JP4632659B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
従来の半導体ウエハの管理方法として、例えば、半導体デバイスを製造する半導体メーカにおいて、半導体ウエハ表面に製造工程管理・品質管理のための識別の情報を含むウエハIDをレーザーマーキングして管理する方法がある。しかしながら、この方法では人間による視認性を向上させるためには、マーク刻印用のレーザービームパワーを大きくしてマーキング深さを深くせざるをえず、その結果としてマーキング部分のウエハ表面への盛り上がりが高くなってしまう(例えば、特許文献1参照。)。
上記本発明の半導体装置の製造方法においては、第2のウエハIDはレーザービームで形成されることが好ましい。
また、第1のウエハIDはウエハメーカで形成され、前記第2のウエハIDは半導体メーカでレーザービームで形成される半導体装置の製造方法においては、第2のウエハIDを形成する工程は、第1のウエハIDをウエハ自動読み取り装置で読み取る工程(a)と、工程(a)の後に、工程管理システムのサーバに第1のウエハIDのデータを送信すると同時にウエハメーカ個別情報保持手段に第1のウエハIDを入力する工程(b)と、工程(b)の後に、サーバで受け取った第1のウエハIDとウエハメーカ個別情報保持手段に予め保存されているウエハメーカの第1ウエハIDとを照合確認した上、それと予め半導体メーカマスタ情報登録保持手段に登録済みのマスタ情報から半導体メーカ独自のウエハIDデータを呼び出す工程(c)と、工程(c)の後に、レーザービームを用いて、ウエハメーカの第1のウエハIDに対応する半導体メーカ独自の第2のウエハIDをウエハの表面にマーキングする工程(d)とを有することが好ましい。
1 半導体回路形成領域
2 ウエハメーカによるウエハID
3,4 半導体メーカによるウエハID
Claims (3)
- 表面からの凸部がないウエハメーカで形成された第1のウエハIDが形成されたウエハ上に半導体回路を形成する半導体回路形成工程と、
前記半導体回路形成工程終了後、前記ウエハに、前記第1のウエハIDに対応しかつ前記ウエハの表面に凸部を有する半導体メーカで形成する第2のウエハIDを形成する工程と、
前記第2のウエハIDを用いてウエハ管理を行い前記ウエハの検査または組立を行う工程とを備え、
前記第2のウエハIDを形成する工程では、前記第1のウエハIDとは異なる領域にウエハ表面からの盛り上がり高さが肉眼で視認できる前記第2のウエハIDが形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第2のウエハIDはレーザービームで形成されることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第2のウエハIDを形成する工程は、
前記第1のウエハIDをウエハ自動読み取り装置で読み取る工程(a)と、
前記工程(a)の後に、工程管理システムのサーバに前記第1のウエハIDのデータを送信すると同時にウエハメーカ個別情報保持手段に前記第1のウエハIDを入力する工程(b)と、
前記工程(b)の後に、前記サーバで受け取った前記第1のウエハIDと前記ウエハメーカ個別情報保持手段に予め保存されている前記ウエハメーカの第1ウエハIDとを照合確認した上、それと予め半導体メーカマスタ情報登録保持手段に登録済みのマスタ情報から半導体メーカ独自のウエハIDデータを呼び出す工程(c)と、
前記工程(c)の後に、前記レーザービームを用いて、前記ウエハメーカの前記第1のウエハIDに対応する半導体メーカ独自の前記第2のウエハIDを前記ウエハの表面にマーキングする工程(d)とを有することを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
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