CN108351603A - 膜掩模、其制备方法和使用膜掩模的图案形成方法 - Google Patents

膜掩模、其制备方法和使用膜掩模的图案形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108351603A
CN108351603A CN201780003799.1A CN201780003799A CN108351603A CN 108351603 A CN108351603 A CN 108351603A CN 201780003799 A CN201780003799 A CN 201780003799A CN 108351603 A CN108351603 A CN 108351603A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
film mask
light shield
pattern layer
shield pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201780003799.1A
Other languages
English (en)
Inventor
黄智泳
徐汉珉
裵南锡
李承宪
吴东炫
朴赞亨
金起焕
李翻
李一翻
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Corp
Original Assignee
LG Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Chemical Co Ltd filed Critical LG Chemical Co Ltd
Publication of CN108351603A publication Critical patent/CN108351603A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54Absorbers, e.g. of opaque materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/38Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
    • G03F1/48Protective coatings
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/54Absorbers, e.g. of opaque materials
    • G03F1/56Organic absorbers, e.g. of photo-resists
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2045Exposure; Apparatus therefor using originals with apertures, e.g. stencil exposure masks
    • G03F7/2047Exposure with radiation other than visible light or UV light, e.g. shadow printing, proximity printing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/703Non-planar pattern areas or non-planar masks, e.g. curved masks or substrates
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/7035Proximity or contact printers
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70791Large workpieces, e.g. glass substrates for flat panel displays or solar panels
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93Batch processes
    • H01L2224/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/951Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies
    • H01L2224/95115Supplying the plurality of semiconductor or solid-state bodies using a roll-to-roll transfer technique

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

本申请涉及一种膜掩模、该膜掩模的制备方法和使用该膜掩模的图案形成方法,所述膜掩模包括:透明基板;设置在所述透明基板上的暗化光屏蔽图案层;以及设置在所述暗化光屏蔽图案层上的表面能为30达因/cm以下的剥离力增强层。

Description

膜掩模、其制备方法和使用膜掩模的图案形成方法
技术领域
本申请要求于2016年1月27日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0010222的优先权和权益,该申请的全部内容通过引用并入本说明书中。
本申请涉及一种膜掩模、其制备方法和使用所述膜掩模的图案形成方法。
背景技术
常规光刻技术基于诸如晶片或玻璃的平板。因此,加工能力受基板的刚度和平坦度等的影响很大。然而,对于可用于柔性显示器和设备的柔性基板的市场需求已经逐渐增加,因此,也不断需要工艺的变化。
然而,由于现有的平板型光掩模在与诸如膜基板的柔性基板组合以应用卷对卷工艺方面存在限制,因此,对于具有高分辨率的柔性光掩模的需求不断增加。
在常规膜掩模的情况下,作为满足掩模主要具有的所有的遮光层特性、减反射层特性等的图案实现层,通常使用卤化银。然而,卤化银材料在实现图案的能力方面存在限制。此外,由于为了保护与卤化银同时使用的明胶层不受化学物质的影响而施加的表面保护层的不规则度等,卤化银材料在实现高分辨率方面存在各种问题。当使用现有的卤化银类膜掩模时,在掩模制备过程中,高分辨率很可能表现出扫描不均匀(scan mura),并且所实现的图案的形状出现问题。当使用出现扫描不均匀的掩模时,扫描不均匀反映在产品中,并且由于扫描不均匀,存在在各个缺陷位置出现不同的图案形状的问题,使得不能实现线宽为15μm以下的固定精细图案。
因此,为了克服这个问题,需要开发一种使用新材料的膜掩模。
[引用列表]
[专利文献]
(专利文献1)韩国专利申请特许公开No.1992-0007912
发明内容
技术问题
本申请旨在提供一种足够柔韧以应用于卷对卷工艺并且可以形成高分辨率图案的膜掩模、该膜掩模的制备方法和使用所述膜掩模的图案形成方法。
技术方案
本申请的一个示例性实施方案提供一种膜掩模,包括:
透明基板;
设置在所述透明基板上的暗化光屏蔽图案层;以及
设置在所述暗化光屏蔽图案层上的表面能为30达因/cm以下的剥离力增强层。
根据本申请的另一示例性实施方案,在该示例性实施方案中,所述剥离力增强层的表面能优选为22达因/cm以下,更优选为15达因/cm以下。
根据本申请的又一示例性实施方案,在该示例性实施方案中,所述暗化光屏蔽图案层优选在紫外区域中表现出屏蔽特性,并且没有特别地限制,只要所述暗化光屏蔽图案层在紫外区域范围内的反射率为,例如,约30%以下即可。根据一个示例性实施方案,所述暗化光屏蔽图案层可以由黑色基体材料、炭黑类材料、混合有染料的树脂以及AlOxNy(0≤x≤1.5,0≤y≤1,x和y分别是O原子和N原子与一个Al原子的比值)中的至少一种构成。
根据本申请的另一示例性实施方案,在该示例性实施方案中,所述膜掩模可以另外包括设置在透明基板与暗化光屏蔽图案层之间的金属层。该金属层为,例如,铝层。
根据本申请的又一示例性实施方案,在该示例性实施方案中,在透明基板与暗化光屏蔽图案层之间设置金属层,膜掩模包括所述金属层中厚度彼此不同的两个以上的区域或所述暗化光屏蔽图案层中厚度彼此不同的两个以上的区域,或者,膜掩模包括在透明基板与暗化光屏蔽图案层之间设置有金属层的区域以及透明基板与暗化光屏蔽图案层彼此直接接触的区域。
根据本申请的再一示例性实施方案,在该示例性实施方案中,所述膜掩模另外包括在暗化光屏蔽图案层与剥离力增强层之间的表面保护层。
