JPS6247642A - パタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、各種のディスプレイ及び半導体集積回路など
の微細加工において利用されるパターン形成方法に関し
、特に、大型のパターンを被転写板に転写覆るのに有用
なパターン形成方法に関する。

（従来の技術） 従来のパターン形成方法として光学式パターンジ丁ネレ
ータを使用する方法が知られている。この光学式パター
ンジェネレータは、キセノンランプなどの光源から発光
する光をコンデンサレンズで集光し、バリアブルアパー
ヂャを通して拡大（例：５〜１０倍）された矩形を形成
し、この矩形を縮小投影レンズを通して縮小（例：１１
５〜１／１０倍）して、ＸＹステージ上に設置された被
転写板（例ニレジストを塗布したフォトマスクブランク
）に露光する装置である。ここで、パリアブルアバーチ
Ｖは４枚のブレードで矩形を形成し、向かい合ったブレ
ードの間隔を調整することにより、任意の矩形が得られ
る。そして、ＸＹステージは、光波干渉を利用した測長
機やリニアエンコーダ等の測１１％ｉと接続されて、Ｘ
とＹの各テーブルを駆動調整して、被転写板に露光すべ
きパターンを位置決めする。上記露光後、現像・エツチ
ング・レジスト剥離の所定の工程を経て、被転写板上に
パターンを形成でる。

〔発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、被転写板上に形成すべきパターン寸法が
大型になった場合、これに見合った測長機の大型化が必
要になり、この大型化に伴って、機械加工粘度の限界に
より測長機の精ｊ印が低下し、結局パターンの位置沈め
精度の低下を余儀なくされる。また、パリアブルアバー
チ１７による矩形の位置決め精度の低下により解像度が
低下し、更に縮小投影レンズにおいても解像度が低下し
てしまう。

本発明の目的は、上記した問題点を解決するためになさ
れたものであり、被転写板上に形成１べきパターン司法
が大型になった場合においても、パターンの位置決め精
度と解像度を高くしたパターン形成方法を提供すること
である。

〔問題点を解決するための手段〕

このような問題点を解決するため、本発明は、所望のパ
ターンを複数個に分割して分割パターンをそれぞれ形成
した複数個の原版マスクを製作し、レジストを塗布した
被転写板の所定位置に、前記原版マスクを通して１個ず
つ露光して前記分割パターンに対応した未露光部分又は
露光部分を転写した後に、被転写板を現像し、エツチン
グし、レジスト剥離することにより、前記所望のパター
ンを形成することを特徴とするパターン形成方法である
。

〔作　用） 本発明によれば、所望のパターン寸法が大型であってら
、原版マスクを通して被転写板のレジストに分割パター
ンに対応して未露光部分又は露光部分を転写し、次に被
転写板を一括して現像し、エツチングし、レジスト剥離
することから、上述した大型化の弊害を除去し、パター
ンの位置決め精度と解像度を良好にし、更に製造効率を
向上させることができる。

〔実施例） 以下、本発明の実施例について詳細に説明する。

本実施例の所望の大型パターンは、第２図に示すように
フォトマスク１に形成された１字状の白抜きパターン２
である。この白抜きパターンは、遮光性膜がパターン外
側にあって、内側にないものである。このフオＩ・マス
ク１は、寸法３２０ｍｍ口ｘ　Ｏ，２３ｍｍｔのソーダ
ライムガラスからなる透光性基板上にＣｒとＣｒｘ　　
Ｏｙからなる遮光性膜を被着し、フォトリソグラフィ工
程を経て、この遮光性膜を選択的にパターン化して、１
字状のパターン２を形成したものであり、このパターン
エリアは２５０ｍｍ口である。

このような大型のパターン２は、電子線描画装置でＸＹ
座標のパターンデータ入力操作により４分割され、パタ
ーンデータ上で、第３図（ａ）　、　（ｂ）　、　（Ｃ
）及び（ｄ）にそれぞれ示すような分ｎ１パターン３．
４．５及び６を設定し、これ等の分割パターン３〜６の
パターンエリア外にアライメントマーク（７，８）　、
　　（９，１０）　、　　（１１，１２＞及び（１３，
１４）もパターンデータ上で設定Ｊる。

