JPS6244740A - パタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、各種のディスプレイ及び半導体集積回路など
の微細加工において利用されるパターン形成方法に関し
、特に、大型のパターンを被転写板に転写するのに有用
なパターン形成方法に関する。

〔従来の技術〕

従来のパターン形成方法として光学式パターンジェネレ
ータを使用する方法が知られている。この光学式パター
ンジェネレータは、キセノンランプなどの光源から発光
する光をコンデンサレンズで集光し、バリアプルアパー
チャを通して拡大（例：５〜１０倍）された矩形を形成
し、この矩形を縮小投影レンズを通して縮小（例：１１
５〜１７１０倍）して、ＸＹステージＥに設置された被
転写板（例ニレジストを塗布したフォトマスクブランク
）に露光する装置である。ここで、バリアプルアパーチ
ャは４枚のブレードで矩形を形成し、向かい合ったブレ
ードの間隔を調整することにより、任意の矩形が得られ
る。そして、ｘＹステージは、光波干渉を利用した測長
機やリニアエンコーダ等の測長機と接続されて、ＸとＹ
の各テーブルを駆動調整して、被転写板に露光すべきパ
ターンを位置決めする。上記露光後、現像・エツチング
・レジスト剥離の所定の工程を経て、被転写板上にパタ
ーンを形成する。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、被転写板上に形成すべきパターン寸法が
大型になった場合、これに見合った測長機の大型化が必
要になり、この大型化に伴って、機械加工精度の限界に
より測長機の精度が低下し、結局パターンの位置決め精
度の低下を余儀なくされる。また、バリアプルアパーチ
ャによる矩形の位置決め精度の低下により解像度が低下
し、更に縮小投影レンズにおいても解像度が低下してし
まう。

本発明の目的は、上記した問題点を解決するためになさ
れたものであり、被転写板上に形成ずべきパターン寸法
が大型になった場合においても、パターンの位置決め精
度と解像度を高くしたパターン形成方法を提供すること
である。

〔問題点を解決するための手段〕

このような問題点を解決するため、本発明は、所望のパ
ターンを複数個に分割して分割パターン１　　をそれぞ
れ形成した複数個の原版マスクを製作し、前記原版マス
クの分割パターンを１個ずつ、その都度レジストを塗布
した被転写板の所定位置に転写すると共に、後の分割パ
ターンが既に転写された分割パターンを遮光して転写し
て、その転写された分割パターンを合成することにより
、前記所望のパターンを形成することを特徴とするパタ
ーン形成方法である。

〔作　用〕

本発明によれば、所望のパターン寸法が大型であっても
、分割パターンをレジストを塗布した被転写板に転写し
、かつその都度、２重転写を防止していることから、上
述した大型化の弊害を除去し、パターンの位置決め精度
と解像度を良好にすることができる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について詳細に説明する。

本実施例の所望の大型パターンは、第２図に示すように
フォトマスク１に形成されたＦ字状の白抜きパターン２
である。この白抜きパターンは、遮光性膜がパターン外
側にあって、内側にないものである。このフォトマスク
１は、寸法３２０ｍｍ口Ｘ　Ｏ，２３ｍｍｔのソーダラ
イムガラスからなる透光性基板上にｃｒとＣｒｘＯＹか
らなる遮光性膜を被着し、フォトリソグラフィ工程を経
て、この遮光性膜を選択的にパターン化して、Ｆ字状の
パターン２を形成したものであり、このパターンエリア
は２５０ｍ−である。

このような大型のパターン２は、電子線描画装置でＸＹ
座標のパターンデータ入力操作により４分割され、パタ
ーンデータ上で、第３図（ａ）　、　（ｂ）　、　（Ｃ
）及び（ｄ）にそれぞれ示すような分割パターン３，４
．５及び６を設定し、これ等の分割パターン３〜６のパ
ターンエリア外にアライメントマーク（７，８）　、　
　（９，１０）　、　　（１１，１２）及び（１３，１
４＞もパターンデータ上で設定する。