根据本申请的又一示例性实施方案,在该示例性实施方案中,所述膜掩模还包括设置在暗化光屏蔽图案层与透明基板之间的附着层。
根据本申请的另一示例性实施方案,在该示例性实施方案中,所述膜掩模包括设置在暗化光屏蔽图案层与透明基板之间的金属层,并且还包括金属层与透明基板之间的附着层。
根据本申请的又一示例性实施方案,在该示例性实施方案中,所述膜掩模还可以包括附加基板,通过使用粘合层使该附加基板粘附于基板的面对暗化光屏蔽图案层的表面的相对表面上。
本申请的另一示例性实施方案提供一种膜掩模的制备方法,该制备方法包括:
在透明基板上形成暗化光屏蔽图案层;以及
在所述暗化光屏蔽图案层上形成剥离力增强层。
本申请的又一示例性实施方案提供一种使用根据上述示例性实施方案的膜掩模的图案形成方法。
有益效果
根据本申请中描述的示例性实施方案的膜掩模足够柔韧以应用于卷对卷,并且通过剥离力增强层可以防止在卷对卷移动过程中的划痕,并且可以防止在加工过程中掩模被树脂沾染的问题。因此,即使通过柔性膜掩模也可以形成高分辨率图案。此外,通过引入AlOxNy作为用于膜掩模的暗化光屏蔽图案层的材料,可以引入高分辨率图案或半色调图案。
附图说明
图1是当使用现有技术中的掩模树脂形成图案时,在光敏树脂和掩模彼此没有完全粘合的情况下,图案的形状和尺寸根据局部位置而扭曲的一个实例的照片;
图2例示了根据本申请的一个示例性实施方案的膜掩模的结构的透视图;
图3例示了根据本申请的一个示例性实施方案的膜掩模的结构的横截面视图;
图4示出了根据本申请的一个示例性实施方案的用于暗化光屏蔽图案层的材料根据波长的反射率、透射率和吸收率;
图5和图6例示了根据本申请的一个示例性实施方案制备的包括半色调区域的膜掩模的结构;
图7是在实施例中制备的膜掩模的各个分辨率的照片;
图8是示出在实施例中制备的膜掩模的各个位置的图案实现状态的照片;
图9是示出在实施例12中制备的图案的形状的照片;
图10是在透射模式和反射模式下测量的在实施例12中制备的膜掩模的照片;
图11是示出在比较例1中制备的图案的形状的照片;
图12是在透射模式和反射模式下测量的在比较例1中制备的膜掩模的照片。
具体实施方式
根据本申请的一个示例性实施方案的膜掩模的特征在于,包括:透明基板;设置在所述透明基板上的暗化光屏蔽图案层;以及设置在所述暗化光屏蔽图案层上的剥离力增强层。此时,剥离力增强层的表面能为30达因/cm以下。
通常,使用正型或负型光敏树脂,通过类似于现有软模压印工艺的设备配置来进行光刻工艺。此时,用于使基板图案化的光敏树脂和掩模通常彼此完全粘合以用于图案分辨率,否则,图案的形状和尺寸根据局部位置而扭曲,如图1中所示。
在这种情况下,当掩模未经单独处理时,在卷对卷移动过程中在掩模上产生划痕,或者在加工过程中出现掩模被光敏树脂沾染的情况,使得在随后的工艺中产生妨碍图案实现的情况。因此,为了使卷对卷工艺过程中树脂与掩模之间的剥离力最大化,需要对膜掩模进行离型处理,并且另外进行除去残余物的清洗过程。相反,在光敏树脂的情况下,通常使用液体或半干性光敏树脂以使掩模与光敏树脂之间的粘附力最大化。当除去残余物时,为了使掩模与光敏树脂之间的粘附力和它们之间的剥离力最大化,在本申请中,为了使掩模与光敏树脂之间的剥离力最大化而引入并评价各种离型处理方法,结果,将剥离力增强层引入到暗化光屏蔽图案层上。
作为剥离力增强层的表面能的测量结果,可以确认,当剥离力增强层的表面能为,例如,30达因/cm以下,其等于或小于待图案化的基板,例如,诸如PET、ITO膜等的塑料膜的表面能时,剥离力增强层对常规剥离工艺和模塑工艺有效。作为剥离力增强层,表面能优选为22达因/cm以下,更优选为15达因/cm以下的剥离力增强层表现出良好的性能。剥离力增强层的表面能越低,则剥离力增强层越好,并且表面能可以大于0达因/cm且为30达因/cm以下。
对用于剥离力增强层的材料没有特别地限制,只要该材料具有表面能即可,并且可以使用氟系材料、有机硅类材料或它们的混合物。作为一个具体的实例,可以使用具有全氟醚链的氟系材料、具有烷氧基硅烷或硅烷醇的有机硅类材料、或它们的混合物。诸如烷氧基硅烷或硅烷醇的有机硅类材料可以改善对其它基板的附着性能。此外,剥离力增强层可以另外包括SiO2层或TiO2层以提高剥离力增强层的耐久性。例如,当首先沉积SiO2层或TiO2层,然后形成包含硅烷醇的层时,硅烷醇的-OH在室温下经历脱水缩合反应,由此,可以诱导包含硅烷醇的层完全粘合至与包含硅烷醇的层接触的层的表面。
图2和图3示出了根据示例性实施方案的本申请的膜掩模的结构。图2是膜掩模的透视图,图3示出了在图2中用虚线标出的部分的垂直横截面视图。除了透明基板、暗化光屏蔽图案层和剥离力增强层之外,图3还包括附着层、金属层和表面保护层,但是根据需要,可以省去这些结构。
此时,根据掩模中用于屏蔽光的材料的耐久性和附着特性,可以在暗化光屏蔽层的下部另外设置附着层,或者可以在剥离力增强层与暗化光屏蔽图案层之间另外引入表面保护层。此外,根据用户的工艺,以增加厚度为目的制备的膜掩模可以通过附加基板和附加粘合层来增强并使用。
对透明基板没有特别地限制,只要透明基板具有足以用于通过使用上述膜掩模进行的曝光工艺的透射率即可。
在示例性实施方案中,对暗化光屏蔽图案层没有特别地限制,只要图案层表现出紫外区域的屏蔽特性即可,并且对于暗化光屏蔽图案层,可以使用,例如,在紫外区域范围(100n至400nm)内的反射率为约30%以下的材料。根据一个示例性实施方案,暗化光屏蔽图案层可以由黑色基体材料、炭黑类材料、混合有染料的树脂以及AlOxNy(0≤x≤1.5,0≤y≤1,x和y分别是O原子和N原子与一个Al原子的比值)中的至少一种构成。x和y的范围优选地为x>0或y>0,或x>0且y>0。
当暗化光屏蔽图案层由AlOxNy构成时,优选的是0<x≤1.5或0<y≤1。当使用氧化铝、氮化铝或氮氧化铝作为暗化光屏蔽图案层时,暗化光屏蔽图案层可以单独表现出对紫外波长的半透射特性和减反射特性,使得基于所述特性根据暗化光屏蔽图案层的厚度,或者基于这些特性通过引入具有金属层的堆叠结构,暗化光屏蔽图案层可以应用于制备用于多层图案化的目的的半色调掩模。
暗化光屏蔽图案层的材料和厚度可以根据待使用膜掩模图案化的材料和图案的尺寸或形状来决定,特别地,其厚度可以根据所需要的紫外透射率决定。例如,暗化光屏蔽图案层的厚度可以为5nm至200nm,并且对暗化光屏蔽图案层的厚度没有限制,只要暗化光屏蔽图案层的厚度足以屏蔽光即可。
暗化光屏蔽图案层可以具有如下图案形式,该图案形式具有待通过紫外曝光实现的图案作为开口区域。例如,当意在形成具有圆柱形状或点形状的图案时,暗化光屏蔽图案层可以具有具有圆形开口的图案。当暗化光屏蔽图案层由上述AlOxNy形成时,开口的尺寸容易形成为期望的尺寸,并且暗化光屏蔽图案层可以具有,例如,直径为1μm至30μm的圆形开口,或线宽为1μm至30μm的线性开口。特别地,当暗化光屏蔽图案层由上述AlOxNy形成时,可以形成15μm以下的高分辨率图案,并且可以使由曝光方法引起的扫描不均匀问题最小化。
为了实现暗化光屏蔽图案层的图案,除了通常使用的利用激光的直接曝光工艺,或者使用诸如胶印和喷墨的印刷技术之外,可以采用利用光刻的各种方法。
透明基板可以根据待使用膜掩模图案化的图案的尺寸或材料来决定,例如,优选使用可见光透过率为50%以上的透明基板。为了在使用膜掩模形成图案时使用辊,优选使用柔性基板作为透明基板,例如,可以使用塑料膜,具体地,为聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。透明基板的厚度足以支撑膜掩模即可,并且没有特别地限制。例如,透明基板的厚度可以为10nm至1mm,具体地,为10μm至500μm。
作为附着层,可以使用没有不利地影响使用膜掩模的图案化,同时增强透明基板与暗化光屏蔽图案层或金属层之间的附着力的附着层。例如,可以使用诸如丙烯酸、环氧类或氨基甲酸酯类材料的附着层材料。
之后,在表面保护层的情况下,可以引入聚氨酯丙烯酸酯类表面保护层作为一个实例,但是在硬度为HB水平以上的情况下,也可以确认,对用于表面保护层的材料没有特别地限制。然而,当考虑通过膜掩模的残余膜以及产品的分辨率的增加等时,优选地,如有可能,使用折射率大于基板或附着层的折射率并且不吸收紫外光的层作为表面保护层。之后,在相当于最外层的剥离力增强层的情况下,可以确认,可以引入包含氟系材料、有机硅类材料或它们的混合物的形式的层,并且当引入该层时,优选厚度为100nm以下的层。相应的层的形成方法的实例包括湿式涂布法和气相沉积法,并且气相沉积法更有利。
