JPS6319861B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6319861B2 JPS6319861B2 JP3284184A JP3284184A JPS6319861B2 JP S6319861 B2 JPS6319861 B2 JP S6319861B2 JP 3284184 A JP3284184 A JP 3284184A JP 3284184 A JP3284184 A JP 3284184A JP S6319861 B2 JPS6319861 B2 JP S6319861B2
- Authority
- JP
- Japan
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- plate
- pattern
- shadow mask
- hole pattern
- alignment marks
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、シヤドウマスク形成用パターン版の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
一般に、シヤドウマスクは、金属板の両面にレ
ジスト膜を塗布し、これらレジスト膜に多数の孔
パターンが形成された大孔側および小孔側の２枚
のパターン版をそれぞれ密着させて露光および現
像し、次いでレジスト膜の末露光部分を除去して
レジストパターンを形成し、このレジストパター
ンをマスクとして金属板をエツチングすることに
より製造される。このようなシヤドウマスクの製
造に用いられるパターン版は、従来、第１図に示
すように、成形前のシヤドウマスク板の外形に対
応する外枠パターン１が形成されたガラス乾板２
に、孔パターン３が有効部すなわち孔パターンの
集合体が占めるべき領域に相当する大きさに形成
された孔パターンフイルム４を貼り込み用テープ
５を用いて貼り付けることにより形成されてい
た。なお、第１図に示すパターン版は大孔側およ
び小孔側のいずれか一方であり、他方のパターン
版には外枠パターンが形成されている必要はな
い。
ジスト膜を塗布し、これらレジスト膜に多数の孔
パターンが形成された大孔側および小孔側の２枚
のパターン版をそれぞれ密着させて露光および現
像し、次いでレジスト膜の末露光部分を除去して
レジストパターンを形成し、このレジストパター
ンをマスクとして金属板をエツチングすることに
より製造される。このようなシヤドウマスクの製
造に用いられるパターン版は、従来、第１図に示
すように、成形前のシヤドウマスク板の外形に対
応する外枠パターン１が形成されたガラス乾板２
に、孔パターン３が有効部すなわち孔パターンの
集合体が占めるべき領域に相当する大きさに形成
された孔パターンフイルム４を貼り込み用テープ
５を用いて貼り付けることにより形成されてい
た。なお、第１図に示すパターン版は大孔側およ
び小孔側のいずれか一方であり、他方のパターン
版には外枠パターンが形成されている必要はな
い。
このような方法により形成されたパターン版に
よると、大孔側パターンと小孔側パターンとをそ
れぞれレジスト膜に互いに整合させて密着させた
場合、孔パターンフイルム４（フイルムベースは
合成樹脂である）の伸縮により位置合わせを精確
に行なうことができず、そのため精度よくシヤド
ウマスクを製造することが困難であつた。また、
上述の方法によると、シヤドウマスク１品種ごと
に有効部の大きさが異なる場合には孔パターンフ
イルムとしてその度に異なるものを作成する必要
があり、そのため効率が悪く、孔パターンのピツ
チおよび孔径に変更が無い場合には、多品種にわ
たつて同一の孔パターンフイルムを共用すること
が望まれていた。
よると、大孔側パターンと小孔側パターンとをそ
れぞれレジスト膜に互いに整合させて密着させた
場合、孔パターンフイルム４（フイルムベースは
合成樹脂である）の伸縮により位置合わせを精確
に行なうことができず、そのため精度よくシヤド
ウマスクを製造することが困難であつた。また、
上述の方法によると、シヤドウマスク１品種ごと
に有効部の大きさが異なる場合には孔パターンフ
イルムとしてその度に異なるものを作成する必要
があり、そのため効率が悪く、孔パターンのピツ
チおよび孔径に変更が無い場合には、多品種にわ
たつて同一の孔パターンフイルムを共用すること
が望まれていた。
本発明は、上記事情の下になされ、高精度かつ
高効率でシヤドウマスク用パターン版を製造する
ことを目的とする。
高効率でシヤドウマスク用パターン版を製造する
ことを目的とする。
即ち、本発明のシヤドウマスク用パターン版の
製造方法は、 (a) ポジ型孔パターンおよび周辺領域に位置合わ
