JP2005349486A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 半導体ウェハの露出構造部を覆うように保護キャップを取り付けたものを、スクライブ領域にて分断して半導体チップとした後、保護キャップを取り外すことにより形成された半導体装置において、半導体チップへの保護キャップの粘着剤残りを極力低減する。
【解決手段】 表面に可動部や構造体が露出した露出構造部20を有する半導体ウェハ200に対して、露出構造部20を覆うように半導体ウェハ200の表面に保護キャップ300を取り付けたものを、スクライブ領域210にて分断して半導体チップ10とした後、半導体チップ10の表面から保護キャップ300を取り外すことにより形成されてなる半導体装置100において、半導体チップ10の表面におけるスクライブ領域210に存在する段差部30は、半導体チップ10におけるチップ面と直角な方向Yから傾斜した形状となっている。
【選択図】 図2
【解決手段】 表面に可動部や構造体が露出した露出構造部20を有する半導体ウェハ200に対して、露出構造部20を覆うように半導体ウェハ200の表面に保護キャップ300を取り付けたものを、スクライブ領域210にて分断して半導体チップ10とした後、半導体チップ10の表面から保護キャップ300を取り外すことにより形成されてなる半導体装置100において、半導体チップ10の表面におけるスクライブ領域210に存在する段差部30は、半導体チップ10におけるチップ面と直角な方向Yから傾斜した形状となっている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、容量型加速度センサ、ヨーレートセンサ、及び圧力センサのように1チップ内に可動部を有する半導体装置やエアーブリッジ配線のように機械的強度の低い構造体を持つ半導体装置およびその製造方法に関する。
従来より、この種の半導体装置としては、表面に可動部や構造体が露出した露出構造部を有する半導体ウェハに対して、露出構造部を覆うように半導体ウェハの表面に保護キャップを取り付けたものを、半導体ウェハのスクライブ領域にて分断して半導体チップとした後、保護キャップを取り外すことにより形成されたものが提案されている(たとえば、特許文献1、特許文献2参照)。
このような半導体装置の製造方法は、シリコンウェハ等の半導体基板(半導体ウェハ)上に、たとえば、静電容量型加速度センサやヨーレートセンサのように1チップ内に可動部を有する素子やエアーブリッジ配線構造などのように機械的強度の低い構造体が存在する素子をチップ単位毎に形成した場合、これらの素子を複数のチップに分割する方法として、提案されている。
具体的には、粘着シートをドーム状に塑性変形させた保護キャップを、可動部などの機械的強度の低い部分すなわち露出構造部上に覆い被せることにより、研削水から露出構造部を保護して半導体基板と共にダイシングカットし、カット後に、チップ化された半導体基板から保護キャップを剥離する方法である。
特開2000−223446号公報
特開2000−31349号公報
しかしながら、上記した従来の半導体装置の製造方法では、半導体ウェハをダイシングカットした後、保護キャップを剥離する際に、保護キャップの粘着剤が残存するという問題がある。
この粘着剤残りは、2つのモードを持ち、チップ化された半導体基板すなわち半導体チップ表面上の保護キャップの内側に生じる場合と、粘着剤が半導体チップの表面上に一部転写される場合とがある。
前者のモードについては、保護キャップを剥離させるためにUV照射して粘着剤を硬化させる際に、保護キャップ内壁で露出した粘着剤が雰囲気中の酸素によって酸素阻害を起こして未硬化となり、半導体チップの表面に残るものである。このモードについては、真空もしくは不活性雰囲気でUV照射を行えばよい。
一方、後者のモードについては、保護キャップを剥離する際の力と粘着力との関係によって、粘着剤における未硬化部分が半導体チップの表面に転写されることによるものである。
特に、この後者のモードによる粘着剤の残存は、半導体チップの表面に段差部がある場合に顕著になる。これは、保護キャップをはがす力の加わり方が段差部にて変化しやすくなるためである。
そして、これら粘着剤残りにおいて、粘着剤が多量に残る場合には、後工程においてパッケージング時にかかる熱処理等により粘着剤が炭化する。
その炭化物が何らかの外力(例えば外部からの振動)が与えられると、半導体チップにおける上記の可動部や構造体に付着してしまい、センサ特性に多大な影響を与える等、装置の信頼性を低下させてしまう可能性がある。
