KR102016616B1 - 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐 - Google Patents

오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐 Download PDF

Info

Publication number
KR102016616B1
KR102016616B1 KR1020150127760A KR20150127760A KR102016616B1 KR 102016616 B1 KR102016616 B1 KR 102016616B1 KR 1020150127760 A KR1020150127760 A KR 1020150127760A KR 20150127760 A KR20150127760 A KR 20150127760A KR 102016616 B1 KR102016616 B1 KR 102016616B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
cliché
positive photoresist
mold
light shielding
Prior art date
Application number
KR1020150127760A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170030319A (ko
Inventor
이기석
손용구
이승헌
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘지화학 filed Critical 주식회사 엘지화학
Priority to KR1020150127760A priority Critical patent/KR102016616B1/ko
Publication of KR20170030319A publication Critical patent/KR20170030319A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102016616B1 publication Critical patent/KR102016616B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0076—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the composition of the mask
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F1/00—Platen presses, i.e. presses in which printing is effected by at least one essentially-flat pressure-applying member co-operating with a flat type-bed
    • B41F1/16—Platen presses, i.e. presses in which printing is effected by at least one essentially-flat pressure-applying member co-operating with a flat type-bed for offset printing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41F—PRINTING MACHINES OR PRESSES
    • B41F13/00—Common details of rotary presses or machines
    • B41F13/08—Cylinders
    • B41F13/18—Impression cylinders
    • B41F13/187—Impression cylinders for rotogravure
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0079—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the method of application or removal of the mask
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 명세서는 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐에 관한 것이다.

Description

오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐{METHOD FOR MANUFACTURING CLICHE FOR OFFSET PRINTING AND CLICHE FOR OFFSET PRINTING}
본 명세서는 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치, 반도체 소자 등의 전자 소자는 기판 상에 수많은 층들의 패턴이 형성되어 제작된다. 이러한 패턴을 형성하기 위해서 지금까지는 포토리소그래피 공정이 주로 많이 사용되어 왔다. 그러나, 포토리소그래피 공정은 소정의 패턴 마스크를 제작해야 하고, 화학적 에칭, 스트립핑 과정을 반복해야 하므로 제작공정이 복잡하고, 환경에 유해한 화학 폐기물을 다량 발생시키는 문제점이 있다. 이는 곧 제작비용의 상승으로 연결되어 제품의 경쟁력을 떨어뜨린다. 이러한 포토리소그래피 공정의 단점을 해결하기 위한 새로운 패턴 형성방법으로서 인쇄롤을 이용한 롤 프린팅 방법이 제안되었다.
롤 프린팅 방법은 다양한 방법이 있지만, 크게 그라비아 인쇄 및 리버스 오프셋 인쇄방법의 2가지로 대별될 수 있다.
그라비아 인쇄는 오목판에 잉크를 묻혀 여분의 잉크를 긁어내고 인쇄를 하는 인쇄방식으로서, 출판용, 포장용, 셀로판용, 비닐용, 폴리에틸렌용 등의 다양한 분야의 인쇄에 적합한 방법으로서 알려져 있으며, 표시 소자에 적용되는 능동 소자나 회로 패턴의 제작에 상기 그라비아 인쇄방법을 적용하기 위한 연구가 이루어지고 있다. 그라비아 인쇄는 전사롤을 이용하여 기판상에 잉크를 전사하기 때문에, 원하는 표시 소자의 면적에 대응하는 전사롤을 이용함으로써, 대면적의 표시 소자의 경우에도, 1회의 전사에 의해 패턴을 형성할 수 있게 된다. 이러한 그라비아 인쇄는 기판상에 레지스트용인 잉크 패턴을 형성할 뿐만 아니라, 표시 소자의 각종 패턴들, 예를 들어 액정 표시 소자의 경우, TFT 뿐만 아니라 상기 TFT와 접속되는 게이트 라인 및 데이터 라인, 화소 전극, 캐패시너용 금속 패턴을 패터닝하는데 사용될 수 있다.
