JPH0461110A - 文字パターンの視認性向上方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、製造ロット番号等があらかじめ刻印された半
導体等の基板（サブストレイト）「薄、貞生成、金属蒸
着などを施した結果、最下層Ｃ１文字パターンの視認性
が悪くなることを防ぐプロセスに関するものである。

［従来の技術］ 従来、例えば半導体装置の製造過程においても半導体基
板に形成された文字パターンの上に薄膜が積まれ文字の
視認性が悪くなった場合には、途中のプロセスで再度文
字パターンを刻印し直していた。

［発明が解決しようとしている課題］ ところが上記従来例のプロセスにおいては、視認性の悪
くなった文字パターンを再度印字するため次のような不
都合があった。

（１）オペレータは視認性の悪くなった文字を見て印字
装置に文字データを入力するため人力ミスが多い。また
、同一のロフトとして最初にまとめて印字したウェハは
、その後の製造工程においても必ずしも同一ロットとし
てまとまっているとは限らず、印字に手間がかかる。

（２）同一ウェハの同一ポジションに再度印字を行なう
場合、印字装置の位置決め精度次第では、重なった文字
が見づらくなる。

したがフて、本発明の目的は前述の従来例のプロセスに
おける問題点にかんがみ簡単な手順によって基板に付さ
れた文字パターン等の視認性を向上させ、もって半導体
装置の生産管理等を効率化することにある。

［課題を解決するための手段および作用］本発明に係る
方法は、基板に形成された文字パターン上に積層される
種々の薄膜を、該文字パターンを含む領域の部分的な露
光、現象および食刻を行なうことによって除去すること
を特徴とする。

上述の方法においては、半導体装置等の製造工程におい
て基板に形成されたロット番号等の文字パターン上に、
後の工程によって種々の薄膜が積層さねでも、該文字パ
ターンを含む領域上の薄膜が部分的に除去される。した
がって、従来のプロセスにおいて後に再度文字パターン
を形成する場合のように高い精度を要求することなく最
初に形成した文字パターンの視認性が向上される。また
、文字パターンを再形成する場合のような入力ミス等も
防止できる。

［実施例］ 第１図は、本発明の１実施例に係る方法を示す説明図で
ある。同図において、１はフォトマスク２にバターニン
グされた矩形の通光パターン、３は文字に刻印された基
板に薄膜が積層され表面に感光剤（レジスト）を塗布し
た製造プロセス途中の基板を示す。

また、第２図（ａ）および（ｂ）は、基板３上の文字１
０についての２−２線における断面図および平面図をそ
れぞれ示し、４はレジスト層、５．６は製造プロセスに
て積層された薄膜、７は文字パターン部である。

第３図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ第２図にて露光さ
れたレジスト４が現像され、除去された状態を示す断面
図および平面図であり、８は現像後残ったレジスト層で
ある。

また、第４図（ａ）および（ｂ）はそれぞれ第３図にて
食刻（エツチング）された薄膜５が除去された状態を示
す断面図および平面図であり、９は食刻後残った薄膜５
である。

上述において、文字パターン１０（第２図）は、その上
部にレジスト４、薄ＷＡ５、薄膜６が積層されているた
め、視認性が悪い。本発明においては視認性を向上させ
るために以下のプロセスを行なう。すなわち、まず第１
図に示されるようにフォトマスク２の矩形パターン１を
通して基板３の文字Ａに紫外光を照射する。ここで、矩
形パターンの照射面での大きさは文字の大きさよりやや
大きくする。第２図のレジスト４の斜線部は感光した部
分を表わす。次に、基板３を現像処理することにより、
レジスト４の感光した部分が除去され、第３図（ａ）の
ような断面図になる。

さらに、食刻処理を行なうと薄１１１５が浸食され、第
４図（ａ）のような断面図となる。このプロセスを経る
ことによって、文字パターン上に積層されていた薄膜５
が除去され、第３図（ｂ）における文字１１の視認性に
比べて第４図（ｂｌ　における文字１２の視認性がさら
に向上するという効果がある。特に、除去した薄膜５が
アルミニウム等の反射率の高い材質である場合の効果は
大きい。

尚、以上のプロセスのうちレジスト塗布、現像、薄１１
！５の食刻は通常のプロセスにても行なうことができる
ため、追加するプロセスは文字部への矩形パターン露光
だけとすることができる。また、第１図において矩形パ
ターンに対して基板３を移動させることにより各文字に
矩形の露光エリアを形成することが可能となり、各文字
の視認性を同様に高めることがで討る。