また、粘着剤のような有機物の除去は、一般的にはキャロス洗浄(硫酸と過酸化水素との混合液による洗浄)があるが、このキャロス洗浄後に水洗浄が必要となり、その工程途中あるいは工程後に、可動部などにて可動電極と固定電極との付着に代表されるスティッキングを引き起こす。
さらに、ドライ洗浄としてプラズマによる酸素アッシングがあるが、スパッタリング効果で電極表面が活性になったり、プラズマ中の電子やイオンにより可動電極と固定電極間で静電気力が発生し、除去後にスティッキングを起こしたりするなど、信頼性を低下させる可能性がある。
いずれにせよ、半導体チップの表面に粘着剤が残存することは、上記したような種々の不具合を引き起こすため、粘着剤の残存を極力低減する必要がある。
本発明は、上記問題に鑑み、表面に可動部や構造体が露出した露出構造部を有する半導体ウェハに対して、露出構造部を覆うように半導体ウェハの表面に保護キャップを取り付けたものを、半導体ウェハのスクライブ領域にて分断して半導体チップとした後、保護キャップを取り外すことにより形成された半導体装置において、半導体チップへの保護キャップの粘着剤残りを極力低減することを目的とする。
本発明は、従来の半導体装置においては、可動部や構造体が露出した露出構造部には装置特性への影響から粘着を行わず、主として半導体ウェハにおけるスクライブ領域にて保護キャップの粘着を行うことに着目した。
そして、このスクライブ領域において粘着剤残りを大きく低減できれば、上記した粘着剤残りの問題は解決できると考え、このスクライブ領域に存在する段差部における粘着剤残りの影響について調査を行った。
図7は、上記した特許文献1、2に記載されているような従来の一般的な半導体ウェハ200およびこの半導体ウェハ200の分断方法を示す図である。図7において(a)は半導体ウェハ200の概略平面図、(b)は(a)のA−A線に沿った概略断面図、(c)は分断方法を示す概略断面図である。
この半導体ウェハ200は、2層のシリコン層11、12の間にシリコン酸化膜13が挟まれてなるSOI基板である。この半導体ウェハ200は、チップ単位毎に可動部や構造体が露出した露出構造部20を有し、これら露出構造部20はスクライブ領域210にて区画されている。
そして、図7(c)に示されるように、このような半導体ウェハ200に対して保護キャップ300を貼り付ける。
この保護キャップ300は、貼り付け面側にたとえばUV照射により粘着力が低下するような粘着剤が設けられた粘着シートである。
そして、この保護キャップ300の上に半導体ウェハ200を載せて、スクライブ領域210において半導体ウェハ200と保護キャップ300とを貼り付ける。
続いて、貼り付いて一体化した半導体ウェハ200と保護キャップ300をステージ500の上に載せる。そして、たとえばブレード600を用いてスクライブ領域210にてダイシングカットを行うことにより、半導体ウェハ200を分断する。
こうして、分断された半導体チップにおいて、保護キャップ300を取り外すことにより、チップ化された半導体装置100ができあがる。
保護キャップ300の取り外しは、たとえば、保護キャップ300におけるスクライブ領域210との貼り付け部にUV照射を行い、粘着力を低下させた後、図7(c)において、分断され保護キャップ300に貼り付いている半導体チップを図中の上方へ拾い上げることによりなされる。
ここで、図7(b)に示されるように、従来では、半導体ウェハ200の表面におけるスクライブ領域210に存在する段差部30は、その段差面が半導体ウェハ200におけるウェハ面と直角な形状、あるいは、チップ化後においては半導体チップにおけるチップ面と直角な形状となっている。
そのため、保護キャップ300をはがすときの力は、この段差部30における段差面すなわち直角面に対しては当該直角面とほぼ平行な方向に作用する。そのため、段差部30の直角面に貼り付いた粘着剤は、十分に剥離せず、段差部30に粘着剤残りとして残存することになる(図3参照)。
本発明は、半導体ウェハの表面におけるスクライブ領域に存在する段差部の形状を工夫することにより、当該段差部における粘着剤(糊成分)の残りを極力低減することに着目してなされたものである。
