JPS6020512A - パタ−ン形成方法 - Google Patents
パタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS6020512A JPS6020512A JP58128369A JP12836983A JPS6020512A JP S6020512 A JPS6020512 A JP S6020512A JP 58128369 A JP58128369 A JP 58128369A JP 12836983 A JP12836983 A JP 12836983A JP S6020512 A JPS6020512 A JP S6020512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- negative
- pattern
- mark
- exposed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は′電子ビーム露光を用いるパターン形成方法に
関するものである。
関するものである。
従来例の構成とその問題点
半導体素子が微細化されるにつれて電子ビーム直接露光
が用いられ始めている。
が用いられ始めている。
電子ビーム直接露光では、基板上の凹凸よりなる位置合
せ用マークを電子ビームで走査し、その反射電子を検出
することにより高精度の重ね合せを実現している。とこ
ろで、ポジ形レジストを用いてパターンを形成する場合
には、第１図ａに示すように、電子ビームで走査した部
分１が露光されてしまうので、第１図すのように、続い
て行われるエツチング工程により凹凸のマーク２が損傷
３を受ける。この問題を解決するために、第２図に示す
ように、マークを含む所定部分４をポジ形レジストがネ
ガ形に反転する露光量で露光してマークを保護する方法
が提案され、すでに実用されている。しかし、例えば、
ポジ形レジストとしてＰＭＭＡを用いた場合、ポジ形レ
ジストとして必要な露光量が６４μＣ／ ｃｒＡ であ
るのに対して、ネガ形に反転させるためにはその２０倍
程度の露光量の必要であ′す、描画時間が長くなる欠点
があった０ 発明の目的 本発明は、以上の問題点を解決したものであシポジ形レ
ジストに電子ビーム露光を用いてパターンを形成すると
きに、位置合ぜ用マークを保護するために必要な露光時
間を短縮することができるパターン形成方法を提供する
ものである。
せ用マークを電子ビームで走査し、その反射電子を検出
することにより高精度の重ね合せを実現している。とこ
ろで、ポジ形レジストを用いてパターンを形成する場合
には、第１図ａに示すように、電子ビームで走査した部
分１が露光されてしまうので、第１図すのように、続い
て行われるエツチング工程により凹凸のマーク２が損傷
３を受ける。この問題を解決するために、第２図に示す
ように、マークを含む所定部分４をポジ形レジストがネ
ガ形に反転する露光量で露光してマークを保護する方法
が提案され、すでに実用されている。しかし、例えば、
ポジ形レジストとしてＰＭＭＡを用いた場合、ポジ形レ
ジストとして必要な露光量が６４μＣ／ ｃｒＡ であ
るのに対して、ネガ形に反転させるためにはその２０倍
程度の露光量の必要であ′す、描画時間が長くなる欠点
があった０ 発明の目的 本発明は、以上の問題点を解決したものであシポジ形レ
ジストに電子ビーム露光を用いてパターンを形成すると
きに、位置合ぜ用マークを保護するために必要な露光時
間を短縮することができるパターン形成方法を提供する
ものである。
発明の構成
すなわち、本発明は、半導体基板土にポジ形レジストを
塗布、プリベークし、ついでネガ形レジストを塗布、プ
リベークした後、位置合せ用マークを含む所定部分を前
記ネガ形レジストを感光させる露光量で電子ビーム露光
を行ない続いて、前記所定部分の周辺部をわく状に、前
記ポジ形レジストがネガ形に反転する露光量で電子ビー
ム露光を行なったのち、前記ネガ形レジスト、前記ポジ
形レジストを順に現像するもので、これによシ、前記マ
ーク部の所定部分のレジストを食刻することなく、レジ
ストにパターンを形成することが可能である１゜ 実施例の説明 本発明の実施例を第３図に基いて説明する。第３図ａは
パターン平面図であり、位置合せ用マーり２、それを含
む所定部分４の周辺わく部５および形成用パターン６を
示す。まず、同図すのように、半導体基板７上にポジ形
電子ビームレジストとしてＰＭＭＡｓを１μｍの厚さで
塗布し、１７０℃、４０分のグリベークを行い、その上
