JPS61210358A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS61210358A JPS61210358A JP60051734A JP5173485A JPS61210358A JP S61210358 A JPS61210358 A JP S61210358A JP 60051734 A JP60051734 A JP 60051734A JP 5173485 A JP5173485 A JP 5173485A JP S61210358 A JPS61210358 A JP S61210358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- resist film
- photomask
- transmissive area
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、フォトマスクに関する。
従来、半導体装置の製造工程の一工程である露光工程で
は、第８図に示す如く、まず半導体基板１上にレゾスト
膜２を形成する。次いで、第９図に示す如く所定パター
ンの透光領域３と遮光領域４を有するフォトマスク５を
介して露光を施し、レジスト膜２のパターニングを行う
。
は、第８図に示す如く、まず半導体基板１上にレゾスト
膜２を形成する。次いで、第９図に示す如く所定パター
ンの透光領域３と遮光領域４を有するフォトマスク５を
介して露光を施し、レジスト膜２のパターニングを行う
。
このときレジスト膜２は、第１０図に示す如く、光の当
った領域は感光して現像後に残存パターン６となυ、光
の当らなかった領域は除去されて開口部７となる。これ
はレジスト膜２がＩジ型の場合であるがネが型の場合は
これとは逆に第１１図に示す如く、光の当った領域に残
存・ぐターン６が形成され、光の当らなかった領域に開
口部７が形成される。
った領域は感光して現像後に残存パターン６となυ、光
の当らなかった領域は除去されて開口部７となる。これ
はレジスト膜２がＩジ型の場合であるがネが型の場合は
これとは逆に第１１図に示す如く、光の当った領域に残
存・ぐターン６が形成され、光の当らなかった領域に開
口部７が形成される。
しかしながら、半導体基板１０表面は、第１２図に示す
如く、通常絶縁膜８等が形成されて段差になっている。
如く、通常絶縁膜８等が形成されて段差になっている。
このように段差による凹凸表面上にレジスト膜９を形成
すると第１３図に示す如く、段差の上側ではレジスト膜
９の膜厚が薄くなシ、段差の下側では厚くなる。このよ
うに膜厚が不均一になったレジスト膜９に従来のフォト
マスク５を用いて露光処理を施すと、第１４図に示す如
く、厚肉の部分で残存したレジスト膜パターン１０の幅
が広くなシ、高い形状精度で所定のレジスト膜パターン
１０を形成できない問題があった。
すると第１３図に示す如く、段差の上側ではレジスト膜
９の膜厚が薄くなシ、段差の下側では厚くなる。このよ
うに膜厚が不均一になったレジスト膜９に従来のフォト
マスク５を用いて露光処理を施すと、第１４図に示す如
く、厚肉の部分で残存したレジスト膜パターン１０の幅
が広くなシ、高い形状精度で所定のレジスト膜パターン
１０を形成できない問題があった。
本発明は、段差を有する半導体基板上に形成された膜厚
の不均一なレジスト膜に高い形状精度でパターニングを
施すことができるフォトマスクを提供することをその目
的とするものである。
の不均一なレジスト膜に高い形状精度でパターニングを
施すことができるフォトマスクを提供することをその目
的とするものである。
本発明は、被処理体の膜厚及びその下地層の段差形状に
応じて透過率の異なる低透光領域を透光領域中に設けた
ことにより、段差を有する半導体基板上に形成された膜
厚の不均一なレジスト膜に高い形状精度で・母ターニン
グを施すことができるフォトマスクである。
応じて透過率の異なる低透光領域を透光領域中に設けた
ことにより、段差を有する半導体基板上に形成された膜
厚の不均一なレジスト膜に高い形状精度で・母ターニン
グを施すことができるフォトマスクである。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。第１図は、本発明の一実施例のフォトマスクの斜視図
である。このフォトマスク２０は、被処理体であるレジ
スト膜の残存Ａターンに対応した遮光領域２１とこれを
