JPS58219738A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS58219738A JPS58219738A JP10262182A JP10262182A JPS58219738A JP S58219738 A JPS58219738 A JP S58219738A JP 10262182 A JP10262182 A JP 10262182A JP 10262182 A JP10262182 A JP 10262182A JP S58219738 A JPS58219738 A JP S58219738A
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- mask
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- semiconductor substrate
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製法７に関する。従来、一度写真
蝕刻工程（以下ＰＲ工程と称す）を通った半導体基板は
、二回目以降ホトレジスを塗布し所望め個所を蝕刻する
場合マスクを使用し、前回のＰＲ工程のパターンに合わ
せて目合わせしなけｎばならない。その目合わせ正潴に
合わせることと、９細パターン化すればする程、その目
合せ精度を上けなけｎばΔらない。
蝕刻工程（以下ＰＲ工程と称す）を通った半導体基板は
、二回目以降ホトレジスを塗布し所望め個所を蝕刻する
場合マスクを使用し、前回のＰＲ工程のパターンに合わ
せて目合わせしなけｎばならない。その目合わせ正潴に
合わせることと、９細パターン化すればする程、その目
合せ精度を上けなけｎばΔらない。
本発明の目的は上記微細パターン形成にマスクを用いず
、目合わせ精゛度を飛躍的に向上させることである。以
下従来技術と本発明の実施例を述べる。
、目合わせ精゛度を飛躍的に向上させることである。以
下従来技術と本発明の実施例を述べる。
従来技術のＰＲ工程としては、第１図に示す如く半導体
基板１上に前のＰＲ工程で形成しまた物質２を有しｆＣ
，ままホトレジスト３を塗布し、物質２の位置にマスク
４の影の部分５を正確に合わせ露光する。マスクの影の
部分５の下は照射されないため現偉すると第２図の如く
なる。即ち半導体基板面６．６′が露出する。上記物質
２とホトレジスト３．３’をマスクにエツチングを行う
と第３図の如く所望の部分７．７′をエツチングできる
。
基板１上に前のＰＲ工程で形成しまた物質２を有しｆＣ
，ままホトレジスト３を塗布し、物質２の位置にマスク
４の影の部分５を正確に合わせ露光する。マスクの影の
部分５の下は照射されないため現偉すると第２図の如く
なる。即ち半導体基板面６．６′が露出する。上記物質
２とホトレジスト３．３’をマスクにエツチングを行う
と第３図の如く所望の部分７．７′をエツチングできる
。
従来技術では上記の物質２とマスクの影の部分５を人も
しくは機械で位置合わせするため、また便用するマスク
４の精、度も関係してくるため微細パターンの高精度位
置決めは非常に困難であった。
しくは機械で位置合わせするため、また便用するマスク
４の精、度も関係してくるため微細パターンの高精度位
置決めは非常に困難であった。
本発明は上記欠点を解決するもので実施例をもって説明
する。
する。
第４図において半導体基板８上に前ＰＲ工程で形成した
物質９を有した１まホトレジス）１０を塗布し、マスク
を使用せず全面露光する。このためマスクの精度および
位置合わせの必要もない。
物質９を有した１まホトレジス）１０を塗布し、マスク
を使用せず全面露光する。このためマスクの精度および
位置合わせの必要もない。
物質９と半導体基板８の反射率の違いを利用したもので
物質９の近傍のみ感光さｎない。こｎを現像すると、第
５図に示すように半導体基板の露出部１１．１１’がで
き、これは物質９の周囲に精度良く形成さｎる。上記物
質９とホトレジストｌＯ′をマスクにエツチングを行う
と第６図の如〈従来技術に比し２〜３倍の精度を有し、
かつよシ微糾な溝１２．１２’が形成できる。
物質９の近傍のみ感光さｎない。こｎを現像すると、第
５図に示すように半導体基板の露出部１１．１１’がで
き、これは物質９の周囲に精度良く形成さｎる。上記物
質９とホトレジストｌＯ′をマスクにエツチングを行う
と第６図の如〈従来技術に比し２〜３倍の精度を有し、
かつよシ微糾な溝１２．１２’が形成できる。
第１図〜第３図は従来技術を示す断面図、第４図〜第６
図は本発明の実施例を示す断面図である。 °１・・・・・・半導体基板、２・・・・・・エツチン
グマスク用物質、３・・・・・・ホトレジスト、３′・
・・・・・現像後のホトレジスト、４．・・・・・・マ
スク、５．・・・・・・マスクの影の部分、６．６’・
・・・・・半導体基板、の開口部、７，７（・・・・・
半導体基板表面の溝部、８・・・・・・半導体基板、９
・・・・・・エツチングマスク用物質、１０・・・・・
・ホトレジスト、１０′・・・・・・現像後０、ホトレ
ジス）、１１．１１・・・・・・半導体基板の開口部、
１２．１２’・・・・・・半導体基板表面の溝部、 幣１図 第２図 第３図 ＬｏＩ Ｉ Ｉ’ Ｉ ｓ第４図 第５図 ７６６゜
図は本発明の実施例を示す断面図である。 °１・・・・・・半導体基板、２・・・・・・エツチン
グマスク用物質、３・・・・・・ホトレジスト、３′・
・・・・・現像後のホトレジスト、４．・・・・・・マ
スク、５．・・・・・・マスクの影の部分、６．６’・
・・・・・半導体基板、の開口部、７，７（・・・・・
半導体基板表面の溝部、８・・・・・・半導体基板、９
・・・・・・エツチングマスク用物質、１０・・・・・
・ホトレジスト、１０′・・・・・・現像後０、ホトレ
ジス）、１１．１１・・・・・・半導体基板の開口部、
１２．１２’・・・・・・半導体基板表面の溝部、 幣１図 第２図 第３図 ＬｏＩ Ｉ Ｉ’ Ｉ ｓ第４図 第５図 ７６６゜
Claims (1)
- １回以上写真蝕刻工程を通−）た半導体基板にホトレジ
ストを塗布する工程と、該半導体基板にマスクを使用せ
ず全面露光する工程と、該全面照射で該半導体基板上の
反射率の違いにより所望の部分のホトレジストを感光さ
せる工程を有することを特徴とする製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262182A JPS58219738A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10262182A JPS58219738A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58219738A true JPS58219738A (ja) | 1983-12-21 |
Family
ID=14332312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10262182A Pending JPS58219738A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58219738A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4824747A (en) * | 1985-10-21 | 1989-04-25 | General Electric Company | Method of forming a variable width channel |
| US4837775A (en) * | 1985-10-21 | 1989-06-06 | General Electric Company | Electro-optic device having a laterally varying region |
| US4845014A (en) * | 1985-10-21 | 1989-07-04 | Rca Corporation | Method of forming a channel |
-
1982
- 1982-06-15 JP JP10262182A patent/JPS58219738A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4824747A (en) * | 1985-10-21 | 1989-04-25 | General Electric Company | Method of forming a variable width channel |
| US4837775A (en) * | 1985-10-21 | 1989-06-06 | General Electric Company | Electro-optic device having a laterally varying region |
| US4845014A (en) * | 1985-10-21 | 1989-07-04 | Rca Corporation | Method of forming a channel |
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