JPS6292439A

JPS6292439A - パタ−ン形成方法

Info

Publication number: JPS6292439A
Application number: JP60232984A
Authority: JP
Inventors: Kunihiko Ueno; 邦彦上野
Original assignee: Hoya Corp
Current assignee: Hoya Corp
Priority date: 1985-10-18
Filing date: 1985-10-18
Publication date: 1987-04-27
Also published as: JPH033373B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、各種のディスプレイ及び半導体集積回路など
の微細加工において利用されるパターン形成方法に関し
、特に、大τ１のパターンを被転写板に転写するのに有
用なパターン形成方法に関する。

（従来の技術）従来のパターン形成方法として光学式パターンジェネレ
ータを使用する方法が知られている。この光学式パター
ンジェネレータは、キセノンランプなどの光源から発光
する光をコンデンリレンズで集光し、バリアプルアパー
チャを通して拡大（例：５〜１０倍）された矩形を形成
し、この矩形を縮小投影レンズを通して縮小（例：　１
１５　ヘ、１／１０倍）して、ＸＹステージ十に設置さ
れた被転写板（例ニレジス１へを塗布した）ｔ　ｌ−マ
スクブランク）に露光する装置である。ここで、パリア
ブルアバーブｔ７は４枚のブレードＣ矩形を形成し、向
かい合ったブレードの間隔を調整ＪることにＪ、す、任
意の矩形が１１られる。そして、ＸＹスｉ−ジは、光波
干渉を利用Ｌ／　Ｉご８！１艮機やリニアＴンー１−ダ
等の測長機と接続されて、ＸとＹの各テーブルを駆動調
整して、被転写板に露光ずべきパターンを４ｉ１置決め
する。上記露光後、現像・エツチング・レジスト剥１の
所定の■稈を杆で、被転写板上にパターンを形成づる。

〔発明が解決しようとＪる問題点〕

しかしながら、被転写板上に形成すべきパターン寸法が
大型になった場合、これに見合った測長機の大型化が必
要になり、この大型化に伴って、機械加工精度の限界に
より測長機の精度が低下し、結局パターンの位置決め精
度の低下を余儀なくされる。また、バリアプルアパーチ
ャによる矩形の位置決め粘度の低下により解像度が低下
し、更に縮小投影レンズにおいても解像度が低下してし
まう。

本発明は、１記した問題烈を解決するためになされたも
のであり、被転写板上に形成すべぎパターン外側法が大
型にｔＴつだ場合においても、パターンの位置決め精度
と解像度を高くしたパターン形成方法を提供することを
目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、上記した目的を達成するためになされたもの
であり、所望のパターンを複数個に分割１ノで分割パタ
ーンをそれぞれ形成すると共に、前記分割パターンのそ
れぞれのパターン内又はパターン外に原版マスク用アラ
イメントマークをそれぞれ形成した複数個の原版マスク
と、前記原版マスク用アライメントマークに適合して前
記分割パターンから前記所望のパターンを合成する位置
関係にある合成用アライメントマークを形成したアライ
メン］・用マスクとを製作し、レジストを塗布した被転
写板に前記アライメントマークを通して露光して前８Ｃ
合成用アライメン］〜マークを転写した後に、前記被転
写板を現像し、エツチングし、レジスト剥離することに
より、前記合成用アライメントマークを形成した合成用
アライメン：〜マーク入り被転写板を製作し、次にレジ
ストを塗布【ノた前記合成用アライメントマーク入り被
転写板に転写された前記合成用アライメントマークに前
記原版マスク用アライメントマークを適合させ、前記原
版マスクを通して１個ずつ露光して前記分割パターンを
転写した後に、前記合成用アライメントマーク入り被転
写板を現像し、エツチングし、レジスト剥離することに
より、前記所望のパターンを形成することを特徴とする
パターン形成方法である。

〔作　用〕

本発明によれば、所望のパターン寸法が大３すであって
も、原版マスクを通して被転写版のレジストに分割パタ
ーンに対応して未露光部分又は露光部分を転写し、次に
被転写板を一括しで現像し、エツチングし、レジスト剥
離することから、上述した大型化の弊害を除去し、パタ
ーンの位置決め精度と解像瓜を良好にし、更に製造効率
を向上させることができる。なお、原版マスク用アライ
メントマークは、合成用アライメントマーク入り被転写
板上においてエツチング■稈で遮光性膜が除去される部
分に位置するので、合成用アライメントマーク入り被転
写板に転写されない。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例について詳細に説明する。