すなわち、請求項1に記載の発明では、表面に可動部や構造体が露出した露出構造部(20)を有する半導体ウェハ(200)に対して、露出構造部(20)を覆うように半導体ウェハ(200)の表面に保護キャップ(300)を取り付けたものを、半導体ウェハ(200)のスクライブ領域(210)にて分断して半導体チップ(10)とした後、半導体チップ(10)の表面から保護キャップ(300)を取り外すことにより形成された半導体装置において、半導体チップ(10)の表面におけるスクライブ領域(210)に存在する段差部(30)は、半導体チップ(10)におけるチップ面と直角な方向(Y)から傾斜した形状となっていることを特徴としている。
それによれば、本発明の半導体装置を構成する半導体チップ(10)から保護キャップ(300)をはがすときに、本発明では、従来のスクライブ領域に存在するチップ面と直角な段差部に比べて、当該段差部(30)における保護キャップ(300)をはがす力が小さくてすむため、段差部(30)における粘着剤の残りを、大幅に低減することができる。
したがって、本発明によれば、半導体ウェハ(200)の表面に対して露出構造部(20)を覆うように保護キャップ(300)を取り付けたものを、スクライブ領域(210)にて分断して半導体チップ(10)とした後、保護キャップ(300)を取り外すことにより形成された半導体装置において、半導体チップ(10)への保護キャップ(300)の粘着剤残りを極力低減することができる。
また、請求項2に記載の発明では、請求項1に記載の半導体装置において、チップ面と平行な面に対する段差部(30)の傾斜角度(θ1)は、0°よりも大きく80°以下であることを特徴としている。
このようにチップ面と平行な面に対する段差部(30)の傾斜角度(θ1)を、0°よりも大きく80°以下の範囲にすれば、保護キャップ(300)をはがす力を従来よりも大幅に小さいものにすることができるため、より効果的であり、好ましい。
請求項3に記載の発明では、可動部や構造体が露出した露出構造部(20)を有する半導体ウェハ(200)と、露出構造部(20)を覆うように半導体ウェハ(200)の表面に設けられた取り外し可能な保護キャップ(300)とを備える半導体装置であって、半導体ウェハ(200)の表面におけるスクライブ領域(210)に存在する段差部(30)は、半導体ウェハ(200)におけるウェハ面と直角な方向(Y)から傾斜した形状となっていることを特徴としている。
本発明の半導体装置は半導体ウェハ(200)から構成されるが、この半導体ウェハ(200)を分断してチップ化すれば、上記請求項1に記載の半導体装置と同様の半導体装置が形成される。
つまり、本発明によれば、この半導体装置を構成する半導体ウェハ(200)を分断して、チップ化し、保護キャップ(300)をはがすときに、従来のスクライブ領域に存在するウェハ面と直角な段差部に比べて、保護キャップ(300)をはがす力が小さくてすむため、段差部(30)における粘着剤の残りを大幅に低減できる。
したがって、本発明によれば、半導体ウェハ(200)の表面に対して露出構造部(20)を覆うように保護キャップ(300)を取り付けたものを、スクライブ領域(210)にて分断して半導体チップ(10)とした後、保護キャップ(300)を取り外すことにより形成された半導体装置において、半導体チップ(10)への保護キャップ(300)の粘着剤残りを極力低減することができる。
また、請求項4に記載の発明では、請求項3に記載の半導体装置において、ウェハ面と平行な面に対する段差部(30)の傾斜角度(θ1)は、0°よりも大きく80°以下であることを特徴としている。
このようにウェハ面と平行な面に対する段差部(30)の傾斜角度(θ1)を、0°よりも大きく80°以下の範囲にすれば、保護キャップ(300)をはがす力が従来よりも大幅に小さいものにでき、より効果的である。
ここで、請求項5に記載の発明のように、請求項1〜請求項4に記載の半導体装置においては、保護キャップ(300)は、UV光により粘着力が低下するものにできる。
請求項6に記載の発明では、表面に可動部や構造体が露出した露出構造部(20)を有する半導体ウェハ(200)を用意し、露出構造部(20)を覆うように半導体ウェハ(200)の表面に保護キャップ(300)を取り付けた後、半導体ウェハ(200)をそのスクライブ領域(210)にて分断して半導体チップ(10)とし、続いて、半導体チップ(10)の表面から保護キャップ(300)を取り外すようにした半導体装置の製造方法において、半導体ウェハ(200)として、その表面におけるスクライブ領域(210)に存在する段差部(30)が半導体ウェハ(200)におけるウェハ面と直角な方向(Y)から傾斜した形状となっているものを用いることを特徴としている。
