JP2001296650A - レチクル - Google Patents
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- JP2001296650A JP2001296650A JP2000121054A JP2000121054A JP2001296650A JP 2001296650 A JP2001296650 A JP 2001296650A JP 2000121054 A JP2000121054 A JP 2000121054A JP 2000121054 A JP2000121054 A JP 2000121054A JP 2001296650 A JP2001296650 A JP 2001296650A
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- rectangular
- light transmittance
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 矩形パターンを露光するためのレチクルにお
いて、露光工程を煩雑化することなく、しかも高精度な
パターン露光を可能にしたレチクルを提供する。 【解決手段】 第１の透明基板１０１の表面に光透過率
の低い材料で第１のパターン１０２が形成された第１基
板１００と、第２の透明基板２０１の表面に所要の光透
過率の材料で第２のパターン２０２が形成された第２基
板２００とを備え、前記第１のパターン１０２と前記第
２のパターン２０２とを向かい合わせにして前記第１基
板１００と第２基板２００とを接合材料３０１等により
一体化し、前記第１のパターン１０２と第２のパターン
２０２との重なる矩形パターンＰの領域を遮光パターン
として構成する。矩形パターンＰの角部は、第１のパタ
ーン１０２と第２のパターン２０２の辺の交差によって
構成されるので、従来のようにレチクルに光不透過膜を
用いて矩形パターンを形成する場合のような、パターン
寸法の縮小に伴って角部が丸くなるようなこともなく、
高精度な矩形パターンのレチクルを得ることができる。
いて、露光工程を煩雑化することなく、しかも高精度な
パターン露光を可能にしたレチクルを提供する。 【解決手段】 第１の透明基板１０１の表面に光透過率
の低い材料で第１のパターン１０２が形成された第１基
板１００と、第２の透明基板２０１の表面に所要の光透
過率の材料で第２のパターン２０２が形成された第２基
板２００とを備え、前記第１のパターン１０２と前記第
２のパターン２０２とを向かい合わせにして前記第１基
板１００と第２基板２００とを接合材料３０１等により
一体化し、前記第１のパターン１０２と第２のパターン
２０２との重なる矩形パターンＰの領域を遮光パターン
として構成する。矩形パターンＰの角部は、第１のパタ
ーン１０２と第２のパターン２０２の辺の交差によって
構成されるので、従来のようにレチクルに光不透過膜を
用いて矩形パターンを形成する場合のような、パターン
寸法の縮小に伴って角部が丸くなるようなこともなく、
高精度な矩形パターンのレチクルを得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフォトリソグラフィ
技術で用いるレチクル（フォトマスク）に関し、特に矩
形をしたマスクパターン（以下、単にパターンと称す
る）の形状精度を高めたレチクルに関するものである。
技術で用いるレチクル（フォトマスク）に関し、特に矩
形をしたマスクパターン（以下、単にパターンと称す
る）の形状精度を高めたレチクルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積度化と小
型化により、半導体デバイスに形成する各素子の設計パ
ターンが縮小されてきている。また、半導体デバイスの
各素子はフォトリソグラフィ技術を用いて形成されてい
るが、半導体チップの容量増大化、及びズループット向
上に対応するため、半導体デバイスの各パターンを露光
するための露光機は、広露光エリア対応の露光機に移行
してきている。そのため、レチクルにおいては、露光機
での縮小率が従来の５倍から４倍になり、しかも、設計
パターンが縮小されているため、レチクルに形成するパ
ターン（マスクパターン）のパターン寸法を縮小する必
要があり、レチクル作製が難しくなってきている。
型化により、半導体デバイスに形成する各素子の設計パ
ターンが縮小されてきている。また、半導体デバイスの
各素子はフォトリソグラフィ技術を用いて形成されてい
るが、半導体チップの容量増大化、及びズループット向
上に対応するため、半導体デバイスの各パターンを露光
するための露光機は、広露光エリア対応の露光機に移行
してきている。そのため、レチクルにおいては、露光機
での縮小率が従来の５倍から４倍になり、しかも、設計
パターンが縮小されているため、レチクルに形成するパ
ターン（マスクパターン）のパターン寸法を縮小する必
要があり、レチクル作製が難しくなってきている。
【０００３】また、一方で高精度なレチクルのニーズが
高まっている。特に、レチクルのパターンの端部や、微
小面積のパターンの角部においては、パターンの角部が
丸くなってしまう。そのため、半導体基板上のパターン
形成精度が低下するとともに、性能低下や製造歩留低下
の要因となっている。すなわち、レチクルに形成するパ
ターン自体も、透明基板に光不透過膜を形成し、当該光
不透過膜をフォトリソグラフィ技術を用いてエッチング
してパターン形成を行っているため、パターン寸法の縮
小に伴って、所望のパターンを高精度に形成することが
困難になる。特に、露光時における光の回折、干渉等に
よって縁部や角部の鮮鋭性が低下され、前記したパター