せマークを有する孔パターン版の、シヤドウマ
スクの外形に対応する枠状領域に遮光層を形成
する工程、 (b) 前記遮光層が形成された孔パターン版をガラ
ス乾板上に重ねて第１の露光を行なう工程、 (c) 前記ガラス乾板の周辺領域にある位置合わせ
マークを部分現像する工程、 (d) シヤドウマスクの有効部に対応する遮光部、
シヤドウマスクの外形に対応する外枠パター
ン、および周辺領域に位置合わせマークを有す
る外形部マスク板を、前記ガラス乾板上に、両
者の位置合わせマークが合致するように重ねて
第２の露光を行ない、前記ガラス乾板の、前記
遮光部で覆われた領域以外の不要な孔パターン
の潜像を消去するとともに、外枠パターンの潜
像を形成する工程、 (e) 前記ガラス乾板全面を現像し、ネガ型孔パタ
ーンおよび外枠パターンを有するネガ型マスタ
ー版を作成する工程、および (f) 前記ネガ型マスター版を反転してポジ型パタ
ーン版を形成する工程を具備することを特徴と
する。
製造方法は、 (a) ポジ型孔パターンおよび周辺領域に位置合わ
せマークを有する孔パターン版の、シヤドウマ
スクの外形に対応する枠状領域に遮光層を形成
する工程、 (b) 前記遮光層が形成された孔パターン版をガラ
ス乾板上に重ねて第１の露光を行なう工程、 (c) 前記ガラス乾板の周辺領域にある位置合わせ
マークを部分現像する工程、 (d) シヤドウマスクの有効部に対応する遮光部、
シヤドウマスクの外形に対応する外枠パター
ン、および周辺領域に位置合わせマークを有す
る外形部マスク板を、前記ガラス乾板上に、両
者の位置合わせマークが合致するように重ねて
第２の露光を行ない、前記ガラス乾板の、前記
遮光部で覆われた領域以外の不要な孔パターン
の潜像を消去するとともに、外枠パターンの潜
像を形成する工程、 (e) 前記ガラス乾板全面を現像し、ネガ型孔パタ
ーンおよび外枠パターンを有するネガ型マスタ
ー版を作成する工程、および (f) 前記ネガ型マスター版を反転してポジ型パタ
ーン版を形成する工程を具備することを特徴と
する。
以下、図面を参照して、本発明の実施例につい
て説明する。
て説明する。
まず、孔パターン版１２の、シヤドウマスクの
外形に対応する枠状領域に遮光テープ等を貼つて
遮光領域１５を形成する。孔パターン版１２に
は、ポジ型孔パターン１３と周辺領域に４個の位
置合わせマーク１４とが設けられており、孔パタ
ーン１３は特殊な殖版装置により孔パターン版１
２の全面に形成されている。従つて、孔パターン
１３の１部は遮光領域１５により覆われることに
なる。次に、ガラス乾板１１上に上記孔パターン
版１２を重ね、露光を行ない、ガラス乾板１１に
孔パターンの潜像と位置合わせマークの潜像を形
成する。次いで、ガラス乾板１１の周辺領域に位
置合わせマーク１４′のみを部分現像する。部分
現像は、暗室内において、現像液および定着液を
現像すべき部分のみに塗布して現像することによ
り行なわれる。なお、部分現像後も露光に際し遮
光領域１５により覆われた部分を除く領域におい
て、孔パターンの潜像は残留している。
外形に対応する枠状領域に遮光テープ等を貼つて
遮光領域１５を形成する。孔パターン版１２に
は、ポジ型孔パターン１３と周辺領域に４個の位
置合わせマーク１４とが設けられており、孔パタ
ーン１３は特殊な殖版装置により孔パターン版１
２の全面に形成されている。従つて、孔パターン
１３の１部は遮光領域１５により覆われることに
なる。次に、ガラス乾板１１上に上記孔パターン
版１２を重ね、露光を行ない、ガラス乾板１１に
孔パターンの潜像と位置合わせマークの潜像を形
成する。次いで、ガラス乾板１１の周辺領域に位
置合わせマーク１４′のみを部分現像する。部分
現像は、暗室内において、現像液および定着液を
現像すべき部分のみに塗布して現像することによ
り行なわれる。なお、部分現像後も露光に際し遮
光領域１５により覆われた部分を除く領域におい
て、孔パターンの潜像は残留している。
その後、ガラス乾板１１上に外形部マスク１６
を重ねて露光を行なう。外形部マスク１６は、シ
ヤドウマスクの有効部即ち多数の孔が形成されて
いる部分に対応する遮光部１７、シヤドウマスク
の外形に対応する外枠パターン１８、および周辺
領域の位置合わせマーク１９を有するものであ
る。ガラス乾板１１と外形部マスク１６との位置
合わせは、ガラス乾板１１の位置合わせマーク１
４′と外形部マスク１６の位置合わせマーク１９
とを合致させることにより精度良く行なうことが
可能である。この露光によつて、ガラス乾板１１
においては、外形部マスク１６の遮光部１８で覆
われた領域以外の不要な孔パターンの潜像は消去
され、一方、外枠パターンの潜像が形成される。
を重ねて露光を行なう。外形部マスク１６は、シ
ヤドウマスクの有効部即ち多数の孔が形成されて
