KR101964603B1 - 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법 - Google Patents

포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법 Download PDF

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Abstract

본 명세서는 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.

Description

포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법{PHOTOMASK, LAMINATE COMPRISING THE PHOTOMASK, METHOD FOR MANUFACTURING THE PHOTOMASK AND DEVICE FOR FORMING PATTERN USING THE PHOTOMASK}
본 명세서는 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법에 관한 것이다.
디스플레이 장치의 패턴을 형성하는 경우에, 기판에 패턴을 형성하는 방법 중에서, 포토마스크를 이용한 포토리소그래피법이 많이 사용되고 있다.
상기 포토리소그래피법은 포토레지스트(photoresist)를 기재 상에 균일하게 도포하고, 노광(exposing) 장비와 포토마스크를 사용하여 포토마스크 상의 패턴을 노광시킨 후, 현상(developing), 포스트 베이크 과정을 거쳐 원하는 패턴을 형성시키는 모든 공정을 말한다.
상기 포토레지스트 층이 포지티브(positive) 레지스트 층이면, 노광된 영역에서 레지스트 층 재료의 화학적 변화가 일어나고, 상기 재료는 현상 시에 레지스트 층으로부터 떨어져 나갈 수 있다. 이에 반해, 포토레지스트 층이 네가티브(negative) 레지스트 층이면, 현상 시에 노광되지 않은 재료가 떨어져 나간다.
이때, 포토리소그래피법은 마스크패턴이 형성된 투과성 기판을 포토마스크로 배치하고 상기 포토마스크 상에 빛을 조사하여 레지스트막에 소정형상의 레지스트 패턴을 형성한다.
한국특허공개번호 제10-2009-0003601호
본 명세서는 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법을 제공하고자 한다.
본 명세서는 지지체(support body); 상기 지지체 상에 구비된 접착층; 상기 접착층 상에 위치하며, 기판(substrate) 및 상기 기판 상에 구비된 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛; 및 상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 제공한다.
또한, 본 명세서는 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물, 및 지지체 상에 구비된 접착층; 상기 접착층 상에 위치하며, 기재 상에 구비된 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛; 및 상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 구비된 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 포함하고, 상기 노광대상물의 포토레지스트층은 포토마스크의 투명평탄층과 접촉하는 것인 적층체를 제공한다.
또한, 본 명세서는 지지체 상에 제1 조성물을 이용하여 접착층을 형성하는 단계; 기판 상에 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛을 준비하는 단계; 상기 접착층 상에 2 이상의 차광유닛을 배열하는 단계; 및 상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 제2 조성물을 이용하여 투명평탄층을 형성하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 명세서는 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물을 준비하는 단계; 지지체 상에 구비된 접착층, 상기 접착층 상에 위치하며 기재 상에 구비된 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛, 및 상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 구비된 투명평탄층을 포함하는 포토마스크의 투명평탄층과 상기 노광대상물의 포토레지스트층을 접촉하도록 라미네이트하는 단계; 상기 포토마스크의 지지체 측에서 빛을 조사하는 노광단계; 및 노광 후 상기 노광대상물로부터 상기 포토마스크를 분리하는 단계를 포함하는 것인 패턴형성방법을 제공한다.
본 명세서에 따른 포토마스크는 대면적 또는 광폭의 포토마스크를 제조할 수 있다.
본 명세서에 따른 포토마스크는 다수의 차광유닛의 단차로 인한 경계부의 패턴이 형성되지 않는 장점이 있다.
본 명세서에 따른 포토마스크는 투명평탄층의 적용으로 노광대상물의 포토레지스트층과 차광패턴층의 접촉으로 발생하는 오염을 방지할 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 포토마스크의 수직단면도이다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 포토마스크의 제조방법 및 제조된 포토마스크를 이용한 패턴형성방법을 나타내는 순서도이다.
도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 포토마스크와 이를 이용하여 형성된 패턴의 이미지이다.
도 4는 비교예 1의 포토마스크를 이용하여 형성된 패턴의 이미지이다.
도 5는 비교예 2의 포토마스크를 이용하여 형성된 패턴의 이미지이다.