にネガ形レジストとしてポリスチレン９を１μｍの厚さ
で塗布し、１１０℃３０分のプリベークを行う。つぎに
、段差マーク２を検出して位置合ぜを行いながら、形成
用の所定パターン６を６４μＣ／’ｃｒ；ｌの露光量で
電子ビーム露光を行い、その後、マークを含む所定パタ
ーン４を１２８μＣ／ ｃｒＡで露光するとともに、周
辺部５を１ｏ１２μｃ／ ｃｎｔで電子ビーム露光を行
ないポジ形レジストのネガ反転部１１を形成する。つい
て、ネガ形レジスト９であるポリスチレン２酢酸インア
ミル／エチルセルンルブ＝１／３の現像液を用いて現像
することにより、第１図Ｃのように、ネガ形パターン１
ｏがえられる。次に、メチルイソブチルケトン／インプ
ロビルアルコール＝１／１の現像液を用いてＰＭＭＡレ
ジストを現像することによシ、第３図ｄのように、ＰＭ
ＭＡ８の所望のパターン１２をうろことができる。ここ
で、ポリスチレンのネガ形パター７１０は前記ＰＭＭＡ
の現像液に溶解しない。またネガ形パターン１０の下に
位置するＰＭＭＡは、ネガ形パター７ＩＱと、ネガ形に
反転したＰＭＭＡ領域１１に囲まれているため現像され
ない。よってマークを含む所定部分４のレジストは食刻
されない。
塗布、プリベークし、ついでネガ形レジストを塗布、プ
リベークした後、位置合せ用マークを含む所定部分を前
記ネガ形レジストを感光させる露光量で電子ビーム露光
を行ない続いて、前記所定部分の周辺部をわく状に、前
記ポジ形レジストがネガ形に反転する露光量で電子ビー
ム露光を行なったのち、前記ネガ形レジスト、前記ポジ
形レジストを順に現像するもので、これによシ、前記マ
ーク部の所定部分のレジストを食刻することなく、レジ
ストにパターンを形成することが可能である１゜ 実施例の説明 本発明の実施例を第３図に基いて説明する。第３図ａは
パターン平面図であり、位置合せ用マーり２、それを含
む所定部分４の周辺わく部５および形成用パターン６を
示す。まず、同図すのように、半導体基板７上にポジ形
電子ビームレジストとしてＰＭＭＡｓを１μｍの厚さで
塗布し、１７０℃、４０分のグリベークを行い、その上
にネガ形レジストとしてポリスチレン９を１μｍの厚さ
で塗布し、１１０℃３０分のプリベークを行う。つぎに
、段差マーク２を検出して位置合ぜを行いながら、形成
用の所定パターン６を６４μＣ／’ｃｒ；ｌの露光量で
電子ビーム露光を行い、その後、マークを含む所定パタ
ーン４を１２８μＣ／ ｃｒＡで露光するとともに、周
辺部５を１ｏ１２μｃ／ ｃｎｔで電子ビーム露光を行
ないポジ形レジストのネガ反転部１１を形成する。つい
て、ネガ形レジスト９であるポリスチレン２酢酸インア
ミル／エチルセルンルブ＝１／３の現像液を用いて現像
することにより、第１図Ｃのように、ネガ形パターン１
ｏがえられる。次に、メチルイソブチルケトン／インプ
ロビルアルコール＝１／１の現像液を用いてＰＭＭＡレ
ジストを現像することによシ、第３図ｄのように、ＰＭ
ＭＡ８の所望のパターン１２をうろことができる。ここ
で、ポリスチレンのネガ形パター７１０は前記ＰＭＭＡ
の現像液に溶解しない。またネガ形パターン１０の下に
位置するＰＭＭＡは、ネガ形パター７ＩＱと、ネガ形に
反転したＰＭＭＡ領域１１に囲まれているため現像され
ない。よってマークを含む所定部分４のレジストは食刻
されない。
この方法を用いることにより、マーク保護のだめに必要
な電子ビーム露光時ｕｊＪが著しく短縮される。い丑、
所定部分４の面積を５０μｍＸ５０μｍ、わく部分５の
幅を２μｍとする。従来の方法では、所定部分４を１ｏ
１２μＣ／ ｃｒｌで露光するのに対し、本発明では、
所定部分４を１２８μＣ／ｃ〃ｉ′″′Ｃ：露光し、わ
く部分６を１ｏ１２μｃ／ｃｄで露光する。いま露光時
間と露光量か比例するとして、両者の所要時間比率を３
′−足すると、本発明では トナシ、マーク保護のために必要な電子ビーム露光時間
は、従来の２６％（つまシ、１Ａ）となる。
な電子ビーム露光時ｕｊＪが著しく短縮される。い丑、
所定部分４の面積を５０μｍＸ５０μｍ、わく部分５の
幅を２μｍとする。従来の方法では、所定部分４を１ｏ
１２μＣ／ ｃｒｌで露光するのに対し、本発明では、
所定部分４を１２８μＣ／ｃ〃ｉ′″′Ｃ：露光し、わ
く部分６を１ｏ１２μｃ／ｃｄで露光する。いま露光時
間と露光量か比例するとして、両者の所要時間比率を３
′−足すると、本発明では トナシ、マーク保護のために必要な電子ビーム露光時間
は、従来の２６％（つまシ、１Ａ）となる。
発明の効果
以上に詳述したように本発明を用いることによシ、電子