根据本申请的另一示例性实施方案,在该示例性实施方案中,所述膜掩模可以另外包括在透明基板与暗化光屏蔽图案层之间的金属层。金属层可以补偿暗化光屏蔽图案层的光屏蔽性能,并且可以促进暗化光屏蔽图案层的形成或图案化。对于金属层,可以使用能够补偿光屏蔽性能的材料或者容易形成暗化光屏蔽图案层的材料。例如,可以使用铝(Al),在这种情况下,在其上容易形成由氧化铝、氮化铝或氮氧化铝构成的暗化光屏蔽图案层。此外,铝容易和由氧化铝、氮化铝或氮氧化铝构成的暗化光屏蔽图案层一起图案化。金属层的厚度可以考虑光屏蔽性能、加工性能或柔韧性来确定,并且可以确定在,例如,1nm至10μm之内。
现有技术中的掩模由设置在透明基板上的能够屏蔽光的光屏蔽层和设置在光屏蔽层上的减反射层构成。减反射层用于使在掩模图案的制备过程中,当照射到光屏蔽层上的紫外光被光屏蔽层反射时发生的掩模图案的临界尺寸(CD)的变化最小化。在该结构中,只有当下部层中的光屏蔽层和减反射层具有能够以与现有光掩模中的相同的方式进行图案化的组成时,减少加工次数和防止光屏蔽区域中的反射的效果才可以最大化。
作为关于单层以及各个Al层和Al类氮氧化物的堆叠(AlOxNy/Al)结构对紫外区域(100nm至400nm)的反射和吸收波长的测量结果,本发明人确认,堆叠结构对紫外区域范围的反射率为约30%以下,并且堆叠结构可以通过吸收其它光而整体上用作用于掩模的材料,如图4中所示。换言之,AlOxNy层单独表现出对紫外波长的半透射特性和减反射特性,因此,本发明人确认,AlOxNy层可以充当现有技术的掩模结构中的减反射膜。
根据本申请的又一示例性实施方案,在该示例性实施方案中,在透明基板与暗化光屏蔽图案层之间设置金属层,膜掩模包括所述金属层中厚度彼此不同的两个以上的区域或所述暗化光屏蔽图案层中厚度彼此不同的两个以上的区域,或者,膜掩模包括在透明基板与暗化光屏蔽图案层之间设置有金属层的区域以及透明基板与暗化光屏蔽图案层彼此直接接触的区域。图5例示了包括设置有金属层的区域和未设置金属层的区域的膜掩模的结构。
如上所述,根据金属层或暗化光屏蔽图案层的厚度或者存在或不存在金属层,在膜掩模中产生具有不同的透射率的部分,从而制备半色调区域。图5例示了当由负型光敏树脂形成图案时图案的台阶。由半色调区域(存在仅透射一部分紫外光的暗化光屏蔽图案层)形成的图案的厚度形成为比由常规掩模区域(不具有暗化光屏蔽图案和金属层)形成的图案的厚度更薄。图5中所示的结构可以是图6中所示的膜掩模的常规掩模区域和半色调区域的边界部分(由虚线表示)的横截面结构。
本申请的又一示例性实施方案提供一种膜掩模的制备方法,该制备方法包括:
在透明基板上形成暗化光屏蔽图案层;以及
在所述暗化光屏蔽图案层上形成剥离力增强层。
暗化光屏蔽图案层的形成可以通包括光刻胶(PR)涂布、紫外曝光、显影、蚀刻和剥离处理,并且根据需要,还可以包括检验和修复过程。
本申请的再一示例性实施方案提供一种使用根据上述示例性实施方案的膜掩模的图案形成方法。该图案形成方法可以包括:将光敏树脂组合物涂布到基板上;通过膜掩模对涂布后的光敏树脂组合物进行曝光;以及对所述光敏树脂组合物进行显影。该过程可以通过卷对卷工艺进行。
下文中,将通过实施例更详细地描述本发明。然而,下面的实施例仅用于例示本发明,并且不意在限制本发明。
参考例1至14
使用氨基甲酸酯类材料在厚度为250μm的PET基板上形成附着层,进行等离子体预处理,然后通过溅射方法形成厚度为100nm的Al层。通过在Al层上添加反应性气体氮气,利用反应性溅射形成AlOxNy层(x>0且0.3≤y≤1)。此时,通过反应性溅射根据沉积条件进行参考例1至14,由此得到的结构体的光学特性示于下面的表1中。
[表1]
如表1中所示,可以确认,根据氮氧化铝的沉积条件制备的层的光学特性彼此不同。因此,可以确认,根据本说明书中描述的示例性实施方案制备的膜掩模的暗化光屏蔽图案层可以通过根据所需要的光屏蔽特性改变沉积条件来形成。
实施例1至16
以与参考例9中相同的方式在PET基板(厚度为250μm)上形成附着层、Al层(厚度为100nm)和AlOxNy层(x>0,0.3≤y≤1)(厚度为60nm)。随后,涂布正型光刻胶(由DongJinSemichem Co.,Ltd.制备,N200)并固定在载物台上,在其上放置玻璃掩模之后,使用波长为365nm的紫外激光进行紫外曝光。随后,通过使用1.38%的TMAH溶液进行显影来形成光刻胶图案。利用该光刻胶图案,使用酸溶液来蚀刻Al层和AlOxNy层,并且使用剥离溶液(LGChem.,LG202)剥离以形成图案。随后,进行检验和修复过程。
实施例1至8中的紫外曝光的强度为50mJ,实施例9至16中为1,100mJ。
在实施例1至4和实施例9至12中形成具有圆形开口的暗化光屏蔽图案层,在实施例1和9中,圆形开口的直径和开口之间的间隔为6μm,在实施例2和10中,圆形开口的直径和开口之间的间隔为8μm,在实施例3和11中,圆形开口的直径和开口之间的间隔为10μm,在实施例4和12中,圆形开口的直径和开口之间的间隔为15μm。
在实施例5至8和实施例13至16中形成具有线条形状的开口的暗化光屏蔽图案层,在实施例5和13中,线宽和线条之间的间隔为6μm,在实施例6和14中,线宽和线条之间的间隔为8μm,在实施例7和15中,线宽和线条之间的间隔为10μm,在实施例8和16中,线宽和线条之间的间隔为15μm。在实施例5至9中,蚀刻之前的台阶为1.2μm。在实施例13至16中,剥离之后的图案台阶为0.2μm。
图7示出了在实施例1至16中制备的膜掩模的暗化光屏蔽图案层的形状的照片。作为确认在实施例1至16中制备的具有各个分辨率的图案的结果,可以确认,在整体区域分辨率中,CD精度优异。此外,当将紫外曝光强度互不相同的实施例1至8(50mJ)和实施例9至16(1,100mJ)相互比较时,可以看出,根据曝光强度的差异不显著。
接着,在其上涂布并形成聚氨酯丙烯酸酯类表面保护层,并且使用具有全氟聚醚链的氟系材料形成剥离力增强层。
图8和图9示出了使用在实施例12中制备的膜掩模形成图案的结果。通过在膜上设置待图案化的光敏树脂组合物,在其上固定膜掩模,然后通过膜掩模进行紫外曝光来形成图案。此时,在紫外曝光过程中,使用波长为365nm的LED紫外光源,并且使用由DongJinSemichem Co.,Ltd.制备的N200作为光敏树脂组合物。
通过图8,当通过相同的方法形成图案一次至三次时,可以确认,图案的尺寸根据位置(左,中心,右)没有差异。通过图9,可以确认,形成直径为15.4μm和15.8μm且高度为11.4μm的圆柱形状的图案。图10示出了在透射模式和反射模式下测量的在实施例12中制备的膜掩模的照片。使用在实施例12中制备的膜掩模进行图案化10次、50次和100次之后,测得的表面能分别为11.32达因/cm、15.28达因/cm和21.19达因/cm。
实施例17
除了使用厚度为188μm的PET基板代替厚度为250μm的PET基板,并且使用厚度为50μm的OCA层(光学透明粘合层)将厚度为125μm的PET基板粘附于上述PET基板的一个表面上之外,以与实施例1至16中相同的方式制备膜掩模。通过如上所述粘附附加PET基板,可以确认,在卷对卷掩模的移动过程中,卷曲的发生被最小化,结果,基板和膜掩模彼此顺利地接触。
实施例18
除了形成有机硅类剥离力增强层代替氟系剥离力增强层之外,以与实施例12中相同的方式进行实验。有机硅类剥离增强层通过预先沉积SiO2,然后对氟系材料(具有全氟聚醚链的氟系材料)与有机硅类材料(烷氧基硅烷)的混合材料使用卷对卷气相沉积方法来形成。使用制备的膜掩模进行10次、50次和100次图案化之后,测得的表面能分别为8.64达因/cm、7.59达因/cm和7.48达因/cm。
比较例1
除了使用不具有剥离力增强层的市售膜掩模之外,以与实施例12中相同的方式进行实验。图1示出了在图案形成之后在各个位置实现的图案的状态,图11示出了形成的图案的形状。图12示出了在透射模式和反射模式下测量的在比较例1中制备的膜掩模的暗化光屏蔽图案层的照片。由于在厚度方向上掩模的光屏蔽层的位置以及基板的类型不同,因此,图10和图12表现出不同的形状。
实施例19
在PET基板上形成附着层和Al层。随后,涂布正型光刻胶(由DongJin SemichemCo.,Ltd.制备,N200)并固定在载物台上,在其上放置玻璃掩模之后,使用波长为365nm的紫外激光进行紫外曝光。随后,通过使用1.38%的TMAH溶液是对正型光刻胶进行显影来形成光刻胶图案。利用该光刻胶图案,使用酸溶液蚀刻Al层,并且使用剥离溶液(LG Chem.,LG202)剥离以形成图案。随后,进行检验和修复过程。随后,通过沉积形成AlOxNy层(x>0,0.3≤y≤1),涂布光刻胶组合物,然后,通过使用激光直接成像设备将Al层的上部和半色调区域校准在待设置的位置,来重复进行曝光、显影、蚀刻和剥离处理,从而形成半色调区域,其中,Al层的上部和不含Al层的AlOxNy层与设置有附着层的PET基板直接接触。

Claims (10)

1.一种膜掩模,包括:
透明基板;