이하에서 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.
본 명세서는 지지체(support body); 상기 지지체 상에 구비된 접착층; 상기 접착층 상에 위치하며, 기판(substrate) 및 상기 기판 상에 구비된 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛; 및 상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 제공한다.
상기 지지체의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 상기 지지체는 강성 재질 또는 연성 재질일 수 있다.
상기 강성 재질은 유리, 금속, 강성 플라스틱 또는 두꺼운 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 연성 재질은 연성 플라스틱 또는 얇은 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 지지체의 두께는 15㎛ 이상 2mm 이하일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 지지체는 대면적 또는 광폭일 수 있으며, 구체적으로, 상기 지지체의 면적은 0.16m2 이상 4m2 이하일 수 있으며, 구체적으로 상기 지지체의 폭(가로)은 400mm 이상 2000mm 이하이며, 상기 지지체의 길이(세로)는 400mm 이상 2000mm 이하일 수 있다.
상기 접착층은 차광유닛을 구비하는 면의 전체에 도포되며, 차광유닛을 접착할 수 있는 접착력을 가지고, 포토마스크를 투과하는 빛에 최소한으로 영향을 미칠 수 있는 것이 바람직하다.
상기 접착층은 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 실록산계 수지를 포함할 수 있고, 더 구체적으로, PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함할 수 있다.
상기 접착층의 두께는 1㎛ 이상 500㎛ 이하일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 차광유닛은 접착층 상에 위치하며, 기판(substrate) 및 상기 기판 상에 구비된 차광마스크 패턴을 포함할 수 있다.
상기 2 이상의 차광유닛의 차광마스크 패턴은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 2 이상의 차광유닛의 면적은 각각 0.01m2 이상 1m2 이하일 수 있다.
상기 2 이상의 차광유닛은 적어도 2개의 차광유닛을 포함하며, 차광유닛의 개수를 한정하지 않으나, 예를 들면, 상기 2 이상의 차광유닛은 2개 이상 8개 이하일 수 있다.
상기 기판의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 차광마스크 패턴 및 접착층과의 접착성이 좋고, 포토마스크의 기판으로서 포토마스크를 투과하는 빛에 최소한으로 영향을 미칠 수 있는 것이 바람직하다.
상기 기판은 강성 기판이거나 플렉서블 기판일 수 있다. 구체적으로 플렉서블 기판은 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름일 수 있다. 상기 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름은 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone) 및 폴리이미드(PI; polyimide) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 기판은 투명도가 높은 기판을 사용할 수 있으며, 상기 기판의 광투과도는 50 % 이상일 수 있다.
상기 기판의 굴절률은 지지체 및 접착층의 굴절률과 차이가 적은 것이 바람직하며, 상기 기판의 굴절률은 1.45 이상 1.65 이하일 수 있다.
상기 차광마스크 패턴은 빛을 차단할 수 있는 재질로 형성된 것이며, 빛을 차단할 수 있고 패턴형성에 용이한 재질이라면 특별히 한정하지 않으며 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 재질로 형성할 수 있다. 예를 들면, 상기 차광마스크 패턴은 금속패턴일 수 있으며, 구체적으로 상기 금속패턴은 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 금(Au), 및 은(Ag) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 차광마스크 패턴의 형성방법은 차광패턴을 기판 상에 형성할 수 있다면, 특별히 한정하지 않으며, 예를 들면, 롤프린팅, 잉크젯인쇄법, 스크린인쇄법 증착법, 포토리소그래피법, 식각법 등일 수 있다.
상기 차광마스크 패턴의 형상은 금속패턴 또는 포토레지스트 패턴이 필요한 분야의 패턴형상일 수 있다.
상기 차광마스크 패턴의 형상은 격자모양의 금속패턴의 형상일 수 있으며, 동일한 패턴이 반복된 형상이거나 서로 상이한 2 이상의 패턴이 이격 또는 연결된 형상일 수 있다.
상기 차광마스크 패턴의 두께는 20nm 이상 500nm 이하일 수 있다.
