JPH0355815B2

JPH0355815B2 -

Info

Publication number: JPH0355815B2
Application number: JP18506085A
Authority: JP
Priority date: 1985-08-23
Filing date: 1985-08-23
Publication date: 1991-08-26
Also published as: JPS6244740A

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、各種のデイスプレイ及び半導体集積
回路などの微細加工において利用されるパターン
形成方法に関し、特に、大型のパターンを被転写
板に転写するのに有用なパターン形成方法に関す
る。

〔従来の技術〕

従来のパターン形成方法として光学式パターン
ジエネレータを使用する方法が知られている。こ
の光学式パターンジエネレータは、キセノンラン
プなどの光源から発光する光をコンデンサレンズ
で集光し、バリアブルアパーチヤを通して拡大
（例：５〜10倍）された矩形を形成し、この矩形
を縮小投影レンズを通して縮小（例：1/5〜1/10
倍）してXYステージ上に設置された被転写板
（例：レジストを塗布したフイトマスクブランク）
に露光する装置である。ここで、バリアブルアパ
ーチヤは４枚のブレードで矩形を形成し、向かい
合つたブレードの間隔を調整することにより、任
意の矩形が得られる。そして、XYステージは、
光波干渉を利用した測長機やリニアエンコーダ等
の測長機と接続されて、XYの各テーブルを駆動
調整して、被転写板に露光すべきパターンを位置
決めする。上記露光後、現像・エツチング・レジ
スト剥離の所定の工程を経て、被転写板上にパタ
ーンを形成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかしながら、被転写板上に形成すべきパター
ン寸法が大型になつた場合、これに見合つた測長
機の大型化が必要になり、この大型化に伴つて、
機械加工精度の限界により測長機の精度が低下
し、結局パターンの位置決め精度の低下を余儀な
くされる。また、バリアブルアパーチヤによる矩
形の位置決め精度の低下により解像度が低下し、
更に縮小投影レンズにおいても解像度が低下して
しまう。

本発明の目的は、上記した問題点を解決するた
めになされたものであり、被転写板上に形成すべ
きパターン寸法が大型になつた場合においても、
パターンの位置決め精度と解像度を高くしたパタ
ーン形成方法を提供することである。

〔問題点を解決するための手段〕

このような問答点を解決するため、本発明は、
透光性基板上に、所望のパターンを複数個に分割
した個別の分割パターンを形成すると供に、前記
分割パターンの輪郭の中で他の分割パターンに接
合する部分の外方周縁部に遮光性膜部を形成し、
且つ、前記透明基板の周縁部近傍にアライメント
マークを形成した原版マスクを、複数個、予め製
作し、各々の原版マスクの分割パターンとアライメン
トマークを、被転写板のレジストに転写し、この
レジストへの転写に基づいて被転写に分割パター
ンとアライメントマークを形成する工程を、各分
割パターンが接合されて前記所望のパターンが形
成されるように、各原版パターン毎に、順次、実
行し、被転写板に既に形成された分割パターンに、他
の分割パターンを接合する場合の原版マスクの転
写は、その１つ前の転写の際、使用したレジスト
を剥離した後、再び形成した、被転写板のレジス
トに施し、且つ、前記原版マスクの転写は、該原
版マスクのアライメントマークを、被転写板に既
に形成済のアライメントマークに重畳して位置合
わせした後、前記原版マスクの前記遮光性膜部
で、形成済の分割パターンの接合部分を遮光した
状態で実行することを特徴とするパターン形成方
法である。

〔作用〕

本発明によれば、被転写板に既に形成された分
割パターンに他の分割パターンを接合する場合の
原版マスクの転写は、その１つ前の転写の際、使
用したレジストを剥離し、再び形成した被転写板
のレジストに転写し、且つ、該転写は、被転写板
の形成済のアライメントマークに、今回、転写す
る原版マスクのアライメントマークを重畳して位
置合わせした後、実行される。これにより、パタ
ーンの位置決め精度を向上させることができる。
又、このようにして、分割パターンを接合すると
き、原版マスクにおける分割パターンの輪郭の中
で他の分割パターンと接合する部分の外方周縁部
に形成した遮光性膜部によつて、被転写板に形成
済の分割パターンの接合部分近傍を遮光している
ので、その部分の２重露光を防止して解像度を向
上させることができる。従つて、所望のパターン
寸法が大型であつても、上述した大型化の弊害を
除去し、パターンの位置決め精度と解像度を良好
にすることができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。