그러나, 통상 그라비아 인쇄에 사용하는 블랭킷은 딱딱한 마스터 몰드에 실리콘계 수지를 캐스팅하여 제조되었는바, 이렇게 제조된 블랭킷은 균일한 두께를 가지도록 제조하는데 한계가 있을 뿐만 아니라, 파일럿 스케일로 양산하는 데도 어려움이 있다. 이에, 정밀한 미세 패턴 형성을 위해서는 주로 리버스 오프셋 인쇄방식이 채용된다.
대한민국 특허공개공보 제10-2008-0090890호
본 명세서는 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐를 제공하고자 한다.
본 명세서는 기판 상에 차광마스크패턴을 형성하는 단계; 상기 차광마스크패턴이 구비된 기판 상에 포지티브 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 기판 측에 광을 조사하여 노광하는 단계; 노광된 포지티브 포토레지스트층을 현상하여, 돌출된 양각부와 현상된 음각부로 형성된 패턴을 갖는 포지티브 포토레지스트 패턴층을 갖는 몰드를 제조하는 단계; 및 상기 포지티브 포토레지스트 패턴층이 형성된 몰드의 면에 경화성 조성물을 도포하여, 상기 몰드의 포지티브 포토레지스트 패턴층의 패턴과 반전되는 패턴을 갖는 클리쉐를 제조하는 단계를 포함하며, 상기 몰드의 제조단계에서 제조된 몰드는 차광마스크패턴 상에 형성된 포지티브 포토레지스트층의 양각부의 패턴을 가지며, 상기 차광마스크패턴 상의 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 패턴의 선폭은 차광마스크패턴의 선폭보다 작은 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 명세서는 양각부와 음각부가 구비된 오프셋 인쇄용 클리쉐에 있어서, 상기 양각부의 최상면의 모서리에 구비되며, 상기 클리쉐의 양각부의 내측으로 파인 홈을 갖는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐를 제공한다.
본 명세서에 따른 클리쉐의 제조방법은 클리쉐 제작 시 고비용의 레이저 직접 노광 공정이 필요하지 않아 비용이 절감되는 장점이 있다.
본 명세서에 따른 클리쉐의 제조방법은 초미세 음각부의 패턴을 갖는 클리쉐를 쉽게 제조할 수 있다.
본 명세서에 따른 클리쉐는 양각부의 높이가 높기 때문에 인쇄 공정 시 블랭킷과 클리쉐 사이의 인압에 의해 패턴이 소실되지 않는 장점이 있다.
도 1은 종래기술에 의해 제조된 미세패턴을 갖는 클리쉐의 제조방법을 나타낸다.
도 2는 본 명세서의 일 실시상태에 따른 클리쉐의 제조방법을 나타낸다.
도 3은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 몰드를 이용하여 제조된 클리쉐의 수직단면도이다.
도 4는 본 명세서의 일 실시상태에 따라 제조된 몰드의 주사전자현미경 이미지이다.
도 5는 본 명세서의 일 실시상태에 따라 제조된 클리쉐의 주사전자현미경 이미지이다.
이하에서 본 명세서에 대하여 상세히 설명한다.
본 명세서는 기판 상에 차광마스크패턴을 형성하는 단계; 상기 차광마스크패턴이 구비된 기판 상에 포지티브 포토레지스트층을 형성하는 단계; 상기 기판 측에 광을 조사하여 노광하는 단계; 노광된 포지티브 포토레지스트층을 현상하여, 돌출된 양각부와 현상된 음각부로 형성된 패턴을 갖는 포지티브 포토레지스트 패턴층을 갖는 몰드를 제조하는 단계; 및 상기 포지티브 포토레지스트 패턴층이 형성된 몰드의 면에 경화성 조성물을 도포하여, 상기 몰드의 포지티브 포토레지스트 패턴층의 패턴과 반전되는 패턴을 갖는 클리쉐를 제조하는 단계를 포함하며, 상기 몰드의 제조단계에서 제조된 몰드는 차광마스크패턴 상에 형성된 포지티브 포토레지스트층의 양각부의 패턴을 가지며, 상기 차광마스크패턴 상의 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 패턴의 선폭은 차광마스크패턴의 선폭보다 작은 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법을 제공한다.