次に、上記パターンデータの被転写板として、第４図に
示すように透光性基板１５（本例二石英ガラス）上に、
スパッタリング法により成膜した遮光性膜１６＜本例：
Ｃｒｇ！、膜厚１００人）と、スピンコータ法により塗
布した電子線ビームポジ型レジスト１７（本例：ＰＢＳ
（チッソ＠製）、膜厚４０００人）を形成してなるフォ
ト・マスクブランクを４枚用意する。なお、上記レジス
ト１７はポジ型であるが、パターンデータを反転させれ
ば、ネガ型（例：ＣＨ３−ＥＸ（３３）　（東洋曹達工
業■製））を使用してもよい。

この４枚のフォトマスクブランクに対して、前述した電
子線描画装置内で設定された分割パターン３．４．５及
び６とアライメントマーク（７゜８＞　、　　（９，１
０）　、　　（１１，１２）及び（１３，１４）をそれ
ぞれ描画露光し、専用現像液（例二ＰＢＳ専用デベロッ
パ（ヂッソ■製）を用いて現像し、ボストベーク、ディ
スカミングの各工程を行った後、エツチング液（例：硝
酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸よりなる水溶液
）を用いてエツチングを行い、次に剥離液（例：濃硫酸
と過酸化水素水の混合液）を用いてレジスト剥離を行う
所定のフォトリソグラフィ工程を経て、第３図（ａ）　
、　（ｂ）　、　（Ｃ）及び（ｄ）にそれぞれ示した原
版マスク１８゜１９、２０及び２１を製作する。

次に、第２図に示した本実施例の所望な大型パターン２
を転写する被転写板として、第５図に示すように透光性
基板２２（本例：ソーダライムガラス、寸法２８０ｍｍ
Ｄｘ　０．２３　ｍｍｔ）上に、スパッタリング法によ
り成膜した遮光性膜２３（本例：基板からＣｒｆｌ！Ｊ
とＣｒ×ＯＹ膜２合計膜厚合計膜厚７００人−ルコート
法により塗布したポジ型フォトレジスト２４（本例：　
八Ｚ−１３５０（ヘキストジャパン■製）。

膜厚８０００人）を形成してなるフォトマスクブランク
２５を用意し、これを第６図に示づ定盤２６上に真空吸
着して固定する。

この定盤２６には、真空吸着用の貫通孔２７と、フ１１
−マスクブランク２５の４辺中心線上外側に４個のアラ
イメントマーク２８．２９．３０及び３１が設けられて
いる。これ等のアライメントマーク２８〜３１は、第５
図に示したフォトマスクブランク２５の透光性基板２２
の厚さく本例：　　０．２３　ｍｍ）より多少薄く（本
例：　　０．２ｍｍ）　、小片状の透光性基板（本例：
石英ガラス、５　ｍｍ口）を使用して、第５図に示した
フォトマスクブランク２５と同様、遮光性膜２３とレジ
メｉ〜２４を設けて、白抜き十字状のフライメン１〜マ
ークを第３図に示したフライメン１〜マーク７〜１４と
同様に形成したものである。そして、これらのアライメ
ントマーク２８．２９．３０及び３１は、第３図に示し
たアライメントマーク７　（１１）、　８　（９）、　
１０（１４）及び１２（１３）にそれぞれ適合した位置
関係に設置されるように、マイクロメータ等の調整治具
により位置を調整したうえで、定盤２６上に固定される
。

次に、第３図（ａ）に示した原版マスク１８をフォトマ
スクブランク２５上の左側上部に密着固定覆る。

その際、光学顕微鏡を通して、原版マスク１８のアライ
メントマーク７．８を定盤２６上のアライメントマーク
２８．２９にそれぞれ位置合わせして設置する。そして
、紫外線光を上方から原版マスク１８を通し、この原版
マスク１８以外のエリアを遮光してフォトマスクブラン
ク２５のフォトレジスト２４に露光して、第１図（ａｌ
に示すような、原版マスク１８の分割パターン３に対応
した分割パターン用露光部分３′を転写し、その他のエ
リアに未露光部分３２が保持されている。