本実施例の所望の大型パターンは、第２図に示
すようにフオトマスク１に形成されたＦ字状の白
抜きパターン２である。この白抜きパターン２
は、遮光性膜がパターン外側にあつて、内側にな
いものである。このフオトマスク１は、寸法320
mm□ ×2.3mmｔのソーダライムガラスからなる透
光性基板上にCrとCr_XO_Yからなる遮光性膜を被着
し、フオトリソグラフイ工程を経て、この遮光性
膜を選択的にパターン化して、Ｆ字状のパターン
２を形成したものであり、このパターンエリアは
250mm□ である。

このような大型のパターン２は、電子線描画装
置でXY座標のパターンデータ入力操作により４
分割され、パターンデータ上で、第３図ａ，ｂ，
ｃ，及びｄにそれぞれ示すような分割パターン
３，４，５及び６を設定し、これ等の分割パター
ン３〜６のパターンエリア外にアライメントマー
ク（７，８）、（９，１０）、（１１，１２）及び１
３，１４）もパターンデータ上で設定する。

次に、上記パターンデータの被転写板として、
第４図に示すように透光性基板１５（本例：石英
ガラス）上に、スパツタリング法により成膜した
遮光性膜１６（本例：Cr膜、膜厚700Å）と、ス
ピンコータ法により塗布した電子線ポジ型レジス
ト１７（本例：PBS（チツソ(株)製、膜厚4000Å）
を形成してなるフオトマスブランクを４枚用意す
る。なお、上記レジスト１７はポジ型であるが、
パターンデータを反転させれば、ネガ型（例：
CMS−EX（SS）（東洋曹達工業(株)製））を使用し
てもよい。

この４枚のフオトマスクブランクに対して、前
述した電子線描画装置内で設定された、分割パタ
ーン３及びアライメントマーク（７，８）と、分
割パターン４及びアライメントマーク（９，１
０）と、分割パターン５及びアライメントマーク
（１１，１２）と、分割パターン６及びアライメ
ントマーク（１３，１４）とをそれぞれ描画露光
し、専用現像液（例：PBS専用デベロツパ（チ
ツソ(株)製））を用いて現像し、ポストベーク、デ
イスカミングの各工程を行つた後、エツチング液
（例：硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸
とを混合した水溶液）を用いてエツチングを行
い、次に剥離液（例：農硫酸と過酸化水素水との
混合液）を用いてレジスト剥離を行う所定のフオ
トリソグラフイ工程を経て、第３図ａ，ｂ，ｃ及
びｄにそれぞれ示した原板マスク１８，１９，２
０及び２１を製作する。このようにして製作され
た各原板マスクは、分割パターンの輪郭の中で他
の分割パターンと接合する部分の外方周縁部の遮
光性膜部が形成されることになる。尚、各原版マ
スクのアライメントマークは、分割パターン外方
の遮光性基板周縁部に形成されている。

次に、第２図に示した本実施例の所望な大型パ
ターン２を転写する被転写板として、第５図に示
すように透光性基板２２（本例：ソーダライムガ
ラス）上に、スパツタリング法により成膜した遮
光性膜２３（本例：基板からCr膜とCr_XO_Y膜、合
計膜厚700Å）と、ロールコート法により塗布し
たポジ型フオトレジスト２４（本例：AZ−1350
（ヘキストジヤパン(株)製）、膜厚8000Å）を形成し
てなるフオトマスクブランク２５を用意し、これ
を定盤上に真空吸着して固定する。そして、第３
図ａに示した原板マスク１８をフオトマスクブラ
ンク２５上の左側上部の所定位置に密着固定し
て、紫外線光を上方から原版マスク１８を通し、
この原版マスク１８以外のエリアをアパーチヤに
より遮光してフオトマスクブランク２５のフオト
レジスト２４に露光し、専用現像液（例：AZ専
用デベロツパ（ヘキストジヤパン(株)製）を用いて
現像し、エツチング液（例：硝酸第二セリウムア
ンモニウムと過塩素酸を混合した水溶液）を用い
てエツチングを行い、次に剥離液（例：農硫酸と
過酸化水素水の混合液）を用いてレジスト剥離を
行う所定のフオトリソグラフイ工程を経て、第１
図ａに示すような共に白抜きの分割パターン３′
とアライメントマーク（７′，８′）を転写して形
成する。