상기 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법은 기판 상에 차광마스크패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 기판의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 유리 기판, 후막의 플라스틱 기판 또는 박막의 플라스틱 필름일 수 있다.
상기 플라스틱 기판 또는 플라스틱 필름의 재질은 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리프로필렌(PP, polypropylene), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET, polyethylene Terephthalate), 폴리에틸렌에테르프탈레이트(polyethylene ether phthalate), 폴리에틸렌프탈레이트(polyethylene phthalate), 폴리부틸렌프탈레이트(polybuthylene phthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN; Polyethylene Naphthalate), 폴리카보네이트(PC; polycarbonate), 폴리스티렌(PS, polystyrene), 폴리에테르이미드(polyether imide), 폴리에테르술폰(polyether sulfone), 폴리디메틸실록산(PDMS; polydimethyl siloxane), 폴리에테르에테르케톤(PEEK; Polyetheretherketone) 및 폴리이미드(PI; polyimide) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 기판은 투명도가 높은 기판을 사용할 수 있으며, 상기 기판의 광투과도는 50 % 이상일 수 있다.
상기 기판의 두께는 15㎛ 이상 2mm 이하일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 기판 상에 차광마스크패턴을 형성하는 방법은 특별히 한정하지 않으나, 당 기술분야에서 일반적으로 사용되는 방법을 채용할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판 상에 차광마스크패턴을 형성하는 방법은 롤프린팅, 잉크젯인쇄법, 스크린인쇄법 증착법, 포토리소그래피법, 식각법 등일 수 있다.
상기 차광마스크패턴을 형성하는 단계는 기판 상에 차광재료를 이용하여 차광막을 형성하는 단계 및 상기 차광막을 에칭하여 차광마스크패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 차광마스크패턴을 형성하는 단계는 기판을 차광재료로 패턴이 형성된 인쇄판 또는 인쇄롤과 기판을 접촉하여 기판 상에 차광마스크패턴을 전사하는 단계일 수 있다.
상기 차광마스크패턴을 형성하는 단계는 기판 상에 차광재료 잉크로 패터닝을 하는 단계일 수 있다.
상기 차광마스크패턴의 두께는 30nm 이상 200nm 이하일 수 있다. 이 경우 차광마스크패턴 위에 도포된 포토레지스트로 조사되는 광원을 차단할 수 있으며, 최종적으로 제작된 클리쉐를 이용한 오프셋 인쇄시 클리쉐의 하부 선폭에 대응하는 패턴만 선택적으로 구현할 수 있는 장점이 있다.
상기 차광마스크패턴의 재질은 조사되는 빛을 차단할 수 있다면 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 상기 차광마스크패턴의 재질은 금속패턴일 수 있으며, 구체적으로 상기 금속패턴은 구리(Cu), 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 금(Au) 및 은(Ag) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 차광마스크패턴의 선폭은 5㎛ 이하일 수 있다. 이 경우 차광마스크패턴을 이용하여 만들어진 포토레지스트 몰드의 선폭이 차광마스크패턴의 선폭보다 좁게 형성되어 최종 오프셋 인쇄용 클리쉐의 하부 선폭에 대응하는 미세 패턴을 구현할 수 있는 장점이 있다.
구체적으로, 상기 차광마스크패턴의 선폭은 1.5㎛ 이상 5㎛ 이하일 수 있다.
상기 차광마스크패턴의 형상은 금속패턴 또는 포토레지스트 패턴이 필요한 분야의 패턴형상일 수 있다.
상기 기판 상에 구비된 차광마스크패턴의 적어도 일부 영역의 선폭은 나머지 영역의 선폭과 상이할 수 있다. 다시 말하면, 상기 차광마스크패턴은 선폭이 서로 상이한 2 종 이상의 차광마스크패턴을 포함할 수 있다.