设置在所述透明基板上的暗化光屏蔽图案层;以及
设置在所述暗化光屏蔽图案层上的表面能为30达因/cm以下的剥离力增强层。
2.根据权利要求1所述的膜掩模,其中,所述暗化光屏蔽图案层在紫外区域范围内的反射率为约30%以下。
3.根据权利要求1所述的膜掩模,其中,所述暗化光屏蔽图案层由黑色基体材料、炭黑类材料、混合有染料的树脂以及AlOxNy(0≤x≤1.5,0≤y≤1,x和y分别是O原子和N原子与一个Al原子的比值)中的至少一种构成。
4.根据权利要求1所述的膜掩模,还包括:
设置在所述透明基板与所述暗化光屏蔽图案层之间的金属层。
5.根据权利要求1所述的膜掩模,其中,在所述透明基板与所述暗化光屏蔽图案层之间设置金属层,所述膜掩模包括所述金属层中厚度彼此不同的两个以上的区域或所述暗化光屏蔽图案层中厚度彼此不同的两个以上的区域,或者,所述膜掩模包括在所述透明基板与所述暗化光屏蔽图案层之间设置有金属层的区域,以及所述透明基板与所述暗化光屏蔽图案层彼此直接接触的区域。
6.根据权利要求1所述的膜掩模,还包括:
所述暗化光屏蔽图案层与所述剥离力增强层之间的表面保护层。
7.根据权利要求1所述的膜掩模,还包括:
设置在所述暗化光屏蔽图案层与所述透明基板之间的附着层。
8.根据权利要求1所述的膜掩模,其中,所述膜掩模包括设置在所述暗化光屏蔽图案层与所述透明基板之间的金属层,并且还包括设置在所述金属层与所述透明基板之间的附着层。
9.一种权利要求1至8中任意一项所述的膜掩模的制备方法,该制备方法包括:
在透明基板上形成暗化光屏蔽图案层;以及
在所述暗化光屏蔽图案层上形成剥离力增强层。
10.一种使用权利要求1至8中任意一项所述的膜掩模的图案形成方法。
CN201780003799.1A 2016-01-27 2017-01-31 膜掩模、其制备方法和使用膜掩模的图案形成方法 Pending CN108351603A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2016-0010222 2016-01-27
KR20160010222 2016-01-27
PCT/KR2017/001029 WO2017131497A1 (ko) 2016-01-27 2017-01-31 필름 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108351603A true CN108351603A (zh) 2018-07-31

Family

ID=59398603

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780003799.1A Pending CN108351603A (zh) 2016-01-27 2017-01-31 膜掩模、其制备方法和使用膜掩模的图案形成方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10969677B2 (zh)
EP (1) EP3410213B1 (zh)
JP (1) JP6690814B2 (zh)
KR (1) KR102089835B1 (zh)
CN (1) CN108351603A (zh)
WO (1) WO2017131497A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109440061A (zh) * 2018-11-12 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、掩膜装置、掩膜板的制备方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3410215B1 (en) * 2016-01-27 2020-06-17 LG Chem, Ltd. Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby
US11029596B2 (en) * 2016-01-27 2021-06-08 Lg Chem, Ltd. Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby
JP6690814B2 (ja) 2016-01-27 2020-04-28 エルジー・ケム・リミテッド フィルムマスク、その製造方法およびこれを用いたパターンの形成方法
KR101979250B1 (ko) 2017-08-25 2019-09-04 주식회사 성신테크 단층형 마스크 필름
KR102340837B1 (ko) * 2017-11-10 2021-12-17 주식회사 엘지화학 필름 마스크 및 그 제조 방법
TWI810685B (zh) * 2017-11-24 2023-08-01 南韓商Lg化學股份有限公司 用於製備基板的方法
US11966163B2 (en) * 2018-05-30 2024-04-23 Lg Chem, Ltd. Photomask for imprinting and manufacturing method therefor
KR20230011668A (ko) * 2021-07-14 2023-01-25 에이피에스홀딩스 주식회사 필름 마스크 및 그 제조방법

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5664343A (en) * 1979-10-30 1981-06-01 Asahi Chem Ind Co Ltd Preparation of photosensitive resin printing master
JP2002062638A (ja) * 2000-08-21 2002-02-28 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスクブランクス、フォトマスク、パターン形成方法および半導体装置の製造方法
JP2003107677A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Fuji Photo Film Co Ltd フォトマスク及びその製造方法、並びにフォトマスク材料
JP2008242293A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスク
JP2011028174A (ja) * 2009-07-29 2011-02-10 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスクおよび階調マスクの製造方法
JP2011133750A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Fujitsu Ltd 保護膜付きレジストパターン形成用部材とその製造方法、及びレジストパターンの製造方法
CN102378939A (zh) * 2009-03-31 2012-03-14 琳得科株式会社 掩膜用部件、使用该部件制造掩膜的方法及感光性树脂印刷版的制造方法

Family Cites Families (140)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55904B1 (zh) * 1970-02-27 1980-01-10
JPS5057425A (zh) * 1973-09-20 1975-05-19
JPS5323277A (en) * 1976-08-14 1978-03-03 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Photomasking material and photomask
JPS5368578A (en) * 1976-12-01 1978-06-19 Hitachi Ltd Photo mask
JPS53123467A (en) 1977-04-04 1978-10-27 Inshiya Yuugen Molding method of light sensitive liquid resin and article
JPS6053457B2 (ja) * 1977-11-21 1985-11-26 株式会社日立製作所 ホトマスクの製造方法
JPS54141573A (en) 1978-04-26 1979-11-02 Matsushita Electronics Corp Mask for exposure
JPS5746243A (en) * 1980-09-04 1982-03-16 Nec Corp Optical mask