ンの角部では丸いパターンに形成されてしまうことにな
る。
高まっている。特に、レチクルのパターンの端部や、微
小面積のパターンの角部においては、パターンの角部が
丸くなってしまう。そのため、半導体基板上のパターン
形成精度が低下するとともに、性能低下や製造歩留低下
の要因となっている。すなわち、レチクルに形成するパ
ターン自体も、透明基板に光不透過膜を形成し、当該光
不透過膜をフォトリソグラフィ技術を用いてエッチング
してパターン形成を行っているため、パターン寸法の縮
小に伴って、所望のパターンを高精度に形成することが
困難になる。特に、露光時における光の回折、干渉等に
よって縁部や角部の鮮鋭性が低下され、前記したパター
ンの角部では丸いパターンに形成されてしまうことにな
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような問題を解消
するためには、例えば、特開平６−１１８６２４号公報
に記載のように、Ｘ方向のパターンを形成したレチクル
と、Ｙ方向のパターンを形成したレチクルとを用いた二
回の露光を行うことにより、両レチクルにより二重露光
された領域にパターン精度の高いパターン露光を行う技
術が提案されている。しかしながら、この公報に記載の
技術では、二回の露光工程が必要とされるるとともに、
各露光工程の二つのレチクルの相対位置決めを行う必要
があり、フォトリソグラフィ工程が煩雑化するという問
題がある。また、二回の露光に際しての相対位置決めに
おいて、位置ずれが生じると、目的とするパターンを高
精度に露光することができなくなるという問題も生じ
る。
するためには、例えば、特開平６−１１８６２４号公報
に記載のように、Ｘ方向のパターンを形成したレチクル
と、Ｙ方向のパターンを形成したレチクルとを用いた二
回の露光を行うことにより、両レチクルにより二重露光
された領域にパターン精度の高いパターン露光を行う技
術が提案されている。しかしながら、この公報に記載の
技術では、二回の露光工程が必要とされるるとともに、
各露光工程の二つのレチクルの相対位置決めを行う必要
があり、フォトリソグラフィ工程が煩雑化するという問
題がある。また、二回の露光に際しての相対位置決めに
おいて、位置ずれが生じると、目的とするパターンを高
精度に露光することができなくなるという問題も生じ
る。
【０００５】本発明の目的は、露光工程を煩雑化するこ
となく、しかも矩形パターンを高精度に露光することが
可能なレチクルを提供するものである。
となく、しかも矩形パターンを高精度に露光することが
可能なレチクルを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のレチクルは、第
１の透明基板の表面に光透過率の低い材料で第１のパタ
ーンが形成された第１基板と、第２の透明基板の表面に
所要の光透過率の材料で第２のパターンが形成された第
２基板とを備え、前記第１のパターンと前記第２のパタ
ーンとを向かい合わせにして前記第１基板と第２基板と
を一体化し、前記第１のパターンと第２のパターンとが
重なる領域を遮光パターンとして構成したことを特徴と
する。
１の透明基板の表面に光透過率の低い材料で第１のパタ
ーンが形成された第１基板と、第２の透明基板の表面に
所要の光透過率の材料で第２のパターンが形成された第
２基板とを備え、前記第１のパターンと前記第２のパタ
ーンとを向かい合わせにして前記第１基板と第２基板と
を一体化し、前記第１のパターンと第２のパターンとが
重なる領域を遮光パターンとして構成したことを特徴と
する。
【０００７】例えば、前記第１のパターン及び第２のパ
ターンの少なくとも一方は、前記第１または第２の透明
基板の表面に形成した前記所要の光透過率の材料膜を所
要のパターンに形成した構成とする。あるいは、前記第
１のパターン及び第２のパターンの少なくとも一方は、
前記第１または第２の透明基板の表面に所要のパターン
に形成した凹溝内に前記所要の光透過率の材料を埋め込
んだ構成とする。
ターンの少なくとも一方は、前記第１または第２の透明
基板の表面に形成した前記所要の光透過率の材料膜を所
要のパターンに形成した構成とする。あるいは、前記第
１のパターン及び第２のパターンの少なくとも一方は、
前記第１または第２の透明基板の表面に所要のパターン
に形成した凹溝内に前記所要の光透過率の材料を埋め込
んだ構成とする。
【０００８】本発明のレチクルによれば、第１のパター
ンと第２のパターンとが重なった領域を実質的な遮光パ
ターンとして構成され、特に矩形パターンの角部は、第
１のパターンと第２のパターンの辺の交差によって構成
されるので、従来のようにレチクルに光不透過膜を用い
て矩形パターンを形成する場合のような、パターン寸法
の縮小に伴って角部が丸くなるようなこともなく、高精
度な矩形パターンのレチクルを得ることができる。そし
て、１枚のレチクルを用いた１回の露光で、所要の配置
の矩形パターンの露光が可能とされるため、露光工程が
増加することもはなく、また、２枚のレチクルを用いる
場合のような相対位置決めの必要もなく、露光工程を簡
略化し、かつ相対位置決め誤差による矩形パターンの精
度が低下されることもない。
ンと第２のパターンとが重なった領域を実質的な遮光パ
ターンとして構成され、特に矩形パターンの角部は、第
１のパターンと第２のパターンの辺の交差によって構成
されるので、従来のようにレチクルに光不透過膜を用い
て矩形パターンを形成する場合のような、パターン寸法
の縮小に伴って角部が丸くなるようなこともなく、高精
度な矩形パターンのレチクルを得ることができる。そし
て、１枚のレチクルを用いた１回の露光で、所要の配置
の矩形パターンの露光が可能とされるため、露光工程が
