JPH0462166B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0462166B2 JPH0462166B2 JP58107580A JP10758083A JPH0462166B2 JP H0462166 B2 JPH0462166 B2 JP H0462166B2 JP 58107580 A JP58107580 A JP 58107580A JP 10758083 A JP10758083 A JP 10758083A JP H0462166 B2 JPH0462166 B2 JP H0462166B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- resist
- pattern
- photosensitive material
- mask
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、微細パターン形成においてレジスト
を露光する方法に関する。
を露光する方法に関する。
微細パターンは、シリコンその他の半導体基板
上にレジストを塗布し、UV光またはデイープ
UV光によつてマスクを用いて露光した後に、現
像を行つて形成する。
上にレジストを塗布し、UV光またはデイープ
UV光によつてマスクを用いて露光した後に、現
像を行つて形成する。
最近開発された縮小投影露光装置は、位置合せ
精度が改善され、0.2μｍ程度の精度が得られるよ
うになつてきている。しかしながら、この装置は
投影型の露光装置であることから、焦点深度が２
〜3μｍ程度となることや、解像度の限界が1μｍ
程度であるといつた点で、コンタクト露光方式と
異なる。
精度が改善され、0.2μｍ程度の精度が得られるよ
うになつてきている。しかしながら、この装置は
投影型の露光装置であることから、焦点深度が２
〜3μｍ程度となることや、解像度の限界が1μｍ
程度であるといつた点で、コンタクト露光方式と
異なる。
ところで、微細なレジストパターンを形成する
場合、そのマスクパターンが露光領域中で他のマ
スクパターンと十分離れて存在していれば、光の
屈折等の影響が少ない。しかし、実際のマスクパ
ターンの多くのものは、光の回折効果を受けるの
に十分な程、近接したパターンを有している。こ
のため、テバイス機能上重要なレジストパターン
の多くは、上記のように厳しい条件のもとで露光
現像されている。
場合、そのマスクパターンが露光領域中で他のマ
スクパターンと十分離れて存在していれば、光の
屈折等の影響が少ない。しかし、実際のマスクパ
ターンの多くのものは、光の回折効果を受けるの
に十分な程、近接したパターンを有している。こ
のため、テバイス機能上重要なレジストパターン
の多くは、上記のように厳しい条件のもとで露光
現像されている。
その一つの例として、ゲート長が1μｍでゲー
ト幅が数十〜数百μｍのデユアルゲートを1μｍ
の間隔で形成する場合を考えてみる。
ト幅が数十〜数百μｍのデユアルゲートを1μｍ
の間隔で形成する場合を考えてみる。
この例は、ウエハ上に塗布されたポジ型レジス
トに1μｍ間隔でゲート長1μｍのパターンを露光
し、現像によつて露光された２本のゲートパター
ンの領域を除去するものである。通常であれば、
２本のゲートパターンの領域に挟まれた領域は露
光されることなく、1μｍ幅のレジストが残る。
しかしながら、このように微細な２本のゲートパ
ターンの領域を形成するためには、マスク上のパ
ターン間の幅も狭くする必要がある。このため、
マスク上のパターン間で回折が生じ、２本のゲー
トパターンの領域に挟まれたレジストが部分的に
露光されるといつた現象が生じる。この現象によ
つて、現像時に２本のゲートパターンの領域に挟
まれたレジストが膜減りする。したがつて、ライ
ンの寸法精度が悪くなるばかりか、膜減りのため
リフトオフ法ができないようなエツジ部分が丸み
を帯びたレジスト形状となり問題であつた。
トに1μｍ間隔でゲート長1μｍのパターンを露光
し、現像によつて露光された２本のゲートパター
ンの領域を除去するものである。通常であれば、
２本のゲートパターンの領域に挟まれた領域は露
光されることなく、1μｍ幅のレジストが残る。
しかしながら、このように微細な２本のゲートパ
ターンの領域を形成するためには、マスク上のパ
ターン間の幅も狭くする必要がある。このため、
マスク上のパターン間で回折が生じ、２本のゲー
トパターンの領域に挟まれたレジストが部分的に
露光されるといつた現象が生じる。この現象によ
つて、現像時に２本のゲートパターンの領域に挟
まれたレジストが膜減りする。したがつて、ライ
ンの寸法精度が悪くなるばかりか、膜減りのため
リフトオフ法ができないようなエツジ部分が丸み
を帯びたレジスト形状となり問題であつた。
本発明はこのような問題を解決することを目的
とする。
とする。
上記課題を解決するために、本発明の微細パタ
ーン形成法は、パターンが描かれたマスクを用い
てウエハ上の感光物質に第１の露光領域を形成す
る工程と、マスクをウエハと平行にずらして感光
物質上に第１の露光領域と一部重複する第２の露