상기 투명평탄층은 상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층의 전체를 덮으며, 상기 투명평탄층 중 차광마스크 패턴이 구비된 기판과 접하는 면의 반대면은 평탄한 층이다. 상기 투명평탄층 중 차광마스크 패턴이 구비된 기판과 접하는 면의 반대면의 평탄화도를 나타내는 표면거칠기(Ra)는 0.1nm 이상 20nm 이하인 것이 바람직하다.
상기 투명평탄층은 차광마스크 패턴에 의해 차단되지 않고 포토마스크를 투과하는 빛에 최소한으로 영향을 미칠 수 있는 것이 바람직하다. 상기 투명평탄층은 투명도가 높은 재료를 사용할 수 있으며, 상기 투명평탄층의 광투과도는 50 % 이상일 수 있다.
상기 투명평탄층의 굴절률은 지지체, 접착층 및 기판의 굴절률과 차이가 적은 것이 바람직하며, 상기 투명평탄층의 굴절률은 1.43 이상 1.49 이하일 수 있다.
상기 투명평탄층이 상기 기판과 접촉하는 한 점으로부터 상기 투명평탄층 중 차광마스크 패턴이 구비된 기판과 접하는 면의 반대면까지의 거리는 상기 차광마스크 패턴의 높이보다 높을 수 있다.
상기 투명평탄층이 상기 기판과 접촉하는 한 점으로부터 상기 투명평탄층 중 차광마스크 패턴이 구비된 기판과 접하는 면의 반대면까지의 거리는 1㎛ 이상 500㎛ 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 투명평탄층이 상기 기판과 접촉하는 한 점으로부터 상기 투명평탄층 중 차광마스크 패턴이 구비된 기판과 접하는 면의 반대면까지의 거리는 1㎛ 이상 50㎛ 이하일 수 있다.
상기 투명평탄층은 평탄층을 형성할 수 있도록 도포특성이 우수하고, 광투과도가 높으며, 다른 물체의 표면에 부착되고 분리될 수 있도록 점착성과 이형성을 갖는 것이 바람직하다.
상기 투명평탄층은 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 실록산계 수지를 포함할 수 있고, 더 구체적으로, PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함할 수 있다.
상기 투명평탄층은 접착층과 동일한 또는 상이한 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 상기 투명평탄층은 접착층과 동일한 실리콘계 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
본 명세서는 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물, 및 지지체 상에 구비된 접착층; 상기 접착층 상에 위치하며, 기재 상에 구비된 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛; 및 상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 구비된 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 포함하고, 상기 노광대상물의 포토레지스트층은 포토마스크의 투명평탄층과 접촉하는 것인 적층체를 제공한다.
상기 기재의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 상기 기재는 강성 재질 또는 연성 재질일 수 있다.
상기 강성 재질은 유리, 금속, 강성 플라스틱 또는 두꺼운 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 연성 재질은 연성 플라스틱 또는 얇은 플라스틱을 포함할 수 있다.
상기 기재의 두께는 15㎛ 이상 2mm 이하일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 포토레지스트층(PR, Photoresist)은 빛에 노출됨으로써 현상액에 대한 내성이 변화하는 고분자를 포함하는 층을 의미하며, 상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트층 또는 네가티브 포토레지스트층일 수 있다. 구체적으로, 상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트층인 것이 바람직하다.
상기 포토레지스트층의 두께는 100nm 이상 10㎛ 이하일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 노광대상물은 상기 기재와 상기 포토레지스트층 사이에 구비된 금속층을 더 포함할 수 있다.
상기 금속층의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 상기 금속층은 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 금(Au), 및 은(Ag) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 적층체에서 포토마스크에 대한 설명은 상술한 포토마스크에 대한 설명을 인용할 수 있다.
본 명세서는 지지체 상에 제1 조성물을 이용하여 접착층을 형성하는 단계; 기판 상에 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛을 준비하는 단계; 상기 접착층 상에 2 이상의 차광유닛을 배열하는 단계; 및 상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 제2 조성물을 이용하여 투명평탄층을 형성하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법을 제공한다.
