KR102042872B1 - 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법 - Google Patents

포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102042872B1
KR102042872B1 KR1020150106833A KR20150106833A KR102042872B1 KR 102042872 B1 KR102042872 B1 KR 102042872B1 KR 1020150106833 A KR1020150106833 A KR 1020150106833A KR 20150106833 A KR20150106833 A KR 20150106833A KR 102042872 B1 KR102042872 B1 KR 102042872B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
mask pattern
photomask
light shielding
layer
Prior art date
Application number
KR1020150106833A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170013750A (ko
Inventor
손용구
이기석
이승헌
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020150106833A priority Critical patent/KR102042872B1/ko
Priority to PCT/KR2016/008299 priority patent/WO2017018831A1/ko
Priority to EP16830864.1A priority patent/EP3330795B1/en
Priority to US15/580,241 priority patent/US10747101B2/en
Priority to CN201680033687.6A priority patent/CN107710071A/zh
Priority to JP2017559568A priority patent/JP6458972B2/ja
Publication of KR20170013750A publication Critical patent/KR20170013750A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102042872B1 publication Critical patent/KR102042872B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48—Protective coatings
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof

Abstract

본 명세서는 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.

Description

포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법{PHOTOMASK, LAMINATE COMPRISING THE PHOTOMASK, METHOD FOR MANUFACTURING THE PHOTOMASK AND DEVICE FOR FORMING PATTERN USING THE PHOTOMASK}
본 명세서는 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
디스플레이 장치의 패턴을 형성하는 경우에, 기판에 패턴을 형성하는 방법 중에서, 포토마스크를 이용한 포토리소그래피법이 많이 사용되고 있다.
상기 포토리소그래피법은 포토레지스트(photoresist)를 기재 상에 균일하게 도포하고, 노광(exposing) 장비와 포토마스크를 사용하여 포토마스크 상의 패턴을 노광시킨 후, 현상(developing), 포스트 베이크 과정을 거쳐 원하는 패턴을 형성시키는 모든 공정을 말한다.
상기 포토레지스트 층이 포지티브(positive) 레지스트 층이면, 노광된 영역에서 레지스트 층 재료의 화학적 변화가 일어나고, 상기 재료는 현상 시에 레지스트 층으로부터 떨어져 나갈 수 있다. 이에 반해, 포토레지스트 층이 네가티브(negative) 레지스트 층이면, 현상 시에 노광되지 않은 재료가 떨어져 나간다.
이때, 포토리소그래피법은 마스크패턴이 형성된 투과성 기판을 포토마스크로 배치하고 상기 포토마스크 상에 빛을 조사하여 레지스트막에 소정형상의 레지스트 패턴을 형성한다.
한국특허공개번호 제10-2009-0003601호
본 명세서는 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법을 제공하고자 한다.
본 명세서는 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛; 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 제공한다.
또한, 본 명세서는 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물 및 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛; 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 포함하고, 상기 노광대상물의 포토레지스트층은 포토마스크의 투명평탄층과 접촉하는 것인 적층체를 제공한다.
또한, 본 명세서는 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛 및 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛을 준비하는 단계; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면 상에 중간층을 형성한 후 상기 중간층 상에 제2 유닛을 적층하는 단계; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 투명평탄층을 형성하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 명세서는 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물을 준비하는 단계; 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛, 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층, 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크의 투명평탄층과 상기 노광대상물의 포토레지스트층을 접촉하도록 라미네이트하는 단계; 상기 포토마스크의 제1 기판 측에서 빛을 조사하는 노광단계; 및 노광 후 상기 노광대상물로부터 상기 포토마스크를 분리하는 단계를 포함하는 것인 패턴형성방법을 제공한다.