JPS57124436A (en) * 1981-01-26 1982-08-03 Mitsubishi Electric Corp Correction of pattern defect
JPS5858546A (ja) 1981-10-02 1983-04-07 Kimoto & Co Ltd 製版用感光性マスク材料
JPS5950444A (ja) * 1982-09-16 1984-03-23 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 微細加工用ホトマスク
JPS5984245A (ja) 1982-11-08 1984-05-15 Nec Kyushu Ltd フオトマスク
JPS59143157A (ja) 1983-02-04 1984-08-16 Kimoto & Co Ltd 製版用感光性マスク材料および製版用マスク版の製造方法
JPS6043660A (ja) 1983-08-19 1985-03-08 Kimoto & Co Ltd フオトマスキングフイルム
JPS60240737A (ja) 1984-05-14 1985-11-29 Res Inst For Prod Dev 光硬化物体製造用の感光性樹脂封入体
JPS61196245A (ja) * 1985-02-26 1986-08-30 Asahi Glass Co Ltd フオトマスクブランク及びフオトマスク
JPS625244A (ja) * 1985-06-29 1987-01-12 Ricoh Co Ltd コンタクト露光用マスク
JPS6235361A (ja) 1985-08-09 1987-02-16 Mitsubishi Electric Corp フオトマスク材料
JPS6240458A (ja) * 1985-08-19 1987-02-21 Fujitsu Ltd 薄膜パタ−ンの露光方法
JPS6267546A (ja) * 1985-09-19 1987-03-27 Fuji Xerox Co Ltd フレキシブルマスクの製造方法
JPS6285251A (ja) * 1985-10-09 1987-04-18 Nec Corp ホトマスクの保護膜形成方法
US4752498A (en) 1987-03-02 1988-06-21 Fudim Efrem V Method and apparatus for production of three-dimensional objects by photosolidification
US5079113A (en) 1988-09-29 1992-01-07 Sharp Kabushiki Kaisha Photo-mask
JPH01166046A (ja) * 1987-12-22 1989-06-29 Seiko Instr & Electron Ltd フォトマスク
JPH01171528A (ja) 1987-12-26 1989-07-06 Fukuda Denshi Co Ltd 生体電極用パッドの製造方法及びその装置
JPH01241120A (ja) 1988-03-23 1989-09-26 Toshiba Corp X線露光用マスク
JP2844677B2 (ja) 1988-06-24 1999-01-06 富士ゼロックス株式会社 画像記録装置
JP2731177B2 (ja) 1988-09-30 1998-03-25 株式会社東芝 フォトマスク
JPH0320733A (ja) 1989-06-16 1991-01-29 Matsushita Electron Corp ホトマスク
JP2831735B2 (ja) * 1989-10-13 1998-12-02 株式会社東芝 シャドウマスク用パターン焼付け版及びその製造方法
JPH0493948A (ja) * 1990-08-07 1992-03-26 Nec Yamagata Ltd フォトマスク
JPH04269749A (ja) * 1991-02-26 1992-09-25 Hitachi Ltd フォトマスクおよびその製造方法
JPH04294193A (ja) * 1991-03-25 1992-10-19 Konica Corp 液体オペーク材料及び液体オペーク材料を用いたマスクフィルム修正方法
JPH04298382A (ja) 1991-03-27 1992-10-22 Toppan Printing Co Ltd 外装用転写シート
JP3104284B2 (ja) 1991-05-20 2000-10-30 株式会社日立製作所 パターン形成方法
JPH0534896A (ja) * 1991-07-26 1993-02-12 Konica Corp 製版マスク作成用熱溶融転写材料、製版マスク作成方法、製版マスク及び製版マスク回収方法並びにその回収装置
JPH05200757A (ja) 1992-01-30 1993-08-10 Canon Inc フレキシブルスタンパー、ロール状スタンパー、および光情報記録媒体用基板の製造方法
JPH05265196A (ja) 1992-03-19 1993-10-15 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd フレキシブルマスク
JP3306922B2 (ja) 1992-10-07 2002-07-24 凸版印刷株式会社 X線露光用マスク及びその製造方法
JPH06250378A (ja) 1993-02-24 1994-09-09 Nikon Corp 露光方法及び該露光方法で使用されるフォトマスク
JPH07174911A (ja) 1993-12-21 1995-07-14 Mitsubishi Rayon Co Ltd プリズムシート
JPH0821746A (ja) 1994-07-08 1996-01-23 Canon Inc 光学式エンコーダースケール用ロール状スタンパー及びそれを用いた光学式エンコーダースケールの製造方法
JPH0899359A (ja) 1994-09-30 1996-04-16 Asahi Fuootorejin Hanbai Kk 透明薄膜容器入り感光性樹脂及びその製法、並びに該樹脂を使用した造形方法
KR100215850B1 (ko) * 1996-04-12 1999-08-16 구본준 하프톤 위상 반전 마스크 및_그제조방법
JP3937507B2 (ja) 1996-04-30 2007-06-27 日本写真印刷株式会社 透光性電磁波シールド材料の製造方法
JP3689529B2 (ja) 1996-05-14 2005-08-31 キヤノン株式会社 液晶素子の製造方法
US5718991A (en) * 1996-12-27 1998-02-17 Industrial Technology Research Institute Method for making photomasks having regions of different light transmissivities
JP3417798B2 (ja) * 1997-05-19 2003-06-16 株式会社東芝 露光用マスク
DE19834367A1 (de) 1998-07-30 2000-02-03 Meto International Gmbh Bandmaterial, Sicherungselement und Verfahren zur Herstellung eines Sicherungselements für die elektronische Artikelsicherung
US6300042B1 (en) * 1998-11-24 2001-10-09 Motorola, Inc. Lithographic printing method using a low surface energy layer
JP4201162B2 (ja) 2001-03-29 2008-12-24 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法およびそれに用いるフォトマスク
US6635394B2 (en) 2001-05-31 2003-10-21 Macronix International Co., Ltd. Three dimensional mask
CN1261821C (zh) 2001-07-26 2006-06-28 旺宏电子股份有限公司 三维立体掩膜