次に、上記パターンデータの被転写板として、第４図に
示すように透光性基板１５（本例：石英ガラス）上に、
スパッタリング法により成膜した遮光性膜１６（本例：
Ｃｒ膜、膜厚７００人）と、スピン」−９法により塗布
した電子線ビームポジ型レジスト１７（本例：　　ＰＢ
Ｓ（チッ’ｌ１Ｍ＞、膜厚４０００人）を形成してなる
フォトマスクブランクを４枚用意する。なお、上記レジ
スト１１はポジ型であるが、パターンデータを反転させ
れば、ネガ型（例：Ｃ）Ｉｓ　−ＥＸ（ＳＳ）　（東洋
曹達工業曲製））を使用してもよい。

この４枚のフォトマスクブランクに対して、前述した電
子線描画装置内で設定された分割パターン３，４．５及
び６とアライメントマーク（７゜８）　、　　＜　９．
１０）　、　　（１１，１２＞及び（１３，１４＞をそ
れぞれ描画露光し、専用現像液（例：　ＰＢＳ専用デベ
ロッパ（チッソ曲製）を用いて現像し、ボストベーク、
ディスカミングの各工程を行った後、エツチング液（例
：硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸よりなる水
溶液）を用いてエツチングを行い、次に剥離液（例：濃
硫酸と過酸化水素水の混合液）を用いてレジスト剥離を
行う所定のフォトリソグラフィ工程を経て、第３図（ａ
）　、　（ｂ）　、　（Ｃ）及び（ｄ）にそれぞれ示し
た原版マスク１８゜１９、２０及び２１を製作する。

次に、第２図に示した本実施例の所望な大型パターン２
を転写する被転写板として、第５図に示すように透光性
基板２２（本例：ソーグライムガラス）上に、スパッタ
リング法により成膜した遮光性膜２３（本例：基板から
Ｃｒ膜とＣｒ×ＯＹ膜１合計膜厚合計膜厚７００人−ル
コート法により塗布したポジ型フォトレジスト２４（本
例：　ＡＺ−１３５０（ヘキストジャパン■製）、膜厚
８０００人）を形成してなるフォトマスクブランク２５
を用意し、これを定盤上に真空吸着して固定する。そし
て、第３図（ａ）に示した原版マスク１８をフォトマス
クブランク２５上の左側上部の所定位置に密着固定して
、紫外線光を上方から原版マスク１８を通し、この原版
マスク１８以外のエリアを遮光してフォトマスクブラン
ク２５のフォトレジスト２４に露光し、専用現像液（例
：Ａｌ専用デベロッパ（ヘキストジャパン■製）を用い
て現像し、エツチング液（例：硝酸第二セリウムアンモ
ニウムと過塩素酸よりなる水溶液）を用いてエツチング
を行い、次に剥離液（例：濃硫酸と過酸化水素水の混合
液）を用いてレジスト剥離を行う所定のフォトリソグラ
フィ工程を経て、第１図（ａ）に示すような共に白扱き
の分割パターン３′とアライメントマーク（７’　、８
’　　）を転写して形成する。

次に、上記分割パターン３′とアライメントマーク（７
’　、８’　）が形成されたフォトマスクブランク２５
上に新たにフォトレジスト２４を塗布し、第３図（ｂ）
に示した原版マスク１９をこのフォトマスクブランク２
５上に設置する。その際、光学顕微鏡を通して、原版マ
スク１つのアライメントマーク９を形成済のアライメン
トマーク７′に位置合わせして設置する。そして、原版
マスク１９をフォトマスクブランク２５上に密着固定し
て、前述したと同様のフォトリソグラフィ工程を経て、
第１図（ｂ）に示すような共に白抜きの分割パターン４
′とアライメントマーク１０′　を新たに転写して形成
し、先に転写された分割パターン３′と今回転写の分割
パターン４′とで合成パターン２６を形成する。

なお、アライメントマーク７′は、アライメントマーク
９の４角形状白抜きパターンの露光、現像により消去し
、４角形状白抜きパターンのみになる。

次に、上記合成パターン２６とアライメントマーク８′
及び１０′　が形成されたフォトマスクブランク２５上
に新たに７オトレジスト２４を塗布し、第３図（Ｃ）に
示した原版マスク２０をこのフォトマスクブランク２５
上に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通して、原版
マスク２０のアライメントマーク１１を形成済のアライ
メントマーク８′に位置合わせして設置する。そして、
原版マスク２０をフォトマスクブランク２５上に密着固
定して、前述したと同様のフォトリソグラフィ工程を経
て、第１図（Ｃ）に示すような共に白扱きの分割パター
ン５′　とアライメントマーク１２′　を新たに転写し
て形成し、先に転写された分割パターン３′及び４′と
今回転写の分割パターン５′とで合成パターン２７を形
成する。ここでも、アライメントマーク８′は、アライ
メントマーク１１の４角形状白抜きパターンの露光、現
像により消去し、４角形状白抜きパターンのみになる。