いる部分に対応する遮光部１７、シヤドウマスク
の外形に対応する外枠パターン１８、および周辺
領域の位置合わせマーク１９を有するものであ
る。ガラス乾板１１と外形部マスク１６との位置
合わせは、ガラス乾板１１の位置合わせマーク１
４′と外形部マスク１６の位置合わせマーク１９
とを合致させることにより精度良く行なうことが
可能である。この露光によつて、ガラス乾板１１
においては、外形部マスク１６の遮光部１８で覆
われた領域以外の不要な孔パターンの潜像は消去
され、一方、外枠パターンの潜像が形成される。
次に、ガラス乾板１１の消去されなかつた孔パ
ターンの潜像および外枠パターンの潜像を現像し
て、ネガ型の孔パターン２０および外枠パターン
２１を有するネガ型マスター版２２を作成する。
そして最後に、このマスター版２２を他のガラス
乾板に反転して、ポジ型の孔パターン２０′およ
び外枠パターン２１′を有するシヤドウマスク用
パターン版２３が得られる。
ターンの潜像および外枠パターンの潜像を現像し
て、ネガ型の孔パターン２０および外枠パターン
２１を有するネガ型マスター版２２を作成する。
そして最後に、このマスター版２２を他のガラス
乾板に反転して、ポジ型の孔パターン２０′およ
び外枠パターン２１′を有するシヤドウマスク用
パターン版２３が得られる。
以上説明した本発明の方法によると、従来の方
法のように孔パターンフイルムを貼りつけること
なく、ガラス乾板に孔パターンと外枠パターンと
を形成することが可能である。従つて、フイルム
の伸縮による精度の低下なしに、大孔側および小
孔側２板のパターン版を精度良く、金属板の表裏
に塗布されたレジスト層に密着させることが出来
る。また、ガラス乾板と外形部マスクとの位置合
わせは、ガラス乾板の部分現像により形成された
位置合わせマークを用いて、高精度で行なうこと
が可能である。更に、本発明の工程は、すべて暗
室内で連続的に行なうことができるので、工程に
要する時間の短縮が可能であり、それによつて工
程途中の経時変化、例えば感光度の変化等による
トラブルを生ずることもない。
法のように孔パターンフイルムを貼りつけること
なく、ガラス乾板に孔パターンと外枠パターンと
を形成することが可能である。従つて、フイルム
の伸縮による精度の低下なしに、大孔側および小
孔側２板のパターン版を精度良く、金属板の表裏
に塗布されたレジスト層に密着させることが出来
る。また、ガラス乾板と外形部マスクとの位置合
わせは、ガラス乾板の部分現像により形成された
位置合わせマークを用いて、高精度で行なうこと
が可能である。更に、本発明の工程は、すべて暗
室内で連続的に行なうことができるので、工程に
要する時間の短縮が可能であり、それによつて工
程途中の経時変化、例えば感光度の変化等による
トラブルを生ずることもない。
第１図は、従来の方法により得たシヤドウマス
ク用パターン版の平面図、および第２図は本発明
の一実施例であるシヤドウマスク用パターン版の
製造工程図である。 １，１８，２１，２１′……外枠パターン、２，
１１……ガラス乾板、３，２０，２０′……孔パ
ターン、４……孔パターンフイルム、５……貼り
込み用テープ、１２……孔パターン板、１４，１
４′，１９……位置合わせマーク、１５……遮光
領域、１６……外形部マスク、１７……遮光部、
２２……マスター板、２３……シヤドウマスク用
パターン版。
ク用パターン版の平面図、および第２図は本発明
の一実施例であるシヤドウマスク用パターン版の
製造工程図である。 １，１８，２１，２１′……外枠パターン、２，
１１……ガラス乾板、３，２０，２０′……孔パ
ターン、４……孔パターンフイルム、５……貼り
込み用テープ、１２……孔パターン板、１４，１
４′，１９……位置合わせマーク、１５……遮光
領域、１６……外形部マスク、１７……遮光部、
２２……マスター板、２３……シヤドウマスク用
パターン版。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) ポジ型孔パターンおよび周辺領域に位置
合わせマークを有する孔パターン版の、シヤド
ウマスクの外形に対応する枠状領域に遮光層を
形成する工程、 (b) 前記遮光層が形成された孔パターン版をガラ
ス乾板上に重ねて第１の露光を行なう工程、 (c) 前記ガラス乾板の周辺領域にある位置合わせ
マークを部分現像する工程、 (d) シヤドウマスクの有効部に対応する遮光部、
シヤドウマスクの外形に対応する外枠パター
ン、および周辺領域に位置合わせマークを有す
る外形部マスク板を、前記ガラス乾板上に、両
者の位置合わせマークが合致するように重ねて
第２の露光を行ない、前記ガラス乾板の、前記
遮光部で覆われた領域以外の不要な孔パターン
の潜像を消去するとともに、外枠パターンの潜