상기 차광마스크 패턴의 형상은 터치패널의 금속패턴의 형상일 수 있으며, 동일한 패턴이 반복된 형상이거나 서로 상이한 2 이상의 패턴이 이격 또는 연결된 형상일 수 있다. 예를 들면, 상기 차광마스크 패턴의 형상은 격자모양의 화면부패턴, 상기 화면부패턴과 연결되고 외부의 연성인쇄회로기판과 연결되는 라우터패턴 및 상기 화면부 패턴과 라우터패턴의 연결시 저항을 낮춰주는 연결패턴 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법은 차광마스크패턴이 구비된 기판 상에 포지티브 포토레지스트층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 포지티브 포토레지스트층은 빛에 노출됨으로써 현상액에 대한 내성이 변화하는 고분자를 포함할 수 있다. 구체적으로, 상기 포지티브 포토레지스트층은 기판 상의 차광마스크패턴에 의해 빛이 차단되지 못하고 빛에 노출된 부분이 현상액에 의해 현상되어 차광마스크패턴 상에 차광마스크패턴과 대응되는 패턴이 형성되는 고분자를 포함할 수 있다.
상기 포지티브 포토레지스트층의 두께는 3㎛ 이상일 수 있다. 이 경우 포지티브 포토레지스트층의 두께가 3㎛ 이상인 몰드를 이용하여 복제된 최종 클리쉐의 음각부 패턴 깊이가 3㎛ 이상 확보되어 오프셋 인쇄시 바닥닿음 현상 및 선폭이 다른 패턴 간 깊이 변화에 따른 연결부 단선 현상을 방지할 수 있다.
구체적으로, 상기 포지티브 포토레지스트층의 두께는 3㎛ 이상 15㎛ 이하일 수 있으며, 더 구체적으로, 상기 포지티브 포토레지스트층의 두께는 3㎛ 이상 7㎛ 이하일 수 있다.
상기 포지티브 포토레지스트층을 형성하는 단계는 포지티브 포토레지스트의 조성물을 준비하는 단계; 상기 광마스크패턴이 구비된 기판 상에 포지티브 포토레지스트의 조성물을 도포하여 막을 형성하는 단계; 및 상기 포지티브 포토레지스트의 조성물로 형성된 막을 건조하여 포지티브 포토레지스트층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 포지티브 포토레지스트의 조성물은 감광성 수지를 포함할 수 있으며, 가교제, 밀착력 증진제, 계면활성제 및 용매 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지, 가교제, 밀착력 증진제, 계면활성제 및 용매의 종류는 특별히 한정하지 않으며, 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 재질을 선택할 수 있다.
상기 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법은 기판 측에 광을 조사하여 노광하는 단계(이하, 노광단계)를 포함할 수 있다.
상기 노광단계는 기판 측에 광을 조사하여 노광하며, 구체적으로, 기판의 차광마스크패턴 및 포지티브 포토레지스트층이 구비된 면의 반대측에 광을 조사하여 기판 상의 차광마스크패턴에 의해 빛이 선택적으로 포지티브 포토레지스트층에 노광될 수 있다.
상기 노광단계는 기판의 차광마스크패턴 및 포지티브 포토레지스트층이 구비된 면의 반대측에 광을 조사하여, 상기 차광마스크패턴이 형성되지 않은 영역에만 빛이 투과하여 상기 차광마스크패턴이 형성되지 않은 영역에 형성된 포지티브 포토레지스트층 중 일부가 투과된 빛에 노출될 수 있다.
상기 노광단계에 의해 빛에 노출된 포지티브 포토레지스트층의 일부는 현상액에 의해 현상되는 성질로 변화할 수 있다.
