマスクの製作方法に関し、特に導電性
薄膜を有しているハードマスクを無欠陥で製作（ること
のできるハードマスク製作方法に関覆るものである。

「発明の技術的背扇ｊ半導体ＨＭの’Ａ造に使用される）７１１・マスクのう
ち、マスクマスクは現在では１べ−（電子ビーム露光法
を利用してパターニングされ（〈１３す、電子ビーム露
光法以外の露光法を利用するマスタマスクにくらべて高
１′ｉ度且つ畠密度のパターンを右りるマスタマスクか
製作されるようになった３、シかしながら、従来のマス
タマスク製作方法に（Ｊ、以下に記載するような問題点
があった。

［背崇技術の問題点］従来、電子ビーム露光法を用いるハードマスク製作方法
においてはマスクブランク」−へのパターン形成は第１
図のｊ：うにして行われていた。　第１図はクロムハー
ドマスクブランクを使用するマスク製作力法を示したも
のであり、　Ｉｒ４１図にｄ′３いて１はガラス基板、
２はガラス基板１１−に被指されたクロム（Ｃｒ　）層
、３はクロム層２の表面に形成された酸化クロム層、４
は酸化り］〕ム層３の」：に被着されたレジスト層であ
り、ガラス基板１とクロム層２及び酸化クロム層３から
成るブランク板５は搬送用カレツｌ−６に搭載された状
態で°１ハ子ビーム露光装置のＸ−Ｙテーブル（図示せ
ず）上に支持されＣいる。　７は平面出しビンく水」１
度検出用）を兼ねた接地用電極であり、該接地用電極７
（まレジスト層４の外周縁部表面に圧接され（ブランク
板表面の水平出しをづるとともにレジスト層４を電気的
に接地している。　接地用電極７より内周側のレジメＩ
〜１１す４の表面はパターン形成か行われる実パターン
Ｊ−リアＣ′あり、そこに電子ビーム［Ｅ　Ｅ　′ｈ＜
　＋！α則されることにより該レジメ１〜層４に回路パ
ターンの潜像が形成される。

第１図のととぎ従来方法にａ３い（は、レジスト層４の
上に接地用電極７を圧接ざＩ！でいるＩｃめ、Ｌス下の
ごとき問題が牛してい１こ、。

（ａ）電子ビームを照射づると酸化り］」ムＶｔ？ｊ３
及びクロム層２に電倚が蓄積されるが、接地用電極７が
レジメ１一層４にのみ接触している！こめ、ブランク板
を完全に接地することができず、描画中次第に蓄積電荷
の影響が大ぎくなってゆぎ、その結果、描画パターンに
歪みが住しることが多い。

また、微小３１法のパターンをＩｉ６　ｉｌＸ！Ｉづる
場合、ブランク板の接地が完全でないため残留電荷の影
響で接地が完全な場合に比較しＣ近］・名効果が人とな
り、正確なパターン形成が不可能であった。

（ｂ）接地用電極７をレジス１一層４に圧接させている
ので、接地用電極７の先端にレジメ１〜が（Ｊ肴してし
まうことがある。　このように接地用゛市１セフの先９
；）１にレジストが付着しＩＣままで・次のブランク板
のバターニングを行った場合、接地用電極７をブランク
板の平面出しピンとしく一兼用しくいるどぎに次のよう
な問題が起こり・（ｂすい。　づなわち、第２図に示Ｊ
ようにたとえば二本の接地用電（シフａ、７ｂのうち一
本の接地用電極７１）の先端にレジスト片４ａがイ・」
着した之１、Ｊ５、次のブランク板５０のパターニング
を行った場合、ブランク板５０の水平出しが狂ってくる
ので電ｒじ−ｌＸ露光装置８のレンズ系の＠線Ｙ。の方
向がブランク板５０の軸線Ｙ、の方向に対してＩン１示
の如く角Ｏだｔプ傾さ、その結果、電子ビームの焦点が
ずれＣマスクの長寸法や短寸法が廷っ゛（くる。　この
ように伺着しジスト片４ａにょっ′Ｃ電子ビームの焦点
ずれが起こる現象はたとえば第３図に示づ−ように水平
なカレッ１−〇に対してブランク板５が傾いた状態で電
子ビームが鉛直方向に照射された場合に相当づる。　こ
の場合、カセッ１−６に対するブランク板５の最大傾斜
汀）を１でどし、ブランク板５上に図のようにＸ、Ｘ方
向を定めて第４図のようにブランク板５」−に９り所の
測定点をとり、Ｒ＝　５００μｍ　イ；ｌの場合の短＝
Ｊ法の変動を測定した結果が第５ン図であり、また長寸
法（）ヘータルピッチ）を測定した結果が第６図である
。　第５図及び第６図にＪ５い−Ｃ１Ｘ印は各点にお（
）るＸ方向の寸法であり、また○印はＸ方向の用法であ
るが、設１１３１法は×７ｊ向、ｙ方向共に１０μであ
る。　また、第６図にｄ３りる水平な直ＩＰ；ＡＬは真
値（Ｂ、Ｂ、若しくはＡ。Ｃ，間の距離；　９ｏｏｏｏ
、ｏｏμ））を表して第５図及び第６図から明らかなよ
うに、ブランク板５がＸ方向に傾くと、同方向の短寸法
及び長間法に狂いが出ることは避【プられない。　そし
て、このように知何法及び長寸ｄ１に狂いが出ると正も
「なパターン形成が不可能となり、パターン不良を生じ
ゃ−４くなる。