次に、先の原版マスク１８を取り外して、第３図（ｂ）
に示した原版マスク１９を前述したフォトマスクブラン
ク２５上に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通して
、原版マスク１９のアライメントマーク９，１０を定盤
２６上のアライメントマーク２９．３０にそれぞれ位置
合わせして設置する。そして、原版マスク１９をフォト
マスクブランク２５上に密着固定して、前述したと同様
に、紫外線光を上方から原版マスク１９を通し、この原
版マスク１９以外のエリアを遮光してフォトマスクブラ
ンク２５の未露光部分３２に露光して、第１図（ｂ）に
示ηような、原版マスク１９の分割パターン４に対応し
た分割パターン用露光部分４′を新たに転写して形成し
、先に転写された分割パターン用露光部分３′と今回転
写の分割パターン用露光部分４′とで合成露光部３６を
形成する。なお、今回と前回露光されなかったエリアは
未露光部分３３として保持される。

次に、先の原版マスク１９を取り外して、第３図（Ｃ）
に示した原版マスク２０を前述したフォトマスクブラン
ク２５上に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通して
、原版マスク２０のアライメントマーク１１．１２を定
盤２６上のアライメントマーク２８．３１にそれぞれ位
置合わせして、；９置する。そして、原版マスク２０を
フォトマスクブランク２５上に密着固定して、前）ボし
たと同様に、紫外線光を上方から原版マスク２０を通し
、この原版マスク２０以外のエリアを遮光してフォトマ
スクブランク２５の未露光部分３３に露光して、第１図
（Ｃ）に示すような、原版マスク２０の分割パターン５
に対応した分割パターン用露光部分５′を新たに転写し
て形成し、先に転写された分割パターン用露光部分３′
及び４′と今回転写の分割パターン用露光部分５′とで
合成露光部３１を形成する。ここでｂ、今回までに露光
されなかったエリアは、未露光部分３４として保持され
る。

そして最後に、先の原版マスク２０を取り外して、第３
図（ｄ）に示した原版マスク２１を前述したフォトマス
クブランク２５上に設置する。その際にも、光学顕微鏡
を通して、原版マスク２１のアライメン１〜マーク１３
及び１４をそれぞれ定盤２６上のアライメントマーク３
１及び３０に位置合わせして設置する。

そして、原版マスク２１をフォトマスクブランク２５上
に密着固定して、前ｊボしたと同様に、紫外線光を上方
から原版マスク２１を通して、この原版マスク２１以外
のエリアを遮光してフォトマスクブランク２５の未露光
部分３４に露光し−Ｕ、ｆｆ１１図（ｄ）に示すような
、原版マスク２１の分割パターン６に対応した分割パタ
ーン用露光部分６′を新たに転写して形成し、先に転写
された分割パターン用露光部分３’　、４’及び５′と
今回転写の分割パターン用露光部分６′とで合成露光部
３８を形成する。ここでも、今回までに露光されなかっ
たエリアは未露光部分３５として保持される。

次に、合成露光部３８が転写されたフォトマスクブラン
ク２５を専用現像液（例：へｌ専用デベロッパ（ヘキス
トジャパン曲製）を用いて現像し、エツチング液（例：
硝酸第一セリウムアンモニ１クツ＼ど過塩素酸よりなる
水溶液）を用いてエツチングを行い、次に剥離液（例：
濃硫酸と過酸化水素水の氾合液）を用いてレジスト剥離
を行う所定のフ第１・リソグラフィ工程を経て、この合
成露光部３８と対応した、第２図に示したと同様な所望
の自扱き大型パターン２が形成される。

以上の通り転写された分割パターン用露光部分３’　、
４’　、５’及び６′は、後の分割パターン用露光部分
（例：６′　）が転写済の分割パターン用露光部分（例
：３’、／Ｉ’、５’）を遮光して転写されていること
から、輪郭部分において２重露光転写を防止している。