JP2003107697A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性転写材料、フォトマスク材料、フォトマスクおよびフォトマスクの製造方法
JP2003195472A (ja) 2001-12-27 2003-07-09 Sony Corp 位相シフトマスクの欠陥修正方法、位相シフトマスク及び露光方法
US7221512B2 (en) 2002-01-24 2007-05-22 Nanoventions, Inc. Light control material for displaying color information, and images
US7229847B2 (en) 2002-03-15 2007-06-12 Lucent Technologies Inc. Forming electrical contacts to a molecular layer
US6946332B2 (en) 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
JP3835319B2 (ja) 2002-03-20 2006-10-18 セイコーエプソン株式会社 マイクロレンズ用凹部付き基板の製造方法、マイクロレンズ用凹部付き基板、マイクロレンズ基板、液晶パネル用対向基板、液晶パネルおよび投射型表示装置
WO2004012234A2 (en) 2002-07-30 2004-02-05 The Regents Of The University Of California Superlattice nanopatterning of wires and complex patterns
JP3821069B2 (ja) 2002-08-01 2006-09-13 株式会社日立製作所 転写パターンによる構造体の形成方法
WO2004038462A1 (en) 2002-10-22 2004-05-06 Sunray Technologies, Inc. Diffractive structures for the redirection and concentration of optical radiation
US7964439B2 (en) 2002-12-20 2011-06-21 The Trustees Of Princeton University Methods of fabricating devices by transfer of organic material
JP2004304097A (ja) 2003-04-01 2004-10-28 Sharp Corp パターン形成方法および半導体装置の製造方法
JP2005056981A (ja) * 2003-08-01 2005-03-03 Fuji Photo Film Co Ltd 露光マスク
JP2005062545A (ja) 2003-08-14 2005-03-10 Dainippon Printing Co Ltd 露光処理用マスク、液晶配向用基板及び液晶配向用基板の製造方法
US7189479B2 (en) * 2003-08-21 2007-03-13 3M Innovative Properties Company Phototool coating
KR100609167B1 (ko) 2003-10-21 2006-08-02 엘지전자 주식회사 선격자 편광판 제조 방법
US9040090B2 (en) 2003-12-19 2015-05-26 The University Of North Carolina At Chapel Hill Isolated and fixed micro and nano structures and methods thereof
JP2005215624A (ja) 2004-02-02 2005-08-11 Seiko Epson Corp マイクロレンズの製造方法及びマイクロレンズ、並びにこれを備えた電気光学装置及び電子機器
US7168936B2 (en) 2004-03-19 2007-01-30 Intel Corporation Light transparent substrate imprint tool with light blocking distal end
JP2006011211A (ja) 2004-06-29 2006-01-12 Fuji Xerox Co Ltd 高分子光導波路の製造方法、それに用いる鋳型及びその製造方法
US7534633B2 (en) 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US20060056024A1 (en) 2004-09-15 2006-03-16 Ahn Seh W Wire grid polarizer and manufacturing method thereof
JP2006084776A (ja) 2004-09-16 2006-03-30 Lg Electronics Inc ワイヤーグリッド偏光子及びその製造方法
JP2008522226A (ja) 2004-11-30 2008-06-26 アグーラ テクノロジーズ インコーポレイテッド 大規模ワイヤ・グリッド偏光子の応用および作製技術
US7351346B2 (en) 2004-11-30 2008-04-01 Agoura Technologies, Inc. Non-photolithographic method for forming a wire grid polarizer for optical and infrared wavelengths
JP2006327182A (ja) 2005-04-25 2006-12-07 Nippon Sheet Glass Co Ltd スペーサ付き成形型およびその製造方法ならびにスペーサ付き成形型を用いたレンズアレイの製造方法
JP2006324369A (ja) 2005-05-18 2006-11-30 Mitsubishi Electric Corp ワーク、フォトマスク及び露光方法
KR20070027083A (ko) 2005-08-29 2007-03-09 엘지전자 주식회사 선 격자 편광자 제조 방법
US7604906B1 (en) 2005-09-21 2009-10-20 Kla- Tencor Technologies Corporation Films for prevention of crystal growth on fused silica substrates for semiconductor lithography
US20070183025A1 (en) 2005-10-31 2007-08-09 Koji Asakawa Short-wavelength polarizing elements and the manufacture and use thereof
US8687274B2 (en) 2005-10-31 2014-04-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Short-wavelength polarizing elements and the manufacture and use thereof
KR101171190B1 (ko) 2005-11-02 2012-08-06 삼성전자주식회사 표시장치의 제조방법과 이에 사용되는 몰드
JP4925651B2 (ja) 2005-11-29 2012-05-09 京セラ株式会社 光インプリント用スタンパおよびそれを用いた発光装置の製造方法
JP4717623B2 (ja) 2005-12-15 2011-07-06 大日本印刷株式会社 パターン形成体の製造方法
KR20070075163A (ko) * 2006-01-12 2007-07-18 삼성전자주식회사 미세 패턴 형성용 몰드 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법
KR20080015536A (ko) 2006-08-16 2008-02-20 삼성전자주식회사 와이어 그리드 편광자 제조 시스템 및 제조 방법
JP4281773B2 (ja) 2006-09-25 2009-06-17 ヤマハ株式会社 微細成形モールド及び微細成形モールドの再生方法
JP5026759B2 (ja) 2006-10-05 2012-09-19 旭化成イーマテリアルズ株式会社 ワイヤグリッド偏光板及びその製造方法