次に、上記分割パターン３′とアライメントマ
ーク（７′，８′）が形成された、フオトマスクブ
ランク２５上に新たにフオトレジスト２４を塗布
し、第３図ｂに示した原版マスク１９をこのフオ
トマスクブランク２５上に設置する。その際、光
学顕微鏡を通して、原版マスク１９のアライメン
トマーク９を形成済のアライメントマーク７′に
位置合わせして設置する。そして、原版マスク１
９をフオトマスクブランク２５上に密着固定し
て、前述と同様に原版マスク１９以外のエリアを
アパーチヤにより遮光し、前述したと同様のフオ
トリソグラフイ工程を経て、第１図ｂに示すよう
な共に白抜きの分割パターン４′とアライメント
マーク１０′を新たに転写して形成し、先に転写
された分割パターン３′と今回転写の分割パター
ン４′とで合成パターン２６を形成する。なお、
アライメントマーク７′は、アライメントマーク
９の４角形状白抜きパターンを通して露光し、現
像・エツチングにより消去し、４角形状白抜きパ
ターンのみになる。また、原版マスク１９の分割
パターン４を転写するとき、先に形成された白抜
きの分割パターン３′は、アパーチヤにより遮光
されると共に、原版マスク１９の遮光性膜１６の
一部（第３図ｂにおいて分割パターン４の左側の
遮光性膜）によつても遮光される。尚、この遮光
性膜１６の一部が、本発明の、分割パターンの中
で他の分割パターンと接合する部分の外方周縁部
に形成された遮光性膜部に相当する。したがつて
先に形成された白抜きの分割パターン３′は二重
露光されない。

次に、上記合成パターン２６とアラメントマー
ク８′及び１０′が形成されたフオトマスクブラン
ク２５上に新たにフオトレジスト２４を塗布し、
第３図ｃに示した原版マスク２０をこのフオトマ
スクブランク２５上に設置する。その際にも、光
学顕微鏡を通して、原版マスク２０のアライメン
トマーク１１を形成済のアライメントマーク８′
に位置合わせして設置する。そして、原版マスク
２０をフオトマスクブランク２５上に密着固定し
て、前述したと同様の遮光及びフオトリソグライ
工程を経て、第１図ｃに示すような共に白抜きの
分割パターン５′とアライメントマーク１２′を新
たに転写して形成し、先に転写された分割パター
ン３′及び４′と今回転写の分割パターン５′、と
で合成パターン２７を形成する。ここでも、アラ
イメントマーク８′は、アライメントマーク１１
の４角形状白抜きパターンを通して露光し、現
像・エツチングにより消去し、４角形状白抜きパ
ターンのみになる。また、このときも、先に形成
された白抜きの分割パターン３′，４′は、アパー
チヤにより遮光されると共に、原版マスク２０の
遮光性膜１６の一部（第３図ｃ）において分割パ
ターン５の上側及び右側の遮光性膜）によつても
遮光される。したがつて先に形成された白抜きの
分割パターン３′，４′は、二重露光されない。

そして最後に、上記合成パターン２７とアライ
メントマーク１０′及び１２′が転写されたフオト
マスクブランク２５上に新たにフオトレジスト２
４を塗布し、第３図ｄに示した原版マスク２１を
このフオトマスクブランク２５上に設置する。そ
の際にも、光学顕微鏡を通して、原版マスク２１
のアライメントマーク１３及び１４をそれぞれ形
成済のアライメントマーク１２′及び１０′に位置
合わせして配置する。そして、原版マスク２１を
フオトマスクブランク２５上に密着固定して、前
述したと同様の遮光及びフオトリソグラフイ工程
を経て、第１図ｄに示すような白抜きの分割パタ
ーン６′を新たに転写して形成し、先に転写され
た分割パターン３′，４′及び５′とで合成パター
ン２８を形成する。ここでも、アライメントマー
ク１２′と１０′は、それぞれアライメントマーク
１３と１４の４角形状白抜きパターンを通して露
光し、現像・エツチングにより消去し、４角形状
白抜きパターンのみになる。また、このときも、
先に形成された白抜きの分割パターン３′，４′，
５′はアパーチヤにより遮光され、かつ原版マス
ク２１の分割パターン６の上側及び左側の遮光性
膜１６によつても遮光される。したがつて先に形
成された白抜きの分割パターン３′，４′，５′は
二重露光されない。