なお、第１図に示した合成露光部３６〜３８において、
一方の分割パターン用露光部分の接合部分（例：第１図
（ｂ）に示した分割パターン用露光部分３′の接合部分
く破線箇所））を他方の分割パターン用露光部分（同：
分割パターン用露光部分４′　）のエリア内側に延長し
て２重露光をすれば、合成露光部（同：合成露光部３６
）内での接合部分の露光不足を防止し、前述したフォト
リソグラフィ工程を経て、白抜きパターン２を形成した
場合、その白抜きパターン２内で接合部分の細線状遮光
性膜の発生を防止することかぐきる。

本実施例によれば、パターンの位首決め精度がり　ｐｐ
ｍ稈度の誤差以内に収まり、またパターンの解像叶にお
いてもパターン線幅１μｍまで可能であった。したがっ
て、大型パターンに対して高い位置決め精度で、かつ高
解像度のパターンを形成できることが確認された。また
、露光後のフＡ１〜リソグラフイエ程を一括して行うこ
とから、製造効率を向上ざじることができた。

以上の実施例は、所望の大型パターンが第２図に示した
ように白抜きパターンであったが、逆【ご遮光ｆ［膜が
パターンの内側にあって、外側にない、いわゆる遮光性
膜パターンについてｂ本発明（ま実施可能である。この
遮光性膜パターンの実施例については第７図〜第９図を
参照して説明する。

本実施例の所望の大型パターンは、第７図に示すように
フォトマスク３９に形成された１字状の遮光性膜パター
ン４０であり、遮光性膜がパターンの内側にあって、外
側にないこと以外については第２図に示したものと同様
である。

このような大型のパターン４０も、前実施例と同様に電
子線描画装置でＸＹ座標のパターンデータ入力操作によ
り４分割され、パターンデータ上で第８図（ａ）　、　
（ｂ）　、　（ｃ）及び（ｄ）にそれぞれ示ずような分
割パターン４１．４２．４３及び４４を設定し、これ等
の分割パターン４１〜４４のパターンエリア外にアライ
メントマーク（４５，４６）　、　　（４７，４８）　
。

（４’Ｊ、　５０）及び（５１，５２）もパターンデー
タ上で設定する。なお、分割パターン４１．４２．４３
及び４４の周辺部にあって、所望な大型のパターン４０
のパターンエリア内にそれぞれ２重露光防止用の遮光パ
ターン５３．５４．５５及び５６も同様にパターンデー
タ上で設定する。

次に、上記パターンデータの被転写板として、第４図に
示したと同様なフォトマスクブランクを４枚用意する。

このフォトマスクブランクに塗布されたレジス］・１７
は、前実施例と同様ポジ型であるが、パターンデータの
反転を行えば、ネガ型であってもよい。

この４枚のフォトマスクブランクに対して、前述した電
子線描画装置内で設定された分割パターン４１．４２．
４３及び４４と、遮光パターン５３，５４．５５及び５
６とアライメントマーク（４５，４６＞　、　　（４７
゜４８）　、　　（４９，５０）及び（５１，５２＞を
それぞれ１ｒＩＩｉ画露光し、前実施例の原版マスク製
作と同様、所定のフォトリソグラフイエ程を経て、第８
図に示した原版マスク５７．５８．５９及び６０を製作
する。

次に、第７図に示した本実施例の所望な大型パターン４
０を転写する被転写板として、前実施例と同様、第５図
に示したフォトマスクブランク２５を用意し、これを定
盤２６上に真空吸着して固定する。

次に、第８図（ａ）に示した原版マスク５７をフォトマ
スクブランク２５上の左側上部に密着固定覆る。

その際、光学顕微鏡を通しで、原版マスク５１のアライ
メントマーク４５．４６を定盤２６上のアライメントマ
ーク２８．２９にそれぞれ位置合わせして設置する。そ
して、紫外線光を上方から原版マスク５７を通し、この
原版マスク５１以外のエリアを遮光してフォトマスクブ
ランク２５のフォトレジスト２４に露光して、第９図（
ａ）に示すような、原版マスク５７の分割パターン４１
と遮光パターン５３にそれぞれ対応した分割バクーン用
未露光部分４１′　と２重露光防止用未露光部分５３′
を転写する。その他、第９図（ａ）において、６１は原
版マスク５７の透光による露光部分であり、６２は原版
マスク５７以外のエリアの遮光手段による未露光部分で
ある。