본 명세서에 따른 포토마스크는 대면적 또는 광폭의 포토마스크를 제조할 수 있다.
본 명세서에 따른 포토마스크는 투명평탄층의 적용으로 노광대상물의 포토레지스트층과 차광패턴층의 접촉으로 발생하는 오염을 방지할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 포토마스크의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 포토마스크의 차광마스크패턴을 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 포토마스크를 이용한 패턴형성방법을 나타내는 순서도이다.
도 4는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 포토마스크를 이용하여 제조된 패턴이미지 이다.
도 5는 비교예 1의 포토마스크의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 6은 비교예 2의 포토마스크의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
이하에서 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.
본 명세서는 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛; 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 제공한다.
상기 제1 유닛은 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하며, 상기 제2 유닛은 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 차광마스크 패턴 및 중간층과의 접착성이 좋고, 포토마스크의 기판으로서 포토마스크를 투과하는 빛에 최소한으로 영향을 미칠 수 있는 것이 바람직하다.
상기 제1 기판 및 제2 기판은 각각 강성 기판이거나 플렉서블 기판일 수 있다. 상기 플렉서블 기판은 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름일 수 있다. 상기 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름은 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone) 및 폴리이미드(PI; polyimide) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판은 각각 투명도가 높은 기판을 사용할 수 있으며, 상기 제1 기판 및 제2 기판의 광투과도는 50 % 이상일 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판의 굴절률은 각각 중간층의 굴절률과 차이가 적은 것이 바람직하며, 상기 제1 기판 및 제2 기판의 굴절률은 각각 1.45 이상 1.65 이하일 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판은 동일하거나 상이한 재질로 이루어질 수 있으나, 상기 제1 기판 및 제2 기판은 동일한 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 일부가 겹치거나, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 겹치지 않을 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 일부가 겹칠 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 일부가 겹칠 수 있다.
상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면은 서로 마주볼 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면은 서로 마주볼 수 있다.
상기 중간층은 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하며, 제1 유닛과 제2 유닛을 접착할 수 있는 접착력을 가지고, 포토마스크를 투과하는 빛에 최소한으로 영향을 미칠 수 있는 것이 바람직하다.
상기 중간층은 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 실록산계 수지를 포함할 수 있고, 더 구체적으로, PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함할 수 있다.
상기 중간층의 두께는 1㎛이상 500㎛ 이하일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 투명평탄층은 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하며, 제2 유닛의 중간층이 구비된 면의 반대면은 평탄한 층이다. 상기 투명평탄층 중 제2 유닛의 중간층이 구비된 면의 반대면의 평탄화도를 나타내는 표면거칠기(Ra)는 0.1nm 이상 20nm 이하인 것이 바람직하다.
상기 투명평탄층은 차광마스크 패턴에 의해 차단되지 않고 포토마스크를 투과하는 빛에 최소한으로 영향을 미칠 수 있는 것이 바람직하다. 상기 투명평탄층은 투명도가 높은 재료를 사용할 수 있으며, 상기 투명평탄층의 광투과도는 50 % 이상일 수 있다.
상기 투명평탄층의 굴절률은 제1 기판, 제2 기판 및 중간층의 굴절률과 차이가 적은 것이 바람직하며, 상기 투명평탄층의 굴절률은 1.43 이상 1.49 이하일 수 있다.
상기 투명평탄층의 두께는 1㎛ 이상 500㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 투명평탄층의 두께는 1㎛ 이상 50㎛ 이하일 수 있다.
상기 투명평탄층은 평탄층을 형성할 수 있도록 도포특성이 우수하고, 광투과도가 높으며, 다른 물체의 표면에 부착되고 분리될 수 있도록 점착성과 이형성을 갖는 것이 바람직하다.
상기 투명평탄층은 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 실록산계 수지를 포함할 수 있고, 더 구체적으로, PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함할 수 있다.