本実施例の所望の大型パターンは、第２図に示１ように
フォトマスク１に形成されたＦ字状の白抜き大型パター
ン２である。この白抜き大型パターンは、遮光性膜がパ
ターン外側にあって、内側にないものである。このフォ
トマスク１は、寸法３２０ｍｍ［］ｘ　２．３ｎ＋ｍ１
ノソーダ７−１’ムガ７　スからなる透光性基板−トに
ＣｒとＣｒｘ　　ｏＹからなる遮光性膜を被着し、フ第
１・リソグラフィ工程を経て、この遮光性膜を選択的に
パターン化して、Ｆ字状の大型パターン２を形成したも
のであり、このパターンエリアは２５０ＩＩＩＩｌ　　
である。

この所望の大型パターン２は、電子線描画装置／でＸＹ
座標のパターンデータ入力操作により４分割され、パタ
ーンデータトｃ１第３図（ａ）　、　（ｂ）　。

（Ｃ）及び（ｄ）にぞれぞれ示ＪＪ：うな分割パターン
３．４．５及び６を設定し、さらに、第４図に示すよう
に、前述した電子線描画装置の露光可能領Ｉ＃ｉＡ内で
、かつこれ等の分割パターン３〜６のパターン内に、原
版マスク用アライメン１へン−り（７，８）　、　　（
９，１０＞　、　　（１１，１２）及び（１３゜１４）
もパターンデータ十で設定する。次に、第５図に示すよ
うに、Ｄｒｔ版マスク用アライメン１〜マーク７〜１４
に適合し−ｃ分割パターン３〜６から所望の大型パター
ン２を合成り−る位置関係にある白抜き十字状の合成用
アライメントマーク７′〜１４′をパターンデータトで
設定する。

次に、上記パターンデータの被転写板として、第６図に
示すＪ：うに透光ｆ’ｌ　Ｍ板１５（例：石英ガラス）
上に、スパッタリング法により成膜した遮光性１１１１
６（例：Ｃ「膜、膜厚１００人）と、スピン」−タ法に
より塗布したポジ型電子線レジスト１７（例：ＰＢＳ　
（チッソＩＩ製）、膜厚４０００人）を形成してなるフ
ォトマスクブランクを５枚用意する。なお、上記レジス
］・１１はポジ型であるが、パターンデータを反転させ
れば、ネガ型（例：　ＣＨ３−ＥＸ（Ｓ’Ｓ）（東洋費
達■業■製））を使用してもよい。

この５枚のフォトマスクブランクに対して、前述した電
子線描画装置内で設定された、分割パターン３及び原版
マスク用アライメントマーク（７゜８）と、分割パター
ン４及び原版マスク用アライメントマーク（９，１０）
と、分割パターン５及び原版マスク用アライメン１〜マ
ーク（１１，１２）と、分割パターン６及び原版マスク
用アライメントマーク（１３，１４）と、合成用アライ
メントマーク７′〜１４′　とをそれぞれ描画露光し、
専用現像液（例：ＰＢＳＥ！ｉ用デベロッパ（チッソ■
製））を用いて現像し、ボストベークを行った後、エツ
チング液（例：硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素
酸を混合した水溶液）を用いてエツチングを行い、次に
剥離液（例：１１硫酸と過酸化水素水の混合液）を用い
てレジスＩ・剥離を行う所定のフｔ　ｌ−リソグラフィ
■程を経て、第３図（ａ）　、　（ｂ）　、　（ｃ）及
び（ｄ）にそれぞれ示した原版マスク１８．１９゜２０
及び２１と、第５図に示しｌ、ニアライメンＩ〜用マス
ク２２とを製作する。

次に、第２図に示した本実施例の所望の大型パターン２
を転写する被転写板どして、第７図に示すように透光性
基板２３（例：ソーダライムガラス、寸法２８０＋ｌ１
ｍ口ｘ　２．３＋ａｍｊ）−にに、スパッタリング法に
より成膜した遮光性膜２４（例：Ｍ板２３からＣｒ膜と
Ｃｒｘ　　ｏＹ膜１合計１膜厚７００人）と、ロールコ
ート法により塗布したポジ型フＡ１〜レジスト２５（例
：　ＡＺ−１３５０（ヘキストジャパン（！木製）、膜
厚８０００人）を形成してなるフォトマスクブランク２
６を用意する。