そして最優に、上記合成パターン２７とアライメントマ
ーク１０′及び１２′　が転写されたフォトマスクブラ
ンク２５上に新たにフォトレジスト２４を塗布し、第３
図（ｄ）に示した原版マスク２１をこのフォトマスクブ
ランク２５上に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通
して、原版マスク２１のアライメントマーク１３及び１
４をそれぞれ形成済のアライメントマーク１２′及び１
０′に位置合わせして設置する。

そして、原版マスク２１をフォトマスクブランク２５上
に密着固定して、前述したと同様のフォトリソグラフィ
工程を経て、第１図（ｄ）に示すような白抜きの分割パ
ターン６′を新たに転写して形成し、先に転写された分
割パターン３’　、４’及び５′とで合成パターン２８
を形成する。ここでも、アライメントマーク１２′　と
１０′　は、それぞれアライメントマーク１３と１４の
４角形状白抜きパターンの露光、現像により消去し、４
角形状白抜きパターンのみになる。

以上の通り、転写された分割パターン３′。

４’　、５’及び６′は、後の分割パターン（例：６′
）が転写済の分割パターン（例：３’、４’。

５′）を遮光して転写されていることから、２重転写を
防止している。なお、第１図に示した合成パターン２６
〜２８において、一方の分割パターンの接合部分（例：
第１図（ｂ）に示した分割パターン３′の接合部分（破
線箇所））を他方の分割パターンの接合部分（同：分割
パターン４′の接合部分）の側に延長すれば、合成パタ
ーン（同：合成パターン２６）内での接合部分の露光不
足を防止し、その接合部分の線状遮光性膜の発生を防止
することができる。

本実施例によれば、パターンの位置決め精度が５　Ｏｆ
１ｍ程度の誤差以内に収まり、またパターンの解像度に
おいてもパターン線幅１μｍまで可能であった。したが
って、大型パターンに対して高い位置決め精度で、かつ
高解像度のパターンを形成できることが確認された。

以上の実施例は、所望の大型パターンが第２図１　　に
示したように白抜きパターンであったが、逆に遮光性膜
がパターンの内側にあって、外側にない１、いわゆる遮
光性膜パターンについても本発明は実施可能である。こ
の遮光性膜パターンの実施例については第６図〜第８図
を参照して説明する。

、　本実施例の所望の大型パターンは、第６図に示すよ
うにフォトマスク２９に形成された１字状の遮光性膜パ
ターン３０であり、遮光性膜がパターンの内側にあって
、外側にないこと以外については第２図に示したものと
同様である。

このような大型のパターン３０も、前実施例と同様に電
子線描画装置でＸＹｔ標のパターンデータ入力操作によ
り４分割され、パターンデータ上で第７図（ａ）　、　
（ｂ）　、　（Ｃ）及び（ｄ）にそれぞれ示すような分
割パターン３１．３２．３３及び３４を設定し、これ等
の分割パターン３１〜３４のパターンエリア外にアライ
メントマーク（３５，３６）　、　　（３７，３８＞　
。

（３９，４０）及び（４１，４２）もパターンデータ上
で設定する。なお、分割パターン３１．３２．３３及び
３４の周辺部にあって、所望な大型のパターン３０のパ
ターンエリア内にそれぞれ遮光パターン４３．４４゜４
５及び４６も同様にパターンデータ上で設定する。