囲む遮光領域２２及び低透光領域２３をフォトマスク基
体２４上に形成したものである。例えば、このフォトマ
スク賞では低透光領域２３の光透過率は、遮光領域２２
の約７５％に設されている。
。第１図は、本発明の一実施例のフォトマスクの斜視図
である。このフォトマスク２０は、被処理体であるレジ
スト膜の残存Ａターンに対応した遮光領域２１とこれを
囲む遮光領域２２及び低透光領域２３をフォトマスク基
体２４上に形成したものである。例えば、このフォトマ
スク賞では低透光領域２３の光透過率は、遮光領域２２
の約７５％に設されている。
このように光透過率が異なる遮光領域２２と低透光領域
２３の同じ露光時間に対するレジスト膜・やターンの寸
法特性は第２図に特性線（１） Ｑ［）にて示す通りで
ある。すなわち、透光領域２２に比べて低透光領域２３
ｆ：通して露光現像されたレジスト膜パターンのネガ寸
法が大きくなる。
２３の同じ露光時間に対するレジスト膜・やターンの寸
法特性は第２図に特性線（１） Ｑ［）にて示す通りで
ある。すなわち、透光領域２２に比べて低透光領域２３
ｆ：通して露光現像されたレジスト膜パターンのネガ寸
法が大きくなる。
従って、第１４図に示すように、段差の上側でレジスト
膜パターン１００幅が段差の下側での幅よりも狭くなっ
た公金修正するには、段差の上側のレジスト膜パターン
に対応する遮光領域２３を囲む透光領域２２を光透過率
の小さい低透光領域２３に設定すればよい。この場合の
低透光領域２３の遮光領域２２に対する光透過率（例え
ば７５チ）の設定は、段差の大きさ、被処理体であるレ
ジスト膜の材質等に応じて適宜設定する。
膜パターン１００幅が段差の下側での幅よりも狭くなっ
た公金修正するには、段差の上側のレジスト膜パターン
に対応する遮光領域２３を囲む透光領域２２を光透過率
の小さい低透光領域２３に設定すればよい。この場合の
低透光領域２３の遮光領域２２に対する光透過率（例え
ば７５チ）の設定は、段差の大きさ、被処理体であるレ
ジスト膜の材質等に応じて適宜設定する。
このように低透光領域２３と遮光領域２２及び遮光領域
２１で構成されフォトマスク２５ｆ用いて、まず、表面
に絶縁膜２６等が形成されて段差を有する半導体基板２
７上にレジスト膜２８を形成し、次いで、このレジスト
膜２８に露光現像処理を施したところ、第３図に示す如
く、段差の上側及び下側を通って均一な線幅になったレ
ジスト膜パターン２９ｆ：高い形状精度の下容易に形成
することができた。
２１で構成されフォトマスク２５ｆ用いて、まず、表面
に絶縁膜２６等が形成されて段差を有する半導体基板２
７上にレジスト膜２８を形成し、次いで、このレジスト
膜２８に露光現像処理を施したところ、第３図に示す如
く、段差の上側及び下側を通って均一な線幅になったレ
ジスト膜パターン２９ｆ：高い形状精度の下容易に形成
することができた。
また、上述と同様に第４図■に示す如く、形成しようと
するコンタクトホール３０に対応し次形状の透光領域２
２及び低透光領域２３を有するフォトマスク３１を用い
て段差を有する半導体基板２７上に形成され念レジスト
膜２８に露光現像処理を施したところ、同図（Ｂ）に示
す如く、段差の上側及び下側で径（Ｑがほぼ等しいコン
タクトホール３０を容易に形成することができた。これ
に対して第５図に）に示す如く、透光領域３と遮光領域
４からなるフォトマスク５ｔ′用いて実施例のものと同
様にコンタクトホール１５．１６の形成を行ったところ
、段差の上側ではコンタクトホール１６の径が犬きくな
シ、段差の下側では径の小さいコンタクトホール１５が
形成されることが判った。因みに、２μｍφのコンタク
トホールをレジスト膜２８に４００ｍ５の露光時間で形
成する場合、レジスト膜２８の膜厚に対する透光領域２
２の透過率は、第６図に示すようにほぼ直線の関係にあ
ることが確認されている。
するコンタクトホール３０に対応し次形状の透光領域２
２及び低透光領域２３を有するフォトマスク３１を用い
て段差を有する半導体基板２７上に形成され念レジスト
膜２８に露光現像処理を施したところ、同図（Ｂ）に示
す如く、段差の上側及び下側で径（Ｑがほぼ等しいコン
タクトホール３０を容易に形成することができた。これ
に対して第５図に）に示す如く、透光領域３と遮光領域
４からなるフォトマスク５ｔ′用いて実施例のものと同
様にコンタクトホール１５．１６の形成を行ったところ
、段差の上側ではコンタクトホール１６の径が犬きくな