상기 노광단계에서, 상기 기판 측에 조사되는 광량은 상기 포지티브 포토레지스트층이 입사된 빛에 의한 화학반응을 위해 필요한 최소 광량(Threshold Energy)의 2배 이상일 수 있다. 이 경우, 기판 상에 차광마스크패턴이 형성되지 않은 영역의 면적보다 넓은 면적에 광이 조사되어, 빛을 조사받지 않은 포지티브 포토레지스트층의 영역이 기판 상에 차광마스크패턴이 형성된 영역보다 좁아지므로, 빛에 노출되어 현상액에 의해 현상되는 성질로 변화한 포지티브 포토레지스트층의 영역이 넓어져 현상 후 포토레지스트 패턴층의 양각부의 패턴의 선폭은 차광마스크패턴의 선폭보다 작아질 수 있다.
구체적으로, 상기 노광단계에서, 상기 기판 측에 조사되는 광량은 상기 포지티브 포토레지스트층이 입사된 빛에 의한 화학반응을 위해 필요한 최소 광량(Threshold Energy)의 2배 이상 10 배 이하일 수 있으며, 더 구체적으로, 2 배 이상 5 배 이하일 수 있다.
상기 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법은 노광된 포지티브 포토레지스트층을 현상하여, 돌출된 양각부와 현상된 음각부로 형성된 패턴을 갖는 포지티브 포토레지스트 패턴층을 갖는 몰드를 제조하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 현상단계는 노광된 포지티브 포토레지스트층을 현상하여, 돌출된 양각부와 현상액에 의해 현상된 홈부패턴을 갖는 포지티브 포토레지스트 패턴층을 형성하는 단계일 수 있다. 이때, 돌출된 양각부는 상기 노광단계에서 빛에 노출되지 않은 부분이고, 현상액에 의해 현상된 부분은 상기 노광단계에서 빛에 노출된 부분이다.
상기 몰드의 양각부는 차광마스크패턴에 의해 빛이 차단됨으로써 빛에 노출되지 못해 현상액에 의해 현상되지 않아 형성되므로, 상기 몰드의 양각부의 선폭은 차광마스크패턴의 선폭과 광원의 빛의 성질에 따라 결정될 수 있다. 상기 몰드의 양각부의 선폭은 차광마스크패턴의 선폭과 비례할 수 있으며, 구체적으로, 상기 몰드의 양각부의 선폭은 차광마스크패턴의 선폭보다 작을 수 있다.
상기 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 선폭은 차광마스크패턴의 선폭보다 작으며, 구체적으로, 상기 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 선폭과 차광마스크패턴의 선폭의 차이는 0.5㎛ 이상 2㎛ 이하일 수 있다.
상기 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 선폭은 3㎛ 이하일 수 있으며, 구체적으로 1㎛ 이상 2.5㎛ 이하일 수 있다.
상기 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법은 상기 포지티브 포토레지스트 패턴층이 형성된 몰드의 면에 경화성 조성물을 도포하여, 상기 몰드의 포지티브 포토레지스트 패턴층의 패턴과 반전되는 패턴을 갖는 클리쉐를 제조하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 경화성 조성물의 조성은 클리쉐의 재질로 적절하다면 특별히 한정하지 않으나, 상기 경화성 조성물은 경화성 수지를 포함할 수 있으며, 더 구체적으로, 상기 경화성 조성물은 가교제, 밀착력 증진제, 계면활성제 및 용매 중 적어도 하나를 더 포함할 수 있다.
상기 경화성 수지, 가교제, 밀착력 증진제, 계면활성제 및 용매의 종류는 특별히 한정하지 않으며, 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 재질을 선택할 수 있다.
상기 클리쉐의 제조단계에서 제조된 클리쉐는 상기 몰드의 음각부와 대응되는 양각부와 상기 몰드의 양각부와 대응되는 음각부를 가질 수 있다.
상기 클리쉐는 상기 클리쉐의 양각부의 최상면의 모서리에 구비되며, 상기 클리쉐의 양각부의 내측으로 파인 홈을 가질 수 있다.
상기 클리쉐의 양각부의 최상면의 모서리에 구비된 홈은, 도 3에 도시된 몰드에서 차광마스크패턴의 선폭②과 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 패턴의 선폭①의 차이(②-①)와 차광마스크패턴의 두께(ⓐ)에 의해 형성될 수 있다.