像を形成する工程、 (e) 前記ガラス乾板全面を現像し、ネガ型孔パタ
ーンおよび外枠パターンを有するネガ型マスタ
ー版を作成する工程、および (f) 前記ネガ型マスター版を反転してポジ型パタ
ーン版を形成する工程 を具備するシヤドウマスク用パターン版の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032841A JPS60176041A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | シヤドウマスク用パタ−ン版の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59032841A JPS60176041A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | シヤドウマスク用パタ−ン版の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60176041A JPS60176041A (ja) | 1985-09-10 |
| JPS6319861B2 true JPS6319861B2 (ja) | 1988-04-25 |
Family
ID=12370040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59032841A Granted JPS60176041A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | シヤドウマスク用パタ−ン版の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60176041A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4107762B4 (de) * | 1990-03-09 | 2006-07-13 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Verfahren zum Herstellen von Master- und Arbeitsmusterplatten für den Ätzprozess |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4957768A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-06-05 | ||
| JPS5355218A (en) * | 1976-10-27 | 1978-05-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Positioning method of multiilaminated printing |
| JPS5835538A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ンマスクの作製方法 |
| JPS6319861A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 抵抗素子 |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP59032841A patent/JPS60176041A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4957768A (ja) * | 1972-10-04 | 1974-06-05 | ||
| JPS5355218A (en) * | 1976-10-27 | 1978-05-19 | Tokyo Shibaura Electric Co | Positioning method of multiilaminated printing |
| JPS5835538A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-02 | Mitsubishi Electric Corp | パタ−ンマスクの作製方法 |
| JPS6319861A (ja) * | 1986-07-11 | 1988-01-27 | Mitsubishi Electric Corp | 抵抗素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60176041A (ja) | 1985-09-10 |
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