JP2005166885A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ウエハメーカでマーキング済で基板表面上の凹凸がないウエハIDを自動読取装置で読み取りながら半導体回路形成工程を実施する。その後、半導体メーカの工程管理・品質管理のための識別情報を含むウエハIDをレーザーマーカーで視認性に優れた凹凸のあるマーキングをし、そのウエハIDを用いてプローブ検査工程、組立工程で人の目視によるウエハ管理を行う。
【選択図】 図1
Description
従来の半導体ウエハの管理方法として、例えば、半導体デバイスを製造する半導体メーカにおいて、半導体ウエハ表面に製造工程管理・品質管理のための識別の情報を含むウエハIDをレーザーマーキングして管理する方法がある。しかしながら、この方法では人間による視認性を向上させるためには、マーク刻印用のレーザービームパワーを大きくしてマーキング深さを深くせざるをえず、その結果としてマーキング部分のウエハ表面への盛り上がりが高くなってしまう(例えば、特許文献1参照。)。
1 半導体回路形成領域
2 ウエハメーカによるウエハID
3,4 半導体メーカによるウエハID
Claims (4)
- 表面からの凸部が実質的にない第1のウエハIDが形成されたウエハ上に半導体回路を形成する半導体回路形成工程と、前記半導体回路形成工程の後、前記ウエハに、前記第1のウエハIDに対応しかつ前記ウエハの表面に凸部を有する第2のウエハIDを形成する工程と、前記第2のウエハIDを用いてウエハ管理を行い前記ウエハの検査または組立を行う工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 前記半導体回路形成工程はCMP工程を含むことを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のウエハIDはウエハメーカで形成され、前記第2のウエハIDはレーザービームで形成されることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1のウエハIDは肉眼で視認できず、前記第2のウエハIDは肉眼で視認できることを特徴とする請求項1、2または3記載の半導体装置の製造方法。
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JP2008187148A (ja) * | 2007-01-31 | 2008-08-14 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置の製造方法およびマーキング装置 |
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