JPS6017907Y2 - フオト・マスク - Google Patents
フオト・マスクInfo
- Publication number
- JPS6017907Y2 JPS6017907Y2 JP1975112546U JP11254675U JPS6017907Y2 JP S6017907 Y2 JPS6017907 Y2 JP S6017907Y2 JP 1975112546 U JP1975112546 U JP 1975112546U JP 11254675 U JP11254675 U JP 11254675U JP S6017907 Y2 JPS6017907 Y2 JP S6017907Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- working
- pattern
- substrate
- mask pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は、精密にマスク・パターンを転写できるフォト
・マスクに関する。
・マスクに関する。
現在、半導体装置を製造する場合、フォト・リングラフ
ィを利用して諸種の加工を施すことが主流をなしている
。
ィを利用して諸種の加工を施すことが主流をなしている
。
フォト・リソグラフィでは、フォト・レジストを塗布し
た半導体ウェハにワーキング・マスク或いはプロダクシ
ョン・マスクと呼ばれるフォト・マスクを密接させ、そ
の上から紫外線を照射してフォト・レジストを感光させ
、現像を行なって半導体装置のエツチング・マスクを形
成している。
た半導体ウェハにワーキング・マスク或いはプロダクシ
ョン・マスクと呼ばれるフォト・マスクを密接させ、そ
の上から紫外線を照射してフォト・レジストを感光させ
、現像を行なって半導体装置のエツチング・マスクを形
成している。
ここで使用するワーキング・マスクは回路図から、多く
の転写を経て形成される。
の転写を経て形成される。
即ち；回路図から、その回路をユニット・セル・パター
ンの各工程のセットに分解したレイアウト図を作り、そ
のレイアウト図の１００〜５０ｏ＠の原図を作り、その
原図を写真縮少して最終寸法のＷ倍のレチクルを作り、
そのレチクルから最終寸法のマスタ・マスクを作り、そ
のマスク・マスクからワーキング・マスクを作るもので
ある。
ンの各工程のセットに分解したレイアウト図を作り、そ
のレイアウト図の１００〜５０ｏ＠の原図を作り、その
原図を写真縮少して最終寸法のＷ倍のレチクルを作り、
そのレチクルから最終寸法のマスタ・マスクを作り、そ
のマスク・マスクからワーキング・マスクを作るもので
ある。
前記工程に於いて、マスク・マスクからワーキング・マ
スクを作る場合は、所謂コンタクト・プリントが行なわ
れる。
スクを作る場合は、所謂コンタクト・プリントが行なわ
れる。
即ち、マスク・マスクにワーキング・マスク材を密接さ
せてマスク・パターンの転写を行なうものである。
せてマスク・パターンの転写を行なうものである。
これを第１図及び第２図を参照しつつ更に詳細に説明す
る。
る。
第１図はマスタ・マスク１とワーキング・マスク材２と
を対向させた状態の斜視図、第２図はマスタ・マスク１
とワーキング・マスク材２とを密接対向させた状態の側
断面図である。
を対向させた状態の斜視図、第２図はマスタ・マスク１
とワーキング・マスク材２とを密接対向させた状態の側
断面図である。
さて、マスク・マスク１は、例えばガラス基板ＩＡ上に
クロム（Ｃｒ）皮膜のマスク・パターンＩＢが形成され
たものからなっている。
クロム（Ｃｒ）皮膜のマスク・パターンＩＢが形成され
たものからなっている。
また、ワーキング・マスク材２は、例えばガラス基板２
Ａ上にクロム皮膜２Ｂ及びフォト・レジスト層２Ｃを順
次形成したものからなっている。
Ａ上にクロム皮膜２Ｂ及びフォト・レジスト層２Ｃを順
次形成したものからなっている。
そして、マスタ・マスク１とワーキング・マスク２とは
、マスク・パターンＩＢとフォト・レジスト層２Ｃと、
が対向するようにして密接させ、その周辺を例えばゴム
の如く弾力性ある軟質のカバー３で被覆し、そのカバ−
３内部を排気管３Ａを介して真空に排気し、マスタ・マ
スク１とワーキング・マスク材２とが大気圧の力を借り
て、より一層密着するようになし、図に矢印で示すよう
に紫゛外綿を照射してフォト・レジスト層２’Ｃを露光
し、その後マスタ・マスク１とワーキング・マスク材２
とを引き放し、フォト・レジスト層２Ｃの現像、パター