次に、先の原版マスク５７を取り外して、第８図（ｂ）
に示した原版マスク５８をこのフォトマスクブランク２
５上に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通して、原
版マスク５８のアライメントマーク４７゜４８を定５１
３２６上のアライメントマーク２９．３０にそれぞれ位
置合わせして設置する。そして、原版マスク５８をフォ
トマスクブランク２５上に密着固定して、前述したと同
様に紫外線光を上方から原版マスク５８を通し、この原
版マスク５８以外のエリアを遮光してフォトマスクブラ
ンク２５の未露光部分６２に露光して、第９図（ｂ）に
示すような、原版マスク５８の分割パターン４２と遮光
パターン５４にそれぞれ対応した分割パターン用未露光
部分４２′　と２重露光防止用未露光部分５４′　を転
写する。その他、第９図（ｂ）において、６３は原版マ
スク５８の透光による露光部分であり、６４は原版マス
ク５８以外のエリアの遮光手段による未露光部分である
。そして、今回転写した分割パターン用未露光部分４２
′　と転写流の分割パターン用未露光部分４１′　とで
合成未露光部６８を形成する。ここで、２重露光防止用
未露光部分５３’　、　５４’　と原版マスク５８以外
のエリアの遮光１段は合成未露光部６８の接合部７１と
その合成未露光部６８の輪郭部分とに２重露光を防止し
て、パターン精度を向トさせるために有効に作用する。

次に、先の原版マスク５８を取り外して、第８図（Ｃ）
に示した原版マスク５９をこのフォトマスクブランク２
５上に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通して、原
版マスク５９のアライメントマーク４９゜５０を定盤２
６上のアライメントマーク２８．３１にそれぞれ位置合
わせして設置づる。そして、原版マスク５９をフォトマ
スクブランク２５上に密着固定して、前述したと同様に
紫外線光を上方から原版マスク５９を通し、このマスク
５９以外のエリアを遮光して、フ第１・マスクブランク
２５の未露光部分６４に露光して、第９図（Ｃ）に示す
ような、原版マスク５９の分割パターン４３と遮光パタ
ーン５５にそれぞれ対応した分割パターン用未露光部分
４３′　と２重露光防止用未露光部分５５′　を転写す
る。その伯、第９図（Ｃ）において、６５は原版マスク
５９の透光による露光部分であり、６６は原版マスク５
９以外のエリアの遮光手段による未露光部分である。そ
して、今回転写した分割パターン用未露光部分４３′　
と転写汎の分割パターン用未露光部分４１’　、　４２
’　とで合成未露光部６９を形成する。ここでも、２重
露光防止用未露光部り３’　、　５４’　、　５５’　
と原版マスク５９以外のエリアの遮光手段【よ分割パタ
ーン用未露光部分４１′　と４３′の接合部７２ど合成
未露光部６９の輪郭部分とに２重露光を防止して、パタ
ーン精度を向上させるために有効に作用する。

そして最後に、先の原版マスク５９を取り外して、第８
図（ｄ）に示した原版マスク６０をこのフォトマスクブ
ランク２５上に設置づる。その際にも、光学類ｆｊ／ｉ
鏡を通して、原版マスク６０のアライメントマーク５１
及び５２をそれぞれ定盤２６上のアライメン１〜マーク
３１及び３０に位置合わせし゛Ｃ設置する。そして、原
版ンスク６０をフォトマスクブランク２５」−に密着固
定しで、前述したと同様に紫外線光を上方から原版マス
ク６０を通し、このマスク６０以外のエリアを遮光して
、フォトマスクブランク２５の未露光部分６６に露光し
て、第９図（ｄ）に示すような、原版マスク６０の分割
パターン４４と遮光パターン５６にそれぞれ対応した分
割パターン用未露光部分４４′　と２重露光防止用未露
光部分５６′を転写づる。

