JP2005533374A - 層転写方法 - Google Patents
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Abstract
Description
ソース基板の「前面」と呼ばれる面の一つ、もしくは、サポート基板の前面、または、上記面の両方に補助的な材料を堆積するステップと、
それぞれの前面が互いに対向する上記ソース基板と上記サポート基板を互いに接触させるステップと、
機械的に発生する応力を加えることにより、転写対象の上記層を弱いゾーンに沿ってソース基板の残りの部分から取り外すステップと、
を少なくとも含む方法によって達成される。
・上記凹部は、当該凹部が形成された基板の後面と連通する。
・凹部は、当該凹部が形成された基板の前面へ通じる環状溝の形をなす。
・凹部は、ウェットエッチング、ドライエッチング、または、ソー(saw)もしくはレーザービームを使用する機械加工によって生成可能である。
・弱いゾーンは、核種注入によって形成され、または、多孔性層もしくは剥離可能な結合界面によって形成される。
・ソース基板に設けられた凹部は、核種を注入するステップの前に生成される。
・転写対象の層は、半導体材料により構成される。
・補助的な材料は、接着剤または接着材料である。
Claims (12)
- エレクトロニクス、オプティクス、または、オプトエレクトロニクスの分野におけるアプリケーション用の複合基板を製造するためソース基板(4)からサポート基板(5)へ材料の層(41)を転写する方法であって、
前記ソース基板(4)が、転写対象の前記材料の層(41)と前記ソース基板の残りの部分(42)との間に挿入された弱いゾーン(43)を有し、
前記ソース基板(4)の「前面」と呼ばれる面(44)の一つ、もしくは、前記サポート基板(5)の前面(56)、または、前記面の両方に補助的な材料(6)を堆積するステップと、
それぞれの前面(44,54)が、互いに対向する前記ソース基板(4)と前記サポート基板(5)を互いに接触させるステップと、
機械的に発生する応力を加えることにより、前記弱いゾーンに沿って、転写対象の前記層(41)を前記ソース基板(4)の前記残りの部分(42)から取り外すステップと、
を少なくとも含み、
前記材料(6)を堆積するステップの前に、余分な補助的な材料(6)を収容する少なくとも一つの凹部(46,47;56,57)が二つの前記基板(4,5)のうちの少なくとも一方に形成され、前記凹部は当該凹部が形成された前記基板(4,5)の前記前面(44,45)に通じる、方法。 - 前記凹部(46,47;56,57)は、当該凹部が形成された前記基板(4,5)の後面(45,55)と連通する、請求項1に記載の方法。
- 前記凹部(46,56)は、当該凹部が形成された前記基板(4,5)の前記前面(44,54)へ通じる環状溝の形状である、請求項1に記載の方法。
- 前記凹部(46,47;56,57)が、ウェットエッチングによって生成される、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記凹部(46,47;56,57)が、ドライエッチングによって生成される、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記凹部(46,47;56,57)が、ソーもしくはレーザービームを使用する機械加工によって生成される、請求項1から3のいずれかに記載の方法。
- 前記弱いゾーン(43)が、核種注入によって形成される、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 前記弱いゾーン(43)が、多孔性層によって形成される、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 前記弱いゾーン(43)が、剥離可能な結合界面によって形成される、請求項1から6のいずれかに記載の方法。
- 前記ソース基板(4)に設けられた凹部(46,47)が、前記核種を注入するステップの前に生成される、請求項6および7に記載の方法。
- 前記転写対象の層(41)が、半導体材料により構成される、請求項1から10のいずれかに記載の方法。
- 前記補助的な材料(6)が、接着剤または接着材料である、請求項1から11のいずれかに記載の方法。
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