増加することもはなく、また、２枚のレチクルを用いる
場合のような相対位置決めの必要もなく、露光工程を簡
略化し、かつ相対位置決め誤差による矩形パターンの精
度が低下されることもない。
【０００９】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形態のレ
チクル１を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ線断面
図である。また、図２はその分解した状態の斜視図であ
る。この実施形態では、レチクルに形成するパターンと
して、微小な矩形パターンをＸ方向、Ｙ方向にそれぞれ
所定のピッチ寸法でマトリクス配置したパターンの例を
示している。前記レチクル１は、第１基板１００と第２
基板２００とを貼り合わせて一つのレチクルを構成して
いる。前記第１基板１００は、透明ガラス基板１０１の
表面に、低光透過材料として、例えばＣｒ等の金属材料
が、一方向（Ｘ方向）に所要のピッチ寸法をおいてＹ方
向に延長された所要幅寸法の複数本のＹ方向ラインパタ
ーン１０２として形成されている。また、前記第２基板
２００は、同様に透明ガラス基板２０１の表面に、低光
透過材料としてＣｒ等の金属材料が、他方向（Ｙ方向）
に所要のピッチ寸法をおいてＸ方向に延長された所要幅
寸法、ここでは前記Ｙ方向ラインパターンとほぼ同一ピ
ッチ寸法で同一幅寸法の複数本のＸ方向ラインパターン
２０２として形成されている。
参照して説明する。図１は本発明の第１の実施形態のレ
チクル１を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡＡ線断面
図である。また、図２はその分解した状態の斜視図であ
る。この実施形態では、レチクルに形成するパターンと
して、微小な矩形パターンをＸ方向、Ｙ方向にそれぞれ
所定のピッチ寸法でマトリクス配置したパターンの例を
示している。前記レチクル１は、第１基板１００と第２
基板２００とを貼り合わせて一つのレチクルを構成して
いる。前記第１基板１００は、透明ガラス基板１０１の
表面に、低光透過材料として、例えばＣｒ等の金属材料
が、一方向（Ｘ方向）に所要のピッチ寸法をおいてＹ方
向に延長された所要幅寸法の複数本のＹ方向ラインパタ
ーン１０２として形成されている。また、前記第２基板
２００は、同様に透明ガラス基板２０１の表面に、低光
透過材料としてＣｒ等の金属材料が、他方向（Ｙ方向）
に所要のピッチ寸法をおいてＸ方向に延長された所要幅
寸法、ここでは前記Ｙ方向ラインパターンとほぼ同一ピ
ッチ寸法で同一幅寸法の複数本のＸ方向ラインパターン
２０２として形成されている。
【００１０】なお、前記第１及び第２の各基板１００，
２００の各ラインパターン１０２，２０２の製造方法
は、図３に第１基板１００の概略工程断面図を示すよう
に、（ａ）に示すガラス基板１０１に、（ｂ）のように
前記金属材料の膜１０３を形成した後、（ｃ）のよう
に、その上面に形成したフォトレジスト１０４に対して
前記ラインパターンのパターン形状で露光を行い、かつ
現像した上で、（ｄ）のように前記フォトレジスト１０
４をマスクにして前記金属材料１０３をエッチングする
ことによって形成する。また、このとき、各基板１０
１，２０１に形成する前記各ラインパターン１０２，２
０２の金属材料の膜厚を極めて薄く形成することで、各
ラインパターン１０２，２０２の光透過率が約７０％程
度ないしそれよりも多少小さくなるように形成する。第
２基板２００についても同様である。
２００の各ラインパターン１０２，２０２の製造方法
は、図３に第１基板１００の概略工程断面図を示すよう
に、（ａ）に示すガラス基板１０１に、（ｂ）のように
前記金属材料の膜１０３を形成した後、（ｃ）のよう
に、その上面に形成したフォトレジスト１０４に対して
前記ラインパターンのパターン形状で露光を行い、かつ
現像した上で、（ｄ）のように前記フォトレジスト１０
４をマスクにして前記金属材料１０３をエッチングする
ことによって形成する。また、このとき、各基板１０
１，２０１に形成する前記各ラインパターン１０２，２
０２の金属材料の膜厚を極めて薄く形成することで、各
ラインパターン１０２，２０２の光透過率が約７０％程
度ないしそれよりも多少小さくなるように形成する。第
２基板２００についても同様である。
【００１１】そして、前記第１基板１００と第２基板２
００は、各ラインパターン１０２，２０２が形成されて
いる面を互いに向かい合わせにして密着した上で、両基
板１００，２００を接着して一体化する。このとき、両
基板の前記ラインパターンが形成されている面には、例
えば、光透過性のあるガラスや石英等からなる接合材料
３０１を塗布した上で、両基板を向かい合わせに密着
し、その上で前記接合材料３０１を加熱して硬化するこ
とで、両基板１００，２００を一体化することが可能で
ある。この場合、接合材料３０１は、前記各ラインパタ
ーン１０２，２０２が形成されていない領域に塗布する
ことが好ましい。
００は、各ラインパターン１０２，２０２が形成されて
いる面を互いに向かい合わせにして密着した上で、両基
板１００，２００を接着して一体化する。このとき、両
基板の前記ラインパターンが形成されている面には、例
えば、光透過性のあるガラスや石英等からなる接合材料
３０１を塗布した上で、両基板を向かい合わせに密着
し、その上で前記接合材料３０１を加熱して硬化するこ
とで、両基板１００，２００を一体化することが可能で
ある。この場合、接合材料３０１は、前記各ラインパタ
ーン１０２，２０２が形成されていない領域に塗布する
ことが好ましい。
【００１２】以上の構成のレチクル１によれば、第１基
板１００と第２基板２００を接合することにより、第１