その他、第９図（ｄ）において、６１は原版マスク６０
の透光による露光部分である。そして、今回転写した分
割パターン用未露光部分４４′　と転写流の分割パター
ン用未露光部分４１’　、　４２’　、　４３’　とで
合成未露光部１０を形成する。ここでも、２重露光防止
用未露光部５３’　、　５４’　、　５５’　、　５６
’　と原版マスク６０以外のエリアの遮光手段は分割パ
ターン用未露光部分４２′（下側）及び４３′　と４４
′　との接合部１３と、合成未露光部１０の輪郭部分と
に２重露光を防１１−シて、パターン精度を向上させる
ために有効に作用づる。

次に、合成未露光部７０が転写されたフォトマスクブラ
ンク２５を前実施例の露光後のフォｌ〜リソグラフイエ
稈と同様に現像、エツチング及びレジスト剥離の各工程
を経て、この合成未露光部１０と対応した、第７図に示
したと同様な所望の遮光性膜大型パターン４０が形成さ
れる。

本実施例によっても、前実ｈｍ例の効果と同様、大型パ
ターンに対して高い位ｆｍ（決め精度で、かつ高解像度
のパターンを形成することができた。また、露光後のフ
ォトリソグラフイエ程を一括して行うことから、製造効
率を向上させることができた。

本発明は、上記した実施例に限定されるものではない。

所望のパターン形状についてはＦ字状以外にも任意の形
状でよいことは勿論である。分割パターンの形成手段と
して使用した電子線描画装置の代わり、光学式パターン
ジェネレータや、アー］・ワーク法により拡大パターン
を形成し、リダクションカメラにて、縮小し、パターン
を得る方法等を使用してもよい。また分割数については
２以上であれば任意である。アライメントマークについ
ては、位置合わせ精度が得られるようイ【マークであれ
ば、その形状は任意であり、その位置も被転写板の外側
に位置する定盤に設けられたアライメントマークと原版
マスクのアライメントマークとで位ｕ合わせが可能であ
ればどこでもよい。被転写板とじＣ使用したフォトマス
クブランクについては、透光性基板の材料とじでソーダ
ライムガラスの代わりにアルミノボロシリケートガラス
などの多成分系ガラスや石英ガラス等を使用してもよく
、遮光性膜の材料としてクロムの代わりにタンタル、モ
リブデン、ニッケル、チタン等の道移金属元素や、シリ
コン及びゲルマニウム等、又はこれ等の合金や酸化物、
窒化物、炭化物、珪化物、硼化物若しくはこれ等の混合
物（例：窒化炭化物）を中層、複層に積層したものでも
よく、成膜方法としてスパッタリング法の代わりに真空
蒸着法及びイオンプレーディング法等を使用しでもよい
。

被転写板はフォトマスクブランクの代わりにエレクトロ
・ルミネセンス＜２どのディスプレ電極用基板、半導体
基板及び光記録用媒体等でもよく、これ等の被転写板の
レジストとじてはポジ型又はネガ型のフィトレジスト及
び電子線ビームレジストでもよい。また、これ等の被転
写板に対する原版マスクの転写方法としては、密着露光
法の他にプロキシミティ露光法、ミラープロジェクショ
ン露光部、１倍投影レンズ露光法等を使用してもよい。