本発明の製造方法によれば、半導体ウェハ(200)として、その表面におけるスクライブ領域(210)に存在する段差部(30)がウェハ面と直角な方向(Y)から傾斜した形状となっているものを用いている。
そのため、半導体ウェハ(200)を分断して、チップ化し、保護キャップ(300)をはがすときに、従来のスクライブ領域に存在するウェハ面と直角な段差部に比べて、保護キャップ(300)をはがす力が小さくてすむことから、段差部(30)における粘着剤の残りを大幅に低減することができる。
したがって、本発明によれば、半導体ウェハ(200)の表面に対して露出構造部(20)を覆うように保護キャップ(300)を取り付けたものを、スクライブ領域(210)にて分断して半導体チップ(10)とした後、保護キャップ(300)を取り外すことにより形成された半導体装置において、半導体チップ(10)への保護キャップ(300)の粘着剤残りを極力低減することができる。
また、請求項7に記載の発明では、請求項6に記載の半導体装置の製造方法において、半導体ウェハ(200)として、ウェハ面と平行な面に対する段差部(30)の傾斜角度(θ1)が0°よりも大きく80°以下であるものを用いることを特徴としている。
このようにウェハ面と平行な面に対する段差部(30)の傾斜角度(θ1)を、0°よりも大きく80°以下の範囲にすれば、保護キャップ(300)をはがす力が従来よりも大幅に小さいものにでき、より効果的である。
また、請求項8に記載の発明のように、請求項6または請求項7に記載の半導体装置の製造方法においては、保護キャップ(300)としては、UV光により粘着力が低下するものを用いることができる。
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
図1は、本発明の実施形態に係る半導体チップからなる半導体装置100を示す概略断面図である。この半導体装置100は、半導体チップ10の表面に可動部や構造体が露出した露出構造部20を有する。
半導体チップ10は、本例では、2層のシリコン層11、12の間にシリコン酸化膜13が挟まれてなるSOI基板10である。また、露出構造部20は、可動部またはエアーブリッジ配線のように機械的強度の低い構造体などからなる。
より具体的に、露出構造部20としては、半導体チップ10における一方のシリコン層11に対して半導体製造技術を利用した周知のマイクロマシン加工を施すことにより、形成されたものである。
たとえば、露出構造部20は、可動電極(可動部)及び固定電極を備えた櫛歯状の梁構造体とすることができる。このような半導体装置100は、容量検出型の加速度センサなどとして構成される。
この図1に示されるような半導体装置100の製造方法について、図2を参照して説明する。
図2は、本半導体装置100を半導体ウェハ200にチップ単位毎に複数個形成した状態を示す図であり、(a)は半導体ウェハ200の概略平面図、(b)は(a)のB−B線に沿った概略断面図である。
ここで、半導体ウェハ200は、上記半導体チップ10と同じ構成であることはもちろんであり、図2(b)に示されるように、半導体ウェハ200は、2層のシリコン層11、12の間にシリコン酸化膜13が挟まれてなるSOI基板である。
この半導体装置100の製造にあたっては、まず、半導体ウェハ200に対してチップ単位で複数個(図示例では4個示してある)の露出構造部20を形成するとともに、これら露出構造部20をチップ単位に区画するスクライブ領域210を形成する。これらの形成は、半導体プロセスにより容易に行うことができる。
ここで、図2(b)に示されるように、半導体ウェハ200の表面におけるスクライブ領域210に存在する段差部30は、一方のシリコン層11がエッチングなどにより除去された領域であり、この段差部30は、その段差面31が半導体ウェハ200におけるウェハ面220と直角な方向Yから傾斜した形状となっている。
ここで、ウェハ面と平行な面に対する段差部30の傾斜角度θ1(図2(b)参照)は、0°よりも大きく80°以下であることが好ましい。
このような段差部30の傾斜形状は、一方のシリコン層11をテーパエッチングすることにより、実現可能である。シリコンのテーパエッチングについては、種々の方法が知られており、いずれの方法を採用してもよい。
なお、このような半導体ウェハ200の表面におけるスクライブ領域210に存在する段差部30の形状は、半導体ウェハ200を分断した後の上記半導体チップ10においても継承されている。
すなわち、上記図1に示されるように、半導体装置100においては、半導体チップ10の表面におけるスクライブ領域210に存在する段差部30は、その段差面31が半導体チップ10におけるチップ面と直角な方向Yから傾斜した形状となっている。
そして、チップ面と平行な面に対する段差部30の傾斜角度θ1(図1参照)は、0°よりも大きく80°以下であることが好ましいことも、半導体ウェハ200の場合と同様である。
そして、本製造方法においては、上記図7(c)に示される方法と同様にして、図2に示される半導体ウェハ200に対して、露出構造部20を覆うように半導体ウェハ200の表面に保護キャップ300を取り付けた後、半導体ウェハ200をスクライブ領域210にて分断して半導体チップ10とする。
ここで、保護キャップ300は、上記図7(c)にて述べたものと同様のものを採用できる。すなわち、この保護キャップ300は、貼り付け面側にたとえばUV照射により粘着力が低下するような粘着剤が設けられた粘着シートである。
より具体的に、このような粘着シートとしては、シート基材と、このシート基材の一面すなわち貼り付け面に設けられた粘着部とから構成される。
ここで、シート基材は、たとえばポリイミド系樹脂等からなり、一方、粘着部としては、UV(紫外線)光によりUV光が照射された領域の粘着部が硬化するなどにより粘着力が低下するUV硬化性粘着剤等を採用することができる。そのようなUV硬化性粘着剤としてはアクリル系樹脂等を用いることができる。
そして、この保護キャップ300の上に半導体ウェハ200を載せて、スクライブ領域210において半導体ウェハ200と保護キャップ300とを貼り付ける。
このような本実施形態における半導体ウェハ200と保護キャップ300との貼り付けの状態は、図2(b)および上記図7(c)に示されている。なお、図2(b)では、保護キャップ300は破線にて示している。
つまり、図2(b)に示されるように、半導体ウェハ200と保護キャップ300とは、露出構造部20では貼り付いておらず、段差部30を含むスクライブ領域210では貼り付いている状態となる。
続いて、貼り付いて一体化した半導体ウェハ200と保護キャップ300をステージ500の上に載せる。
そして、たとえばブレード600を用いて、半導体ウェハ200における保護キャップ300の貼り付いている表面とは反対側の裏面から、スクライブ領域210にてダイシングカットを行うことにより、半導体ウェハ200を分断する。
こうして、分断された半導体チップにおいて、当該半導体チップから保護キャップ300を取り外すことにより、上記図1に示されるチップ化された半導体装置100ができあがる。
保護キャップ300の取り外しは、上述したのと同様に、たとえば、保護キャップ300におけるスクライブ領域210との貼り付け部にUV照射を行い、粘着力を低下させた後、図7(c)において、分断された半導体チップを図中の上方へ拾い上げることによりなされる。
ところで、本実施形態によれば、図1に示されるように、表面に可動部や構造体が露出した露出構造部20を有する半導体ウェハ200に対して、露出構造部20を覆うように半導体ウェハ200の表面に保護キャップ300を取り付けたものを、半導体ウェハ200のスクライブ領域210にて分断して半導体チップ10とした後、半導体チップ10の表面から保護キャップ300を取り外すことにより形成されてなる半導体装置100において、半導体チップ10の表面におけるスクライブ領域210に存在する段差部30は、半導体チップ10におけるチップ面と直角な方向Yから傾斜した形状となっていることを特徴とする半導体装置100が提供される。
それによれば、本半導体装置100を構成する半導体チップ10から保護キャップ300をはがすときに、本実施形態では、従来のスクライブ領域に存在するチップ面と直角な段差部に比べて、当該段差部30における保護キャップ300をはがす力が小さくてすむため、段差部30における粘着剤の残りを大幅に低減できる。
このことについて、図3、図4を参照して、より詳細に述べる。図3は従来のスクライブ領域210の段差部30における保護キャップ300の剥離工程を示す断面図、図4は、本実施形態のスクライブ領域210の段差部30における保護キャップ300の剥離工程を示す断面図である。
これら図3および図4において、(a)は、チップ分割後すなわちダイシングカット後の半導体チップ10を示しており、(b)は保護キャップ300を取り外すためにUV照射を行い、スクライブ領域210における保護キャップ300の粘着剤を硬化させ粘着力を低下させた後の半導体チップ10を示しており、(c)は保護キャップ300の取り外し後の半導体チップ10を示している。
図3に示されるように、従来では、半導体チップ10の表面におけるスクライブ領域210に存在する段差部30は、その段差面31が半導体チップ10におけるチップ面と直角な直角面となっている。
そのため、保護キャップ300をはがすときの力は、この段差部30における段差面31すなわち直角面に対しては当該直角面とほぼ平行な方向に作用する。そのため、図3(c)に示されるように、段差部30の段差面31において、貼り付いた粘着剤の一部300aが残存することになる。
それに対して、図4に示されるように、本実施形態では、半導体チップ10の表面におけるスクライブ領域210に存在する段差部30は、その段差面31が半導体チップ10におけるチップ面と直角な方向Yから傾斜した形状となっている
そのため、保護キャップ300をはがすときに、この段差部30における段差面31に対しては、当該ウェハ面と直角な方向Yの力の成分が作用する。そのため、図4(c)に示されるように、保護キャップ300を剥がす力は、従来に比べて大幅に小さくなり、段差部30における粘着剤の残りは極力無くなる。
そのため、保護キャップ300をはがすときに、この段差部30における段差面31に対しては、当該ウェハ面と直角な方向Yの力の成分が作用する。そのため、図4(c)に示されるように、保護キャップ300を剥がす力は、従来に比べて大幅に小さくなり、段差部30における粘着剤の残りは極力無くなる。
また、保護キャップ300として、UV光により粘着力が低下するものを採用している場合、従来と本実施形態とでは、次に述べるような、粘着剤残りに対するもう一つの効果がある。
図3に示される従来構造の場合、ダイシングカット後のUV照射では、図3(b)中の矢印に示されるように、半導体チップ10のチップ面と直角な方向Yに沿ってUV光が照射されるが、ここにおいて、段差部30の段差面31においては、UV光が十分に照射されず、保護キャップ300の粘着剤の未硬化部300aが生じる。
そして、図3(c)に示されるように、保護キャップ300の取り外し後の半導体チップ10において、こういった粘着力が残っている未硬化部300aも、粘着剤の残りとして段差部30に存在することになる。
それに対して、図4に示される本実施形態の場合、段差部30の段差面31が傾斜しているため、ダイシングカット後のUV照射では、UV光が段差部30においても十分照射され、保護キャップ300の粘着剤が十分に硬化されて粘着力がなくなり、粘着剤残りを防止することができる。
このように、本実施形態によれば、半導体ウェハ200の表面に対して露出構造部20を覆うように保護キャップ300を取り付けたものを、スクライブ領域210にて分断して半導体チップ10とした後、保護キャップ300を取り外すことにより形成された半導体装置100において、半導体チップ10への保護キャップ300の粘着剤残りを極力低減することができる。
また、本実施形態によれば、上記図2に示される構造は、半導体ウェハ200と保護キャップ300とが一体化してなる半導体装置100’としても構成されたものに相当するものである。
すなわち、この図2に示される半導体装置100’は、露出構造部20を有する半導体ウェハ200と、露出構造部20を覆うように半導体ウェハ200の表面に設けられた取り外し可能な保護キャップ300とを備える半導体装置100’であって、半導体ウェハ200の表面におけるスクライブ領域210に存在する段差部30は、半導体ウェハ200におけるウェハ面と直角な方向Yから傾斜した形状となっていることを特徴とする半導体装置100’として提供される。
この図2に示される半導体装置100’は半導体ウェハ200から構成されるが、この半導体ウェハ200を分断してチップ化すれば、上記図1に示される半導体チップ10からなる半導体装置100が形成される。
つまり、この半導体ウェハ200から構成される半導体装置100’によれば、この半導体装置100’を構成する半導体ウェハ200を分断して、チップ化し、保護キャップ300をはがすときに、従来のスクライブ領域に存在するウェハ面と直角な段差部に比べて、保護キャップ300をはがす力が小さくてすむため、段差部30における粘着剤の残りを大幅に低減できる。
したがって、この半導体ウェハ200からなる半導体装置100’によっても、半導体ウェハ200の表面に対して露出構造部20を覆うように保護キャップ300を取り付けたものを、スクライブ領域210にて分断して半導体チップ10とした後、保護キャップ300を取り外すことにより形成された半導体装置100において、半導体チップ10への保護キャップ300の粘着剤残りを極力低減することができる。
また、上述したが、上記図1に示される半導体装置100における段差部30の傾斜角度θ1、および、上記図2に示される半導体装置100’における段差部30の傾斜角度θ1は、0°よりも大きく80°以下であることが好ましいとしている。この根拠について述べる。
図5は、保護キャップ300をはがすときのはがし力Pと段差面31とのなす角度θとの関係を示す図である。
この図5に示されるように、はがし力Pは、半導体ウェハ200のウェハ面と直角な方向Yの力の成分であり、角度θは、段差部30の段差面31とはがし力Pのベクトルとのなす角度である。
上記図3および図4において述べられたことを、この図5に示されるパラメータP、θに基づいて述べる。
従来の直角な段差面では、角度θが180°の方向にはがし力Pが加わるのに対し、本実施形態では、角度θが90°方向のはがし力Pが発生する。保護キャップ300の剥離強度は、P/(1−COSθ)に比例する関係にあるため、本実施形態では保護キャップ300は、従来に比べて剥離しやすくなる。
この図5に示される角度θとはがし力Pとの関係について解析を行った。その結果が図6に示される。
この図6において、縦軸に示されるはがし力Pは相対値であり、このはがし力Pが小さいほど、保護キャップ300が剥離しやすく、粘着剤残りも低減される。また、図6の横軸に示される角度θにおいて、0°のところは、従来のスクライブ端面すなわち従来の段差部の場合である。
図6に示されるように、角度θが10°〜170°の範囲において、はがし力Pが劇的に小さくなることがわかる。この角度θの範囲は、段差部30の傾斜角度θ1に換算すれば、当該傾斜角度θ1が0°よりも大きく80°以下であることに相当する。
つまり、当該傾斜角度θ1を、0°よりも大きく80°以下の範囲にすれば、保護キャップ300をはがす力を従来よりも大幅に小さいものにすることができ、より効果的である。
これが、傾斜角度θ1が0°よりも大きく80°以下であることが、好ましい理由である。
また、本実施形態によれば、露出構造部20を有する半導体ウェハ200を用意し、露出構造部20を覆うように半導体ウェハ200の表面に保護キャップ300を取り付けた後、半導体ウェハ200をそのスクライブ領域210にて分断して半導体チップ10とし、続いて、半導体チップ10の表面から保護キャップ300を取り外すようにした半導体装置100の製造方法において、半導体ウェハ200として、その表面におけるスクライブ領域210に存在する段差部30が半導体ウェハ200におけるウェハ面と直角な方向Yから傾斜した形状となっているものを用いることを特徴とする製造方法を提供することができる。
本製造方法の作用効果については、上記した本実施形態の半導体装置100、100’について述べたものと同様である。
そのため、本製造方法によっても、半導体ウェハ200の表面に対して露出構造部20を覆うように保護キャップ300を取り付けたものを、スクライブ領域210にて分断して半導体チップ10とした後、保護キャップ300を取り外すことにより形成された半導体装置100において、半導体チップ10への保護キャップ300の粘着剤残りを極力低減することができる。
さらに、この製造方法においても、半導体ウェハ200として、ウェハ面と平行な面に対する段差部30の傾斜角度θ1が0°よりも大きく80°以下であるものを用いることが好ましいことは、上記したことから明らかである。
(他の実施形態)
なお、上記した半導体装置100、100’において露出構造部20の形状は、上記した各図に示されている例に限定されることなく、適宜、任意の形状を採用することができる。
なお、上記した半導体装置100、100’において露出構造部20の形状は、上記した各図に示されている例に限定されることなく、適宜、任意の形状を採用することができる。
また、本発明の半導体装置および半導体装置の製造方法は、上記した加速度センサに限らず、可動部や機械的強度の低い構造体が形成された半導体チップまたは半導体ウェハであるならば適用することができる。たとえば、ヨーレートセンサ、ダイアフラムを露出構造部とする圧力センサ等の半導体装置やエアーブリッジ配線に対しても適用できるものである。
10…半導体チップ、20…露出構造部、30…段差部、
200…発熱素子ウェハ、210…スクライブ領域、
300…保護キャップ、
Y…半導体チップにおけるチップ面と直角な方向、および、半導体ウェハにおけるウェハ面と直角な方向、
θ1…段差部の傾斜角度。
200…発熱素子ウェハ、210…スクライブ領域、
300…保護キャップ、
Y…半導体チップにおけるチップ面と直角な方向、および、半導体ウェハにおけるウェハ面と直角な方向、
θ1…段差部の傾斜角度。
Claims (8)
- 表面に可動部や構造体が露出した露出構造部(20)を有する半導体ウェハ(200)に対して、前記露出構造部(20)を覆うように前記半導体ウェハ(200)の表面に保護キャップ(300)を取り付けたものを、前記半導体ウェハ(200)のスクライブ領域(210)にて分断して半導体チップ(10)とした後、前記半導体チップ(10)の表面から前記保護キャップ(300)を取り外すことにより形成された半導体装置において、
前記半導体チップ(10)の表面における前記スクライブ領域(210)に存在する段差部(30)は、前記半導体チップ(10)におけるチップ面と直角な方向(Y)から傾斜した形状となっていることを特徴とする半導体装置。 - 前記チップ面と平行な面に対する前記段差部(30)の傾斜角度(θ1)は、0°よりも大きく80°以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 可動部や構造体が露出した露出構造部(20)を有する半導体ウェハ(200)と、
前記露出構造部(20)を覆うように前記半導体ウェハ(200)の表面に設けられた取り外し可能な保護キャップ(300)とを備える半導体装置であって、
前記半導体ウェハ(200)の表面におけるスクライブ領域(210)に存在する段差部(30)は、前記半導体ウェハ(200)におけるウェハ面と直角な方向(Y)から傾斜した形状となっていることを特徴とする半導体装置。 - 前記ウェハ面と平行な面に対する前記段差部(30)の傾斜角度(θ1)は、0°よりも大きく80°以下であることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記保護キャップ(300)は、UV光により粘着力が低下するものであることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の半導体装置。
- 表面に可動部や構造体が露出した露出構造部(20)を有する半導体ウェハ(200)を用意し、
前記露出構造部(20)を覆うように前記半導体ウェハ(200)の表面に保護キャップ(300)を取り付けた後、
前記半導体ウェハ(200)をそのスクライブ領域(210)にて分断して半導体チップ(10)とし、
続いて、前記半導体チップ(10)の表面から前記保護キャップ(300)を取り外すようにした半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウェハ(200)として、その表面におけるスクライブ領域(210)に存在する段差部(30)が前記半導体ウェハ(200)におけるウェハ面と直角な方向(Y)から傾斜した形状となっているものを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体ウェハ(200)として、前記ウェハ面と平行な面に対する前記段差部(30)の傾斜角度(θ1)が0°よりも大きく80°以下であるものを用いることを特徴とする請求項6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記保護キャップ(300)としては、UV光により粘着力が低下するものを用いることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2004169641A JP2005349486A (ja) | 2004-06-08 | 2004-06-08 | 半導体装置およびその製造方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2009028808A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Rohm Co Ltd | Memsセンサおよびmemsセンサの製造方法 |
US8030180B2 (en) | 2007-03-13 | 2011-10-04 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
-
2004
- 2004-06-08 JP JP2004169641A patent/JP2005349486A/ja not_active Withdrawn
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