基板のＹ方向ラインパターン１０２と、第２基板のＸ方
向ラインパターン２０２が重なった領域には、各ライン
パターンの幅寸法を辺寸法とする矩形、ここでは正方形
の矩形パターンＰがマトリクス配置された状態で形成さ
れることになる。そして、第１基板１００においては、
Ｙ方向ラインパターン１０２が形成されている領域の光
透過率は略７０％であり、それ以外の領域は略１００％
である。同様に、第２基板２００においては、Ｘ方向ラ
インパターン２０２が形成されている領域の光透過率は
略７０％であり、それ以外の領域は略１００％である。
そのため、Ｙ方向ラインパターン１０２とＸ方向ライン
パターン２０２が重なった前記矩形パターンＰの光透過
率は０．７×０．７＝０．４９、すなわちほぼ４９％と
なる。また、前記矩形パターンＰ以外の領域の光透過率
は、各ラインパターン１０２，２０２の領域の７０％
と、各ラインパターン以外の領域の１００％となる。
板１００と第２基板２００を接合することにより、第１
基板のＹ方向ラインパターン１０２と、第２基板のＸ方
向ラインパターン２０２が重なった領域には、各ライン
パターンの幅寸法を辺寸法とする矩形、ここでは正方形
の矩形パターンＰがマトリクス配置された状態で形成さ
れることになる。そして、第１基板１００においては、
Ｙ方向ラインパターン１０２が形成されている領域の光
透過率は略７０％であり、それ以外の領域は略１００％
である。同様に、第２基板２００においては、Ｘ方向ラ
インパターン２０２が形成されている領域の光透過率は
略７０％であり、それ以外の領域は略１００％である。
そのため、Ｙ方向ラインパターン１０２とＸ方向ライン
パターン２０２が重なった前記矩形パターンＰの光透過
率は０．７×０．７＝０．４９、すなわちほぼ４９％と
なる。また、前記矩形パターンＰ以外の領域の光透過率
は、各ラインパターン１０２，２０２の領域の７０％
と、各ラインパターン以外の領域の１００％となる。
【００１３】したがって、このレチクル１を用いて露光
機によりフォトレジストに対して露光を行なうときに、
当該レチクル１を透過する光の５０％から６０％程度以
上の光強度で当該フォトレジストが感光するように、光
源の光強度を設定することにより、前記レチクル１の矩
形パターンＰを透過した光はフォトレジストにおいて感
光されず、それ以外の領域を透過した光はフォトレジス
トにおいて感光されることになる。これにより、マトリ
クス配置した矩形パターンＰのみを選択的に遮光した状
態のて露光が実現できる。
機によりフォトレジストに対して露光を行なうときに、
当該レチクル１を透過する光の５０％から６０％程度以
上の光強度で当該フォトレジストが感光するように、光
源の光強度を設定することにより、前記レチクル１の矩
形パターンＰを透過した光はフォトレジストにおいて感
光されず、それ以外の領域を透過した光はフォトレジス
トにおいて感光されることになる。これにより、マトリ
クス配置した矩形パターンＰのみを選択的に遮光した状
態のて露光が実現できる。
【００１４】そして、このように１枚のレチクルを用い
た１回の露光で、所要の配置の矩形パターンの露光が可
能とされるため、フォトリソグラフィ工程が増大するこ
ともない。また、２枚のレチクルを用いる場合のような
相対位置決めの必要もなく、フォトリソグラフィ工程を
簡略化し、かつ相対位置決め誤差による矩形パターンの
精度が低下されることもない。さらに、レチクルに光不
透過膜を用いて矩形パターンを形成する場合のような、
パターン寸法の縮小に伴って、所望のパターンを高精度
に形成することが困難になるようなこともなく、特に形
成される矩形パターンＰの角部はＹ方向及びＸ方向の各
ラインパターン１０２，２０２の辺同士の交差によって
形成されるため、角部が丸くなることがない矩形パター
ンＰを高精度に形成することも可能になる。
た１回の露光で、所要の配置の矩形パターンの露光が可
能とされるため、フォトリソグラフィ工程が増大するこ
ともない。また、２枚のレチクルを用いる場合のような
相対位置決めの必要もなく、フォトリソグラフィ工程を
簡略化し、かつ相対位置決め誤差による矩形パターンの
精度が低下されることもない。さらに、レチクルに光不
透過膜を用いて矩形パターンを形成する場合のような、
パターン寸法の縮小に伴って、所望のパターンを高精度
に形成することが困難になるようなこともなく、特に形
成される矩形パターンＰの角部はＹ方向及びＸ方向の各
ラインパターン１０２，２０２の辺同士の交差によって
形成されるため、角部が丸くなることがない矩形パター
ンＰを高精度に形成することも可能になる。
【００１５】図４は本発明の第２の実施形態のレチクル
１Ａを示す図であり、前記第１の実施形態の図１
（ａ），（ｂ）に対応する図である。また、図５はその
分解斜視図である。この第２の実施形態では、第１基板
１１０に形成するＹ方向ラインパターン１１２と、第２
基板２１０に形成するＸ方向パターン２１２をそれぞれ
の基板の表面内に埋設した状態で形成したことを特徴と
している。すなわち、第１基板１１０では、透明ガラス
基板１１１の表面にＹ方向ラインパターンに対応する凹
溝１１３が形成されており、この凹溝１１３内にＣｒ等
の金属材料が埋設されて前記Ｙ方向ラインパターン１１
２が形成されている。同様に、第２基板２１０では、透
明ガラス基板２１１の表面にＸ方向ラインパターンに対
応する凹溝２１３が形成されており、この凹溝２１３内
にＣｒ等の金属材料が埋設されて前記Ｘ方向ラインパタ
ーン２１２が形成されている。そして、前記第１基板１
１０と第２基板２１０は、各ラインパターン１１２，２
１２を向かい合わせにした状態で接着材料、接合材料に
より一体化されている。なお、この実施形態では、前記