次に、第５図に示したアライメントマーク２２をフォ］
・マスクブランク２６１−の中央部の所定位置に密着固
定して、紫外線光を上方からアライメントマーク２２を
通し、このアライメントマーク２２以外のエリアをアバ
ーブヤによって連光してフＡトマスクブランク２６のレ
ジス１〜２５に露光し、専用現像液（例：へｌ専用デベ
ロッパ（ヘキスｌ−ジャパン−製））を用いて現像し、
エツチング液（例：硝酸第二セリウムアンモニウムと過
塩素酸を混合した水溶液）を用いてエツチングを行い、
次に剥離液（例：ｍ硫酸と過酸化水素水の混合液）を用
い−（レジスト剥離を行う所定のフォトリソグラフィ工
程を経て、白抜き十字状の合成用アライメントマーク７
′〜１４′を転写して、第８図に示すような合成用アラ
イメントマーク入り被転写板２６０を製作する。

次に、この被転写板２６０上に前述したポジ型）Ｊ　ｌ
−レジスト２５と同様のレジス１−を塗布した後、第３
図（ａ）に示した原版マスク１８を被転写板２６０上の
左側−Ｌ部に密着固定する。その際、光学顕微鏡を通し
て、原版マスク１８の原版マスク用アライメン１〜マー
ク７．８を被転写板２６０上の合成用アライメントマー
ク７’　、８’　にそれぞれ位置合わせして設冒する。

そして、紫外線光を上方から原版マスク１８を通し、こ
の原版マスク１８以外のエリアをアパーチャによって遮
光して被転写板２６０−１：のレジストに露光して、第
１図（ａ）に示−６３１、うなレジストパターン（＝ｊ
き被転写板２６１を製作覆る。

この被転写板２６１には、原版マスク１８の分割パター
ン３に対応した分割パターン用露光部分３′が転写され
、その他の「す７に未露光部分２１が保持されている。

次に、先の原版マスク１８を取り外して、第３図（ｂ）
に示した原版マスク１９を第１図（ａ）に示し／ｊ被転
写板２６１．１：の右側１一部に設置する。その際にも
、光学顕微鏡を通して、原版マスク１９の原版マスク用
アライメントマーク９．１０を被転写板２６１上の合成
用アライメン１−７−ウ９’　、　１０’　にぞれぞれ
位置合わせして設置する。そして、原版マスク１９を被
転写板２６１上に密着固定して、前述したと同様に、紫
外線光を上方から原版マス／／１りを通し、この原版マ
スク１９以外のエリアをアパーブｔ・によって遮光して
被転写板２６１上の未露光部分２７に露光して、第１図
（ｂ）に示すようなレジストパターン付き被転写板２６
２を製作覆る。この被転写板２６２には、原版マスク１
９の分割パターン４に対応した分割パターン用露光部分
４′が新たに転写形成され、先に転写された分割パター
ン用露光部分３′と今回転写の分？１１１パターン用露
光部分４′とで合成露光部２８を形成している。なお、
今回と前回露光されなかったエリアは未露光部分２９と
して保持される。

次に、先の原版マスク１９を取り外して、第３図（Ｃ）
に示した原版マスク２０を前述した被転写板２６２上の
左側下部に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通して
、原版マスク２０の原版マスク用アライメン１〜マーク
１１．１２を被転写板２６２上の合成用アライメントマ
ーク１１’　、　１２’にそれぞれ位置合わせして設置
する。そして、原版マスク２０を被転写板２６２−１−
に密着固定して、前述したと同様に、紫外線光を上方か
ら原版マスク２０を通し、この原版マスク２０以外のエ
リアをアパーチャによって遮光して被転写板２６２上の
未露光部分２９に露光して、第１図（Ｃ）に示ずような
レジストパターン付き被転写板２６３を製作する。この
被転写板２６３には、原版マスク２０の分割パターン５
に対応した分割パターン用露光部分５′が新たに転写形
成され、先に転写された分割パターン用露光部分３′及
び４′と今回転写の分割パターン用露光部分５′とで合
成露光部３０を形成し“Ｃいる。ここでも、今回までに
露光されなかったエリアは、未露光部分３１として保持
される。