（Ｃ）前記のごとぎ接地用’ｔｆｉ　＆へのレジメ１〜
イ・４着に起因づるパターン不良を防止覆るために、従
来接地用電極７の先端を常に清浄にしでおく作業が必要
であったが、そのため作業能率が１１人＜、ｆ１業も自
動化できなかった。

（ｄ　）接地用電極をレジスＩ・層から岨づとぎにレジ
スト層が剥離し、゛剥離しＩＣレジメ１〜Ｊ“１がパタ
ーンエリア内に飛び込／υで該パターンエリア内にイ」
着し、このためにそのパターンが１４ｉ　ｆ（ｊしＣン
スクの欠陥となることがあった。

し発明の目的］この発明の［」的は、前記従来り法の接地用電極にお【
プる接地不良問題点を解決し、改良されたハードマスク
製作方法を提供号ることて−ある。　またこの発明の別
の目的は、前記従来方法の平面出し精疾の問題点を解決
し、改良されたハードマスり製伯′ブ）ン人を（足イ共
づることにある。

［発明の１１１１１要］この発明の方法は、電子ビーム露光を行うに際し、予め
マスクブランクの外縁部表面にレジタ１〜層未形成箇所
を設けておび、該レジタ１〜層未形成箇所に露出したマ
スクブランクの導電性表面に接地用電極を４８触させつ
つ電子ビーム露光を行うことを特徴どＪるものである。

　この発明の方法によれば、接地用電極がマスクブラン
クの導電性薄膜面に直接に接触づるので、該マスクブラ
ンクを完全に接地４ることがで・さ、従って電子ビーム
照射時にｂレジタ１〜層及び酸化り１」ム層に電荷が蓄
積リ−ることがなく、その結果、従来ｌｊ法に存する問
題点がづべ−（解決され、無欠陥のハードマスクを製造
りることができる。

この発明の方法は、接地用電極のみもしくは平面出しビ
ンのみを適用する場合又は平面出し兼用接地の電極を適
用刀る場合にａ３い−（有効である、１［発明の実施例
、ｌ第７図は本発明方法を図示したしのであり、第７　図ｔ
＝　に　イーＵ　Ｉｓ　１１ＳＩ　トＩｒｔｌ−？：Ｊ
　’ｔＦｒ　ｒ入車すした部分は第１図とＦコ１じ部分
を表している。

本発明の方ｄ１では、電子ビーｌ＼露光を行うに先立つ
で予めブランク板５の表面のレジタ１〜Ｉｆｉｊ　／ｌ
を第８図に示７１　Ｊ、うにバタターン形成予定場所１
０（Ｊなわら実パターン上リア）の外側に、１″３い（
少なくとも−り所以上剥離し−（Ｊ３りことにＪ、すａ
１ε３図に影線を以て示すようにブランク板５の隅８１
１にレジタ［・層未形成箇所９を形成し−（ｄりさ一１
該レジメ１へ層未形成箇所９に露出ｌしめた酸化り１」
ム層３に第７図のごとく接地用？ｌｉ材ズ７をＩ：ｌ−
、１ｇさμつつ、レジタ１〜層４の表面に電子ビーム［
Ｂを脂身・］シ（回路パターンを露光させる。　前記の
とどさ本発明方法では、接地用゛市１セフがレジタｌ−
１閃／ｌに当接されり゛にブランク板５の表面の酸化り
Ｅｌ　ｌ＼Ｉｆｆ　３に当接されているため、レジタ１
へＦ、ｉ　４や酸化り目ム層３及びり［」ム層２に帯電
りる電？ｉｉｊが残留りることなく接地用電極７を通っ
て大地に逃げ、その結果、パターン不良を生じる恐れが
少なくなった。