JP2008241987A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd 連続露光装置
EP1978406A1 (en) 2007-03-30 2008-10-08 Sony Deutschland Gmbh A method of preparing a substrate having a layer or pattern of metal on it
US8081280B2 (en) 2007-04-30 2011-12-20 International Business Machines Corporation Method of producing UV stable liquid crystal alignment
TWI335490B (en) 2007-06-01 2011-01-01 Univ Nat Cheng Kung Nano-imprinting process
JP5045249B2 (ja) 2007-06-01 2012-10-10 セイコーエプソン株式会社 偏光素子の製造方法
JP2008311416A (ja) 2007-06-14 2008-12-25 Dainippon Printing Co Ltd 金属転写箔を用いた電磁波シールドメッシュの製造方法、及び電磁波シールドメッシュ
KR20090003601A (ko) 2007-07-03 2009-01-12 주식회사 엘지화학 플렉시블 포토마스크 및 이의 제조방법
KR20090019200A (ko) 2007-08-20 2009-02-25 삼성전자주식회사 임프린트용 마스터와 그 제조방법 및 그 마스터를 이용한임프린트 방법
JP5217345B2 (ja) * 2007-10-05 2013-06-19 大日本印刷株式会社 フォトマスクおよびフォトマスクブランクス
JP2009093084A (ja) 2007-10-11 2009-04-30 Canon Inc 近接場露光用マスクおよび近接場露光方法
DE102007049315B4 (de) 2007-10-15 2010-07-08 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Substrates
JP2009105252A (ja) 2007-10-24 2009-05-14 Cheil Industries Inc 微細パターンの製造方法および光学素子
JP2009145742A (ja) 2007-12-17 2009-07-02 Cheil Industries Inc ワイヤグリッド偏光子の製造方法
US8071277B2 (en) 2007-12-21 2011-12-06 3M Innovative Properties Company Method and system for fabricating three-dimensional structures with sub-micron and micron features
JP2009188237A (ja) 2008-02-07 2009-08-20 Fuji Xerox Co Ltd 発光素子アレイチップの製造方法、マイクロレンズ成形型、発光素子ヘッドおよび画像形成装置
DE102008008685A1 (de) 2008-02-12 2009-08-13 Giesecke & Devrient Gmbh Sicherheitselement und Verfahren zu seiner Herstellung
ATE545064T1 (de) 2008-02-25 2012-02-15 Sony Corp Verfahren zur aufbringung einer struktur aus metall, metalloxid und/oder halbleitermaterial auf einem träger
JP2010060681A (ja) * 2008-09-02 2010-03-18 Hitachi Maxell Ltd リソグラフィ用のマスクの製造方法、表面加工方法、光学素子成形用の金型の製造方法および光学素子の製造方法
US9793481B2 (en) 2008-10-01 2017-10-17 The Regents Of The University Of Michigan Patterning by stamped metal resist
KR101022506B1 (ko) 2008-12-24 2011-03-16 한국기계연구원 쉐도우 증착과 나노전사 프린팅을 이용한 나노임프린트 리소그래피의 패턴전사 방법
JP2010158805A (ja) 2009-01-07 2010-07-22 Murata Mfg Co Ltd 光インプリント用モールドの製造方法
JP5299139B2 (ja) 2009-07-22 2013-09-25 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用モールドの製造方法
JP2011062879A (ja) 2009-09-16 2011-03-31 Fujifilm Corp ウェハレベルレンズアレイの成形方法、ウェハレベルレンズアレイ、レンズモジュール及び撮像ユニット
KR101437924B1 (ko) 2010-01-22 2014-09-11 한국생명공학연구원 경사 증착을 이용한 리소그래피 방법
JP5458975B2 (ja) 2010-03-10 2014-04-02 大日本印刷株式会社 ナノインプリント用モールドの製造方法
KR101088359B1 (ko) 2010-03-24 2011-12-01 한국기계연구원 나노임프린트를 이용한 패턴 형성방법
JP2011242473A (ja) 2010-05-14 2011-12-01 Nikon Corp 遮光パターンの形成方法
PL3339052T3 (pl) 2010-06-28 2023-01-30 Leonhard Kurz Stiftung & Co. Kg Sposób dekorowania powierzchni
KR20120019241A (ko) 2010-08-25 2012-03-06 엘지디스플레이 주식회사 박막 패턴의 제조 방법
JP5658001B2 (ja) 2010-11-11 2015-01-21 旭化成イーマテリアルズ株式会社 樹脂モールド
JP2012108352A (ja) 2010-11-18 2012-06-07 Asahi Kasei Corp 光学素子及びその製造方法
KR101260221B1 (ko) * 2011-12-01 2013-05-06 주식회사 엘지화학 마스크
KR20130091225A (ko) * 2012-02-07 2013-08-16 주식회사 에스앤에스텍 기능성 모듈 및 그의 제조 방법
KR20130116978A (ko) 2012-04-17 2013-10-25 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 조성물, 이를 이용한 편광자 제조방법 및 표시 기판의 제조방법
WO2013158543A1 (en) 2012-04-17 2013-10-24 The Regents Of The University Of Michigan Methods for making micro- and nano-scale conductive grids for transparent electrodes and polarizers by roll to roll optical lithography
KR20130126391A (ko) 2012-05-11 2013-11-20 주식회사 엘지화학 와이어 그리드 편광자 제조방법 및 그 제조방법을 이용한 와이어 그리드 편광자
CN104884487B (zh) 2012-12-28 2018-01-05 东洋合成工业株式会社 树脂组合物、树脂模具、光压印方法、以及集成电路与光学元件的制造方法
KR102129543B1 (ko) 2013-07-03 2020-07-03 삼성디스플레이 주식회사 점착 필름 및 그 제조 방법과 상기 점착 필름을 포함하는 표시 장치
WO2015016686A1 (ko) 2013-08-01 2015-02-05 주식회사 엘지화학 노광 장치