상기 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법은 양각부와 음각부가 클리쉐의 면 상에 금속 산화물을 증착하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 금속 산화물을 증착하는 방법은 특별히 한정하지 않으며, 당 기술분야에서 일반적으로 사용하는 방법을 채용할 수 있다.
상기 금속 산화물의 종류는 ITO, SiO2 및 Al2O3 중 적어도 하나일 수 있다.
증착된 금속 산화물의 두께는 200nm 이하일 수 있다. 구체적으로, 증착된 금속 산화물의 두께는 20nm 이상 100nm 이하일 수 있다.
본 명세서는 양각부와 음각부가 구비된 오프셋 인쇄용 클리쉐에 있어서, 상기 양각부의 최상면의 모서리에 구비되며, 상기 클리쉐의 양각부의 내측으로 파인 홈을 갖는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐를 제공한다.
상기 오프셋 인쇄용 클리쉐에 있어서, 상술한 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법과 중복될 수 있는 설명은 생략하며, 오프셋 인쇄용 클리쉐의 구성은 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법에 대한 설명을 인용할 수 있다.
상기 클리쉐는 양각부와 음각부를 가질 수 있다.
상기 클리쉐의 음각부의 깊이는 3㎛ 이상일 수 있다. 이 경우, 음각부 패턴 선폭에 무관하게 3㎛ 이상의 음각 깊이가 확보되어 오프셋 인쇄시 바닥닿음 현상 및 선폭이 다른 패턴 간 깊이 변화에 따른 연결부 단선 현상을 방지할 수 있는 장점이 있다.
구체적으로, 상기 클리쉐의 음각부의 깊이는 3㎛ 이상 15㎛ 이하일 수 있으며, 더 구체적으로, 상기 클리쉐의 음각부의 깊이는 3㎛ 이상 7㎛ 이하일 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 홈의 선폭은 몰드에서 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 선폭(①)과 차광마스크패턴의 선폭(②)의 차이(②-①)에 기인한 것으로, 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 선폭과 차광마스크패턴의 선폭의 차이에 따라 홈의 선폭이 결정된다. 구체적으로, 상기 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 선폭과 차광마스크패턴의 선폭의 차이가 0.5㎛ 이상 2㎛ 이하인 경우, 상기 홈의 선폭은 0.5㎛ 이상 2㎛ 이하일 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 홈의 깊이는 몰드에서 차광마스크패턴의 두께(ⓐ)에 기인한 것으로, 몰드의 차광마스크패턴의 두께(ⓐ)에 따라 상기 홈의 깊이가 결정된다. 구체적으로, 상기 몰드의 차광마스크패턴의 두께가 30nm 이상 200nm 이하인 경우, 상기 홈의 깊이는 30nm 이상 200nm 이하일 수 있다. 이 경우, 인쇄롤 또는 인쇄판의 인압에 의해, 홈의 깊이 이상으로 클리쉐가 눌려 인쇄롤 또는 인쇄판 상에 클리쉐의 음각부의 선폭(①)을 갖는 패턴을 따라 잉크패턴이 형성된다. 따라서, 차광마스크패턴의 두께(ⓐ)로 기인한 홈의 깊이는 인쇄롤 또는 인쇄판의 인압에 의해 인식되지 않아 몰드의 차광마스크패턴의 선폭보다 더 좁은 선폭을 갖는 잉크패턴을 형성할 수 있다.
상기 클리쉐의 양각부와 음각부가 구비된 면 상에 금속 산화막을 더 포함할 수 있다.
상기 금속 산화막의 두께는 200nm 이하일 수 있다. 구체적으로, 상기 금속 산화막의 두께는 20nm 이상 100nm 이하일 수 있다.
상기 금속 산화막은 클리쉐 표면 에너지를 상승하여 인쇄공정 중 레지스트 패턴의 전사특성이 증가하고, 반복적인 인쇄 공정에 따른 클리쉐의 패턴층의 손상을 방지할 수 있다.