また、接地用電極７の先端がレジスト層に接触しないの
でレジスト層の剥離や接地用電極７へのレジタ１〜層ｉ
の何名が起こらず、史にパターンコーリア内への剥離レ
ジタ１〜片の再イｑ犯なども生じないので、レジタ１一
層の剥離に起因する不良発生原因かりべてなくなった１
゜第８図の影線で示づよ・うにレジスト層未形成個所９を
）Ｔ３成する一法は、レジストをスピンノーＣ回転塗布
づると同時にレジタｈ　ｔｉ木木酸成層９パターンＸ［
す）ノ外）の内接円周」の一点１１にレジストシンナー
を滴下しつつ、レジタ１〜の回転塗布を行うど、レジタ
１〜層が円形にのみ残されて、レジスト層未形成個所９
にはレジタ１へ層が形成されない１．　レジタ１〜シン
ブー−のン商十ノノン人【ま１１におりる内接円接線方
向にかつブノンク４ル水平面に夕・１し約３０°の傾斜
にシンナーを射出りるのがレジメ１一層周縁を尖鋭Ｊる
うえ（・′々ｒましい３．　まｌごレジタ１−シンナー
の滴下時期はレジメ１〜回転塗イ１ｊと同＋＋：Ｈにす
ることが工程を増加さ１．！ない点で好ましいが、レジ
タ１−のＩ：［３露光前リイ、（わら１ノジストのｌ＼
−ギング後であっても可能ひある。

第８図のような形状のレジスト層未形成個所９が形成さ
れると、四隅において比較的大面積のレジスト層未形成
個所が得られるので、ピン状の接地用電極に代えて接地
面積の大きい電極が使用しえて、さらに近接効果を改＠
−，Ｊ−ることがでさる。

［発明の効果１以上に説明したところから明らかなように、本発明方法
によれば電子ビーム照射時にマスクブランクを完全に接
地でさるため、マスクブランクの残留電荷に起因する近
接効果を抑ｆｌｉｌｌ　することかできるとともに残留
電荷に起因覆るパターン歪みの発生を防止することかで
き、その結果、止４ＲでＪ：１つより錆密なハードマス
クの製造が１１能になるととｂにハードマスク製造の歩
留りが向上した、。

また接地用電極によるレジタ１へ層の剥離が全く生じな
いｌζめ、レジスト層剥離に起因りる電子ビームの焦点
ずれの発生が防止されるー’ｊｊ、接地用電極を清浄に
保つ作業を省略することかｌさ、その結果、不良品の発
生防止ど１６１時に作業の簡易化が達成された。　更に
、接地用電極の清浄作業が不要になったことから、作業
の自動化が可能となり、ハードマスク製造工程の高能率
化が可能となつ　ｌこ　。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のハードマスク製作方法の概略図、第２図
乃至第６図は第１図の方法にＪ５いて接地用電極の先端
にレジストＬ１が（＝Ｊ着した場合の問題点を３２明−
４るための図、第７図は本発明方法を説明覆るだめの概
略図、第８図は本発明方法において使用されるマスクブ
ランクの１１λ略平而図である。１・・・ガラス単機、　２・・・り「１ム１ｅｊ、　３
・・・酸化りＩ」八ｈ？ｊ、　４・・・レジスト層、ｂ
・・・ブランク板（マスクツランク）、　６・・・カレ
ッ１〜、７・・・平面出し兼用接地用電極、　９・・・
レジメ１へ層未形成箇所、′１１・・・レジタ１〜シン
ナー滴＝１・場所。特ｒ［出願人　東京芝浦電気株式会社代理人　弁理士　諸１）火皿第１図第２図第５図第６図第７図第８図

Claims

【特許請求の範囲】

１　電子ビーム露光Ｖ−によってハードマスクブランク
の表面にレジストパターンの形成を行うに際し、予め該
ハードマスクブランク上のパターン形成予定場所以外の
場所に少なくとも一箇所以上のレジメ１−ヒｉ未形成箇
所を設りておさ、該レジスｌ一層未形成箇所に露出した
該ハートマスクブランクの導電性表面に接地用電極若し
くｔま平ｍ１出しピン又は平面出し兼用接地用電極を接
触させつつ電子ビーム露光を行うことを’１−１ｊ徴と
りるハードマスクの製作方法。