JPS6323703Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の利用分野〕 本考案は、レジスト塗布、露光、現像を２回繰
返すホトレジストダブルコート方法に用いられる
ホトマスクに係り、特に、粗いパターン形成時に
好適なホトマスクに関する。

〔考案の背景〕

薄膜感熱記録ヘツドの抵抗体パターン形成は、
ホトエツチングで行なわれ、レジストの異物除去
の観点からレジスト塗布、露光、現像を２回繰返
すホトレジストダブルコート方法が採用されてい
る。この方法で、ホトマスクが基板側（正確には
基板上に塗布したレジストに直接密着するため、
ホトマスクに傷が生じ易く、ホトマスク寿命を低
下させる欠点があつた。

すなわち、第１図ａに示す如く、基板７上には
抵抗体材料６、電極材料が形成され、その上に１
回目のレジストが塗布された後、図示していない
エマルジヨンマスク又はクロムマスクによる露光
と、その現像により第１回目のレジストパターン
３が形成される。次に、第２回目のレジスト４を
レジストパターン３上に塗布し、第２回目のエマ
ルジヨンマスクにより露光を行なう。第２回目の
エマルジヨンマスクは、第１回目のものと同一の
パターンを形成するもので、現像後のレジストパ
ターンを形成する部分に相当する形状の光透過部
１と、現像により除去される部分に相当する形状
の黒色部２とから形成され、主としてガラス材料
から形成されている。この第２回目のエマルジヨ
ンマスクを用いて露光し、現像すると第１図ｂに
示すものが形成される。次に、第１図ｃに示す如
く、エツチングにより電極材料５の一部が除去さ
れ、更にレジストパターン３、レジスト４を除去
することにより第１図ｄに示す如き電極材料５、
抵抗体材料６からなる抵抗体パターンが形成され
る。

上記工程において、第２回目のエマルジヨンマ
スクは基板側に直接接触するため、マスク損傷や
異物付着が発生し易い欠点が生ずる。又、第１回
目と第２回目のエマルジヨンマスクは同一パター
ンのため、その位置ずれを防止することが必要と
なり、正確なアライメント機構が必要となる。更
に、上記エマルジヨンマスクは光透過部１がガラ
ス材料から形成されるため、ガラスの光透過度
や、異物の付着が問題となり、歩留を低下せしめ
る欠点があつた。

〔考案の目的〕

本考案は、上記の欠点を解決すべく創案された
ものであり、その目的はマスク損傷が発生せずそ
の寿命が向上すると共に、位置合せに複雑な装置
を必要とせず、かつ歩留を向上し得るホトマスク
を提供することにある。

〔考案の概要〕

本考案は、上記目的を達成するために、第２回
目に用いられるホトマスクを、レジストパターン
を形成しない部分に見合う形状の金属板から形成
せしめ、かつ、この形状部を基板側に非接触にす
べく、離隔して位置決め形成するようにしたホト
マスクを特徴としたものである。

〔考案の実施例〕

以下、本考案の実施例を図面に基づいて説明す
る。まず、本実施例の概要を説明する。

第２図ａに示す如く、第２回目のホトマスク８
は、基板７上のレジストパターンを形成しない部
分に見合う形状（嵌め勝手）の金属板から形成さ
れる。正確には、上記形状よりやや幅広に形成さ
れる。第３図に示す如く、上記形状部に相当する
光遮へい部１０を基板側から離隔させるため、光
遮へい部１０の周縁に基板側に接触する接触部１
１を設け、この接触面から引つ伏ませて光遮へい
部１０を形成し、基板側と所定間隔を形成せしめ
る。以上の如き形状のホトマスク８をレジスト４
に対峙せしめ、露光、現像、エツチングすること
により所望の抵抗体パターンが形成される。

次に、本実施例を更に詳細に説明する。

第３図ないし第５図に示す如く、第２回目のホ
トマスク８は金属板から形成され、その周縁部に
基板側１４に接触する接触部１１が形成される。
接触部１１から所定寸法だけ引つ込んだ位置に光
を遮へいする光遮へい部１０が形成され、この光
遮へい部１０にはレジストパターンに見合うパタ
ーン部１５が板厚を貫通して形成される。正確に
は、光遮へい部１０の寸法が上記のレジストパタ
ーン嵌り勝手の寸法よりやや幅広に形成される。
又、上記の引つ込み寸法は、基板側１４にホトマ
スク８を載置した際、光遮へい部１０と基板側１
４とが所定の基準間隔に一致するように形成され
る。なお、上記光遮へい部１０の寸法を幅広に形
成するのは、第１回目のレジストにより、レジス
トパターン３が正確に形成されているため、これ
と光遮へい部１０によるものとを完全に一致せし
めなくとも、所望のレジストパターンが形成され
るためである。又、ホトマスク８には、基板側１
４との位置合せのための切欠部１２と基準線１３
が貫通形成される。

第２図ａに示す如く、上記形状のホトマスク８
を、第２回目のレジスト４上に設け、切欠部１２
および基準線１３により位置決めする。又、第４
図および第５図に示す如く、接触部１１を基板側
１４に載せ、光遮へい部１０を基準間隔に位置決
めする。接触部１１は上記の如く基準側に接触す
るが、この接触部１１はパターンから外れたもの
で、接触しても問題が生じない。ホトマスク８で
露光した後、第２図ｂに示す如くホトマスク８で
パターニングされたレジストパターン９が現像さ
れる。このレジストパターン９はレジストパター
ン３より幅広に形成されるが、上記理由により問
題ない。

次に、第２図ｃに示す如く、エツチングした
後、レジストパターン３，９を除去し、第２図ｄ
に示す如く、第１図ｄと同一の抵抗体パターンが
形成される。

以上の如く、本実施例によれば、基板側１４と
ホトマスク８とが接触部１１を除き直接接触しな
いため、マスクの損傷がなく、異物付着等が生じ
ない。従つて、ホトマスク８の寿命が向上し、マ
スク材料費が低減する。又、本実施例では、光を
透過する部分には、従来技術の如くガラス材料等
の介在物がなく、光が素通りのため光透過率や異
物付着等に関する問題が発生せず歩留が向上す
る。又、上記の如く、ホトマスク８は幅広に形成
され、マスク寸法を直接決めるマスクとして使用
されないため、オートアライメント機構を有さな
い露光装置でも、単にピンアライメント機構だけ
で自動露光が可能となり、特に複雑な装置を必要
としない。又、第１回目と第２回目のパターン合
せに従来技術の如く精度を要せず、作業効率を向
上することができる。

〔考案の効果〕

以上の説明で明らかの如く、本考案によればマ
スク損傷が発生せず、その寿命が向上すると共
に、位置合せに複雑な装置を必要とせず、歩留お
よび作業効率が向上する効果が上げられる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａないしｄは従来のホトレジストダブル
コート方法のプロセスを示す断面図、第２図ａな
いしｄは本考案一実施例のプロセスを示す断面
図、第３図は本考案一実施例の平面図、第４図は
第３図の１Ｖ−１Ｖ線矢視の断面図、第５図は第
３図の−線矢視の断面図である。 １……光透過部、２……黒色部、３……レジス
トパターン、４……レジスト、５……電極材料、
６……抵抗体材料、７……基板、８……ホトマス
ク、９……レジストパターン、１０……光遮へい
部、１１……接触部、１２……切欠部、１３……
基準線、１４……基板側、１５……パターン部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. レジスト塗布とホトマスクによる露光および現
   像とを２回繰返して基板上に抵抗体パターンを形
   成するホトレジストダブルコート方法に用いられ
   るホトマスクのうち２回目に使用されるホトマス
   クであつて、当該ホトマスクの光遮へい部は１回
   目に使用されるホトマスクの光遮へい部より幅広
   に形成されかつその周縁部には基板にホトマスク
   を載置した際に光遮へい部と基板とが所定間隔と
   なるような接触部を設けてなることを特徴とする
   ホトマスク。