상기 투명평탄층은 중간층과 동일한 또는 상이한 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 상기 투명평탄층은 중간층과 동일한 실리콘계 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
본 명세서는 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물 및 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛; 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 포함하고, 상기 노광대상물의 포토레지스트층은 포토마스크의 투명평탄층과 접촉하는 것인 적층체를 제공한다.
상기 기재의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 상기 기재는 강성 재질 또는 연성 재질일 수 있다.
상기 강성 재질은 유리, 금속, 강성 플라스틱 또는 두꺼운 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 연성 재질은 연성 플라스틱 또는 얇은 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 기재의 두께는 15㎛ 이상 2mm 이하일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 포토레지스트층(PR, Photoresist)은 빛에 노출됨으로써 현상액에 대한 내성이 변화하는 고분자를 포함하는 층을 의미하며, 상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트층 또는 네가티브 포토레지스트층일 수 있다. 구체적으로, 상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트층인 것이 바람직하다.
상기 포토레지스트층의 두께는 100nm 이상 10㎛ 이하일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 노광대상물은 상기 기재와 상기 포토레지스트층 사이에 구비된 금속층을 더 포함할 수 있다.
상기 금속층의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 상기 금속층은 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 금(Au), 및 은(Ag) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 적층체에서 포토마스크에 대한 설명은 상술한 포토마스크에 대한 설명을 인용할 수 있다.
본 명세서는 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛 및 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛을 준비하는 단계; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면 상에 중간층을 형성한 후 상기 중간층 상에 제2 유닛을 적층하는 단계; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 투명평탄층을 형성하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법을 제공한다.
상기 포토마스크의 제조방법은 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛 및 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛을 준비하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 제1 기판 및 제2 기판 상에 각각 제1 차광마스크 패턴 및 제2 차광마스크 패턴을 형성하는 방법은 각각 잉크젯프린팅, 그라비아프린팅, 그라비아오프셋프린팅, 스크린프린팅, 리버스오프셋프린팅, 및 포토리소그래피일 수 있다. 구체적으로, 상기 제1 기판 및 제2 기판 상에 각각 제1 차광마스크 패턴 및 제2 차광마스크 패턴을 형성하는 방법은 포토리소그래피일 수 있으며, 기판 상에 차광마스크 금속을 증착하고 에칭 레지스트 패턴을 형성한 후, 식각공정을 통해 에칭 레지스트 패턴이 구비되지 않은 영역의 금속을 선택적으로 제거하며 최종적으로 차광마스크 패턴 상의 에칭 레지스트 패턴을 박리하여 차광마스크 패턴을 형성할 수 있다.
상기 제1 유닛 및 제2 유닛에 대한 설명은 상술한 바를 인용할 수 있다.
상기 포토마스크의 제조방법은 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면 상에 중간층을 형성한 후 상기 중간층 상에 제2 유닛을 적층하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 중간층을 형성하는 방법은 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면 상에 중간층을 형성하기 위한 조성물을 도포한 후 상기 조성물을 건조 및 경화하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 중간층 상에 제2 유닛을 적층하는 단계는 상기 중간층 상에 제2 유닛의 제2 기판이 접촉하도록 적층하거나, 상기 중간층 상에 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 제2 기판의 면이 접촉하도록 적층할 수 있다. 구체적으로, 상기 중간층 상에 제2 유닛을 적층하는 단계는 상기 중간층 상에 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 제2 기판의 면이 접촉하도록 적층하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면은 서로 마주보는 것이 바람직하다.
상기 포토마스크의 제조방법은 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 투명평탄층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 투명평탄층을 형성하는 단계는 투명평탄층을 형성하기 위한 조성물을 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 도포하는 단계; 및 상기 조성물을 건조 및 경화시키는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 도포, 건조 및 경화방법은 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 방법을 채용할 수 있다.