そして最後に、先の原版マスク２０を取り外して、第３
図（ｄ）に示した原版マスク２１を前述した被転写板２
６３上の右側下部に設置する。その際にも、光学顕微鏡
を通して、原版マスク２１の原版マスク用アライメント
マーク１３及び１４をぞれぞれ被転写板２６３上の合成
用アライメントマーク１３′及び１４′に位置合わせし
て設置する。そして、原版マスク２１を被転写板２６３
上に密着固定して、前述したと同様に、紫外線光を上方
から原版マスク２１を通して、この原版マスク２１以外
の］−リアをアパーチャによって遮光して被転写板２６
３上の未露光部分３１に露光して、第１図（ｄ）に示Ｊ
ようなレジストパターン付き被転写版２６４を製作する
。この被転写版２６４には、原版マスク２１０分割パタ
ーン６に対応した分割パターン用露光部分６′が新たに
転写形成され、先に転写された分割パターン用露光部分
３’　、４’及び５′と今回転写の分割パターン用露光
部分６′とで合成露光部３２を形成している。ここでも
、今回までに露光されなかったエリアは未露光部ブ）３
３として保持される。

次に、合成露光部３２が転写された被転写板２６４を専
用現像液（例：＾ｌ専用デベロッパ（ヘキストジャパン
１１！ＩＩＪ））を用いて現像し、エツチング液（例：
硝酸第二セリウムアンモニウムと過塩素酸を涙金した水
溶液）を用いてエツチングを行い、次に剥１ＩＩＩｔ液
（例：ＩＩ硫酸と過酸化水素水の混合液）を用いてレジ
ス］へ剥離を行う所定のフォＩ・リソグラフィ工程を経
て、この合成露光部３２と対応した、第２図に示したと
同様な所望の白抜き大型パターン２が形成される。なお
、第１図（ｄ）に示した合成露光部３２内のレジストの
下にある合成用アライメントマーク７′〜１４′　は上
記エツチング時に除去される。

＝　１４− 以上の通り転写された分割パターン用露光部分３’　、
４’　、５’及び６′は、後の分割パターン用露光部分
（例：６′　）が転写欝の分割パターン用露光部分（例
：３’、／Ｉ’、５’）を遮光して転写されていること
から、輪郭部分において２小露光転写を防１１シている
。／ｆお、第１図に示した合成露光部２ｇ、　３０．３
２において、電子線描画装置のパターンデータＦの処理
によって、一方の分割パターン用露光部分の接合部分（
例：第１図（ｂ）に示した分割パターン用露光部分３′
の接合部分く破線箇所））を他方の分割パターン用露光
部分（同二分割パターン用露光部分４′　）の■リア内
側に延長して２重露光をＪれば、合成露光部（同：合成
露光部２８）内の１ｇ合部分の露光部Ｙを防止し、前述
したフォトリソグラフィ１■程を経て、ｒ＋ｌ／ｚき大
型パターン２を形成し！、：揚合、その白抜ぎ人へ１：
パターン２内で接合部分の細線状遮光性膜の発生を防止
することができる。

本実施例にＪ、れば、パターンの位置決め粕１ｑが５１
１１１１程亀の誤差以内に収まり、またパターンのあっ
た。したがって、大型パターンに対して高い位置決め精
度で、かつ高解像度のパターンを形成できることがｗｆ
認された。また、４つの分割パターンを露光した後のフ
ォトリソグラフィ■程を一括して行うことから、製造効
率を向上させることができた。

以上の実施例は、所望の大型パターンが第２図に示した
ように白抜きパターンであったが、逆に遮光性膜がパタ
ーンの内側にあって、外側にない、いわゆる遮光層膜パ
ターンについても本発明は実施可能である。この遮光性
膜パターンの実施例については第６図、第７図及び第９
図〜第１４図を参照して説明する。

本実施例の所望の大型パターンは、第１０図に示すＪ：
うに７Ｊ　＋−マスク３４に形成されたＦ字状の遮光↑
１膜人型パターン３５であり、遮光性膜がパターンの内
側にあって、外側にないこと以外については第２図に示
したものと同様である。