［実施例２］ 第５図は、前述の実施例における文字パターン部の露光
方法を変更した他の実施例を表わすものである。同図に
おいては、フォトマスク１４にバターニングされた矩形
パターン１３は文字を刻印された基板１５の文字領域全
体を一括に露光するよう構成されている０本実施例によ
れば、他の露光装置（マスクアライナ−等）に矩形パタ
ーン１３をもつフォトマスクを使用することで露光プロ
セスの追加が容易になる。尚、薄膜の除去方法は前述の
実施例と同様である。

［実施例３］ 第６図は、文字パターン部の露光方法を変更した。さら
に他の実施例を表わすものである。この実施例において
は、紫外光用のライトガイド１６によって得られるスポ
ット１フに対して基板１９を矢印１８の方向に移動させ
るごとによって文字領域全体を露光する。末男式は基板
を矢印１８の方向に移動させる機構をもつ半導体製造装
置への装着が容易である。尚、薄膜の除去方法は前述の
実施例と同様である。

［実施例４〕 第７図は、前述の実施例における文字パターン部の露光
方法についての他の実施例を表わすものである。この実
施例は本発明を所謂露光ネーミング装置に通用したもの
である。文字パターン（Ａ、Ｂ、Ｃ，・・・・・・７，
８．９）が円弧状に配置されたフォトマスク２０に、文
字パターンと同様に矩形の通光パターン２２を文字パタ
ーンが配置されている円弧上に設ける。なお、このフォ
トマスク２０の本来の用途は、ウェハ２１への文字の露
光である。マスク２０上の文字パターンは、マスク２０
が不図示の光源からの照明光によって選択的に照明され
ることにより、ウェハ２１に焼イ１Ｊけられる。ネーミ
ング装置の設定印字文字パターンの例に通光パターン２
２を設定し、通光バタン２２を介して照明することによ
一、ｙ　１、ウェハ２１上に既に形成されでいる文字パ
ターンの各文字に矩形パターン２３を重ねて露光できる
。木方式は露光ネーミング装置の円形フォトマスク２０
に通光パターン２２を追加するたりで容易に実現できる
。なお、薄膜の除去方法は前述の実施例と同様である。

［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、簡ｔＰ−な手順
により最初に刻印された文字パターン十に積層された薄
膜の部分的な除去によって、基板に形成された製造ロッ
ト番号等の認識ミスが減少し、自動読取りによる認ｍ率
を向上して製造ラインの効率的な生産管理が可能になる
。また、従来の方法のように後に再度文字パターンを形
成する場合と比べ高い位置合わせ精度が必要でなくなる
。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の−、−実施例に係る力宥去を概念的
に示す説明図、 第２図（ａ）および（ｂ）は、それぞれ第１図によって
露光された部分を示す断面図および平面図、第３図（ａ
）および（ｂ）は、それぞれ第２図を現像した後の状態
を示す断面図および平面図、第４図（ａ）および（ｂ）
は、それぞれ第３図を食刻処理した後の状態を示す断面
図および平面図、第５図は、本発明の他の実施例に係る
方法を示す説明図、 第６図は、本発明のさらに他の実施例に係る方法を示す
説明図、そして 第７図は、本発明の更に他の実施例に係る方法を示す説
明図である。 ＝１文字分の矩形通光パターン、 ：フオトマスク、 二文字の刻印された基板、 ニレジスト層、 ：製造プロセスによって積層された薄膜、：製造プロセ
スによって積層された薄膜、：文字パターンの刻まれた
基板、 ニレジスト層４が現像されて残った層、；薄膜５が食刻
されて残った層、 １０：文字パターン、 １１、文字パターン、 １２・文字パターン、 １３：文字領域全体分の矩形通光パターン、１４“フォ
トマスク、 １５：文字の刻印された基板、 １６、紫外光用のライトガイド、 １７　ライトガイド１６によって得らねる紫外光スポッ
ト、 １８　基板１９の移動方向を示す矢印、１９：文字の刻
印された基板、 ２０：フォトマスク、 ２２：通光パターン。 特許出願人　　　キャノン販売株式会社特許出願人　　
キャノン株式会社 代理人　弁理士　　　伊　東　哲　也 代理人　弁理士　　　伊　東　辰　雄 手続補正書（方式） 平成２年１０月５日

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　半導体基板上に刻印された文字パターン上に後の工程
   によって積層されている薄膜を、前記文字パターン領域
   を含む領域の部分的な露光、現像および食刻を行なうこ
   とによって除去することを特徴とする文字パターンの視
   認性向上方法。