JPS6114721A - マスク作製方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は電子ビーム露光等による超微細パターンのマス
ク作製方法に関する。

近年超大規模集積回路（ＶＬＳＩ）製造用のマスクのパ
ターンはまずます微細化され、その作製に電子ビーム露
光が多用されるようになった。

電子ビーム露光で、矩形に成形された電子ビームをパタ
ーンに従って順次露光してゆく方式においては、矩形ビ
ームのショット毎に発生ずる熱の除去が、パターン形成
上の重要な問題点であり、種々の工夫がなされている。

〔従来の技術〕

第３図は従来例によるマスク作製方法を工程順に示す断
面図である。

第３図ｔｅｌにおいて、電子ビーム露光によるマスクま
たはレティクル（実際に半導体ウェーハをパターニング
するコピー・マスクを作製するために使用する、５倍ま
たは１０倍に拡大された原板マスク）の作製において、
ガラスまたは石英よりなる基板１に遮光膜２として厚さ
数１．００人のクロム（Ｃｒ）膜を被着したものをブラ
ンクスとして用い、この上に電子ビーム用レジスト３を
塗布し、レジスト３のブリヘークを行う。

第３図ｆｂｌにおいて、電子ビームで露光し、現像を行
ってレジスト３をパターニングし、レジスト３のポスト
ヘークを行う。

第３図ＦＣ＋において、レジスト３をマスクにして遮光
膜２のエツチングを行い、遮光膜２をパターニングする
。

第３図＋ｄｉにおい′Ｃ、レジスト３を！ｆｉ１離して
マスクが完成する。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の１′、稈においては、マスクの基板が絶縁体で、
Ｃｒ膜は穫めて薄いため露光位置に鳩が溜り、そのため
局部的にレンズＩ・の感度が増して、得られたパターン
は電子ビームのショット毎に周辺部が樽型にふ（らみ、
ホケを牛しる。

［問題点を解決するための手段〕 ｌ二記問題点の解決は、基板りに遮光膜と該遮光膜より
熱伝導度の高い熱伝導層とレジストとを順次破着後、該
基板に露光を行って該レジストをパターニングし、パタ
ーニングされた該レジストをマスクにしたエツチングに
より該熱伝導層と該遮光膜とをパターニングし７た後、
該レジストと該熱伝導層とを除去する本発明によるマス
ク作製方法により達成される。

（作用〕 本発明によれば、露光時電子ビームのンヨソト毎に発生
する熱を熱伝導層を通じて逃がすごとができるため、レ
ジストの加熱による感度の増加をきたすことはなく、正
確な微細パターンを得ることができる。

〔実施例〕

第１図は本発明によるマスク作製方法を工程順に示す断
面図である。

第１図＋ａ＋において、ガラスまたは石英よりなる５イ
ンチ角の基板ｌに遮光膜２として厚さ７００人のＣｒ膜
を被着したブランクス−１−に、熱伝導層４として厚さ
５０００人のアルミニウム（Ａ１）層をスパッタ法によ
り被着する。さらにその」−にレジスト３として厚さ１
００００　人の電子ビーム用ポジ型レジストＰＭＭＡ　
（ポリメチルメタクリレート）を回転塗布し、レジスト
３のプリベーク（１７０℃、２０ｍ１ｎ、）を行う。

第１図（ｂｌにおいて、電子ビームで露光（２０ｋＶ、
　８Ｘ　１０−５Ｃ／　ｃｍ”）　シ、ＭｉＢＫ（メチ
ルイソブチルケトン）で現像を行ってレジスト３をパタ
ーニングし、レジスト３のポストヘーク（１００°Ｃ，
２０ｍ１ｎ、）を行う。

第１図ｉｃｌにおいて、レジスト３をマスクにして熱伝
導層４と遮光膜２のエツチングを行い、熱伝導層４と遮
光膜２をパターニングする。

熱伝導層４のＡ１エツチングは０．２Ｔｏｒｒに減圧し
て四塩化炭素（ＣＣＩ、）と三塩化ポロン（ＢＣｌ２）
の混合ガスを用いて、周波数１３．５６ＭＩＩｚのＲＦ
電力を　８０〇−加え”ζドライエツチングを行う。引
き続いて遮光膜２のＣｒエツチングも同様に行う。

第１図ｆｄｌにおいて、レジスト３を剥離し、熱伝導層
４のＡＩを燐酸と硝酸の混液を用いたウェットエツチン
グにより除去する。このエツチングによると、下地の遮
光膜２のＣｒはエツチングされない。

以上によりマスクが完成する。

第２図は３μｍ角に成形された電子ビームのショット毎
に生ずるパターンの直線性のゆらぎを示す平面図である
。

図において、パターンの幅ｄが、 ｄ＝３μｍ に対し、ゆらぎの幅Δｄは、 従来例では、　Δｄ＝０．６μｍ。

本発明では、　Δｄ＝０．１　μｍ。

である。

実施例では熱伝導層４としてＡ１を用いたが、これの代
わりに熱伝導率が大きくて、遮光膜のＣｒに対してエツ
チングの選択比の大きい物質を選んでもよい。

〔発明の効果〕

以上詳細に説明したように、電子ビーム露光で得られた
パターンは電子ビームのショット毎に周辺部が樽型にふ
くらみ、パターンの直線性にゆらぎを生じていたが、本
発明によりこのゆらぎの幅を１１５以下に小さくするこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

第１図＋ａ＋乃至＋ｄｌは本発明によるマスク作製方法
を工程順に示す断面図、 第２図は３μｍ角に成形された電子ビームのショット毎
に生ずるパターンの直線性のゆらぎを示す平面図、 第３図ｆａｔ乃至ｆｄ）は従来例によるマスク作製方法
を工程順に示す助面図である。 図において、 ｌｌ！基板、　　　　　　２は遮光膜、３はレジスト、
　　　　４は熱伝導層、ｄはパターンの幅、　　Δｄは
ゆらぎの輻を示す。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　基板上に遮光膜と該遮光膜より熱伝導度の高い熱伝導
   層とレジストとを順次被着後、該基板に露光を行って該
   レジストをパターニングし、パターニングされた該レジ
   ストをマスクにしたエッチングにより該熱伝導層と該遮
   光膜とをパターニングした後、該レジストと該熱伝導層
   とを除去することを特徴とするマスク作製方法。