次に、上記パターンデータの被転写板として、第４図に
示したと同様なフォトマスクブランクを４枚用意する。

このフォトマスクブランクに塗布されたレジスト１７は
、前実施例と同様ポジ型であるが、パターンデータの反
転を行えば、ネガ型であってもよい。

この４枚のフォトマスクブランクに対して、前述した電
子線描画装置内で設定された分割パターン３１．３２．
３３及び３４と、遮光パターン４３．４４．４５及び４
６とアライメントマーク（３５，３６）　、　　（３７
゜３８）　、　　（３９，４０＞及び（４１，４２）を
それぞれ描画露光し、前実施例の原版マスク製作と同様
、所定のフォトリソグラフィ工程を経て、第７図に示し
た原版マスク４７．４８．４９及び５０を製作する。

次に、第６図に示した本実施例の所望な大型パターン３
０を転写する被転写板として、前実施例と同様、第５図
に示したフォトマスクブランク２５を用意し、これを定
盤上に真空吸着して固定する。

そして、第７図（ａ）に示した原版マスク４７をフォト
マスクブランク２５上の左側上部の所定位置に密着固定
して、紫外線光を上方から原版マスク４７を通し、この
原版マスク４７以外のエリアを遮光してフォトマスクブ
ランク２５のフォトレジスト２４に露光し、前実施例の
分割パターンとアライメントマークの転写形成と同様、
所定のフォトリソグラフィ工程を経て、第８図（ａ）に
示すような分割パターン３１′　とアライメントマーク
（３５’　、　３６”）を転写して形成する。なお、遮
光パターン４３′　と５１は、それぞれ上記した遮光パ
ターン４３と原版マスク４７以外のエリアの遮光手段と
により形成されたパターンである。

次に、第８図（ａ）に示したフォトマスクブランク２５
上に新たなフォトレジスト２４を塗布し、第７図（ｂ）
に示した原版マスク４８をこのフォトマスクブランク２
５上に設置する。その際、光学顕微鏡を通して、原版マ
スク４８のアライメントマーク３７を形成済のアライメ
ントマーク３５′に位置合わせして設置する。そして、
原版マスク４８をフォトマスクブランク２５上に密着固
定して、前述したと同様のフォトリソグラフィ工程を経
て、第７図（ｂ）に示すような分割パターン３２′　と
アライメントマーり３８′を新たに転写して形成し、先
に転写された分割パターン３１′　と今回転写の分割パ
ター　ン３２′とで合成パターン５４を形成する。なお
、第８図（ａ）に示したフォトマスクブランク２５のア
ライメントマーク３５′　は原版マスク４８のアライメ
ントマーク３１の露光・現像により消去され、原版マス
ク４８の遮光パターン４４と原版マスク４８以外のエリ
アの遮光手段は合成パターン５４の接合部とその合成パ
ターン５４の輪郭部分に２重露光を防止して、パターン
精度を向上させるために有効に作用する。そして、分割
パターン３２′　と遮光パターン４３′　は、第８図（
ａ）に示した遮光パターン４３′　と５１の各遮光性膜
を選択的にパターン化して形成されている。

また、遮光パターン５２は第８図（ａ）に示した遮光パ
ターン５１と同様、原版マスク４８以外のエリアの遮光
手段により形成されたパターンである。

次に、第８図（ｂ）に示したフォトマスクブランク２５
上に新たなフォトレジスト２４を塗布し、第７図（Ｃ）
に示した原版マスク４９をこのフォトマスクブランク２
５上に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通して、原
版マスク４９のアライメントマーク３９を形成済のアラ
イメントマーク３６′　に位置合わせして設置する。そ
して、原版マスク４９をフォトマスクブランク２５上に
密着固定して、前述したと同様のフォトリソグラフィ工
程を経て、第８図（Ｃ）に示すような分割パターン３３
′　とアライメントマーク４０′　を新たに転写して形
成し、先に転写された分割パターン３１′及び３２′　
と今回転写の分割パターン３３′　とで合成パターン５
５を形成する。ここでも、第８図（ｂ）に示したフォト
マスクブランク２５のアライメントマーク３６′　は、
原版マスク４９のアライメントマーク３９の露光・現像
により消去され、原版マスク４９の遮光パターン４５と
原版マスク４９以外のエリアの遮光手段は合成パターン
５４と分割パターン３３′の接合部と合成パターン５５
の輪郭部分に２重露光を防止して、パターン精度を向上
させるために有効に作用する。そして、分割パターン３
３′　と遮光パターン４５′は、第８図（ｂ）に示した
遮光パターン４４′　と５２の各遮光性膜を選択的にパ
ターン化して形成されている。また、遮光パターン５３
は第８図（ａ）に示した遮光パターン５１と同様、原版
マスク４９以外のエリアの遮光手段により形成されたパ
ターンである。