ニングされたフォト・レジスト層２Ｃをマスクとしてク
ロム皮膜２Ｂのエツチングを行なってマスク・パターン
を形成し、フォト・レジスト層２Ｃを除去してワーキン
グ・マスクを完成する。
、マスク・パターンＩＢとフォト・レジスト層２Ｃと、
が対向するようにして密接させ、その周辺を例えばゴム
の如く弾力性ある軟質のカバー３で被覆し、そのカバ−
３内部を排気管３Ａを介して真空に排気し、マスタ・マ
スク１とワーキング・マスク材２とが大気圧の力を借り
て、より一層密着するようになし、図に矢印で示すよう
に紫゛外綿を照射してフォト・レジスト層２’Ｃを露光
し、その後マスタ・マスク１とワーキング・マスク材２
とを引き放し、フォト・レジスト層２Ｃの現像、パター
ニングされたフォト・レジスト層２Ｃをマスクとしてク
ロム皮膜２Ｂのエツチングを行なってマスク・パターン
を形成し、フォト・レジスト層２Ｃを除去してワーキン
グ・マスクを完成する。
ところで、このようにして作成したワーキング・マスク
のマスク・パターンは、マスタ・マスク１のマスク・パ
ターンと比較すると、忠実な転写が行なわれていないこ
とが多い。
のマスク・パターンは、マスタ・マスク１のマスク・パ
ターンと比較すると、忠実な転写が行なわれていないこ
とが多い。
即ち、マスク・パターンの精密性が劣り、また、パター
ンの伸縮、所謂ランナウト（ｒｕｎｏｕｔ）が生ずる。
ンの伸縮、所謂ランナウト（ｒｕｎｏｕｔ）が生ずる。
本考案は、マスク・マスクと他のマスク材とを重ね合せ
て密着させ、所謂、コンタクト・プリントに依って新た
なマスクを形成するのに使用する前記マスク・マスクの
構造を改善し、そのマスク・マスクと他のマスク材とを
良好に密着させ、精密なパターン転写を行ない得るよう
にすることを目的とし、基板上にポジ型フォト・レジス
トを用いて形成されたマスク・パターン領域、前記基板
に於ける表面の全周辺に亘すマスク・パターン用被膜が
完全に除去されて該基板面が露出された領域を備えてな
ることを特徴とするフォト・マスク、を提案するもので
、以下これを詳細に説明する。
て密着させ、所謂、コンタクト・プリントに依って新た
なマスクを形成するのに使用する前記マスク・マスクの
構造を改善し、そのマスク・マスクと他のマスク材とを
良好に密着させ、精密なパターン転写を行ない得るよう
にすることを目的とし、基板上にポジ型フォト・レジス
トを用いて形成されたマスク・パターン領域、前記基板
に於ける表面の全周辺に亘すマスク・パターン用被膜が
完全に除去されて該基板面が露出された領域を備えてな
ることを特徴とするフォト・マスク、を提案するもので
、以下これを詳細に説明する。
本考案では、第１図及び第２図に見られるマスク・マス
ク１のマスク・パターンをワーキング・マスク材２に忠
実に転写できない理由の一つが、マスタ・マスク１とワ
ーキ゛ング・マスク材２との密着性に在ることを見出し
た。
ク１のマスク・パターンをワーキング・マスク材２に忠
実に転写できない理由の一つが、マスタ・マスク１とワ
ーキ゛ング・マスク材２との密着性に在ることを見出し
た。
即ち、第２図に見られる如く、マスタ・マスク１とワー
キング・マスク材２とを重ね合せ、真空に排気を行なっ
てモ、マスタ・マスク１のマスク・パターン領域外であ
る周縁にクロム皮膜が帯状に残留しているので、それが
障害となって排気が完全に行なわれず、空所ＩＢ’に空
気が残留し、マスタ・マスク１とワーキング・マスク材
２との良好な密着が得られないとともに紫外線が空気に
よって回折するためである。
キング・マスク材２とを重ね合せ、真空に排気を行なっ
てモ、マスタ・マスク１のマスク・パターン領域外であ
る周縁にクロム皮膜が帯状に残留しているので、それが
障害となって排気が完全に行なわれず、空所ＩＢ’に空
気が残留し、マスタ・マスク１とワーキング・マスク材
２との良好な密着が得られないとともに紫外線が空気に
よって回折するためである。
前記帯状のクロム皮膜は、精密パターン形成にネガ型フ
ォト・レジストより有利であるポジ型フォト・レジスト
を使用した場合に必ず形成される。
ォト・レジストより有利であるポジ型フォト・レジスト
を使用した場合に必ず形成される。
そこで、第３図に見られる如く、本考案のマスク・マス
ク１′では、帯状のクロム皮膜を除去しである。
ク１′では、帯状のクロム皮膜を除去しである。
これに依り、第２図に見られる如き真空排気に対する障
害物は除去され、良好な排気が可能となり、特に問題と
なる中央近傍に於けるマスタ・マスク１とワーキング・