接着材料、接合材料は極めて薄いため、図には表れな
い。
１Ａを示す図であり、前記第１の実施形態の図１
（ａ），（ｂ）に対応する図である。また、図５はその
分解斜視図である。この第２の実施形態では、第１基板
１１０に形成するＹ方向ラインパターン１１２と、第２
基板２１０に形成するＸ方向パターン２１２をそれぞれ
の基板の表面内に埋設した状態で形成したことを特徴と
している。すなわち、第１基板１１０では、透明ガラス
基板１１１の表面にＹ方向ラインパターンに対応する凹
溝１１３が形成されており、この凹溝１１３内にＣｒ等
の金属材料が埋設されて前記Ｙ方向ラインパターン１１
２が形成されている。同様に、第２基板２１０では、透
明ガラス基板２１１の表面にＸ方向ラインパターンに対
応する凹溝２１３が形成されており、この凹溝２１３内
にＣｒ等の金属材料が埋設されて前記Ｘ方向ラインパタ
ーン２１２が形成されている。そして、前記第１基板１
１０と第２基板２１０は、各ラインパターン１１２，２
１２を向かい合わせにした状態で接着材料、接合材料に
より一体化されている。なお、この実施形態では、前記
接着材料、接合材料は極めて薄いため、図には表れな
い。
【００１６】前記第１及び第２の各基板１１０，２１０
の各ラインパターン１１２，２１２の製造方法は、図６
に第１基板１１０の概略工程断面図を示すように、
（ａ）に示すガラス基板１１１の表面を図外のフォトレ
ジストを用いたフォトリソグラフィ技術により選択エッ
チングして、（ｂ）のように、前記Ｙ方向ラインパター
ンに対応する凹溝１１３を形成する。そして、（ｃ）の
ように、ガラス基板１１１の表面にＣｒ等の金属材料１
１４を蒸着法、スパッタ法により、少なくとも前記凹溝
１１３を埋め込む厚さに形成する。その上で、前記金属
材料１１４をエッチングバックし、あるいは化学機械研
磨法（ＣＭＰ法）により研磨して、前記金属材料を前記
凹溝１１３内にのみ残すことによって、（ｄ）のよう
に、前記Ｙ方向ラインパターン１１３を形成する。ここ
で、前記凹溝１１３の深さを浅く形成することで、当該
凹溝１１３に埋設される前記金属材料１１４で構成され
る前記Ｙ方向ラインパターン１１２の光透過率が約７０
％程度ないしそれよりも多少小さくなるように形成す
る。第２基板２１０についても同様である。
の各ラインパターン１１２，２１２の製造方法は、図６
に第１基板１１０の概略工程断面図を示すように、
（ａ）に示すガラス基板１１１の表面を図外のフォトレ
ジストを用いたフォトリソグラフィ技術により選択エッ
チングして、（ｂ）のように、前記Ｙ方向ラインパター
ンに対応する凹溝１１３を形成する。そして、（ｃ）の
ように、ガラス基板１１１の表面にＣｒ等の金属材料１
１４を蒸着法、スパッタ法により、少なくとも前記凹溝
１１３を埋め込む厚さに形成する。その上で、前記金属
材料１１４をエッチングバックし、あるいは化学機械研
磨法（ＣＭＰ法）により研磨して、前記金属材料を前記
凹溝１１３内にのみ残すことによって、（ｄ）のよう
に、前記Ｙ方向ラインパターン１１３を形成する。ここ
で、前記凹溝１１３の深さを浅く形成することで、当該
凹溝１１３に埋設される前記金属材料１１４で構成され
る前記Ｙ方向ラインパターン１１２の光透過率が約７０
％程度ないしそれよりも多少小さくなるように形成す
る。第２基板２１０についても同様である。
【００１７】以上の構成の、第２の実施形態のレチクル
１Ａによれば、第１基板１１０と第２基板２１０を接合
することにより、第１基板１１０のＹ方向ラインパター
ン１１２と、第２基板２１０のＸ方向ラインパターン２
１２が重なった領域には、各ラインパターンの幅寸法を
辺寸法とする矩形、ここでは正方形の矩形パターンＰが
マトリクス配置された状態で形成されることになる。そ
して、前記矩形パターンＰの光透過率はほぼ４９％以下
となり、また、前記矩形パターン以外の領域の光透過率
は、各ラインパターン１１２，２１２の領域の７０％
と、各ラインパターン以外の領域の１００％となること
は第１の実施形態と同じである。したがって、このレチ
クルを用いて、第１の実施形態で説明したと同様に、露
光機によりフォトレジストに対して露光を行なうことに
より、マトリクス配置した矩形パターンの露光が実現で
きる。
１Ａによれば、第１基板１１０と第２基板２１０を接合
することにより、第１基板１１０のＹ方向ラインパター
ン１１２と、第２基板２１０のＸ方向ラインパターン２
１２が重なった領域には、各ラインパターンの幅寸法を
辺寸法とする矩形、ここでは正方形の矩形パターンＰが
マトリクス配置された状態で形成されることになる。そ
して、前記矩形パターンＰの光透過率はほぼ４９％以下
となり、また、前記矩形パターン以外の領域の光透過率
は、各ラインパターン１１２，２１２の領域の７０％
と、各ラインパターン以外の領域の１００％となること
は第１の実施形態と同じである。したがって、このレチ
クルを用いて、第１の実施形態で説明したと同様に、露
光機によりフォトレジストに対して露光を行なうことに
より、マトリクス配置した矩形パターンの露光が実現で
きる。
【００１８】この第２の実施形態のレチクルにおいて
も、１枚のレチクルを用いた１回の露光で、所要の配置
の矩形パターンの露光が可能とされるため、フォトリソ
グラフィ工程が増大することもない。また、２枚のレチ
クルを用いる場合のような相対位置決めの必要もなく、
フォトリソグラフィ工程を簡略化し、かつ相対位置決め
誤差による矩形パターンの精度が低下されることもな
い。さらに、レチクルに光不透過膜を用いて矩形パター
ンを形成する場合のような、パターン寸法の縮小に伴っ
て、所望のパターンを高精度に形成することが困難にな
るようなこともなく、特に角部が丸くなることがない矩
形パターンを高精度に形成することも可能になる。ま