このような大型パターン３５も、前実施例と同様に電子
線描画装置でＸＹ座標のパターンデータ入力操作により
４分割され、パターンデータ上で第１１図（ａ）　、、
（ｂ）　、　（ｃ）及び（ｄ）にそれぞれ示−ｊＪ、う
な分割パターン３６．３７．３８及び３９を設定し、さ
らに、第１２図に示すように、前述した電子線描画装置
の露光可能領域Ａ内で、かつこれ等の分割パターン３６
〜３９のパターン外に原版マスク用アライメントマーク
（４０，４１）、、　　（４２，４３）　、　　（４４
，４５）及び（４６，４７）もパターンデータ上で設定
する。

なお、分割パターン３６．３７．３８及び３９の周辺部
にあって、所望の大型パターン３５のノＳターンＥ［リ
ア内にそれぞれ２重露光防止用の遮光パターン４８゜４
９、５０及び５１も同様にパターンデータ上で設定する
。次に、第１３図に示すように、原版マスク用アライメ
ントマーク４０〜４７に適合して分割パターン３６〜３
９から所望の大型パターン３５を合成する位置関係にあ
る白抜き一１字状の合成用アライメントマーク４０′〜
４７′　をパターンデータ上で設定する。

次に、上記パターンデータの被転写板として、第６図に
示したと同様なフォトマスクブランクを５枚用意する。

このフォトマスクブランク上に塗布されたレジスト１７
は、前実施例と同様ポジ型であるが、パターンデータの
反転を行えば、ネガ型であってもよい。

この５枚のフォトマスクブランクに対して、前述した電
子線描画装置内で設定された、分割パターン３６．遮光
パターン４８及び原版マスク用アライメントマーク（４
０，４１）と、分割パターン３７．遮光パターン４９及
び即成マスク用アライメントマーク（４２，４３）と、
分割パターン３８．遮光パターン５０及び原版マスク用
アライメントマーク（４４，４５）と、分割パターン３
９．遮光パターン５１及び原版マスク用アライメントマ
ーク（４６，４７）と、合成用アライメントマーク４０
′〜４７′　とをそれぞれ描画露光し、前実施例の原版
マスク及びアライメントマーク製作と同様、所定のフォ
トリソグラフ、イエ程を経て、第１１図に示した原版マ
スク５２．５３゜５４及び５５と、第１．３図に示した
アライメントマーク５６とを製作する。

次に、第１０図に示した本実施例の所望の大型パターン
３５を転写する被転写板として、前実施例と同様、第７
図に示したフォトマスクブランク２６を用意する。そし
て、第１３図に示したアライメン１へ用マスク５６をフ
Ｊ　ｔ−マスクブランク２６士の中央部の所定位置に密
着固定して、紫外線光を上方からアライメンｊ・用マス
ク５６を通し、このアライメントマーク５６以外の１リ
アをアパーチャにＪ：って遮光してフォトマスクブラン
ク２６」：のポジ型フォトレジスト２５に露光し、前実
施例の合成用アライメントマークの転写形成と同様、所
定のフＡトリソグラフィ■程を経て、白抜き十字状の合
成用アライメントマーク４０’〜４７′　を転写して、
第１４図に示すような合成用アライメントマーク入り被
転写板５６０を製作する。

次に、この被転写板５６０上に前述したポジ型フォトレ
ジスト２５ど同様のレジストを塗布した後、第１１図（
ａ）に示した原版マスク５２を被転写板ｈ６０上の左側
上部に密着固定Ｊる。その際、光学Ｗ１微鏡を通して、
原版マスク５２の原版マスク用アライメントマーク４０
．４１を被転写板５６０上の合成用アライメントマーク
４０’　、　４１’　にそれぞれ位置合わせして設置す
る。そして、紫外線光を上方から原版マスク５２を通し
、この原版マスク５２以外のエリアをアバーチ１１によ
って遮光して被転写板５６０上のレジストに露光して、
第９図（ａ）に示すようなレジストパターン付き被転写
板５６１を製作する。

この被転写板５６１には、原版マスク５２の分割パター
ン３６と遮光パターン４８にそれぞれ対応した分割パタ
ーン用未露光部分３６′　と２重露光防止用未露光部分
４８′　が転写され、その他に、原版マスク５２の透光
による露光部分５７と、原版マスク５２以外のエリアの
遮光手段による未露光部分５８とが転写されている。