そして最後に、第８図（Ｃ）に示したフォトマスクブラ
ンク２５上に新たに７オトレジスト２４を塗布し、第７
図（ｄ）に示した原版マスク５０をこのフォトマスクブ
ランク２５上に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通
して、原版マスク５０のアライメントマーク４１及び４
２をそれぞれ形成済のアライメントマーク４０′及び３
８′に位置合わせして設置する。

そして、原版マスク５０をフォトマスクブランク２５上
に密着固定して、前述したと同様のフォ１〜リソグラフ
イエ程を経て、第８図（ｄ）に示すような分割パターン
３４′　を新たに転写して形成し、転写流の分割パター
ン３１’　、　３２’及び３３′　とで合成パターン５
６を形成する。ここでも、第８図（Ｃ）に示したフォト
マスクブランク２５のアライメントマーク４０’　と３
８′　は、それぞれ原版マスク５ｏのアライメントマー
ク４１と４２の露光・現像により消去され、原版マスク
５０の遮光パターン４６と原版マスク５０以外のエリア
の遮光手段は合成パターン５５と分割パターン３４′の
接合部と合成パターン５６の輪郭部分に２重露光を防止
して、パターン精度を向上させるために有効に作用する
。

本実施例によっても、前実施例の効果と同様、大型パタ
ーンに対して高い位置決め精度で、かつ高解像度のパタ
ーンを形成することができた。

本発明は、上記した実施例に限定されるものではない。

所望のパターン形状についてはＦ字状以外にも任意の形
状でよいことは勿論である。分割パターンの形成手段と
して使用した電子線描画装置の代わり、光学式パターン
ジェネレータや、アートワーク法により拡大パターンを
形成し、リダクションカメラにて縮小し、パターンを得
る方法等を使用してもよい。また分割数については２以
上であれば任意である。アライメントマークについては
、位置合わせ精度が得られるようなマークであれば、そ
の形状は任意であり、その位置もパターンエリア外であ
ればどこでもよいし、更にパターン自体で位置合わせす
ることができれば不要である。被転写板として使用した
フォトマスクブランクについては、透光性基板の材料と
してソーダライムガラスの代わりにアルミノボロシリグ
ー１〜ガラスなどの多成分系ガラスや石英ガラス等を使
用してもより、遮光性膜の材料としてクロムの代わりに
タンタル、モリブデン、ニッケル、チタン等の遷移金属
元素や、シリコン及びゲルマニウム等、又はこれ等の合
金や酸化物、窒化物、炭化物、珪化物、硼化物若しくは
これ等の混合物（例：窒化炭化物）を単層、複層に積層
したものでもよく、成膜方法としてスパッタリング法の
代わりに真空蒸着法及びイオンブレーティング法等を使
用してもよい。被転写板はフォトマスクブランクの代わ
りにエレクトロ・ルミネセンスなどのディスプレ電極用
基板、半導体基板及び光記録用媒体等でもよく、これ等
の被転写板のレジストとしてはポジ型又はネガ型のフォ
トレジスト及び電子線ビ）　　　−ムレシストでもよい
。また、これ等の被転写板に対する原版マスクの転写方
法としては、密着露光法の他にプロキシミティ露光法、
ミラープロジェクション露光法、１倍投影レンズ露光法
等を使用してもよい。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明のパターン形成方法によれば、被転
写板上に形成すべきパターン寸法が大型になっても、そ
のパターンの位置決め精度と解像度を高くすることがで
き、特に大型被転写板のパターン形成において多大なる
価値がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における分割パターンの合成工
程を示す平面図、第２図は同実施例における所望のパタ
ーンを示す平面図、第３図は同実施例における分に１パ
ターンが形成された原版マスクを示す平面図、第４図は
第３図に示した原版マスクを製作するためのフォトマス
クブランクを示す断面図及び第５図は同実施例における
分割パターンを転写するためのフォトマスクブランクを