상기 포토마스크의 제조방법은 지지체 상에 제1 조성물을 이용하여 접착층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 접착층을 형성하는 단계는 제1 조성물을 지지체 상에 도포하는 단계; 및 상기 제1 조성물을 건조 및 경화시키는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 도포, 건조 및 경화방법은 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 방법을 채용할 수 있다.
상기 제1 조성물은 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 실록산계 수지를 포함할 수 있고, 더 구체적으로, PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함할 수 있다.
상기 제1 조성물은 무용제 타입으로서, 용매를 포함하지 않는다.
상기 제1 조성물은 경화제 및 부착력 개선제 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 경화제 및 부착력 개선제는 특별히 한정하지 않으며, 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 재질을 선택할 수 있다. 예를 들면, 상기 부착력 개선제는 실란커플링제일 수 있다.
상기 포토마스크의 제조방법은 기판 상에 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛을 준비하는 단계를 포함한다.
상기 기판 상에 차광마스크 패턴을 형성하는 방법은 잉크젯프린팅, 그라비아프린팅, 그라비아오프셋프린팅, 스크린프린팅, 리버스오프셋프린팅, 및 포토리소그래피일 수 있다. 구체적으로, 상기 기판 상에 차광마스크 패턴을 형성하는 방법은 포토리소그래피일 수 있으며, 기판 상에 차광마스크 금속을 증착하고 에칭 레지스트 패턴을 형성한 후, 식각공정을 통해 에칭 레지스트 패턴이 구비되지 않은 영역의 금속을 선택적으로 제거하며 최종적으로 차광마스크 패턴 상의 에칭 레지스트 패턴을 박리하여 차광마스크 패턴을 형성할 수 있다.
상기 차광유닛에 대한 설명은 상술한 바를 인용할 수 있다.
상기 포토마스크의 제조방법은 상기 접착층 상에 2 이상의 차광유닛을 배열하는 단계를 포함한다.
상기 접착층 상에 2 이상의 차광유닛을 배열할 때, 이웃하는 차광유닛 간의 이격거리는 1mm 이상일 수 있다. 이웃하는 차광유닛 간의 이격거리의 상한선은 특별히 한정할 필요없으며, 이웃하는 차광유닛 간의 이격거리가 1mm 이상인 경우 인접한 차광유닛 사이에 제2 조성물이 침투하기 용이하다.
상기 차광유닛의 기판이 플레서블 필름인 경우 차광유닛이 감긴 롤로부터 지지체 상의 접착층의 표면에 부착하는 롤투패널 방식으로 차광유닛을 배열할 수 있다.
상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 제2 조성물을 이용하여 투명평탄층을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 투명평탄층을 형성하는 단계는 제2 조성물을 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 도포하는 단계; 및 상기 제2 조성물을 건조 및 경화시키는 단계를 포함할 수 있다. 이때, 도포, 건조 및 경화방법은 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 방법을 채용할 수 있다.
상기 제2 조성물은 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 구체적으로, 실록산계 수지를 포함할 수 있고, 더 구체적으로, PDMS(polydimethylsiloxane)를 포함할 수 있다.
상기 제2 조성물은 용매를 더 포함할 수 있다. 용매를 포함하는 경우, 하부층인 접착층과의 경계에서 제2 조성물의 용매가 접착층으로 확산되어 표면의 접착층을 녹임으로써, 접착층과 투명평탄층의 경계에서 인터락킹(interlocking)되어 접착층과 투명평탄층의 부착력이 증가하는 장점이 있다.
상기 제2 조성물의 총 중량을 기준으로, 상기 용매의 함량은 30중량% 이상 95중량% 이하일 수 있다.
상기 용매는 실리콘계 수지를 녹일 수 있다면 특별히 한정하지 않으나, 상기 용매는 사이클로헥산, 노말헥산, 및 톨루엔 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 조성물은 경화제를 더 포함할 수 있다. 상기 경화제는 특별히 한정하지 않으며, 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 재질을 선택할 수 있다.
상기 제1 조성물 및 상기 제2 조성물은 각각 실리콘계 수지를 포함할 수 있으며, 상기 제2 조성물은 제1 조성물과 동일한 또는 상이한 실리콘계 수지를 포함할 수 있다. 상기 제2 조성물은 제1 조성물과 동일한 실리콘계 수지를 포함하는 것이 바람직하다.