た、このレチクルでは、第１及び第２の各基板１１０，
２１０に形成したラインパターン１１２，２１２は、ガ
ラス基板１１１，２１１の表面内に埋め込み状態に形成
されているため、第１の実施形態のように金属材料をエ
ッチング形成したラインパターンにおいて生じ易いパタ
ーン欠陥を防止する上で有利になる。また、両基板を接
合したときに、両基板間にラインパターン、すなわち金
属材料膜による隙間が生じることはなく、両基板の密着
性を高め、矩形パターンの精度をより高くすることが可
能になる。
も、１枚のレチクルを用いた１回の露光で、所要の配置
の矩形パターンの露光が可能とされるため、フォトリソ
グラフィ工程が増大することもない。また、２枚のレチ
クルを用いる場合のような相対位置決めの必要もなく、
フォトリソグラフィ工程を簡略化し、かつ相対位置決め
誤差による矩形パターンの精度が低下されることもな
い。さらに、レチクルに光不透過膜を用いて矩形パター
ンを形成する場合のような、パターン寸法の縮小に伴っ
て、所望のパターンを高精度に形成することが困難にな
るようなこともなく、特に角部が丸くなることがない矩
形パターンを高精度に形成することも可能になる。ま
た、このレチクルでは、第１及び第２の各基板１１０，
２１０に形成したラインパターン１１２，２１２は、ガ
ラス基板１１１，２１１の表面内に埋め込み状態に形成
されているため、第１の実施形態のように金属材料をエ
ッチング形成したラインパターンにおいて生じ易いパタ
ーン欠陥を防止する上で有利になる。また、両基板を接
合したときに、両基板間にラインパターン、すなわち金
属材料膜による隙間が生じることはなく、両基板の密着
性を高め、矩形パターンの精度をより高くすることが可
能になる。
【００１９】ここで、前記各実施形態では、本発明をマ
トリクス配置した矩形パターンのレチクルについて説明
したが、任意の配置の矩形パターンのレチクルを形成す
る場合においても本発明を適用することが可能である。
例えば、独立した矩形パターンを形成する場合には、第
１及び第２の基板にそれぞれ所要の長さ、幅寸法のＹ方
向ラインパターンとＸ方向ラインパターンが十字状に交
差するように形成することで、所望の位置に所望の辺寸
法の矩形パターンを形成することが可能となる。このよ
うに形成される矩形パターンは、前記第１及び第２の実
施形態で説明したように、角部が丸くなることはなく、
高精度の形状のパターンを得ることが可能になる。
トリクス配置した矩形パターンのレチクルについて説明
したが、任意の配置の矩形パターンのレチクルを形成す
る場合においても本発明を適用することが可能である。
例えば、独立した矩形パターンを形成する場合には、第
１及び第２の基板にそれぞれ所要の長さ、幅寸法のＹ方
向ラインパターンとＸ方向ラインパターンが十字状に交
差するように形成することで、所望の位置に所望の辺寸
法の矩形パターンを形成することが可能となる。このよ
うに形成される矩形パターンは、前記第１及び第２の実
施形態で説明したように、角部が丸くなることはなく、
高精度の形状のパターンを得ることが可能になる。
【００２０】また、本発明は、第１基板と第２基板のい
ずれか一方の基板のラインパターンを金属材料膜のエッ
チングにより形成し、他方の基板のラインパターンを凹
溝内に埋設した金属材料で形成し、これらを向かい合わ
せに接合するように構成してもよい。このようにすれ
ば、一方の基板はこれまでのレチクルの製造方法と同じ
でよく、２枚の基板のそれぞれに凹溝を用いたラインパ
ターンを形成する前記第２の実施形態よりも製造工程を
簡略化することができる一方で、向かい合わせにした両
基板の間の隙間を低減し、密着性を向上し、かつ精度を
向上することが可能になる。
ずれか一方の基板のラインパターンを金属材料膜のエッ
チングにより形成し、他方の基板のラインパターンを凹
溝内に埋設した金属材料で形成し、これらを向かい合わ
せに接合するように構成してもよい。このようにすれ
ば、一方の基板はこれまでのレチクルの製造方法と同じ
でよく、２枚の基板のそれぞれに凹溝を用いたラインパ
ターンを形成する前記第２の実施形態よりも製造工程を
簡略化することができる一方で、向かい合わせにした両
基板の間の隙間を低減し、密着性を向上し、かつ精度を
向上することが可能になる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明のレチクル
は、第１のパターンを有する第１基板と、第２のパター
ンを有する第２基板とを一体化し、前記第１のパターン
と第２のパターンとの重なる領域を遮光パターンとして
構成しているので、特に矩形パターンの角部は、第１の
パターンと第２のパターンの辺の交差によって構成され
るので、遮光パターンの角部が丸くなるようなこともな
く、高精度な矩形パターンのレチクルを得ることができ
る。また、本発明のレチクルは、１枚のレチクルで構成
されているので、１回の露光で所要の矩形パターンの露
光が可能とされるため、フォトリソグラフィ工程が増大
することもはなく、また、２枚のレチクルを用いる場合
のような相対位置決めの必要もなく、フォトリソグラフ
ィ工程を簡略化し、かつ相対位置決め誤差による矩形パ
ターンの精度を向上することが可能になる。
は、第１のパターンを有する第１基板と、第２のパター
ンを有する第２基板とを一体化し、前記第１のパターン
と第２のパターンとの重なる領域を遮光パターンとして
構成しているので、特に矩形パターンの角部は、第１の
パターンと第２のパターンの辺の交差によって構成され
るので、遮光パターンの角部が丸くなるようなこともな
く、高精度な矩形パターンのレチクルを得ることができ
る。また、本発明のレチクルは、１枚のレチクルで構成