次に、先の原版マスク５２を取り外して、第１１図（ｂ
）に示した原版マスク５３を第９図（ａ）に示した被転
写板５６１−１−の右側上部に設置する。その際にも、
光学顕微鏡を通して、原版マスク５３の原版マスク用ア
ライメントマーク４２．４３を被転写板５６１上の合成
用アライメントマーク４２’　、　４３’　にそれぞれ
位置合わせして設置する。そして、原版マス＝　２０− り５３を被転写板５６１上に密着固定して、前述したと
同様に紫外線光を上方から原版マスク５３を通し、この
原版マスク５３以外の１リアをアバ−・ｆヤにＪ：って
遮光して被転写板５６１Ｆの未露光部分５８に露光して
、第９図（ｂ）に示ｔＪ：うなレジストパターン付き被
転写板５６２を製作づ゛る。この被転写板５６２には、
原版マスク５３０分割パターン３７と遮光パターン４９
にそれぞれ対応した分割パターン用未露光部分３７′　
と２重露光防止用未露光部分４９′が転写され、その他
に、原版マスク５３の透光による露光部分５９と、原版
マスク５３以外の１リアの遮光手段による未露光部分６
０とが転写されている。そして、今回転写した分割パタ
ーン用未露光部分３７′　と転写済の分割パターン用未
露光部分３６′　とで合成未露光部６１を形成Ｍる。こ
こで、２重露光防止用未露光部分４８’　、　４９’　
と原版マスク５３以外のエリアの遮光手段とは、合成未
露光部６１の接合部６２と、その合成未露光部６１の輪
郭部分とに２重露光を防止して、パターン精度を向上さ
せるために有効に作用する。

次に、先の原版マスク５３を取り外して、第１１図（Ｃ
）に示した原版マスク５４をこの被転写板５６２上の左
側下部に設置する。その際にも、光学顕微鏡を通して、
原版マスク５４の原版マスク用アライメントマーク４４
．４５を被転写板５６２上の合成用アライラン１−マー
ク４４’　、　４５’にそれぞれ位置合わせして設置す
る。そして、原版マスク５４を被転写板５６２上に密着
固定して、前述したと同様に紫外線光を上方から原版マ
スク５４を通し、この原版マスク５４以外のエリアをア
パーチャによって遮光して、被転写板５６２十の未露光
部分６０に露光して、第９図（Ｃ）に示すようなレジス
トパターン付き被転写板５６３を製作する。この被転写
板５６３には、原版マスク５４の分割パターン３８と遮
光パターン５０にそれぞれ対応した分割パターン用未露
光部分３８′　と２重露光防止用未露光部分５０′　と
が転写され、その他に、原版マスク５４の透光による露
光部分６３と、原版マスク５４以外のエリアの遮光手段
による未露光部分６４とが転写されている。そして、今
回転写した分割パターン用未露光部分３８′　と転写済
の分削パターン用未霞光部分３６’　、　３７’　とで
合成未露光部６５を形成づる。ここでも、２小露光防＋
Ｌ用未露光部分４８’　、　４９’　、　５０’　と原
版マスク５４以外のエリアの遮光手段とは、分割パター
ン用未露光部分３６′　と３８′の接合部６６と、合成
未露光部６５の輪郭部分とに２重露光を防１１−シて、
パターン精１復を向上させるために有効に作用する。

そして最後に、先の原版マスク５４を取り外して、第１
１図（ｄ）に示した原版マスク５５をこの被転写板５６
３上の右側下部に設置する。その際にも、光学顕微鏡を
通して、原版マスク５５の原版マスク用アライメントマ
ーク４６及び４７をそれぞれ被転写板５６３上の合成用
アライメントマーク４６′　及び４１′に位置合わせし
て設置する。そして、原版マスク５５を被転写板５６３
Ｌに密着固定して、前述したと同様に紫外線光を［一方
から原版マスク５５を通し、この原版マスク５５以外の
エリアをアパーチャによって遮光して、被転写板５６３
上の未露光部分６４に露光して、第９図（ｄ）に示すよ
うなレジストパターン付き被転写版５６４を製作する。