シ、段差の下側では径の小さいコンタクトホール１５が
形成されることが判った。因みに、２μｍφのコンタク
トホールをレジスト膜２８に４００ｍ５の露光時間で形
成する場合、レジスト膜２８の膜厚に対する透光領域２
２の透過率は、第６図に示すようにほぼ直線の関係にあ
ることが確認されている。
次に、本発明に係るフォトマスクの製造方法の一例を以
下に説明する。
下に説明する。
先ず、第７回国に示す如く、フォトマスク基体２４の表
面全面に所定の膜厚のクロム膜３５を形成する。次いで
、同図（Ｂ）に示す如く、クロム膜３５上にレジスト膜
３６を形成した後、同図（Ｃ）に示す如く、これに選択
的に露光を施し、更に現像してレジスト膜３６に所定パ
ターンの開口部３７を形成する。次いで、レジスト膜３
６をマスクにして同図の）に示す如く、エツチングを施
し、クロム膜３５にレジスト膜３６の開口部３７に対応
して窓３８を形成した。次いで、同図（６）に示す如く
、レジスト膜３６を剥離する。次に、同図Ｃ）に示す如
く、この窓２８を埋めるようにして再びレノスト膜３６
をクロム膜３５上に全面に亘って形成する。次いで、同
図（Ｇ）に示す如く、クロム膜３５の窓３８から外れる
ようにしてレジスト膜３６の所定領域に選択的に露光現
像を施し、開口部３９を形成する。
面全面に所定の膜厚のクロム膜３５を形成する。次いで
、同図（Ｂ）に示す如く、クロム膜３５上にレジスト膜
３６を形成した後、同図（Ｃ）に示す如く、これに選択
的に露光を施し、更に現像してレジスト膜３６に所定パ
ターンの開口部３７を形成する。次いで、レジスト膜３
６をマスクにして同図の）に示す如く、エツチングを施
し、クロム膜３５にレジスト膜３６の開口部３７に対応
して窓３８を形成した。次いで、同図（６）に示す如く
、レジスト膜３６を剥離する。次に、同図Ｃ）に示す如
く、この窓２８を埋めるようにして再びレノスト膜３６
をクロム膜３５上に全面に亘って形成する。次いで、同
図（Ｇ）に示す如く、クロム膜３５の窓３８から外れる
ようにしてレジスト膜３６の所定領域に選択的に露光現
像を施し、開口部３９を形成する。
次に、同図（ロ）に示す如く、レジスト膜３６をマスク
にして開口部３９を介してクロム膜３５を貫通しない程
度のエツチングを施し、クロム膜３５に凹部４０を形成
する。然る後、同図（Ｉ）に示す如く、レジスト膜３６
を剥離して窓３８の部分が透光領域２２となシ、凹部４
０が低透光領域２３となシ、かつ、残存したクロム膜３
５部分で遮光領域２ノを形成したフォトマスクυを得る
。
にして開口部３９を介してクロム膜３５を貫通しない程
度のエツチングを施し、クロム膜３５に凹部４０を形成
する。然る後、同図（Ｉ）に示す如く、レジスト膜３６
を剥離して窓３８の部分が透光領域２２となシ、凹部４
０が低透光領域２３となシ、かつ、残存したクロム膜３
５部分で遮光領域２ノを形成したフォトマスクυを得る
。
以上説明した如く、本発明に係るフォトマスクによれば
、段差を有する半導体基板上に形成された膜厚の不均一
なレジスト膜に高″い形状精度でパターニングを施すこ
とができるものである０
、段差を有する半導体基板上に形成された膜厚の不均一
なレジスト膜に高″い形状精度でパターニングを施すこ
とができるものである０
第１図は、本発明の一実施例の斜視図、第２図は、レジ
スト膜ツマターンの寸法と露光時間の関係を示す特性図
、第３図は、実施例のフォトマスクで／’Ｐターニング
されたレジスト膜ノやターンの斜視図、第４図（Ａ）
（Ｂ）は、本発明のフォトマスクでレノスト膜にコンタ
クトホールを形成する方法を示す説明図、第５図（Ａ）
（Ｂ）は、従来のフォトマスクを用いてレジスト膜に
コンタクトホールを形成する方法を示す説明図、第６図
は、透過率とレジスト膜厚との関係を示す特性図、第７
図（４）乃至同図（Ｉ）は、本発明のフォトマスクの製
造工程を示す説明図、第８図及び第１３図は、半導体基
板上にレジスト膜を形成した状態を示す斜視図、第９図
は、従来のフォトマスクの斜視図、第１０図、第１１図
及び第１４図は、従来のフォトマスクでパターニングさ
れたレジスト膜ノンターンの斜視図、第１２図は、段差
を有する半導体基板の表面を示す斜視図でるる。 ２０−°°フォトマスク、２１・・・遮光領域、２２・
・・透光領域、２３・・・低透光領域、２４・・・フォ
トマスク基体、Ｕ・・・フォトマスク、２６・・・絶縁
膜、２７・・・半導体基板、２８・・・レジスト膜、２