〔発明の効果） 以上の通り、本発明のパターン形成方法によれば、被転
写板上に形成すべきパターン寸法が人τ！になっても、
そのパターンを複数個に分割して露光転写し、その後、
一括して現像、エツチング及びレジスト剥離の各工程を
行うことから、そのパターンの位置決め粘度と解像度を
高くすることができ、更に、露光転写後の工程において
製造効率を向上させることができ、特に大型被転写板の
パターン形成において多大なる価値がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における分割パターンの露光転
写における合成工程を示Ｍ“平面図、第２図は同実施例
における所望のパターンを示す平面図、第３図は同実施
例における分割パターンが形成された原版マスクを示す
平面図、第４図は第３図に示した原版マスクを製作する
だめのフォトマスクブランクを示す断面図及び第５図は
同実施例における分割パターンを転写するためのフォト
マスクブランクをポリ断面図、第６図は定盤を示す斜視
図、第７図は本発明の伯の実施例における所望のパター
ンを示寸平面図、第８図は同地の実施例におりる分割パ
ターンが形成された原版マスクを示す平面図及び第９図
は同他の実施例における分割パターンの露光転写におけ
る合成工程を示す平面図である。 １．３９・・・フォトマスク、２，４０・・・所望なパ
ターン、３．４．５．６．４１．４２．４３．４４・・
・分割パターン、３’　、４’　、５’　、６’　　・
・・転写された露光部分、４１’　、　４２’　、　４
３’　、　４４’　　・・・転写された未露光部分、２
５・・・フォトマスクブランク（被転写板）　、３６．
３７．３８・・・合成露光部、６８．６９．７０・・・
合成未露光部第１図　　　、６ （ｃｌ）　　　　　　　　　　　　（ｂ）（ｃ）　　　
　　　　　　　　　　　（ｄ）第２Ｉ￥１ 第３図 （ｃｌ）　　　　　　　　　　（ｂ） （Ｃ）　　　　　　　　　　（ｄ） 第５図 震 第６図 第７図 ■ 第８図 （ｃｌ）　　　　　　　　　　　　　　（ｂ）（Ｃ）　
　　　　　　　　　　　　　（ｄ）第９図 （ＣＩ）　　　　　　　　　　　（ｂ）手　　続　　補
　　正　　書　　（自発）昭和６０年１２月　４日 ２、発明の名称　　パターン形成方法 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　東京都新宿区中落合２丁目７番５号〒１６１　　
Ｔ　Ｅ　Ｌ　　０３（９５２）１１５１名称　　ホ　　
−　　ヤ　　株　　式　　会　　社（１）明細書の「発
明の詳細な説明」の欄５、補正の内容 （１）明細書第５頁第２行にＩ　Ｏ，２３Ｊとあるをｒ
　２．３Ｊと補正する。 （２）明ｍ書第６頁第８行〜第１０行に［設定されたあ
るを「設定された、分割パターン３及びアライメントマ
ーク（７，８）と、分割パターン４及びアライメントマ
ーク（９，１０）と、分割パターン５及びアライメント
マーク（１１，１２＞と、分割パターン６及びアライメ
ントマーク（１３゜１４）と」と補正する。 （３）明細書第６頁第１５行に「過塩素酸よりなる」と
あるを「過塩素酸を混合した」と補正する。 （４）明細書第７頁第４行及び第１７行に「０．２３　
Ｊとあるをそれぞれ「２．３Ｊと補正する。 （５）明細書第７頁第１８行にｒ　０．２Ｊとあるを「
２．０」と補正する。 （６）明細書第８頁第１６行に「エリアを遮光して」と
あるを「エリアをアパーチャにより遮光して」と補正す
る。 （７）明細書第１１頁第１９行に「過塩素酸よりなる」
とあるを「過塩素酸を混合した」と補正する。 （８）明細書第１５頁第１行〜第４行に［設定された・
・・（途中省略）・・・及び（５１，５２）　Ｊとある
を［設定された、分割パターン４１．″ａ光バターン５
３及びアライメントマーク（４５，４６）と、分割パタ
ーン４２．　ｌ光パターン５４及びアライメントマーク
（４７，４８）と、分割パターン４３．遮光パターン５
５及びアライメントマーク（４９，５０）と、分割パタ
ーン４４．遮光パターン５６及びアライメントマーク（
５１，５２）と」と補正する。 （９）明細書第１５頁第１８行に「エリアを遮光して」
とあるを「エリアをアパーチＡ７により遮光して」と補
正する。 （１０）明細書第１７頁第８行、第１８頁第１２行及び
第１９頁第１６行に「遮光手段は」とあるをそれぞれ「
′ａ光平手段は、」と補正する。 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）所望のパターンを複数個に分割して分割パターン
   をそれぞれ形成した複数個の原版マスクを製作し、レジ
   ストを塗布した被転写板の所定位置に、前記原版マスク
   を通して１個ずつ露光して前記分別パターンに対応した
   未露光部分又は露光部分を転写した後に、被転写板を現
   像し、エッチングし、レジスト剥離することにより、前
   記所望のパターンを形成することを特徴とするパターン
   形成方法。