この被転写版５６４には、原版マスク５５０分割パター
ン３９と遮光パターン５１にぞれぞれ対応した分割パタ
ーン用未露光部分３９′　と２重露光防止用未露光部分
５１′　とが転写され、その他に、原版マスク５５の透
光による露光部分６７も転写されている。そして、今回
転写した分割パターン用未露光部分３９′　と転写済の
分割パターン用未露光部分３６’　、　３７’　、　３
８’　とで合成未露光部６８を形成する。ここでも、２
重露光防１ト川未露光部分４８’　、　４９’　、　５
０’　、　５１’　と原版マスク５５以外のエリアの遮
光手段とは、分割パターン用未露光部分３７′（下側）
及び３８′　と３９′　との接合部６９と、合成未露光
部６８の輪郭部分とに２手露光を防１トシて、パターン
精度を向上させるために有効に作用する。

次に、合成未露光部６８が転写された被転写板５６４を
前実施例の露光後のフォトリソグラフイエ程と同様に現
像、■ツチング及びレジスト剥離の各工程を経で、この
合成未露光部６８と対応した、第１０図に示したと同様
な所望の遮光性膜大型パターン３５が形成される。むお
、第９図（ｄ）にボした露光部５７．５９．６３．６７
のレジストの下にある合成用アライメン１−マーク４０
′〜４７′は、上記エツチング時に除去される。

本実施例によっても、前実施例の効果と同様、大型パタ
ーンに対して高い位置決め精１αで、かつ高解像度のパ
ターンを形成することができた。また、４つの分割パタ
ーンを露光した後のフォトリソグラフィ王程を一括しで
行うことから、製造効率を向上させることができた。

本発明は、ｌ１記した実施例に限定されるものではない
。所望のパターン形状についてはＦ字状以外にも任意の
形状でよいことは勿論である。分割パターンの形成手段
として使用した電子線描画装置の代わり、光学式パター
ンジェネレータや、アートワーク法により拡大パターン
を形成し、リダクションカメラにで縮小し、パターンを
得る方法等を使用してもよい。また分割数については２
以上であれば任意である。原版マスク用及び合成用アラ
イメントマークについては、位置合わせ精度が得られる
ようなマークであれば、その形状及び数は任意であり、
その位置も、白抜きパターンの場合はパターン内、遮光
性膜パターンの場合はパターン外で、かつ分割パターン
を形成する電子線描画装置等の露光装置の露光可能領域
内であればどこでもよい。また、原版マスク用アライメ
ントマークが十字状の白抜きで、合成用アライメントマ
ークが十字状の遮光性膜パターンであってもよい。被転
写板として使用したフォトマスクブランクについては、
透光性基板の材料としてソーダライムガラスの代わりに
アルミノボロシリケートガラスなどの多成分系ガラスや
石英ガラス等を使用してもよく、遮光性膜の材料として
クロムの代わりにタンタル、モリブデン、ニッケル、チ
タン等の遷移金属元素や、シリコン及びゲルマニウム等
、又はこれ等の合金や酸化物、窒化物、炭化物、珪化物
、硼化物若しくはこれ等の混合物（例：窒化炭化物）を
単層、複層に積層したものでもよく、成膜方法としてス
パッタリング法の代わりに真空蒸着法及びイオンブレー
ティング法等を使用してもよい。被転写板はフォトマス
クブランクの代わりに■レフトロ・ルミネ［？ンスなど
のディスプレイ電極用基板、半導体基板及び光記録用媒
体等でもよく、これ等の被転写板のレジストどしてはポ
ジ型又はネガ型の）ｔ　ｌ−レジス１〜及び電子線レジ
ストでもよい。また、これ等の被転写板に対重る原版マ
スクの転写方法としては、密着露光法の他にプロキシシ
ティ露光法、ミラープロジェクション露光法、１倍投影
レンズ露光法等を使用してｂよい。