９・・・レジスト膜ツマターン、３０・・・コンタクト
ホール、３１・・・フォトマスク、３５・・・クロム膜
、３６・・・レジスト膜、３７・・・開口部、３８・；
・窓、３９・・・開口部、４０・・・凹部 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１璽そ Φニー
スト膜ツマターンの寸法と露光時間の関係を示す特性図
、第３図は、実施例のフォトマスクで／’Ｐターニング
されたレジスト膜ノやターンの斜視図、第４図（Ａ）
（Ｂ）は、本発明のフォトマスクでレノスト膜にコンタ
クトホールを形成する方法を示す説明図、第５図（Ａ）
（Ｂ）は、従来のフォトマスクを用いてレジスト膜に
コンタクトホールを形成する方法を示す説明図、第６図
は、透過率とレジスト膜厚との関係を示す特性図、第７
図（４）乃至同図（Ｉ）は、本発明のフォトマスクの製
造工程を示す説明図、第８図及び第１３図は、半導体基
板上にレジスト膜を形成した状態を示す斜視図、第９図
は、従来のフォトマスクの斜視図、第１０図、第１１図
及び第１４図は、従来のフォトマスクでパターニングさ
れたレジスト膜ノンターンの斜視図、第１２図は、段差
を有する半導体基板の表面を示す斜視図でるる。 ２０−°°フォトマスク、２１・・・遮光領域、２２・
・・透光領域、２３・・・低透光領域、２４・・・フォ
トマスク基体、Ｕ・・・フォトマスク、２６・・・絶縁
膜、２７・・・半導体基板、２８・・・レジスト膜、２
９・・・レジスト膜ツマターン、３０・・・コンタクト
ホール、３１・・・フォトマスク、３５・・・クロム膜
、３６・・・レジスト膜、３７・・・開口部、３８・；
・窓、３９・・・開口部、４０・・・凹部 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦１璽そ Φニー
Claims (1)
- フォトマスク基体に遮光領域と透光領域を形成してなる
フォトマスクにおいて、被処理体の膜厚及び下地層の段
差形状に応じて透過率の異なる低透光領域を透光領域中
に設けてなることを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051734A JPS61210358A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60051734A JPS61210358A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61210358A true JPS61210358A (ja) | 1986-09-18 |
Family
ID=12895123
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60051734A Pending JPS61210358A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61210358A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5807648A (en) * | 1995-11-27 | 1998-09-15 | Nec Corporation | Photo-Mask having optical filtering layer on transparent substrate uncovered with photo-shield pattern and process of fabrication |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP60051734A patent/JPS61210358A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5807648A (en) * | 1995-11-27 | 1998-09-15 | Nec Corporation | Photo-Mask having optical filtering layer on transparent substrate uncovered with photo-shield pattern and process of fabrication |
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