以上の通り、先に転写された分割パターン（例
えば３′）は、後の分割パターン（例えは４′）を
転写するとき、後の分割パターン（例えば４）を
有する原版マスク（例えば１９）における後の分
割パターン外の遮光性膜と一部とアパーチヤから
なる遮光手段とにより遮光されることから、二重
露光されない。なお、第１図に示した合成パター
ン２６〜２８において、一方の分割パターンの接
合部分（例：第１図ｂに示した分割パターン３′
の接合部分（破線個所））を他方の分割パターン
の接合部分（同：分割パターン４′の接合部分）
の側に延長すれば、合成パターン（同：合成パタ
ーン２６）内での接合部分の露光不足を防止し、
その接合部分での線状遮光性膜の発生を防止する
ことができる。

本実施例によれば、パターンの位置決め精度が
5ppm程度の誤差以内に収まり、またパターンの
解像度においてもパターン線幅1μｍまで可能で
あつた。したがつて、大型パターンに対して高い
位置決め精度で、かつ高解像度のパターンを形成
できることが確認された。

以上の実施例は、所望の大型パターンが第２図
に示したように白抜きパターンであつたが、逆に
遮光性膜がパターンの内側にあつて、外側にな
い、いわゆる遮光性膜パターンについても本発明
は実施可能である。この遮光性膜パターンの実施
例については第６図〜第８図を参照して説明す
る。

本実施例の所望の大型パターンは、第６図に示
すようにフオトマスク２９に形成されたＦ字状と
遮光性膜パターン３０であり、遮光性膜がパター
ンの内側にあつて、外側にないことに以外につい
ては第２図に示したものと同様である。

このような大型のパターン３０も、前実施例と
同様に電子線描画装置でXY座標のパターンデー
タ入力操作により４分割され、パターンデータ上
で第７図ａ，ｂ，ｃ及びｄにそれぞれ示すような
分割パターン３１，３２，３３及び３４を設定
し、これ等の分割パターン３１〜３４のパターン
エリア外にアライメントマーク（３５，３６）、
（３７，３８）、（３９，４０）、及び（４１，４
２）もパターンデータ上で設定する。なお、分割
パターン３１，３２，３３及び３４の周辺部にあ
つて、所望な大型のパターン３０のパターンエリ
ア内にそれぞれ遮光パターン４３，４４，４５及
び４６も同様にパターンデータ上で設定する。

次に、上記パターンデータの被転写板として、
第４図に示したと同様なフオトマスクブランクを
４枚用意する。このフオトマスクブランクに塗布
されたレジスト１７は、前実施例と同様ポジ型で
あるが、パターンデータの反転を行えば、ネガ型
であつてもよい。

この４枚のフオトマスクブランクに対して、前
述した電子線描画装置内で接定された、分割パタ
ーン３１、遮光パターン４３及びアライメントマ
ーク（３５，３６）と、分割パターン３２、遮光
パターン４４及びアライメントマーク（３７，３
８）と、分割パターン３３、遮光パターン４５及
びアライメントマーク（３９，４０）と、分割パ
ターン３４、遮光パターン４６及びアライメント
マーク（４１，４２）とをそれぞれ描画露光し、
前実施例の原版マスク製作と同様、所定のフオト
リソグラフイ工程を経て、第７図に示した原版マ
スク４７，４８，４９及び５０を製作する。尚、
本実施例においては、前述した遮光膜パターン４
３，４４，４５、及び４６が、本発明の分割パタ
ーンの中で他の分割パターンと接合する部分の外
方周縁部に形成された遮光膜部に相当する。

次に、第６図に示した本実施例の所望な大型パ
ターン３０を転写する被転写板として、前実施例
と同様、第５図に示したフオトマスクブランク２
５を用意し、これを定盤上に真空吸着して固定す
る。そして、第７図ａに示した原版マスク４７を
フオトマスクブランク２５上の左側上部の所定位
置に密着固定して、紫外線光を上方から原版マス
ク４７を通し、この原版マスク４７の以外のエリ
アをアパーチヤにより遮光してフオトマスクブラ
ンク２５のフオトレジスト２４に露光し、前実施
例の分割パターンとアライメントマークの転写形
成と同様、所定のフオトリソグラフイ工程を経
て、第８図ａに示すような分割パターン３１′と
アライメントマーク（３５′，３６′）を転写して
形成する。なお、遮光パターン４３′と５１は、
それぞれ上記した遮光パターン４３と原版マスク
４７以外のエリアの遮光手段とにより形成された
パターンである。