〔発明の効果〕

以上の通り、本発明のパターン形成方法によれば、被転
写板上に形成すべきパターン寸法が大型になっても、そ
のパターンを複数個に分割して露光転写し、その接、一
括して現像、Ｔツチング及びレジスト剥離の各■稈を行
うことから、そのパターンの位置決め精度と解像度を高
くすることができ、更に、露光転写後の工程において製
造効率を向上させることができ、特に人ｌＸ１ｉ被転′
Ｊｌ板のパターン形成において多大なる価値がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例における分割パターンの露光転
写における合成工程を示す平面図、第２図は同実施例に
おける所望の大型パターンを示す平面図、第３図は同実
施例における分割パターンが形成された原版マスクを示
１平百図、第４図は同実施例における露光可能領域と原
版マスク用アライメンｉ〜マークと所望の大型パターン
とを示す平面図、第５図は同実施例におけるアライメン
トマークを示す平面図、第６図は第３図に示した原版マ
スク及び第５図に示したアライメントマークを製作する
ためのフォトマスクブランクを示Ｊ断面図、第７図は同
実施例における分割パターン及び合成用アライメントマ
ークを転写するためのフオＩ・マスクブランクを示す断
面図、第８図は同実施例における合成用アライメントマ
ーク入り被転写板を示す平面図、第９図は本発明の他の
実施例における分割パターンの露光転写における合成工
程を示す平面図、第１０図は同地の実施例におＬＪる所
望の大型パターンを示す平面図、第１１図は同他の実施
例における分割パターンが形成された原版マスクを示す
平面図、第１２図は同地の実施例゛における露光可能領
域と原版マスク用アライメントマークと所望の大型パタ
ーンとを示Ｊ平面図、第１３図は同地の実施例における
アライラン１〜用マスクを示す平面図、並びに第１４図
は同地の実施例における合成用アライメントマーク入り
被転写板を示す平面図である。　　　　　　　　１．３
４・・・フォトマスク、’２．３５・・・所望の大型パ
ターン、３．４．５．６．３６．３７．３８．　’３９
・・・分割パターン、３’　、４’　、５’　、６’　
　・・・転写された分割パターン用露光部分、３６′。３７’　、　３８’　、　３９’　　・・・転写された
分割パターン用未露光部分、７．　ｆｌ、　９．１０．
１１．１２．１３．１４゜４０、４１．４２．４３．４
４．４５．４６．４７・・・原版マスク用アライメント
マーク、７’　、８’　、９’　。１０’　、　１１’　、　１２’　、　１３’　、　１
４’　、　、４０’　、　４１’　。４２’　、　４３’　、　４４’　、　４５’　、　４
Ｂ’　、　４７’　　・・・合成用アライメンｉ・マー
ク、１８．１９．２０．２１．５２．５３゜５４、５５
−・・原゛版マスク、２２．５６・・・アライメントマ
ーク、２６・・・フォトマスクブランク（被転写板）　
、２７．２９．３１．３３．５８．６０．６４・６・未
露光部分、２８；　３０．３２・・・合成露光部、４８
゜４９、５０．５１・・・遮光パターン、５７．５９．
６３．６７・・・露光部分、６１．６５．６８・・・合
成未露光部、２６０、　５６０・・・合成用アライメン
トマーク入り被転写板、２６１．　２６２．　２６３．
　２６４．　５６１．　５６２゜５６３、　５６４・・
・分割パターンを転写した被転写版特許出願人　ホーヤ株式会社　′ 第１図２Ｑ（ａ　）　　　　　　　　　　（１））（リ　　　　　
　　　　　（ｄ）第２図　　　　　　　　第４図第３図（ａ）（ｂ）（ｃ）　　　　　　　　　（ｄ）第５図　、２第７図　　２６第Ｓ図　　２６０第９図４′ （ｃ）　　　　　　　　　　　　（ｄ）第１０図　　　
　　　　　　第１２図第１１図（ＣＩ）（ｂ）

Claims

【特許請求の範囲】

（１）所望のパターンを複数個に分割して分割パターン
をそれぞれ形成すると共に、前記分割パターンのそれぞ
れのパターン内又はパターン外に原版マスク用アライメ
ントマークをそれぞれ形成した複数個の原版マスクと、
前記原版マスク用アライメントマークに適合して前記分
割パターンから前記所望のパターンを合成する位置関係
にある合成用アライメントマークを形成したアライメン
ト用マスクとを製作し、レジストを塗布した被転写板に
前記アライメント用マスクを通して露光して前記合成用
アライメントマークを転写した後に、前記被転写板を現
像し、エッチングし、レジスト剥離することにより、前
記合成用アライメントマークを形成した合成用アライメ
ントマーク入り被転写板を製作し、次にレジストを塗布
した前記合成用アライメントマーク入り被転写板に転写
された前記合成用アライメントマークに前記原版マスク
用アライメントマークを適合させ、前記原版マスクを通
して１個ずつ露光して前記分割パターンを転写した後に
、前記合成用アライメントマーク入り被転写板を現像し
、エッチングし、レジスト剥離することにより、前記所
望のパターンを形成することを特徴とするパターン形成
方法。