光領域を形成する工程と、重複部分を含む第１お
よび第２の露光領域の感光物質を除去する現像工
程とを備える。
ーン形成法は、パターンが描かれたマスクを用い
てウエハ上の感光物質に第１の露光領域を形成す
る工程と、マスクをウエハと平行にずらして感光
物質上に第１の露光領域と一部重複する第２の露
光領域を形成する工程と、重複部分を含む第１お
よび第２の露光領域の感光物質を除去する現像工
程とを備える。
本発明の微細パターン形成法によれば、一部の
領域が重複した第１および第２の露光領域がウエ
ハ上に形成される。この重複した領域の感光物質
は過度の照射量の露光を受けているため、現像工
程で先に除去される。そして、第１および第２の
露光領域の重複しない領域の感光物質は、表面だ
けではなく、先に除去された重複領域との境界面
からも除去が進行する。この結果、ウエハ上に残
つた感光物質の断面形状は従来のものと比較して
垂直な形状となる。
領域が重複した第１および第２の露光領域がウエ
ハ上に形成される。この重複した領域の感光物質
は過度の照射量の露光を受けているため、現像工
程で先に除去される。そして、第１および第２の
露光領域の重複しない領域の感光物質は、表面だ
けではなく、先に除去された重複領域との境界面
からも除去が進行する。この結果、ウエハ上に残
つた感光物質の断面形状は従来のものと比較して
垂直な形状となる。
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して
説明する。図１ａ〜ｄは、本実施例のパターン作
製工程を示す断面図である。
説明する。図１ａ〜ｄは、本実施例のパターン作
製工程を示す断面図である。
まず、回転塗布法で2.0μｍ厚のフオトレジスト
（OFPR−800）１を塗り（図１ａ）、パターン形
成予定部よりも小さな露光領域を有するマスクを
用いて露光を行い、レジスト１上に第１の露光領
域２を形成する（図１ｂ）。
（OFPR−800）１を塗り（図１ａ）、パターン形
成予定部よりも小さな露光領域を有するマスクを
用いて露光を行い、レジスト１上に第１の露光領
域２を形成する（図１ｂ）。
次に、マスクをウエハと平行にずらして、第１
の露光領域２と合わせれば希望するパターンがレ
ジスト１上に形成できるように、第１の露光領域
２と一部を重複させて第２の露光領域３を形成す
る（図１ｃ）。
の露光領域２と合わせれば希望するパターンがレ
ジスト１上に形成できるように、第１の露光領域
２と一部を重複させて第２の露光領域３を形成す
る（図１ｃ）。
このように露光されたレジスト１の現像では、
まず、第１の露光領域２と第２の露光領域３との
重複領域４が過度の照射量の露光を受けているた
めに先に溶解する。次に、通常の照射量の露光を
受けた通常露光領域５が溶解するが、この溶解は
レジスト表面だけではなく、先に溶解したレジス
ト側方からも進行する。このため、レジストの断
面形状は従来のものと比較して垂直な形状を示す
ことになり、さらに２つの露光領域の中央部に残
る未露光領域６の形状は、回折現象の軽減によつ
て膜減り量が低下する（図１ｄ）。
まず、第１の露光領域２と第２の露光領域３との
重複領域４が過度の照射量の露光を受けているた
めに先に溶解する。次に、通常の照射量の露光を
受けた通常露光領域５が溶解するが、この溶解は
レジスト表面だけではなく、先に溶解したレジス
ト側方からも進行する。このため、レジストの断
面形状は従来のものと比較して垂直な形状を示す
ことになり、さらに２つの露光領域の中央部に残
る未露光領域６の形状は、回折現象の軽減によつ
て膜減り量が低下する（図１ｄ）。
そして、最終的には、領域４と領域５のレジス
トが除去されて、マスクのパターンよりも幅の広
いレジストパターンが形成される。
トが除去されて、マスクのパターンよりも幅の広
いレジストパターンが形成される。
なお、感光物質はポジ型の感光物質であれば
OFPR−800に何ら限定されるものではなく、ポ
リイミド樹脂などの有機感光物質以外にも、同様
の感光現象を示すものであれば、無機物質であつ
てもかまわない。
OFPR−800に何ら限定されるものではなく、ポ
リイミド樹脂などの有機感光物質以外にも、同様
の感光現象を示すものであれば、無機物質であつ
てもかまわない。
また、本発明は簡便なパターン修正方法として
も利用価値があり、その本質は、ウエハ上に塗布
されたレジストを２回以上光露光を行つた上で現
像することにある。したがつて本実施例では、光
露光を２回行つた後に現像したが、３回以上光露
光を行つてもよい。
も利用価値があり、その本質は、ウエハ上に塗布
されたレジストを２回以上光露光を行つた上で現
像することにある。したがつて本実施例では、光
露光を２回行つた後に現像したが、３回以上光露
光を行つてもよい。
本発明の微細パターン形成法であれば、第１お
よび第２の露光領域の重複した領域の感光物質が
現像工程で先に除去される。そして、重複しない
領域については、表面だけではなく、先に感光物
質が除去された重複領域との境界面からも除去が
進行する。この結果、ウエハ上に残つた感光物質
の断面形状は従来のものと比較して垂直な形状と