본 명세서에서, 클리쉐는 홈부패턴이 형성된 요판이며, 상기 클리쉐는 요판에 잉크를 묻혀 여분의 잉크를 긁어내고 홈부패턴에 남아있는 잉크를 피인쇄체에 전사하기 위해 사용되거나, 전면에 잉크가 코팅된 인쇄판 또는 인쇄롤과 요판이 접촉하여 요판의 돌출부와 접촉된 잉크는 인쇄판 또는 인쇄롤으로부터 제거되고 인쇄판 또는 인쇄롤에는 요판의 홈부패턴과 대응되는 잉크패턴이 형성되어 형성된 잉크패턴을 피인쇄체에 전사하기 위해 사용될 수 있다.
3㎛이하의 미세패턴을 갖는 오프셋 인쇄용 클리쉐를 제조하기 위해, 도 1과 같이, 차광마스크패턴이 형성된 유리기판 상에 두께가 2㎛ 이하의 포토레지스트(PR) 패턴의 형성이 필수적이며, 상기 PR 패턴을 형성하기 위하여 고비용 레이저 직접 노광 공정이 요구된다.
이후, 차광마스크패턴을 따라 유리기판 식각액인 불산용액으로 유리기판을 식각하는 경우, 등방성 식각에 의해 홈부의 선폭이 증가하므로, 식각된 홈부패턴을 갖는 유리기판을 클리쉐로서 사용하는 경우, 클리쉐의 홈부패턴의 선폭에 의해 결정되는 전사된 잉크패턴의 선폭이 차광마스크패턴의 선간격보다 증가하여 미세패턴을 제조하는 데에 한계가 있다.
그러나, 본 명세서에 따라 제조된 클리쉐는 클리쉐의 홈부패턴이 3㎛이하의 미세패턴을 갖도록 쉽게 제조할 수 있는 장점이 있다.
1: 몰드
100: 기판
200: 차광마스크패턴
300: 포지티브 포토레지스트층
310: 포지티브 포토레지스트 패턴층
320: 포지티브 포토레지스트 패턴층의 음각부
330: 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부
400: 클리쉐
410: 경화성 조성물층
420: 기재
430: 클리쉐의 음각부
440: 클리쉐의 양각부
①: 몰드의 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 패턴의 선폭, 또는 클리쉐의 음각부의 선폭
②: 몰드의 차광마스크패턴의 선폭
②-①: 몰드의 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 패턴과 몰드의 차광마스크패턴의 선폭차이, 또는 클리쉐의 홈의 선폭
ⓐ: 몰드의 차광마스크패턴의 두께, 또는 클리쉐의 홈의 깊이
ⓑ: 몰드의 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 높이
ⓐ+ⓑ: 클리쉐의 음각부의 깊이

Claims (8)

  1. 기판 상에 차광마스크패턴을 형성하는 단계;
    상기 차광마스크패턴이 구비된 기판 상에 포지티브 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 기판 측에 광을 조사하여 노광하는 단계;
    노광된 포지티브 포토레지스트층을 현상하여, 돌출된 양각부와 현상된 음각부로 형성된 패턴을 갖는 포지티브 포토레지스트 패턴층을 갖는 몰드를 제조하는 단계; 및
    상기 포지티브 포토레지스트 패턴층이 형성된 몰드의 면에 경화성 조성물을 도포하여, 상기 몰드의 포지티브 포토레지스트 패턴층의 패턴과 반전되는 패턴을 갖는 클리쉐를 제조하는 단계를 포함하며,
    상기 몰드의 제조단계에서 제조된 몰드는 차광마스크패턴 상에 형성된 포지티브 포토레지스트층의 양각부의 패턴을 가지며,
    상기 차광마스크패턴 상의 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 패턴의 선폭은 차광마스크패턴의 선폭보다 작고,
    상기 노광단계에서, 상기 기판 측에 조사되는 광량은 상기 포지티브 포토레지스트층이 입사된 빛에 의한 화학반응을 위해 필요한 최소 광량(Threshold Energy)의 2배 이상 10배 이하인 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 차광마스크패턴의 두께는 30nm 이상 200nm 이하인 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 클리쉐의 제조단계에서 제조된 클리쉐는 상기 몰드의 음각부와 대응되는 양각부와 상기 몰드의 양각부와 대응되는 음각부를 가지며,
    상기 클리쉐는 상기 클리쉐의 양각부의 최상면의 모서리에 구비되며, 상기 클리쉐의 양각부의 내측으로 파인 홈을 갖는 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 몰드의 포지티브 포토레지스트 패턴층의 양각부의 선폭은 3㎛ 이하인 것인 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020150127760A 2015-09-09 2015-09-09 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐 KR102016616B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150127760A KR102016616B1 (ko) 2015-09-09 2015-09-09 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150127760A KR102016616B1 (ko) 2015-09-09 2015-09-09 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170030319A KR20170030319A (ko) 2017-03-17
KR102016616B1 true KR102016616B1 (ko) 2019-08-30