示す断面図、第６図は本発明の他の実施例における所望
のパターンを示す平面図、第７図は同地の実施例におけ
る分割パターンが形成された原版マスクを示す平面図及
び第８図は同地の実施例における分割パターンの合成工
程を示す平面図である。 １．２９・・・フォトマスク、２，３０・・・所望なパ
ターン、３．４．５．６．３１．３２．３３．３４・・
・分割パターン、３’、４’、５’、６’、３１’。 ３２’　、　３３’　、　３４’　　・・・転写された
分割パターン、２５・・・フォトマスクブランク（被転
写板）　、２６゜２７、２８．５４．５５．５６・・・
合成パターン（ｃｌ）　　　　　　　　　　　　　（ｂ
）第２図 （ｃｌ）　　　　　　　　　　　（ｂ）（Ｃ）　　　　
　　　　　　　（ｄ） 第４図 第５図 第６図 （Ｃ１）　　　　　　　　　　　　（ｂ）（ｃ）　　　
　　　　　　　　　　（ｄ）第８図　　　エ （ｃｌ　）　　　　　　　　　　　　　（ｂ　）４Ｕ’
　（Ｃ）　　　　　　　　　　　　　（ｄｌ手　　続　
　補　　正　　書　　（自発）昭和６０年１２月　４日 ３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所　東京都新宿区中落合２丁目７番５号〒１６１　　
Ｔ　Ｅ　Ｌ　　０３（９５２）１１５１名称　　ホ　　
−　　ヤ　　株　　式　　会　　社（１）明細書の「発
明の詳細な説明」の欄５、補正の内容 （１）明細書第５頁第１行にｒ　Ｏ，２３ｍｍｔ　Ｊと
ある１　　　　を「２．３ｍｌ１ｌｔ」色補正スル。 （２）明細書第６頁第７行〜第９行に「設定された・・
・（途中省略）・・・及び（１３，１４）　Ｊとあるを
［設定された、分割パターン３及びフライメントマーク
（７，８＞と、分割パターン４及びアライメントマーク
（９，１０）と、分割パターン５及びアライメントマー
ク（１１，１２）と、分割パターン６及びアライメント
マーク（１３゜１４）と］と補正する。 （３）明細書第６頁第１４行に「過塩素酸よりなる」と
あるを［過塩素酸を混合した」と補正する。 （４）明細書第５頁第１３行に「エリアを遮光して」と
あるを「エリアをアパーチャにより遮光して」と補正す
る。 （５）明細書第７頁第１７行に「過塩素酸よりなる」と
あるを［過塩素酸を混合した］と補正する。 （６）明細書第８頁第１９行、第９頁第１７行〜第１８
行及び第１０頁第１５行〜第１６行に［４角形状白抜き
パターンの露光、現像］とあるをそれぞれ「４角形状白
抜きパターンを通して露光し、現像・エツチング」と補
正する。 （７）明細書第１３頁第７行〜第１０行に「設定された
・・・（途中省略）・・・及び（４１，４２）　Ｊとあ
゛るを［設定された、分割パターン３１．遮光パターン
４３及びアライメントークーク（３５，３６）と、分割
パターン３２．遮光パターン４４及びアライメントマー
ク（３７，３８）と、分割パターン３３．遮光パターン
４５及びアライメントマーク（３９，４０）と、分割パ
ターン３４．遮光パターン４６及びアライメントマーク
（４１，４２）と」と補正する。 （８）明細書第１４頁第１行に「エリアを遮光して」と
あるを「エリアをアパーチャにより遮光して」と補正す
る。 （９）明細書第５頁第１ 頁第１９行に「の露光・現像」とあるをそれぞれ「を通
して露光し、現像・エツチング」と補正する。 （１０）明細書第１５頁第８行に「遮光手段は」とある
を「遮光手段とは、」と補正する。 以上

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）所望のパターンを複数個に分割して分割パターン
   をそれぞれ形成した複数個の原版マスクを製作し、前記
   原版マスクの分割パターンを１個ずつ、その都度レジス
   トを塗布した被転写板の所定位置に転写すると共に、後
   の分割パターンが既に転写された分割パターンを遮光し
   て転写して、その転写された分割パターンを合成するこ
   とにより、前記所望のパターンを形成することを特徴と
   するパターン形成方法。