なる。また、デユアルゲートのパターンのように
近接した２本のパターンを形成する場合でも、マ
スク上のパターン間での回折現象が軽減されるの
で、ウエハ上に形成される２本のパターン間の膜
減り量は低下する。
よび第２の露光領域の重複した領域の感光物質が
現像工程で先に除去される。そして、重複しない
領域については、表面だけではなく、先に感光物
質が除去された重複領域との境界面からも除去が
進行する。この結果、ウエハ上に残つた感光物質
の断面形状は従来のものと比較して垂直な形状と
なる。また、デユアルゲートのパターンのように
近接した２本のパターンを形成する場合でも、マ
スク上のパターン間での回折現象が軽減されるの
で、ウエハ上に形成される２本のパターン間の膜
減り量は低下する。
第１図は本発明の一実施例であるパターン作製
工程を示す断面図である。 １……レジスト、２，３……露光領域、４……
重複部分、５……通常露光領域、６……未露光領
域。
工程を示す断面図である。 １……レジスト、２，３……露光領域、４……
重複部分、５……通常露光領域、６……未露光領
域。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ パターンが描かれたマスクを用いてウエハ上
の感光物質に第１の露光領域を形成する工程と、 前記マスクを前記ウエハと平行にずらして前記
感光物質上に前記第１の露光領域と一部重複する
第２の露光領域を形成する工程と、 前記重複部分を含む前記第１および第２の露光
領域の前記感光物質を除去する現像工程とを備え
た微細パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58107580A JPS59232418A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 微細パタ−ン形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58107580A JPS59232418A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 微細パタ−ン形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59232418A JPS59232418A (ja) | 1984-12-27 |
| JPH0462166B2 true JPH0462166B2 (ja) | 1992-10-05 |
Family
ID=14462766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58107580A Granted JPS59232418A (ja) | 1983-06-15 | 1983-06-15 | 微細パタ−ン形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59232418A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62279628A (ja) * | 1986-05-28 | 1987-12-04 | Hitachi Ltd | 樹脂膜の形成方法 |
| JP4540968B2 (ja) * | 2003-11-13 | 2010-09-08 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネルの製造方法およびプラズマディスプレイ |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4833908A (ja) * | 1971-09-01 | 1973-05-15 | ||
| JPS501805A (ja) * | 1973-05-14 | 1975-01-09 | ||
| JPS5168772A (en) * | 1974-12-11 | 1976-06-14 | Matsushita Electronics Corp | Handotaisochino seizohoho |
-
1983
- 1983-06-15 JP JP58107580A patent/JPS59232418A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4833908A (ja) * | 1971-09-01 | 1973-05-15 | ||
| JPS501805A (ja) * | 1973-05-14 | 1975-01-09 | ||
| JPS5168772A (en) * | 1974-12-11 | 1976-06-14 | Matsushita Electronics Corp | Handotaisochino seizohoho |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59232418A (ja) | 1984-12-27 |
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