ビーム直接描画に必要な段差マークの保護に要する露光
時間を大幅に短縮することが可能である。
ビーム直接描画に必要な段差マークの保護に要する露光
時間を大幅に短縮することが可能である。
第１図ａ、ｂは従来例によるマーク検出を説明するため
の平面図、第２図は従来例によるマーク保護を説明する
だめの平面図、第３図は本発明によるマーク保護を説明
するだめの図で、同図ａはパターン平面図、同図す、ｃ
、ｄは行程断面図である。 ２・・・・・・位置合せ用マーク、４・・・・・・マー
クを含む所定部分、５・・・・・・所定部分のわく部、
６・・・・・・露光パターン、７・・・・・・半導体基
板、８・・・・・・ポジ形レジスト、９・・・・・・ネ
ガ形レジスト、１０・・・・・・ネガ形レジストの感光
部、１１・・・・・・ポジ形レジストのネガ反転部、１
２・・・・・・食刻されたパターン。 第１図 （αＪ ／Ａ） 第２図 ？ 第３図 Δ
の平面図、第２図は従来例によるマーク保護を説明する
だめの平面図、第３図は本発明によるマーク保護を説明
するだめの図で、同図ａはパターン平面図、同図す、ｃ
、ｄは行程断面図である。 ２・・・・・・位置合せ用マーク、４・・・・・・マー
クを含む所定部分、５・・・・・・所定部分のわく部、
６・・・・・・露光パターン、７・・・・・・半導体基
板、８・・・・・・ポジ形レジスト、９・・・・・・ネ
ガ形レジスト、１０・・・・・・ネガ形レジストの感光
部、１１・・・・・・ポジ形レジストのネガ反転部、１
２・・・・・・食刻されたパターン。 第１図 （αＪ ／Ａ） 第２図 ？ 第３図 Δ
Claims (1)
- 半導体基板上にポジ形レジストを塗布、プリベークし、
ついで、ネガ形レジストを塗布、プリベークした後、位
置合ぜ用マークを含む所定部分をネガ形レジストを感光
させる露光量で電子ビーム露光を行ない、続いて、前記
所定部分の周辺部をわく状に、前記ポジ形レジストがネ
ガ形に反転する露光量で電子ビーム露光を行なったのち
、前記ネガ形レジスト、前記ポジ形レジストを順に現像
することを特徴とするパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128369A JPS6020512A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | パタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58128369A JPS6020512A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | パタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6020512A true JPS6020512A (ja) | 1985-02-01 |
Family
ID=14983116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58128369A Pending JPS6020512A (ja) | 1983-07-13 | 1983-07-13 | パタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6020512A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221102A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フレネルレンズの製造方法 |
| JPS63161617A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Nec Corp | 集束イオンビ−ムを用いた位置検出方法 |
-
1983
- 1983-07-13 JP JP58128369A patent/JPS6020512A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6221102A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | フレネルレンズの製造方法 |
| JPS63161617A (ja) * | 1986-12-25 | 1988-07-05 | Nec Corp | 集束イオンビ−ムを用いた位置検出方法 |
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