マスク材との密着性は著しく改善され、又空気による光
線の回折がなくなるためパターン解像力は向上し、ラン
ナウトも減少する。
害物は除去され、良好な排気が可能となり、特に問題と
なる中央近傍に於けるマスタ・マスク１とワーキング・
マスク材との密着性は著しく改善され、又空気による光
線の回折がなくなるためパターン解像力は向上し、ラン
ナウトも減少する。
以上の説明で判るように、本考案フォト・マスクでは、
マスク・パターン領域外に於けるマスク・パターン形成
用の皮膜を除去した簡単な構成に依り、コンタクト・プ
リントを行なう場合の他のマスク材との密着性を改善し
、マスク・パターンの転写を高い忠実度をもって実行す
ることができる。
マスク・パターン領域外に於けるマスク・パターン形成
用の皮膜を除去した簡単な構成に依り、コンタクト・プ
リントを行なう場合の他のマスク材との密着性を改善し
、マスク・パターンの転写を高い忠実度をもって実行す
ることができる。
第１図は従来例を説明する斜視図、第２図は同じく側断
面図、第３図は本考案−実施例の斜視図をそれぞれ表わ
す。 図に於いて、１はマスク・マスク、ＩＡは基板、ＩＢは
マスク・パターン、ＩＢ′は空所をそれぞれ示す。
面図、第３図は本考案−実施例の斜視図をそれぞれ表わ
す。 図に於いて、１はマスク・マスク、ＩＡは基板、ＩＢは
マスク・パターン、ＩＢ′は空所をそれぞれ示す。
Claims (1)
- 基板上にポジ型フォト・レジストを用いて形成されたマ
スク・パターン領域、前記基板に於ける表面の全周辺に
亘すマスク・パターン用被膜が完全に除去されて該基板
面が露出された領域を備えてなることを特徴とするフォ
ト・マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1975112546U JPS6017907Y2 (ja) | 1975-08-13 | 1975-08-13 | フオト・マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1975112546U JPS6017907Y2 (ja) | 1975-08-13 | 1975-08-13 | フオト・マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5226880U JPS5226880U (ja) | 1977-02-24 |
| JPS6017907Y2 true JPS6017907Y2 (ja) | 1985-05-31 |
Family
ID=28593670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1975112546U Expired JPS6017907Y2 (ja) | 1975-08-13 | 1975-08-13 | フオト・マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6017907Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180044511A (ko) * | 2016-10-24 | 2018-05-03 | 와토스코리아 주식회사 | 양변기의 트랩과 플랜지의 결합구조 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023275A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-12 |
-
1975
- 1975-08-13 JP JP1975112546U patent/JPS6017907Y2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5023275A (ja) * | 1973-06-29 | 1975-03-12 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180044511A (ko) * | 2016-10-24 | 2018-05-03 | 와토스코리아 주식회사 | 양변기의 트랩과 플랜지의 결합구조 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5226880U (ja) | 1977-02-24 |
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