されているので、１回の露光で所要の矩形パターンの露
光が可能とされるため、フォトリソグラフィ工程が増大
することもはなく、また、２枚のレチクルを用いる場合
のような相対位置決めの必要もなく、フォトリソグラフ
ィ工程を簡略化し、かつ相対位置決め誤差による矩形パ
ターンの精度を向上することが可能になる。
【図１】本発明の第１の実施形態のレチクルの平面図と
ＡＡ線断面図である。
ＡＡ線断面図である。
【図２】図１のレチクルの分解斜視図である。
【図３】図１のレチクルの製造方法を説明するための工
程断面図である。
程断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態のレチクルの断面図で
ある。
ある。
【図５】図４のレチクルの分解斜視図である。
【図６】図４のレチクルの製造方法を説明するための工
程断面図である。
程断面図である。
１，１Ａ レチクル １００，１１０ 第１基板 １０１，１１１ 透明ガラス基板 １０２，１１２ Ｙ方向ラインパターン １１３ 凹溝 ２００，２１０ 第２基板 ２０１，２１１ 透明ガラス基板 ２０２，２１２ Ｘ方向ラインパターン ２１３ 凹溝
Claims (5)
- 【請求項１】 第１の透明基板の表面に光透過率の低い
材料で第１のパターンが形成された第１基板と、第２の
透明基板の表面に所要の光透過率の材料で第２のパター
ンが形成された第２基板とを備え、前記第１のパターン
と前記第２のパターンとを向かい合わせにして前記第１
基板と第２基板とを一体化し、前記第１のパターンと第
２のパターンとが重なる領域を遮光パターンとして構成
したことを特徴とするレチクル。 - 【請求項２】 前記第１のパターン及び第２のパターン
の少なくとも一方は、前記第１または第２の透明基板の
表面に形成した前記所要の光透過率の材料膜を所要のパ
ターンに形成していることを特徴とする請求項１に記載
のレチクル。 - 【請求項３】 前記第１のパターン及び第２のパターン
の少なくとも一方は、前記第１または第２の透明基板の
表面に所要のパターンに形成した凹溝内に前記所要の光
透過率の材料を埋め込んでいることを特徴とする請求項
１に記載のレチクル。 - 【請求項４】 前記第１及び第２のパターンの重なる領
域が矩形パターンとして構成されることを特徴とする請
求項１ないし３のいずれかに記載のレチクル。 - 【請求項５】 前記第１及び第２のパターンは、その光
透過率を略７０％に形成していることを特徴とする請求
項１ないし４のいずれかに記載のレチクル。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000121054A JP2001296650A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | レチクル |
| GB0109412A GB2361551B (en) | 2000-04-17 | 2001-04-17 | Reticle |
| US09/837,721 US6627357B2 (en) | 2000-04-17 | 2001-04-17 | Reticle |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000121054A JP2001296650A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | レチクル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001296650A true JP2001296650A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18631768
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000121054A Withdrawn JP2001296650A (ja) | 2000-04-17 | 2000-04-17 | レチクル |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6627357B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001296650A (ja) |
| GB (1) | GB2361551B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030002796A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레티클 제조방법 및 오버레이 패턴 형성방법 |
| JP2005533374A (ja) * | 2002-07-17 | 2005-11-04 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 層転写方法 |
| KR20170013750A (ko) * | 2015-07-28 | 2017-02-07 | 주식회사 엘지화학 | 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법 |
| JP2018525652A (ja) * | 2015-07-28 | 2018-09-06 | エルジー・ケム・リミテッド | フォトマスク、前記フォトマスクを含む積層体、前記フォトマスクの製造方法、前記フォトマスクを用いるパターン形成装置および前記フォトマスクを用いるパターン形成方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100752673B1 (ko) * | 2006-10-17 | 2007-08-29 | 삼성전자주식회사 | 보조 패턴을 갖는 포토마스크 및 그 제조 방법 |