본 명세서는 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물을 준비하는 단계; 지지체 상에 구비된 접착층, 상기 접착층 상에 위치하며 기재 상에 구비된 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛, 및 상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 구비된 투명평탄층을 포함하는 포토마스크의 투명평탄층과 상기 노광대상물의 포토레지스트층을 접촉하도록 라미네이트하는 단계; 상기 포토마스크의 지지체 측에서 빛을 조사하는 노광단계; 및 노광 후 상기 노광대상물로부터 상기 포토마스크를 분리하는 단계를 포함하는 것인 패턴형성방법을 제공한다.
상기 패턴형성방법에서, 상술한 설명과 중복되는 설명은 생략하며, 상술한 설명을 인용할 수 있다.
상기 패턴형성방법은 상기 포토마스크를 분리한 후 노광된 노광대상물을 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 노광된 노광대상물을 현상하는 방법은 현상액을 노광된 노광대상물에 도포하는 방식으로 포토레지스트패턴을 형성하거나, 노광된 노광대상물을 현상액에 침지하는 방식으로 포토레지스트패턴을 형성할 수 있다.
상기 노광대상물이 상기 기재와 상기 포토레지스트층 사이에 구비된 금속층을 더 포함하는 경우, 상기 포토마스크를 분리한 후 노광된 노광대상물을 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 및 상기 금속층의 포토레지스트패턴이 형성되지 않은 부분을 식각하여 금속패턴을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 금속패턴을 형성하는 단계는 상기 금속층의 포토레지스트패턴이 형성되지 않은 부분을 식각하는 단계; 및 금속층을 식각한 후 포토레지스트패턴을 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 명세서를 더욱 상세하게 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 명세서를 예시하기 위한 것일 뿐, 본 명세서를 한정하기 위한 것은 아니다.
[실시예]
[실시예]
필름 포토마스크 제조
지지체로서 500mm × 500mm 크기의 PET 기판 상면에 제1 조성물을 베이커 어플리케이터를 이용하여 100㎛ 두께로 도포한 후 100℃에서 10분간 열경화하여 접착층을 형성했다. 상기 제1 조성물은 신에츠社의 주제(제품명 KE-1606)와 경화제(제품명 CAT-RG)를 10:1.5 비율로 배합한 것을 사용했다.
상기 접착층 상에 245mm × 500mm 크기의 차광유닛 2개를 이격거리 5mm를 유지한 상태에서 합지함, 상기 차광유닛은 100㎛ 두께의 PET 기재 상에 선폭 10㎛, 선간거리 300㎛, 선고 100nm인 알루미늄(Al)의 메쉬 패턴을 구비했다.
상기 적층체 상면에 제2 조성물을 베이커 어플리케이터를 이용하여 100㎛ 두께로 도포한 후 100℃에서 10분간 건조 및 열경화하여 최종적으로 30㎛ 두께의 투명평탄층을 형성하여 도 3과 같은 필름 포토마스크를 제조했다. 상기 제2 조성물은 상기 제1 조성물과 사이클로헥산을 1:3 중량비로 배합한 용액을 사용했다.
노광 대상물 제조 및 패터닝
100㎛ 두께의 PET 기재 상에 노블락 수지와 다이아조나프토퀴논 유도체로 구성되어 있는 포지티브 포토레지스트를 슬롯다이 코터를 이용하여 1.5㎛ 두께로 도포했다.
제조된 필름 포토마스크와 상기 노광 대상물을 롤 라미네이터를 이용하여 도 3과 같이 합지했다.
상기 합지된 적층체를 콜리메이션 렌즈가 구비된 평행광 노광기를 이용하여 노광한 후 필름 포토마스크를 노광 대상물로부터 분리하고, Tetramethyl ammounium hydroxide (TMAH) 2.38wt% 농도의 현상액에 노광 대상물을 50초간 침지하여 포토레지스트 패턴을 형성했다.