JP6234764B2 (ja) 2013-10-16 2017-11-22 株式会社アルバック ワイヤーグリッド偏光子の製造方法、および、ワイヤーグリッド偏光子用基材
KR20150049997A (ko) * 2013-10-31 2015-05-08 삼성전기주식회사 포토 마스크 및 이의 제조 방법, 포토 마스크를 이용한 트렌치 형성 방법
JP5761320B2 (ja) 2013-12-05 2015-08-12 大日本印刷株式会社 マイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法
JP6371076B2 (ja) 2014-02-24 2018-08-08 旭化成株式会社 フィルム状モールドの製造方法
TWI592741B (zh) * 2014-06-30 2017-07-21 國立成功大學 光罩及光罩的製造方法
TWI662591B (zh) 2014-07-08 2019-06-11 日商綜研化學股份有限公司 使用分步重複用壓印用模具的分步重複壓印方法、及分步重複用壓印用模具之製造方法
CN105118844A (zh) 2015-07-01 2015-12-02 深圳市华星光电技术有限公司 一种柔性显示面板的制备方法及柔性显示面板
KR101729683B1 (ko) * 2015-09-16 2017-04-25 한국기계연구원 선격자 편광자의 제조 방법
EP3410215B1 (en) * 2016-01-27 2020-06-17 LG Chem, Ltd. Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby
US11029596B2 (en) * 2016-01-27 2021-06-08 Lg Chem, Ltd. Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby
JP6690814B2 (ja) 2016-01-27 2020-04-28 エルジー・ケム・リミテッド フィルムマスク、その製造方法およびこれを用いたパターンの形成方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5664343A (en) * 1979-10-30 1981-06-01 Asahi Chem Ind Co Ltd Preparation of photosensitive resin printing master
JP2002062638A (ja) * 2000-08-21 2002-02-28 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc マスクブランクス、フォトマスク、パターン形成方法および半導体装置の製造方法
JP2003107677A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Fuji Photo Film Co Ltd フォトマスク及びその製造方法、並びにフォトマスク材料
JP2008242293A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスク
CN102378939A (zh) * 2009-03-31 2012-03-14 琳得科株式会社 掩膜用部件、使用该部件制造掩膜的方法及感光性树脂印刷版的制造方法
JP2011028174A (ja) * 2009-07-29 2011-02-10 Dainippon Printing Co Ltd 階調マスクおよび階調マスクの製造方法
JP2011133750A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Fujitsu Ltd 保護膜付きレジストパターン形成用部材とその製造方法、及びレジストパターンの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109440061A (zh) * 2018-11-12 2019-03-08 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、掩膜装置、掩膜板的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170089788A (ko) 2017-08-04
JP2018535446A (ja) 2018-11-29
JP6690814B2 (ja) 2020-04-28
EP3410213A4 (en) 2019-01-16
US10969677B2 (en) 2021-04-06
US20180329286A1 (en) 2018-11-15
WO2017131497A1 (ko) 2017-08-03
EP3410213A1 (en) 2018-12-05
EP3410213B1 (en) 2021-05-26
KR102089835B1 (ko) 2020-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108351603A (zh) 膜掩模、其制备方法和使用膜掩模的图案形成方法
CN105573046B (zh) 光掩模、光掩模的制造方法以及图案的转印方法
KR102126110B1 (ko) 필름 마스크, 이의 제조방법, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴
JP6575922B2 (ja) フィルムマスク、その製造方法、これを用いたパターンの形成方法およびこれを用いて形成されたパターン
US20090246704A1 (en) Manufacturing Method for Conducting Films on Two Surfaces of Transparent Substrate of Touch Control Circuit
TW586149B (en) Graytone mask producing method
JP4978097B2 (ja) プロキシミティ露光用フォトマスクおよびカラーフィルタの製造方法
US7310467B2 (en) Method of fabricating optical waveguide
JP5228594B2 (ja) カラーフィルタ形成用基板およびカラーフィルタの製造方法
US9429836B2 (en) Exposure mask, exposure apparatus, and method for manufacturing display substrate
WO2015186928A1 (ko) 액정 보호용 글래스의 패턴 인쇄 방법 및 이에 제조된 액정 보호용 글래스
TW201245812A (en) Method of manufacturing a photomask, pattern transfer method and method of manufacturing a display device
JP2009069388A (ja) プロキシミティ露光用フォトマスクおよびカラーフィルタの製造方法
KR100659782B1 (ko) 노광방법 및 하프톤형 위상 시프트 마스크
CN112119352A (zh) 大型光掩模
JP2006337726A (ja) フォトマスク
JPH06230375A (ja) 導光板の網点パターン形成方法
JP5007572B2 (ja) 位相差制御部材とそのアライメント調整方法、およびカラーフィルタの製造方法
KR20160059517A (ko) 포토 마스크 및 이의 제조 방법
KR20170013750A (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
KR20170000649A (ko) 액정보호용 탈부착 시트 및 그 제조방법
JP2022528242A (ja) デコフィルム、これを有するウィンドウフィルムと積層体、及びその製造方法
KR101964603B1 (ko) 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
JP2005292337A (ja) カラーフィルタおよびその製造方法
JP2005292228A (ja) カラーフィルタの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180731

RJ01 Rejection of invention patent application after publication