次に、第８図ａに示したフオトマスクブランク
２５上に新たなフオトレジスト２４を塗布し、第
７図ｂに示した原版マスク４８をこのフオトマス
クブランク２５上に設置する。その際、光学顕微
鏡を通して、原版マスク４８のアライメントマー
ク３７を形成済のアライメントマーク３５′位置
合わせして設置する。そして、原版マスク４８を
フオトマスクブランク２５上に密着固定して、前
述したと同様の遮光及びフオトリソグラフイ工程
を経て、第７図ｂに示すような分割パターン３
２′とアライメントマーク３８′を新たに転写して
形成し、先に転写された分割パターン３１′の今
回転写の分割パターン３２′とで合成パターン５
４を形成する。なお、第８図ａに示したフオトマ
スクブランク２５のアライメントマーク３５′は
原版マスク４８のアライメントマーク３７を通し
て露光し、現像・エツチングにより消去され、原
版マスク４８の遮光パターン４４と原版マスク４
８以外のエリアの遮光手段とは、合成パターン５
４の接合部とその合成パターン５４の輪郭部分に
二重露光を防止して、パターン精度を向上させる
ために有効に作用する。そして、分割パターン３
２′と遮光パターン４４′は、第８図ａに示した遮
光パターン４３′と５１の各遮光性膜を選択的に
パターン化して形成されている。また、遮光パタ
ーン５２は第８図ａに示した遮光パターン５１と
同様、原版マスク４８以外のエリアの遮光手段に
より形成されたパターンである。

次に、第８図ｂに示したフオトマスクブランク
２５上に新たなフオトレジスト２４を塗布し、第
７図ｃに示した原版マスク４９をこのフオトマス
クブランク２５上に設置する。その際にも、光学
顕微鏡を通して、原版マスク４９のアライメント
マーク３９を形成済のアライメントマーク３６′
に位置合わせして設置する。そして、原版マスク
４９をフオトマスクブランク２５上に密着固定し
て、前述したと同様の遮光及びフオトリソグラフ
イ工程を経て、第８図ｃに示すような分割パター
ン３３′とアライメントマーク４０′を新たに転写
して形成し、先に転写された分割パターン３１′
及び３２′と今回転写の分割パターン３３′とで合
成パターン５５を形成する。ここでも、第８図ｂ
に示したフオトマスクブランク２５のアライメン
トマーク３６′は、原版マスク４９のアライメン
トマーク３９を通して露光し、現像・エツチング
により消去され、原版マスク４９の遮光パターン
４５と原版マスク４９以外のエリアの遮光手段と
は、合成パターン５４と分割パターン３３′の接
合部と合成パターン５５の輪郭部分に二重露光を
防止して、パターン精度を向上させるために有効
に作用する。そして、分割パターン３３′と遮光
パターン４５′は、第８図ｂに示した遮光パター
ン４４′と５２の各遮光性膜を選択的にパターン
化して形成されている。また、遮光パターン５３
は第８図ａに示した遮光パターン５１と同様、原
版マスク４９以外のエリアの遮光手段により形成
されたパターンである。

そして最後に、第８図ｃに示したフオトマスク
ブランク２５上に新たにフオトレジスト２４を塗
布し、第７図ｄに示した原版マスク５０をこのフ
オトマスクブランク２５上に設置する。その際に
も、光学顕微鏡を通して、原版マスク５０のアラ
イメントマーク４１及び４２をそれぞれ形成済の
アライメントマーク４０′及び３８′に位置合わせ
して設置する。そして、原版マスク５０をフオト
マスクグラフ２５上に密着固定して、前述したと
同様のフオトリソグラフイ工程を経て、第８図ｄ
に示すような分割パターン３４′を新たに転写し
て形成し、転写済の分割パターン３１′，３２′及
び３３′とで合成パターン５６を形成する。ここ
でも、第８図ｃに示したフオトマスクブランク２
５のアラメイントマーク４０′と３８′は、それぞ
れ原版マスク５０のアライメントマーク４１と４
２を通して露光し、現像・エツチングにより消去
され、原版マスク５０の遮光パターン４６と原版
マスク５０以外のエリアの遮光手段は合成パター
ン５５と分割パターン３４′の接合部と合成パタ
ーン５６の輪郭部分に二重露光を防止して、パタ
ーン精度を向上させるために有効に作用する。

本実施例によつても、後の原版マスクにおける
分割パターン外の遮光性膜とアパーチヤからなる
遮光手段とにより先に転写されたパターンを遮光
することから前実施例の効果と同様、大型パター
ンに対して高い位置決め精度で、かつ高解像度の
パターンを形成することができた。