상기 투명평탄층을 형성하기 위한 조성물은 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 실록산계 수지를 포함할 수 있고, 더 구체적으로, PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함할 수 있다.
상기 중간층을 형성하기 위한 조성물 및 투명평탄층을 형성하기 위한 조성물은 각각 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 상기 중간층을 형성하기 위한 조성물은 투명평탄층을 형성하기 위한 조성물과 동일한 또는 상이한 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 상기 중간층을 형성하기 위한 조성물은 투명평탄층을 형성하기 위한 조성물과 동일한 실리콘계 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 중간층을 형성하기 위한 조성물 및 투명평탄층을 형성하기 위한 조성물은 각각 경화제를 더 포함할 수 있다. 상기 경화제는 특별히 한정하지 않으며, 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 재질을 선택할 수 있다.
본 명세서는 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물을 준비하는 단계; 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛, 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층, 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크의 투명평탄층과 상기 노광대상물의 포토레지스트층을 접촉하도록 라미네이트하는 단계; 상기 포토마스크의 제1 기판 측에서 빛을 조사하는 노광단계; 및 노광 후 상기 노광대상물로부터 상기 포토마스크를 분리하는 단계를 포함하는 것인 패턴형성방법을 제공한다.
상기 패턴형성방법에서, 상술한 설명과 중복되는 설명은 생략하며, 상술한 설명을 인용할 수 있다.
상기 패턴형성방법은 상기 포토마스크를 분리한 후 노광된 노광대상물을 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 노광된 노광대상물을 현상하는 방법은 현상액을 노광된 노광대상물에 도포하는 방식으로 포토레지스트패턴을 형성하거나, 노광된 노광대상물을 현상액에 침지하는 방식으로 포토레지스트패턴을 형성할 수 있다.
상기 노광대상물이 상기 기재와 상기 포토레지스트층 사이에 구비된 금속층을 더 포함하는 경우, 상기 포토마스크를 분리한 후 노광된 노광대상물을 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금속층의 포토레지스트패턴이 형성되지 않은 부분을 식각하여 금속패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 금속패턴을 형성하는 단계는 상기 금속층의 포토레지스트패턴이 형성되지 않은 부분을 식각하는 단계; 및 금속층을 식각한 후 포토레지스트패턴을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것일 뿐, 본 명세서를 한정하기 위한 것은 아니다.
[실시예]
[실시예 1]
필름 포토마스크 제조
500mm Ⅹ 500mm 크기의 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면 상에 실리콘계 수지 조성물을 베이커 어플리케이터를 이용하여 100㎛ 두께로 도포한 후 70℃에서 10분간 건조하여 최종적으로 30㎛ 두께의 중간층을 형성했다. 상기 실리콘계 수지 조성물은 신에츠社의 주제(제품명 KE-1606)와 경화제(제품명 CAT-RG)를 10:1.5 비율로 배합한 것을 사용했다.
상기 중간층 상에 500mm Ⅹ 500mm 크기의 제 2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면을 마주보게 합지했다.
상기 제1, 제2 유닛은 100㎛ 두께의 PET 기재 상에 선폭 10㎛, 선간거리 300㎛, 선고 100nm인 알루미늄(Al) 메쉬 패턴을 구비했다.
상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 상기 실리콘계 수지 조성물을 베이커 어플리케이터를 이용하여 100㎛ 두께로 도포한 후 100℃에서 10분간 건조 및 열경화하여 최종적으로 30㎛ 두께의 투명평탄층을 형성하여 도 1과 같은 필름 포토마스크를 제조했다.
노광 대상물 제조 및 패터닝
100㎛ 두께의 PET 기재 상에 노블락 수지와 다이아조나프토퀴논 유도체로 구성되어 있는 포지티브 포토레지스트를 슬롯다이 코터를 이용하여 1.5㎛ 두께로 도포했다.
제조된 필름 포토마스크와 상기 노광 대상물을 롤 라미네이터를 이용하여 도 3과 같이 합지했다.
상기 합지된 적층체를 콜리메이션 렌즈가 구비된 평행광 노광기를 이용하여 노광한 후 필름 포토마스크를 노광 대상물로부터 분리하고, Tetramethyl ammounium hydroxide (TMAH) 2.38wt% 농도의 현상액에 노광 대상물을 50초간 침지하여 포토레지스트 패턴을 형성했다.
[실시예 2]
제 1 유닛과 제2 유닛의 메쉬패턴이 도 4와 같이 겹치도록 배치한 것을 제외하고 실시예 1과 동일하게 필름 포토마스크를 제조하고, 제조된 필름 포토마스크를 이용하여 노광 대상물에 포토레지스트 패턴을 형성했다.
그 결과 도 4와 같이 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴에 의해 형성된 포토레지스트 패턴과 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴에 의해 형성된 포토레지스트 패턴의 선폭이 동일한 것을 알 수 있다.
[비교예 1]
실시예에서 투명평탄층을 형성하지 않는 것을 제외하고, 동일하게 제조했으며, 비교예 1의 구조를 도 5에 도시했다.
비교예 1을 이용하는 경우, 포토마스크와 인쇄대상물의 포토레지스트와 접촉시 들뜸현상이 발생하고 표면오염이 발생했다.
[비교예 2]
실시예에서 중간층을 제2 유닛의 차광 패턴이 구비된 면의 반대면에 형성하는 것을 제외하고, 동일하게 제조했으며, 비교예 2의 구조를 도 6에 도시했다.
비교예 2를 이용하는 경우, 제1 차광 패턴에 의해 형성된 포토레지스트 패턴과 제2 차광 패턴에 의해 형성된 포토레지스트 패턴의 선폭이 상이해짐을 알 수 있다.