Family

ID=58502246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150127760A KR102016616B1 (ko) 2015-09-09 2015-09-09 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102016616B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008168475A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Yamaha Corp 微細成形モールド
JP2014096593A (ja) * 2013-12-05 2014-05-22 Dainippon Printing Co Ltd マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版の製造方法、マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版、およびマイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法。

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101069464B1 (ko) 2007-04-06 2011-09-30 주식회사 엘지화학 롤 프린팅 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008168475A (ja) * 2007-01-10 2008-07-24 Yamaha Corp 微細成形モールド
JP2014096593A (ja) * 2013-12-05 2014-05-22 Dainippon Printing Co Ltd マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版の製造方法、マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版、およびマイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法。

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170030319A (ko) 2017-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008246829A (ja) 凸版反転オフセット印刷用印刷版及びその製造方法、並びに表示装置及び表示装置用基板の製造方法
US20140373742A1 (en) Method of manufacturing a high-resolution flexographic printing plate
TWI520857B (zh) 模板及其製造方法
CN105518594A (zh) 触摸面板的制造方法
EP2762313B1 (en) Cliche for offset-printing and method for manufacturing same
KR100825476B1 (ko) 미세패턴 인쇄방법
TWI521560B (zh) 用於反向平版印刷之印刷版及其製備方法
KR20080062426A (ko) 몰드 구조물, 이를 이용한 패턴의 형성 방법과 액정 표시장치의 제조 방법
KR102016616B1 (ko) 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐
KR102113903B1 (ko) 오프셋 인쇄용 클리쉐의 제조방법 및 오프셋 인쇄용 클리쉐
KR20170013844A (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법, 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성장치 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
KR102092993B1 (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체 및 상기 포토마스크의 제조방법
KR20100072969A (ko) 롤 프린트용 인쇄판의 제조방법 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
JPH04239684A (ja) 微細パターン形成方法
KR102241680B1 (ko) 배선전극을 가지는 투명전극의 제조방법
US20080190307A1 (en) Pattern transcription device and method of fabricating cliche for the same
KR102042872B1 (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
KR101106108B1 (ko) 인쇄 전자용 인쇄롤의 미세 선폭 가공 방법
KR101235168B1 (ko) 인쇄판 및 그 제조방법
KR101279470B1 (ko) 인쇄판 및 그 제조방법
KR20140145341A (ko) 도금 프로세스를 이용한 그라비어 미세 선폭 가공 방법 및 이에 의해 미세 패턴이 형성된 그라비어 인쇄 제판 롤
KR20070071689A (ko) 패턴 형성용 몰드 및 이를 이용한 패턴 형성방법
KR20040059093A (ko) 액정표시소자의 제조방법
CN105459577A (zh) 用于胶印的移印版及其制备方法
JP2015189114A (ja) 印刷用版および印刷用版の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant