JPS61210358A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS61210358A JPS61210358A JP60051734A JP5173485A JPS61210358A JP S61210358 A JPS61210358 A JP S61210358A JP 60051734 A JP60051734 A JP 60051734A JP 5173485 A JP5173485 A JP 5173485A JP S61210358 A JPS61210358 A JP S61210358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- resist film
- photomask
- transmissive area
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、フォトマスクに関する。
従来、半導体装置の製造工程の一工程である露光工程で
は、第8図に示す如く、まず半導体基板1上にレゾスト
膜2を形成する。次いで、第9図に示す如く所定パター
ンの透光領域3と遮光領域4を有するフォトマスク5を
介して露光を施し、レジスト膜2のパターニングを行う
。
は、第8図に示す如く、まず半導体基板1上にレゾスト
膜2を形成する。次いで、第9図に示す如く所定パター
ンの透光領域3と遮光領域4を有するフォトマスク5を
介して露光を施し、レジスト膜2のパターニングを行う
。
このときレジスト膜2は、第10図に示す如く、光の当
った領域は感光して現像後に残存パターン6となυ、光
の当らなかった領域は除去されて開口部7となる。これ
はレジスト膜2がIジ型の場合であるがネが型の場合は
これとは逆に第11図に示す如く、光の当った領域に残
存・ぐターン6が形成され、光の当らなかった領域に開
口部7が形成される。
った領域は感光して現像後に残存パターン6となυ、光
の当らなかった領域は除去されて開口部7となる。これ
はレジスト膜2がIジ型の場合であるがネが型の場合は
これとは逆に第11図に示す如く、光の当った領域に残
存・ぐターン6が形成され、光の当らなかった領域に開
口部7が形成される。
しかしながら、半導体基板10表面は、第12図に示す
如く、通常絶縁膜8等が形成されて段差になっている。
如く、通常絶縁膜8等が形成されて段差になっている。
このように段差による凹凸表面上にレジスト膜9を形成
すると第13図に示す如く、段差の上側ではレジスト膜
9の膜厚が薄くなシ、段差の下側では厚くなる。このよ
うに膜厚が不均一になったレジスト膜9に従来のフォト
マスク5を用いて露光処理を施すと、第14図に示す如
く、厚肉の部分で残存したレジスト膜パターン10の幅
が広くなシ、高い形状精度で所定のレジスト膜パターン
10を形成できない問題があった。
すると第13図に示す如く、段差の上側ではレジスト膜
9の膜厚が薄くなシ、段差の下側では厚くなる。このよ
うに膜厚が不均一になったレジスト膜9に従来のフォト
マスク5を用いて露光処理を施すと、第14図に示す如
く、厚肉の部分で残存したレジスト膜パターン10の幅
が広くなシ、高い形状精度で所定のレジスト膜パターン
10を形成できない問題があった。
本発明は、段差を有する半導体基板上に形成された膜厚
の不均一なレジスト膜に高い形状精度でパターニングを
施すことができるフォトマスクを提供することをその目
的とするものである。
の不均一なレジスト膜に高い形状精度でパターニングを
施すことができるフォトマスクを提供することをその目
的とするものである。
本発明は、被処理体の膜厚及びその下地層の段差形状に
応じて透過率の異なる低透光領域を透光領域中に設けた
ことにより、段差を有する半導体基板上に形成された膜
厚の不均一なレジスト膜に高い形状精度で・母ターニン
グを施すことができるフォトマスクである。
応じて透過率の異なる低透光領域を透光領域中に設けた
ことにより、段差を有する半導体基板上に形成された膜
厚の不均一なレジスト膜に高い形状精度で・母ターニン
グを施すことができるフォトマスクである。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第1図は、本発明の一実施例のフォトマスクの斜視図
である。このフォトマスク20は、被処理体であるレジ
スト膜の残存Aターンに対応した遮光領域21とこれを
囲む遮光領域22及び低透光領域23をフォトマスク基
体24上に形成したものである。例えば、このフォトマ
スク賞では低透光領域23の光透過率は、遮光領域22
の約75%に設されている。
。第1図は、本発明の一実施例のフォトマスクの斜視図
である。このフォトマスク20は、被処理体であるレジ
スト膜の残存Aターンに対応した遮光領域21とこれを
囲む遮光領域22及び低透光領域23をフォトマスク基
体24上に形成したものである。例えば、このフォトマ
スク賞では低透光領域23の光透過率は、遮光領域22
の約75%に設されている。
このように光透過率が異なる遮光領域22と低透光領域
23の同じ露光時間に対するレジスト膜・やターンの寸
法特性は第2図に特性線(1) Q[)にて示す通りで
ある。すなわち、透光領域22に比べて低透光領域23
f:通して露光現像されたレジスト膜パターンのネガ寸
法が大きくなる。
23の同じ露光時間に対するレジスト膜・やターンの寸
法特性は第2図に特性線(1) Q[)にて示す通りで
ある。すなわち、透光領域22に比べて低透光領域23
f:通して露光現像されたレジスト膜パターンのネガ寸
法が大きくなる。
従って、第14図に示すように、段差の上側でレジスト
膜パターン100幅が段差の下側での幅よりも狭くなっ
た公金修正するには、段差の上側のレジスト膜パターン
に対応する遮光領域23を囲む透光領域22を光透過率
の小さい低透光領域23に設定すればよい。この場合の
低透光領域23の遮光領域22に対する光透過率(例え
ば75チ)の設定は、段差の大きさ、被処理体であるレ
ジスト膜の材質等に応じて適宜設定する。
膜パターン100幅が段差の下側での幅よりも狭くなっ
た公金修正するには、段差の上側のレジスト膜パターン
に対応する遮光領域23を囲む透光領域22を光透過率
の小さい低透光領域23に設定すればよい。この場合の
低透光領域23の遮光領域22に対する光透過率(例え
ば75チ)の設定は、段差の大きさ、被処理体であるレ
ジスト膜の材質等に応じて適宜設定する。
このように低透光領域23と遮光領域22及び遮光領域
21で構成されフォトマスク25f用いて、まず、表面
に絶縁膜26等が形成されて段差を有する半導体基板2
7上にレジスト膜28を形成し、次いで、このレジスト
膜28に露光現像処理を施したところ、第3図に示す如
く、段差の上側及び下側を通って均一な線幅になったレ
ジスト膜パターン29f:高い形状精度の下容易に形成
することができた。
21で構成されフォトマスク25f用いて、まず、表面
に絶縁膜26等が形成されて段差を有する半導体基板2
7上にレジスト膜28を形成し、次いで、このレジスト
膜28に露光現像処理を施したところ、第3図に示す如
く、段差の上側及び下側を通って均一な線幅になったレ
ジスト膜パターン29f:高い形状精度の下容易に形成
することができた。
また、上述と同様に第4図■に示す如く、形成しようと
するコンタクトホール30に対応し次形状の透光領域2
2及び低透光領域23を有するフォトマスク31を用い
て段差を有する半導体基板27上に形成され念レジスト
膜28に露光現像処理を施したところ、同図(B)に示
す如く、段差の上側及び下側で径(Qがほぼ等しいコン
タクトホール30を容易に形成することができた。これ
に対して第5図に)に示す如く、透光領域3と遮光領域
4からなるフォトマスク5t′用いて実施例のものと同
様にコンタクトホール15.16の形成を行ったところ
、段差の上側ではコンタクトホール16の径が犬きくな
シ、段差の下側では径の小さいコンタクトホール15が
形成されることが判った。因みに、2μmφのコンタク
トホールをレジスト膜28に400m5の露光時間で形
成する場合、レジスト膜28の膜厚に対する透光領域2
2の透過率は、第6図に示すようにほぼ直線の関係にあ
ることが確認されている。
するコンタクトホール30に対応し次形状の透光領域2
2及び低透光領域23を有するフォトマスク31を用い
て段差を有する半導体基板27上に形成され念レジスト
膜28に露光現像処理を施したところ、同図(B)に示
す如く、段差の上側及び下側で径(Qがほぼ等しいコン
タクトホール30を容易に形成することができた。これ
に対して第5図に)に示す如く、透光領域3と遮光領域
4からなるフォトマスク5t′用いて実施例のものと同
様にコンタクトホール15.16の形成を行ったところ
、段差の上側ではコンタクトホール16の径が犬きくな
シ、段差の下側では径の小さいコンタクトホール15が
形成されることが判った。因みに、2μmφのコンタク
トホールをレジスト膜28に400m5の露光時間で形
成する場合、レジスト膜28の膜厚に対する透光領域2
2の透過率は、第6図に示すようにほぼ直線の関係にあ
ることが確認されている。
次に、本発明に係るフォトマスクの製造方法の一例を以
下に説明する。
下に説明する。
先ず、第7回国に示す如く、フォトマスク基体24の表
面全面に所定の膜厚のクロム膜35を形成する。次いで
、同図(B)に示す如く、クロム膜35上にレジスト膜
36を形成した後、同図(C)に示す如く、これに選択
的に露光を施し、更に現像してレジスト膜36に所定パ
ターンの開口部37を形成する。次いで、レジスト膜3
6をマスクにして同図の)に示す如く、エツチングを施
し、クロム膜35にレジスト膜36の開口部37に対応
して窓38を形成した。次いで、同図(6)に示す如く
、レジスト膜36を剥離する。次に、同図C)に示す如
く、この窓28を埋めるようにして再びレノスト膜36
をクロム膜35上に全面に亘って形成する。次いで、同
図(G)に示す如く、クロム膜35の窓38から外れる
ようにしてレジスト膜36の所定領域に選択的に露光現
像を施し、開口部39を形成する。
面全面に所定の膜厚のクロム膜35を形成する。次いで
、同図(B)に示す如く、クロム膜35上にレジスト膜
36を形成した後、同図(C)に示す如く、これに選択
的に露光を施し、更に現像してレジスト膜36に所定パ
ターンの開口部37を形成する。次いで、レジスト膜3
6をマスクにして同図の)に示す如く、エツチングを施
し、クロム膜35にレジスト膜36の開口部37に対応
して窓38を形成した。次いで、同図(6)に示す如く
、レジスト膜36を剥離する。次に、同図C)に示す如
く、この窓28を埋めるようにして再びレノスト膜36
をクロム膜35上に全面に亘って形成する。次いで、同
図(G)に示す如く、クロム膜35の窓38から外れる
ようにしてレジスト膜36の所定領域に選択的に露光現
像を施し、開口部39を形成する。
次に、同図(ロ)に示す如く、レジスト膜36をマスク
にして開口部39を介してクロム膜35を貫通しない程
度のエツチングを施し、クロム膜35に凹部40を形成
する。然る後、同図(I)に示す如く、レジスト膜36
を剥離して窓38の部分が透光領域22となシ、凹部4
0が低透光領域23となシ、かつ、残存したクロム膜3
5部分で遮光領域2ノを形成したフォトマスクυを得る
。
にして開口部39を介してクロム膜35を貫通しない程
度のエツチングを施し、クロム膜35に凹部40を形成
する。然る後、同図(I)に示す如く、レジスト膜36
を剥離して窓38の部分が透光領域22となシ、凹部4
0が低透光領域23となシ、かつ、残存したクロム膜3
5部分で遮光領域2ノを形成したフォトマスクυを得る
。
以上説明した如く、本発明に係るフォトマスクによれば
、段差を有する半導体基板上に形成された膜厚の不均一
なレジスト膜に高″い形状精度でパターニングを施すこ
とができるものである0
、段差を有する半導体基板上に形成された膜厚の不均一
なレジスト膜に高″い形状精度でパターニングを施すこ
とができるものである0
第1図は、本発明の一実施例の斜視図、第2図は、レジ
スト膜ツマターンの寸法と露光時間の関係を示す特性図
、第3図は、実施例のフォトマスクで/’Pターニング
されたレジスト膜ノやターンの斜視図、第4図(A)
(B)は、本発明のフォトマスクでレノスト膜にコンタ
クトホールを形成する方法を示す説明図、第5図(A)
(B)は、従来のフォトマスクを用いてレジスト膜に
コンタクトホールを形成する方法を示す説明図、第6図
は、透過率とレジスト膜厚との関係を示す特性図、第7
図(4)乃至同図(I)は、本発明のフォトマスクの製
造工程を示す説明図、第8図及び第13図は、半導体基
板上にレジスト膜を形成した状態を示す斜視図、第9図
は、従来のフォトマスクの斜視図、第10図、第11図
及び第14図は、従来のフォトマスクでパターニングさ
れたレジスト膜ノンターンの斜視図、第12図は、段差
を有する半導体基板の表面を示す斜視図でるる。 20−°°フォトマスク、21・・・遮光領域、22・
・・透光領域、23・・・低透光領域、24・・・フォ
トマスク基体、U・・・フォトマスク、26・・・絶縁
膜、27・・・半導体基板、28・・・レジスト膜、2
9・・・レジスト膜ツマターン、30・・・コンタクト
ホール、31・・・フォトマスク、35・・・クロム膜
、36・・・レジスト膜、37・・・開口部、38・;
・窓、39・・・開口部、40・・・凹部 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦1璽そ Φニー
スト膜ツマターンの寸法と露光時間の関係を示す特性図
、第3図は、実施例のフォトマスクで/’Pターニング
されたレジスト膜ノやターンの斜視図、第4図(A)
(B)は、本発明のフォトマスクでレノスト膜にコンタ
クトホールを形成する方法を示す説明図、第5図(A)
(B)は、従来のフォトマスクを用いてレジスト膜に
コンタクトホールを形成する方法を示す説明図、第6図
は、透過率とレジスト膜厚との関係を示す特性図、第7
図(4)乃至同図(I)は、本発明のフォトマスクの製
造工程を示す説明図、第8図及び第13図は、半導体基
板上にレジスト膜を形成した状態を示す斜視図、第9図
は、従来のフォトマスクの斜視図、第10図、第11図
及び第14図は、従来のフォトマスクでパターニングさ
れたレジスト膜ノンターンの斜視図、第12図は、段差
を有する半導体基板の表面を示す斜視図でるる。 20−°°フォトマスク、21・・・遮光領域、22・
・・透光領域、23・・・低透光領域、24・・・フォ
トマスク基体、U・・・フォトマスク、26・・・絶縁
膜、27・・・半導体基板、28・・・レジスト膜、2
9・・・レジスト膜ツマターン、30・・・コンタクト
ホール、31・・・フォトマスク、35・・・クロム膜
、36・・・レジスト膜、37・・・開口部、38・;
・窓、39・・・開口部、40・・・凹部 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦1璽そ Φニー
Claims (1)
- フォトマスク基体に遮光領域と透光領域を形成してなる
フォトマスクにおいて、被処理体の膜厚及び下地層の段
差形状に応じて透過率の異なる低透光領域を透光領域中
に設けてなることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60051734A JPS61210358A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60051734A JPS61210358A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | フオトマスク |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61210358A true JPS61210358A (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=12895123
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60051734A Pending JPS61210358A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | フオトマスク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61210358A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5807648A (en) * | 1995-11-27 | 1998-09-15 | Nec Corporation | Photo-Mask having optical filtering layer on transparent substrate uncovered with photo-shield pattern and process of fabrication |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP60051734A patent/JPS61210358A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5807648A (en) * | 1995-11-27 | 1998-09-15 | Nec Corporation | Photo-Mask having optical filtering layer on transparent substrate uncovered with photo-shield pattern and process of fabrication |
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