本発明は、上記した実施例に限定されるもので
はない。所望のパターン形状についてはＦ字状以
外にも任意の形状でよいことは勿論である。分割
パターンの形状手段として使用した電子線描画装
置の代わり、光学式パターンジエネレータや、ア
ートワーク法により拡大パターンを形成し、リダ
クシヨンカメラにて縮小し、パターンを得る方法
等を使用してもよい。また分割数については２以
上であれば任意である。アライメントマークにつ
いては、位置合わせ精度が得られるようなマーク
であれば、その形状は任意であり、その位置もパ
ターンエリア外であればどこでもよいし、更にパ
ターン自体で位置合わせすることができれば不要
である。被転写板として使用したフオトマスクブ
ランクについては、透光性基板の材料としてソー
ダライムガラスの代わりにアルミノボロシリケー
トガラス等の多成分系ガラスや石英ガラス等を使
用してもよく、遮光性膜の材料としてクロムと代
わりにタンタル、モリブデン、ニツケル、チタン
等の偏移金属元素や、シリコン及びゲルマニウム
等、又はこれ等の合金や酸化物、窒化物、炭化
物、珪化物、硼化物若しくはこれ等の混合物
（例：窒化炭化物）を単層、複層に積層したもの
でよく、成膜方法としてスパツタリング法の代わ
りに真空蒸着法及びイオンプレーテイング法等を
使用してもよい。被転写板はフオトマスクブラン
クの代わりにエレクトロ・ルミネセンスなどのデ
イスプレ電極用基板、半導体基板及び光記録用媒
体等でもよく、これ等の被転写板のレジストとし
てはポジ型又はネガ型のフオトレジスト及び電子
線レジストでもよい。また、これ等の被転写板に
対する原版マスクの転写方法としては、密着露光
法の他にプロキシミテイ露光法、ミラープロジエ
クシヨン露光法、１倍投影レンズ露光法等を使用
してもよい。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明のパターン形成方法によれ
ば、被転写板上に形成すべきパターン寸法が大型
になつても、そのパターンの位置決め精度と解像
度を高くすることができ、特に大型被転写板のパ
ターン形成において多大なる価値がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における分割パターン
の合成工程を示す平面図、第２図は同実施例にお
ける所望のパターンを示す平面図、第３図は同実
施例における分割パターンが形成された原版マス
クを示す平面図、第４図は第３図に示した原版マ
スクを製作するためのフオトマスクブランクを示
す断面図及び第５図は同実施例における分割パタ
ーンを転写するためのフオトマスンブランクを示
す断面図、第６図は本発明の他の実施例における
所望のパターンを示す平面図、第７図は同他の実
施例における分割パターンが形成された原版マス
クを示す平面図及び第８図は同他の実施例におけ
る分割パターンの合成工程を示す平面図である。１，２９……フオトマスク、２，３０……所望
のパターン、３，４，５，６，３１，３２，３
３，３４……分割パターン、３′，４′，５′，
６′，３１′，３２′，３３′，３４′……転写され
た分割パターン、２５……フオトマスクブランク
（被転写板）、２６，２７，２８，５４，５５，５
６……合成パターン。

Claims

【特許請求の範囲】１透光性基板上に、所望のパターンを複数個に
分割した個別の分割パターンを形成すると共に、
前記分割パターンの輪郭の中で他の分割パターン
に接合する部分の外方周縁部に遮光性膜部を形成
し、且つ、前記透明基板の周縁部近傍にアライメ
ントマークを形成した原版マスクを、複数個、予
め製作し、各々の原版マスクの分割パターンとアライメン
トマークを、被転写板のレジストに転写し、この
レジストへの転写に基づいて被転写板に分割パタ
ーンとアライメントマークを形成する工程を、各
分割パターンが接合されて前記所望のパターンが
形成されるように、各原版パターン毎に、順次、
実行し、被転写板に既に形成された分割パターンに、他
の分割パターンを接合する場合の原版マスクの転
写は、その１つ前の転写の際、使用したレジスト
を剥離した後、再び形成した、被転写板のレジス
トに施し、且つ、前記原版マスクの転写は、該原
版マスクのアライメントマークを、被転写板に既
に形成済のアライメントマークに重畳して位置合
わせした後、前記原版マスクの前記遮光性膜部
で、形成済の分割パターンの接合部分を遮光した
状態で実行することを特徴とするパターン形成方
法。