[비교예 1]
실시예에서 투명평탄층을 형성하지 않는 것을 제외하고, 동일하게 제조했으며, 비교예 1의 구조를 도 4에 도시했다.
비교예 1을 이용하는 경우, 포토마스크와 인쇄대상물의 포토레지스트와 접촉시 들뜸현상이 발생하고 표면오염이 발생했다.
[비교예 2]
실시예에서 투명평탄층을 도 5와 같이 형성한 것을 제외하고, 동일하게 제조했다. 도 5에 도시한 바와 같이, 위상차에 의해 발생된 소멸간섭에 의해 차광유닛의 테두리에서 빛이 투과되지 않는 암점이 형성되어 제조된 노광대상물에 차광유닛의 둘레패턴이 형성된 것을 알 수 있다.

Claims (15)

  1. 지지체(support body);
    상기 지지체 상에 구비된 접착층;
    상기 접착층 상에 위치하며, 기판(substrate) 및 상기 기판 상에 구비된 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛; 및
    상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 위치하는 투명평탄층을 포함하는 포토마스크.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 접착층과 상기 투명평탄층은 각각 실리콘계 수지를 포함하는 것인 포토마스크.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 2 이상의 차광유닛의 차광마스크 패턴은 서로 동일하거나 상이한 것인 포토마스크.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 기판은 플라스틱 필름인 것인 포토마스크.
  5. 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물, 및
    지지체 상에 구비된 접착층; 상기 접착층 상에 위치하며, 기판 상에 구비된 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛; 및 상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 구비된 투명평탄층을 포함하는 포토마스크를 포함하고,
    상기 노광대상물의 포토레지스트층은 포토마스크의 투명평탄층과 접촉하는 것인 적층체.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 포토레지스트층은 포지티브 포토레지스트층인 것인 적층체.
  7. 청구항 5에 있어서, 상기 노광대상물은 상기 기재와 상기 포토레지스트층 사이에 구비된 금속층을 더 포함하는 것인 적층체.
  8. 지지체 상에 제1 조성물을 이용하여 접착층을 형성하는 단계;
    기판 상에 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛을 준비하는 단계;
    상기 접착층 상에 2 이상의 차광유닛을 배열하는 단계; 및
    상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 제2 조성물을 이용하여 투명평탄층을 형성하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 제1 조성물 및 상기 제2 조성물은 각각 실리콘계 수지를 포함하는 것인 포토마스크의 제조방법.
  10. 청구항 8에 있어서, 상기 제1 조성물은 무용제 타입이며, 상기 제2 조성물은 용매를 포함하는 것인 포토마스크의 제조방법.
  11. 청구항 10에 있어서, 상기 제2 조성물의 총 중량을 기준으로, 상기 용매의 함량은 30중량% 이상 95중량% 이하인 것인 포토마스크의 제조방법.
  12. 기재(base plate) 상에 구비된 포토레지스트층을 포함하는 노광대상물을 준비하는 단계;
    지지체 상에 구비된 접착층, 상기 접착층 상에 위치하며 기판 상에 구비된 차광마스크 패턴을 포함하는 2 이상의 차광유닛, 및 상기 2 이상의 차광유닛이 구비된 접착층 상에 구비된 투명평탄층을 포함하는 포토마스크의 투명평탄층과 상기 노광대상물의 포토레지스트층을 접촉하도록 라미네이트하는 단계;
    상기 포토마스크의 지지체 측에서 빛을 조사하는 노광단계; 및
    노광 후 상기 노광대상물로부터 상기 포토마스크를 분리하는 단계를 포함하는 것인 패턴형성방법.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 포토마스크를 분리한 후 상기 노광된 노광대상물을 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 패턴형성방법.
  14. 청구항 12에 있어서, 상기 노광대상물은 상기 기재와 상기 포토레지스트층 사이에 구비된 금속층을 더 포함하는 것인 패턴형성방법.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 포토마스크를 분리한 후 상기 노광된 노광대상물을 현상하여 포토레지스트패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 금속층의 포토레지스트패턴이 형성되지 않은 부분을 식각하여 금속패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것인 패턴형성방법.
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