Claims (17)

  1. 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛;
    제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛;
    상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층; 및
    상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하고,
    상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 겹치지 않는 것인 포토마스크.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면은 서로 마주보는 것인 포토마스크.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 중간층과 상기 투명평탄층은 각각 실리콘계 수지를 포함하는 것인 포토마스크.
  6. 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물 및
    제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛; 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛; 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면 사이에 위치하는 중간층; 및 상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 포함하고,
    상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 겹치지 않으며,
    상기 노광대상물의 포토레지스트층은 포토마스크의 투명평탄층과 접촉하는 것인 적층체.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트층인 것인 적층체.
  8. 청구항 6에 있어서, 상기 노광대상물은 상기 기재와 상기 포토레지스트층 사이에 구비된 금속층을 더 포함하는 것인 적층체.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 청구항 6에 있어서, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면은 서로 마주보는 것인 적층체.
  12. 제1 기판 상에 구비된 제1 차광마스크 패턴을 포함하는 제1 유닛 및 제2 기판 상에 구비된 제2 차광마스크 패턴을 포함하는 제2 유닛을 준비하는 단계;
    상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면 상에 중간층을 형성한 후 상기 중간층 상에 제2 유닛을 적층하는 단계; 및
    상기 제2 유닛의 중간층이 구비된 면과 반대면에 투명평탄층을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴은 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴과 겹치지 않는 것인 포토마스크의 제조방법.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 제1 유닛의 제1 차광마스크 패턴이 구비된 면과 상기 제2 유닛의 제2 차광마스크 패턴이 구비된 면은 서로 마주보는 것인 포토마스크의 제조방법.
  14. 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물을 준비하는 단계;
    청구항 1, 4 및 5 중 어느 한항에 따른 포토마스크의 투명평탄층과 상기 노광대상물의 포토레지스트층을 접촉하도록 라미네이트하는 단계;
    상기 포토마스크의 제1 기판 측에서 빛을 조사하는 노광단계; 및
    노광 후 상기 노광대상물로부터 상기 포토마스크를 분리하는 단계를 포함하는 것인 패턴형성방법.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 포토마스크를 분리한 후 상기 노광된 노광대상물을 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 패턴형성방법.
  16. 청구항 14에 있어서, 상기 노광대상물은 상기 기재와 상기 포토레지스트층 사이에 구비된 금속층을 더 포함하는 것인 패턴형성방법.
  17. 청구항 16에 있어서, 상기 포토마스크를 분리한 후 상기 노광된 노광대상물을 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 금속층의 포토레지스트패턴이 형성되지 않은 부분을 식각하여 금속패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 패턴형성방법.
KR1020150106833A 2015-07-28 2015-07-28 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법 KR102042872B1 (ko)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150106833A KR102042872B1 (ko) 2015-07-28 2015-07-28 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
PCT/KR2016/008299 WO2017018831A1 (ko) 2015-07-28 2016-07-28 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
EP16830864.1A EP3330795B1 (en) 2015-07-28 2016-07-28 Photomask, laminate comprising photomask, photomask preparation method, and pattern forming method using photomask
US15/580,241 US10747101B2 (en) 2015-07-28 2016-07-28 Photomask, laminate comprising photomask, photomask preparation method, and pattern forming method using photomask
CN201680033687.6A CN107710071A (zh) 2015-07-28 2016-07-28 光掩模、包含光掩模的积层体、光掩模的制造方法以及使用光掩模形成图案的方法
JP2017559568A JP6458972B2 (ja) 2015-07-28 2016-07-28 フォトマスク、前記フォトマスクを含む積層体、前記フォトマスクの製造方法および前記フォトマスクを用いるパターン形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150106833A KR102042872B1 (ko) 2015-07-28 2015-07-28 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170013750A KR20170013750A (ko) 2017-02-07
KR102042872B1 true KR102042872B1 (ko) 2019-11-08

Family

ID=57884776

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150106833A KR102042872B1 (ko) 2015-07-28 2015-07-28 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10747101B2 (ko)
EP (1) EP3330795B1 (ko)
JP (1) JP6458972B2 (ko)
KR (1) KR102042872B1 (ko)
CN (1) CN107710071A (ko)
WO (1) WO2017018831A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11294273B2 (en) * 2019-10-25 2022-04-05 Innolux Corporation Mask substrate and method for forming mask substrate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001296650A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Nec Corp レチクル

