JPH02115076A - フォトマスクの修正方法 - Google Patents
フォトマスクの修正方法Info
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- JPH02115076A JPH02115076A JP26704688A JP26704688A JPH02115076A JP H02115076 A JPH02115076 A JP H02115076A JP 26704688 A JP26704688 A JP 26704688A JP 26704688 A JP26704688 A JP 26704688A JP H02115076 A JPH02115076 A JP H02115076A
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Links
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半心体製造分野において用いられるフォトマ
スクの修正方法に関するものである。
スクの修正方法に関するものである。
（従来の技術）
半導体および半導体集積回路の製造に用いるパターンの
設計変更に伴うフォトマスクの修正方法の効率化は、設
計効率、マスク製作効率を向上させることが重要である
。
設計変更に伴うフォトマスクの修正方法の効率化は、設
計効率、マスク製作効率を向上させることが重要である
。
特に、マスク製作中で現像後、遮光膜エツチング前の設
計変更に伴うパターン修正は難しい。以下、従来のフォ
トマスクの修正方法について説明する。
計変更に伴うパターン修正は難しい。以下、従来のフォ
トマスクの修正方法について説明する。
第２図において、１１はレジストパターン、１２はマス
ク乾板、１３はガラス部、１４は遮光膜、１５は設計変
更による追加パターン、１６は付着させた有機物、１７
は除去した遮光膜である。
ク乾板、１３はガラス部、１４は遮光膜、１５は設計変
更による追加パターン、１６は付着させた有機物、１７
は除去した遮光膜である。
第２図（ａ）は、マスク製作時、レジストパターン１１
を形成した後、エツチング前にパターンを修正する際の
フォトマスク１２の上面図である。第２図（ｂ）は第２
図（ａ）のＡ−Ａ’断面図、第２図（Ｑ）は第２図（ｂ
）に示す遮光膜１４をエツチングした後の断面図、第２
図（ｄ）は第２図（Ｑ）に示す遮光膜１４の上の有機物
１６を除去した状態を示す断面図、第２図（ｅ）は第２
図（ｄ）に示した状態から所望の形に遮光膜１４を成形
した断面図である。
を形成した後、エツチング前にパターンを修正する際の
フォトマスク１２の上面図である。第２図（ｂ）は第２
図（ａ）のＡ−Ａ’断面図、第２図（Ｑ）は第２図（ｂ
）に示す遮光膜１４をエツチングした後の断面図、第２
図（ｄ）は第２図（Ｑ）に示す遮光膜１４の上の有機物
１６を除去した状態を示す断面図、第２図（ｅ）は第２
図（ｄ）に示した状態から所望の形に遮光膜１４を成形
した断面図である。
以上のように構成されたマスク修正方法について説明す
る。マスク乾板１２上に形成されたレジストパターン１
１は、設計データ通りの形状である。
る。マスク乾板１２上に形成されたレジストパターン１
１は、設計データ通りの形状である。
この時点で、設計変更による追加パターン１５が発生し
た場合、レジスト等の有機物１６を塗りつけ。
た場合、レジスト等の有機物１６を塗りつけ。
以下、遮光膜１４のエツチングを行ない、レジスト膜１
１．有機物１６を除去すると、第２図（ａ）に示すよう
に遮光膜パターンが形成される。その後、所望の形状を
得るため、レーザ光などにより不要部分１７の除去を行
なう。
１．有機物１６を除去すると、第２図（ａ）に示すよう
に遮光膜パターンが形成される。その後、所望の形状を
得るため、レーザ光などにより不要部分１７の除去を行
なう。
（発明が解決しようとする課Ｍ）
しかしながら、上記の従来の構成では、追加パターンの
位置２寸法の精度を得ることが難しく、±２μｍ程度の
精度しか得られなかった。また、修正パターンが複雑な
場合、修正が困難であるという問題があった。
位置２寸法の精度を得ることが難しく、±２μｍ程度の
精度しか得られなかった。また、修正パターンが複雑な
場合、修正が困難であるという問題があった。
本発明は、上記問題を解決するもので、どのような修正
パターンにおいても精度よ〈実施できるフォトマスクの
修正方法を提供することを目的とする。
パターンにおいても精度よ〈実施できるフォトマスクの
修正方法を提供することを目的とする。
（課題を解決するための手段）
上記目的を達成するため、本発明のフォトマスク修正方
法は、形成されたレジストパターンおよび修正パターン
を設ける位置にレジストを塗布した後、修正パターンの
電子ビーム描画を行ない、上記レジストを除去する構成
とする。
法は、形成されたレジストパターンおよび修正パターン
を設ける位置にレジストを塗布した後、修正パターンの
電子ビーム描画を行ない、上記レジストを除去する構成
とする。
（作 用）
本発明のような構成により、追加パターンは追加塗布し
たレジストに電子ビーム描画され、どんな形状パターン
でも高精度にパターン追加ができる。
たレジストに電子ビーム描画され、どんな形状パターン
でも高精度にパターン追加ができる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例について第１図を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は１本発明のパターン修正方法を示すものである
。第１図において、１はガラス基板、２は遮光膜、３は
レジストパターン、４は追加塗布レジスト膜、５は電子
ビーム露光、６は新たに形成されたレジストパターンで
ある。
。第１図において、１はガラス基板、２は遮光膜、３は
レジストパターン、４は追加塗布レジスト膜、５は電子
ビーム露光、６は新たに形成されたレジストパターンで
ある。
以上のように構成されたパターン修正方法について、以
下その動作を説明する。
下その動作を説明する。
まず、第１図（ａ）は、遮光膜２上にレジストパターン
３が形成された状態を示す。第１図（ｂ）は、追加変更
された設計パターンを形成するため、レジスト膜４を塗
布した状態を示す。このレジスト膜４は、例えばポリス
チレンスルホン酸アンモニウムＡ ｍ Ｓ Ｓと呼ばれ
る水溶性で、電子ビーム露光感度をもつものである。第
１図（ｃ）は、必要なパターン位置に電子ビーム描画５
を行なった状態を示す。次に、水に浸すと、第１図（ｄ
）に示すように新たにレジストパターン６が形成される
。ポリスチレンスルホン酸アンモニウムＡｍ５Ｓは、１
００μｃ／ｃＪ程度のネガ型感度を持ち、水にて現像で
き、最初に形成されていたレジス１−パターン３は水に
溶けないため、上記のようなパターンが得られる。以下
、遮光膜エツチングを行なった後、レジストパターン３
，６を酸または有機物で除去すると、第１図（ｆ）に示
すようになり、追加パターン形成が終了する。
３が形成された状態を示す。第１図（ｂ）は、追加変更
された設計パターンを形成するため、レジスト膜４を塗
布した状態を示す。このレジスト膜４は、例えばポリス
チレンスルホン酸アンモニウムＡ ｍ Ｓ Ｓと呼ばれ
る水溶性で、電子ビーム露光感度をもつものである。第
１図（ｃ）は、必要なパターン位置に電子ビーム描画５
を行なった状態を示す。次に、水に浸すと、第１図（ｄ
）に示すように新たにレジストパターン６が形成される
。ポリスチレンスルホン酸アンモニウムＡｍ５Ｓは、１
００μｃ／ｃＪ程度のネガ型感度を持ち、水にて現像で
き、最初に形成されていたレジス１−パターン３は水に
溶けないため、上記のようなパターンが得られる。以下
、遮光膜エツチングを行なった後、レジストパターン３
，６を酸または有機物で除去すると、第１図（ｆ）に示
すようになり、追加パターン形成が終了する。
（発明の効果）
以上のように本発明は、追加のレジスト層に電子ビーム
描画によりパターン形成を行なうので、位置精度および
パターン精度のよい修正が実現できる。
描画によりパターン形成を行なうので、位置精度および
パターン精度のよい修正が実現できる。
第１図は本発明のパターン修正方法説明図、第２図は従
来のパターン修正方法説明図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・遮光膜、 ３・・
・レジストパターン、 ４・・・追加レジスト膜。 ５・・・電子ビーム露光、 ６・・・設計変更に伴う追
加レジストパターン。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 第 区
来のパターン修正方法説明図である。 １・・・ガラス基板、 ２・・・遮光膜、 ３・・
・レジストパターン、 ４・・・追加レジスト膜。 ５・・・電子ビーム露光、 ６・・・設計変更に伴う追
加レジストパターン。 特許出願人 松下電子工業株式会社 第 図 第 区
Claims (1)
- 形成されたレジストパターンおよび修正パターンを設け
る位置にレジストを塗布した後、修正パターンの電子ビ
ーム描画を行ない、上記レジストを除去してフォトマス
クのパターンを修正することを特徴とするフォトマスク
の修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26704688A JPH02115076A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | フォトマスクの修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26704688A JPH02115076A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | フォトマスクの修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02115076A true JPH02115076A (ja) | 1990-04-27 |
Family
ID=17439288
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26704688A Pending JPH02115076A (ja) | 1988-10-25 | 1988-10-25 | フォトマスクの修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02115076A (ja) |
-
1988
- 1988-10-25 JP JP26704688A patent/JPH02115076A/ja active Pending
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