| CN113514910B (zh) * | 2021-04-13 | 2023-04-18 | 长江存储科技有限责任公司 | 衍射光学组件及获取方法、光学系统 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5877270A (ja) | 1981-11-04 | 1983-05-10 | Hitachi Ltd | ジヨセフソン接合装置の製造方法 |
| JPS607432A (ja) * | 1983-05-31 | 1985-01-16 | モトロ−ラ・インコ−ポレ−テツド | 改良された微細金属線の形成方法 |
| JPS607431A (ja) | 1983-06-27 | 1985-01-16 | Nec Corp | 半導体装置製造用レチクル |
| JPS6245026A (ja) | 1985-08-22 | 1987-02-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路の写真製版方法 |
| JPH06118624A (ja) * | 1992-10-07 | 1994-04-28 | Fujitsu Ltd | ホトマスク及びこれを用いた半導体露光方法 |
| JPH07106764A (ja) | 1993-10-08 | 1995-04-21 | Fujitsu Ltd | セラミック多層回路基板 |
-
2000
- 2000-04-17 JP JP2000121054A patent/JP2001296650A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-04-17 US US09/837,721 patent/US6627357B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-04-17 GB GB0109412A patent/GB2361551B/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030002796A (ko) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 레티클 제조방법 및 오버레이 패턴 형성방법 |
| JP2005533374A (ja) * | 2002-07-17 | 2005-11-04 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 層転写方法 |
| JP4740590B2 (ja) * | 2002-07-17 | 2011-08-03 | エス．オー．アイ．テック、シリコン、オン、インシュレター、テクノロジーズ | 層転写方法 |
| KR20170013750A (ko) * | 2015-07-28 | 2017-02-07 | 주식회사 엘지화학 | 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법 |
| JP2018521339A (ja) * | 2015-07-28 | 2018-08-02 | エルジー・ケム・リミテッド | フォトマスク、前記フォトマスクを含む積層体、前記フォトマスクの製造方法および前記フォトマスクを用いるパターン形成方法 |
| JP2018525652A (ja) * | 2015-07-28 | 2018-09-06 | エルジー・ケム・リミテッド | フォトマスク、前記フォトマスクを含む積層体、前記フォトマスクの製造方法、前記フォトマスクを用いるパターン形成装置および前記フォトマスクを用いるパターン形成方法 |
| KR102042872B1 (ko) * | 2015-07-28 | 2019-11-08 | 주식회사 엘지화학 | 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법 |
| US10732500B2 (en) | 2015-07-28 | 2020-08-04 | Lg Chem, Ltd. | Photomask, laminate comprising photomask, photomask preparation method, pattern forming apparatus using photomask and pattern forming method using photomask |
| US10747101B2 (en) | 2015-07-28 | 2020-08-18 | Lg Chem, Ltd. | Photomask, laminate comprising photomask, photomask preparation method, and pattern forming method using photomask |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2361551A (en) | 2001-10-24 |
| US6627357B2 (en) | 2003-09-30 |
| US20010033977A1 (en) | 2001-10-25 |
| GB0109412D0 (en) | 2001-06-06 |
| GB2361551B (en) | 2002-06-26 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20031208 |