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5745979B2 (ko) 1973-05-09 1982-09-30
JPS5950444A (ja) 1982-09-16 1984-03-23 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 微細加工用ホトマスク
JPH0566554A (ja) * 1991-09-09 1993-03-19 Sharp Corp フオトマスク
JPH0675358A (ja) * 1992-08-27 1994-03-18 Oki Electric Ind Co Ltd フォトマスクの製造方法
US6300042B1 (en) 1998-11-24 2001-10-09 Motorola, Inc. Lithographic printing method using a low surface energy layer
JP2000292905A (ja) 1999-04-12 2000-10-20 Hitachi Ltd パタンデータの作成方法および固体素子の製造方法
KR100496520B1 (ko) * 2002-09-13 2005-06-22 주식회사 릿츠 포토리소그라피 방식을 이용한 스템퍼 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 스템퍼
JP2005003949A (ja) * 2003-06-12 2005-01-06 Renesas Technology Corp フォトマスクおよびその製造方法
US20050100798A1 (en) 2003-10-15 2005-05-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Device and method for providing wavelength reduction with a photomask
US7259106B2 (en) * 2004-09-10 2007-08-21 Versatilis Llc Method of making a microelectronic and/or optoelectronic circuitry sheet
KR20060079957A (ko) 2005-01-04 2006-07-07 삼성에스디아이 주식회사 포토리소그래피용 연질 포토마스크, 그 제조방법, 이를채용한 패턴 형성 방법
JP4563949B2 (ja) 2005-10-21 2010-10-20 信越化学工業株式会社 マスクパターン被覆材料
JP4204583B2 (ja) 2005-10-24 2009-01-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
US7632609B2 (en) 2005-10-24 2009-12-15 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Fabrication method of photomask-blank
KR20090003601A (ko) 2007-07-03 2009-01-12 주식회사 엘지화학 플렉시블 포토마스크 및 이의 제조방법
US7858687B2 (en) 2008-07-30 2010-12-28 E.I. Du Pont De Nemours And Company Polyimide resins for high temperature wear applications
JP2010107886A (ja) 2008-10-31 2010-05-13 Fujifilm Corp フォトマスク用ハードコート組成物、フォトマスク、及びその製造方法
US20120094220A1 (en) * 2009-06-20 2012-04-19 Sharp Kabushiki Kaisha Photo mask, photolithography method, substrate production method and display panel production method
KR101148099B1 (ko) 2010-10-01 2012-05-23 엘지이노텍 주식회사 탭 테이프 및 그 제조방법
JP5745979B2 (ja) 2011-09-16 2015-07-08 三菱電機株式会社 マルチプルビュー液晶表示装置
CN202886836U (zh) 2012-11-14 2013-04-17 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版
US9304389B2 (en) 2013-10-31 2016-04-05 United Microelectronics Corp. Photomask and fabrication method thereof

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001296650A (ja) * 2000-04-17 2001-10-26 Nec Corp レチクル

Also Published As

Publication number Publication date
US10747101B2 (en) 2020-08-18
KR20170013750A (ko) 2017-02-07
EP3330795A4 (en) 2019-03-27
CN107710071A (zh) 2018-02-16
EP3330795B1 (en) 2023-01-11
JP6458972B2 (ja) 2019-01-30
EP3330795A1 (en) 2018-06-06
JP2018521339A (ja) 2018-08-02
WO2017018831A1 (ko) 2017-02-02
US20180164677A1 (en) 2018-06-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5761320B2 (ja) マイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法
KR102080963B1 (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법, 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성장치 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
JP2010276724A5 (ko)
KR102042872B1 (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
KR101655035B1 (ko) 포토마스크 및 포토마스크의 제조 방법
JP7027823B2 (ja) 機能性基板及びその製造方法、並びにインプリントモールド
JP7139751B2 (ja) インプリントモールドの製造方法
KR102092993B1 (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체 및 상기 포토마스크의 제조방법
US20120125213A1 (en) Cliche and manufacturing method for the same
JP4588041B2 (ja) 樹脂モールドを利用した印刷版の製造方法
KR101964603B1 (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
CN107107603B (zh) 用于胶版印刷的铅版的制造方法以及用于胶版印刷的铅版
JP4912648B2 (ja) 光学シートの製造方法及び光学シート
KR20210059356A (ko) 필름 마스크, 필름 마스크의 제조 방법 및 필름 마스크를 이용한 패턴의 제조 방법
JP2016126240A (ja) 印刷用樹脂原版の製造方法およびフレキソ印刷版
KR101416629B1 (ko) 미세 패턴을 갖는 제품의 제조 방법, 및 이에 의해 제조되는 제품
KR102016616B1 (ko) 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐
KR101486712B1 (ko) 플렉서블 기판에 입체형 금속 구조체를 제조하는 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant